「ohmic electrodes」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

Since the first and second electrodes 51 and 52 are heat-treated at first and second temperatures, respectively, the both ohmic contact resistances of the first and second electrodes 51 and 52 can be reduced, and the ohmic contact resistance of each of ohmic electrodes 3 and 4 themselves can be reduced.例文帳に追加

第１及び第２電極５１、５２を第１及び第２温度でそれぞれ熱処理しているので、第１及び第２電極５１、５２のオーミックコンタクト抵抗を共に低減させ、各オーミック電極３、４そのもののオーミックコンタクト抵抗を低減させることができる。 - 特許庁

A plurality of ohmic electrodes are provided between a conductive oxide window layer and a light emitting unit, and the electrodes are installed so that the ohmic electrodes are disposed at an equal distance from a pedestal electrode at opposed corners of a light emitting surface.例文帳に追加

導電性酸化物窓層と発光部との間に、複数個のオーミック電極を設け、該オーミック電極を発光面の対角部に、台座電極から等距離となるように設置する。 - 特許庁

Furthermore, ohmic electrodes 10 are formed at two places on the cap layer 7.例文帳に追加

さらに、キャップ層７上の２カ所にオーミック電極１０が形成されている。 - 特許庁

The insulation film IL is formed on one part of the ohmic electrodes OMEa-OMEd.例文帳に追加

絶縁膜ＩＬはオーミック電極ＯＭＥａ〜ＯＭＥｄの一部上に形成されている。 - 特許庁

Between ohmic electrodes 2, gate fingers 4 and 5 are arranged in a crank shape.例文帳に追加

オーミック電極２間には、ゲートフィンガー４，５がクランク状に配置されている。 - 特許庁

The electrodes 12 is joined to the detection part 13 by means of an ohmic joint.例文帳に追加

アノード電極１２と半導体検出部１３との接合は、オーミック接合である。 - 特許庁

The transistor 50 is formed of an ohmic electrode 54 in which source/drain electrodes 52A, B are alloyed with a substrate 12 and ohmic-bonded to source/drain regions, and a lead-out electrode 56 ohmic-bonded to the ohmic electrode 54.例文帳に追加

本トランジスタでは、ソース電極／ドレイン電極５２Ａ、Ｂが、基板１２と合金化し、ソース／ドレイン領域とオーミック接合したオーミック電極５４と、オーミック電極とオーミック接合した引き出し電極５６とから構成される。 - 特許庁

Further, there are provided the method of manufacturing these ohmic electrodes for the SiC semiconductor, a semiconductor device using these ohmic electrodes for the SiC semiconductor, and the method of manufacturing the semiconductor device.例文帳に追加

また、これらのＳｉＣ半導体用オーミック電極の製造方法、これらのＳｉＣ半導体用オーミック電極を用いた半導体装置およびその半導体装置の製造方法である。 - 特許庁

The semiconductor device has a structure in which it is not necessary to provide an opening of the resist in a narrow region between ohmic electrodes 10 by forming the gate electrode 12 before the ohmic electrodes 10 are formed and resist hardly pools.例文帳に追加

オーミック電極１０を形成する前にゲート電極１２を形成することで、オーミック電極１０間の狭い領域にレジストパターンの開口部を設ける必要がなくなり、レジスト溜まりが生じにくい構造となっている。 - 特許庁

A current is injected from the p-type ohmic electrodes 12 and 13 to the active layer 4, a potential difference is provided between both p-type ohmic electrodes 12 and 13, and the current is made to flow to an electrode separation area.例文帳に追加

ｐ型オーミック電極１２，１３から活性層４に電流を注入すると共に、両ｐ型オーミック電極１２，１３間に電位差を設け、電極分離領域に電流を流す。 - 特許庁

The contact electrodes 16 are annealed so that the silicon carbide substrate 10 and the contact electrodes 16 are ohmic-connected.例文帳に追加

炭化珪素基板１０とコンタクト電極１６とがオーミックに接続されるようにコンタクト電極１６がアニールされる。 - 特許庁

Two ohmic electrodes 39, 40 formed on a semiconductor substrate, at least two gate electrodes 41, 42 arranged between the two ohmic electrodes 39, 40, and a conductive region 45 interposed between adjacent gate electrodes are provided to constitute a field effect transistor.例文帳に追加

電界効果型トランジスタを成すように、半導体基板上に形成された２個のオーミック電極３９，４０と、上記２個のオーミック電極の間に配置された少なくとも２個のゲート電極４１，４２と、隣り合うゲート電極の間に挟まれて配置された導電領域４５とが備えられる。 - 特許庁

To provide an ohmic electrode forming method for forming ohmic electrodes on various group III-V compound semiconductors, especially on a semiconductor made of GaAIN that makes ohmic electrode formation difficult, easily and surely even when omitting an alloying heat treatment.例文帳に追加

合金化熱処理を省略しても、種々のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体上に簡便かつ確実にオーミック電極を形成でき、特にＧａＡｌＮのごとくオーミック電極の形成が困難な半導体についても容易に電極形成できるオーミック電極の形成方法を提供する。 - 特許庁

A semiconductor light emitting element 10 has an ohmic electrode of the n-side electrode 16 and an ohmic electrode of the p-side electrode 14 formed at a distance within a constant range, and an electric field in the element based upon an applied voltage has a nearly constant value between the ohmic electrodes.例文帳に追加

ｎ側電極のオーミック電極とｐ側電極のオーミック電極との間の距離は一定の範囲になるように形成し、印加された電圧による素子内部の電界をオーミック電極間でほぼ一定値となるようにする。 - 特許庁

The plurality of resonators 110 include a semiconductor layer and an ohmic electrode formed on the semiconductor layer and are arranged in the state that the ohmic electrodes are separated from each other through a separation structure.例文帳に追加

複数の共振器１１０は、半導体層と、半導体層上に形成されたオーミック電極とを含み、オーミック電極が互いに分離構造を介して分離された状態で配置されている。 - 特許庁

With this configuration, if a voltage is applied in forward direction between the p-type ohmic electrode 21 and the n-type ohmic electrode 20, a current flows between both electrodes so that the InGaN layer 14 emits blue light.例文帳に追加

このような構成においては、ｐ型オーミック電極２１とｎ型オーミック電極２０の間に順方向に電圧を印加すると、両電極間に電流が流れ、ＩｎＧａＮ層１４が青色に発光する。 - 特許庁

To provide a Ga_2O_3-based compound semiconductor which uses a Ga_2O_3-based compound as a semiconductor, has electrodes that allow to obtain ohmic characteristics suitable for the semiconductor, and eliminates heat treatment to obtain ohmic characteristics.例文帳に追加

Ｇａ_２Ｏ_３系化合物を半導体として用い、これに適合したオーミック特性が得られる電極を有するとともに、オーミック特性を得るための熱処理を不要とすることが可能なＧａ_２Ｏ_３系化合物半導体を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor transistor, capable of forming ohmic electrodes that form an ohmic contact with an active layer while increasing the degree of freedom of processes.例文帳に追加

プロセスの自由度を高めつつ、活性層とオーミックコンタクトをとるオーミック電極を形成できる半導体トランジスタの製造方法を提供する。 - 特許庁

A metal layer 2 is provided between the semiconductor crystal 1 and the P-side ohmic metal electrodes 3A and 3B.例文帳に追加

半導体結晶１とＰ側オーミックメタル電極部３Ａ，３Ｂとの間には、金属層２を設けている。 - 特許庁

A forward bias voltage is applied across ohmic p-electrodes 107 and 109 and an AuGe n-electrode 101.例文帳に追加

オーミックｐ電極１０７、１０９とＡｕＧｅのｎ電極１０１との間に順バイアス電圧を印加する。 - 特許庁

Further, resistances 44 and 46 are connected in series between the two ohmic electrodes with the wide portion interposed.例文帳に追加

更に、幅広部分を介して２個のオーミック電極の間に直列に抵抗４４，４６が接続されている。 - 特許庁

Ohmic electrodes 9, 10 and 11 are formed in the layer 3, the layer 5 and the layer 7, respectively; and a Schottky electrode 8 is formed in the layer 7.例文帳に追加

オーミック電極９、１０、１１を夫々層３、層５、層７に形成し、ショットキ電極８を層７に形成する。 - 特許庁

Also, an n-type GaAs layer 1 with the recess part is provided between the ohmic electrodes 2, and the gate fingers 4 and 5 are formed in the recess part.例文帳に追加

また、オーミック電極２間には、リセス部を有するｎ型ＧａＡｓ層１があり、ゲートフィンガー４，５は、このリセス部に形成される。 - 特許庁

A leakage-current inhibiting structure, for example, in a form of a nitride film, is formed at least on a side facing the ohmic electrode among the gate electrodes.例文帳に追加

前記ゲート電極のうち、少なくとも前記オーミック電極と対向する側に、リーク電流抑制構造を、例えば窒化膜の形で形成する。 - 特許庁

It is learnt that current easily flows and an ohmic characteristic is remarkably improved from a current-votlage measurement result between the two electrodes.例文帳に追加

この２電極間の電流−電圧測定結果から電流が流れやすく、オーミック特性が大幅に改善されていることが分かる。 - 特許庁

The grown net-shaped films 6 are peeled from the substrate, and then ohmic electrodes 7 and 8 are vaporized, so that a solar battery can be constituted.例文帳に追加

成長した網状膜６は、基板から剥離した後、オーミック電極７、８を蒸着して太陽電池とする。 - 特許庁

To provide a phantom of a magnetoencephalogram capable of easily finding the positional relation between ohmic electrodes.例文帳に追加

オーミックな電極、相互位置関係を容易に出すことができる脳磁計測装置のファントムを実現する。 - 特許庁

The power transistors 1 and 2 are bonded on the one surface of the support 6, and the back electrodes 8 and 9 are connected to the support 6 in an ohmic manner.例文帳に追加

パワートランジスタ１，２は支持部６の一方表面に接合されており、裏面電極８，９は支持部６にオーミック接続されている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device using a group III-V nitride semiconductor including ohmic electrodes small in contact resistance.例文帳に追加

コンタクト抵抗が小さいオーミック電極を備えたIII−Ｖ族窒化物半導体を用いた半導体装置を実現できるようにする。 - 特許庁

To improve the characteristics of a device while reducing the contact resistance of ohmic electrodes installed in a group III-V nitride semiconductor.例文帳に追加

III-Ｖ族窒化物半導体に設けるオーミック電極のコンタクト抵抗を低減しながらデバイスの特性を向上できるようにする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having an ohmic junction layer which has superior surface flatness, and superior pattern formation property for electrodes.例文帳に追加

表面平坦性に優れ、電極のパターン形成性に優れるオーミック接合層を備える半導体装置を提供する。 - 特許庁

This organic semiconductor device includes an active layer having a conjugated polymer, and a pair of input/output electrodes in contact with the active layer; and at least either of the pair of input/output electrodes includes an ohmic layer in contact with the active layer and a conductive layer in contact with the ohmic layer.例文帳に追加

共役ポリマーを有する活性層と、活性層に接する一対の入出力電極とを備え、一対の入出力電極の少なくとも一方は、活性層に接するオーミック層と、オーミック層に接する導電層とを有する。 - 特許庁

In this method for measuring the withstand voltage of the semiconductor epitaxial wafer 10, the withstand voltage between electrodes 12, 12 can be measured by using only Schottky electrodes without the need for ohmic electrodes.例文帳に追加

本発明に係る半導体エピタキシャルウエハ１０の耐圧測定方法においては、電極１２，１２間の耐圧は、オーミック電極を必要とせず、ショットキー電極のみで測定される。 - 特許庁

Ohmic electrodes 14a and 14b as source and drain electrodes and a Schottky electrode 15 as a gate electrode are formed on the n-type gallium nitride active layer 13.例文帳に追加

当該ｎ型窒化ガリウム活性層１３上には、ソース電極及びドレイン電極としてのオーミック電極１４ａ、１４ｂと、ゲート電極としてのショットキー電極１５とを形成する。 - 特許庁

To enable application of the dry etching to etching of a semiconductor layer to which electrodes are contacted in a GaAs semiconductor device having to form non-alloy ohmic contact electrodes.例文帳に追加

半導体装置に関し、ノン・アロイ・オーミック・コンタクト電極を形成する必要があるＧａＡｓ系半導体装置に於いて、電極をコンタクトさせる半導体層のエッチングにドライ・エッチング法の適用を可能にしようとする。 - 特許庁

The reflective electrode is constituted by linear line electrodes and a plurality of island-shaped dot electrodes provided on both sides of each of the electrode pieces constituting the ohmic electrode, along the electrode pieces.例文帳に追加

反射電極は、オーミック電極を構成する電極片の各々を挟んだ両側において電極片に沿うように設けられた線状のライン電極および複数の島状のドット電極からなる。 - 特許庁

P-side ohmic metal electrodes 3A and 3B, P-side barrier metal electrodes 4A and 4B, and P-side bonding metal electrodes 5A and 5B are successively arranged on the P-side (upper side in Figure 1) of a semiconductor crystal 1.例文帳に追加

半導体結晶１のＰ側（図１中の上側）では、半導体結晶１に近い側から順次、Ｐ側オーミックメタル電極部３Ａ，３Ｂ、Ｐ側バリアメタル電極部４Ａ，４ＢおよびＰ側ボンディングメタル電極部５Ａ，５Ｂが配置されている。 - 特許庁

Cathode electrodes 5a and 5b are pressed and hit with the tips of the pair of probes P1 and P2 so that a pulse current is applied between the cathode electrodes 5a and 5b, forming an ohmic junction at the junction interface between a semiconductor substrate 1 and the cathode electrodes 5a and 5b.例文帳に追加

また、カソード電極５ａ，５ｂに一対のプローブＰ１，Ｐ２の先端が押し当てられて、カソード電極５ａ，５ｂ間にパルス電流が印加されることにより、半導体基板１およびカソード電極５ａ，５ｂの接合界面におけるオーミック接合が形成される。 - 特許庁

As shown in figure 1 (c), anode electrodes 4a and 4b are pressed and hit with the tips of a pair of probes PI and P2 so that a pulse current is applied between the anode electrodes 4a and 4b, forming an ohmic junction at the junction interface between a P-type semiconductor layer 3 and the anode electrodes 4a and 4b.例文帳に追加

図１(c)に示すように、アノード電極４ａ，４ｂに一対のプローブＰ１，Ｐ２の先端が押し当てられて、アノード電極４ａ，４ｂ間にパルス電流が印加されることにより、Ｐ型半導体層３およびアノード電極４ａ，４ｂの接合界面におけるオーミック接合が形成される。 - 特許庁

The present invention relates to a manufacturing method of a semiconductor device including the stages of: forming a silicon nitride film 18 of ≥2.1 to <2.2 in refractive index on a GaN-based semiconductor layer 16; forming ohmic electrodes 20 and 22 in openings of the silicon nitride film 18; and heat-treating the ohmic electrodes 20 and 22.例文帳に追加

本発明は、ＧａＮ系半導体層１６の上に屈折率が２．１以上２．２未満の窒化シリコン膜１８を形成する工程と、窒化シリコン膜１８の開口にオーミック電極２０、２２を形成する工程と、オーミック電極２０、２２を熱処理する工程と、を有する半導体装置の製造方法である。 - 特許庁

To provide a paste composition for electrodes capable of forming copper-containing electrodes in which oxidation of a copper at the time of calcination is suppressed, the electrodes exhibiting low resistance can be formed, and further formation of a reaction phase between the copper and a silicon substrate is suppressed to obtain good ohmic contact, and also to provide a solar cell element and a solar cell which have the electrodes formed using the paste composition for the electrodes.例文帳に追加

焼成時における銅の酸化が抑制され、抵抗率の低い電極を形成でき、さらに銅とシリコン基板との反応物相の形成が抑制され良好なオーミックコンタクトを有する銅含有電極を形成できる電極用ペースト組成物、並びに、該電極用ペースト組成物を用いて形成された電極を有する太陽電池素子及び太陽電池を提供する。 - 特許庁

A catalyst layer containing a metal catalyst component which dissociates the hydrogen atoms from the molecules comprising the hydrogen atoms is formed on one electrode among the ohmic electrodes.例文帳に追加

これらのオーミック電極のいずれか一方の電極上に、水素原子を有する分子から水素原子を解離する金属触媒成分を含有する触媒層を設ける。 - 特許庁

The compound semiconductor device includes ohmic electrodes OMEa-OMEd, an insulation film IL, wirings IC1a-IC1d containing gold, and wirings IC2a-IC2d containing gold.例文帳に追加

化合物半導体装置は、オーミック電極ＯＭＥａ〜ＯＭＥｄと、絶縁膜ＩＬと、金を含む配線ＩＣ１ａ〜ＩＣ１ｄと、金を含む配線ＩＣ２ａ〜ＩＣ２ｄとを備えている。 - 特許庁

A step (a) forms the AlGaN barrier layer 2 having a thickness of 200Å or less on the GaN compound semiconductor substrate 1 and forms an ohmic electrode 3 becoming source and drain electrodes.例文帳に追加

工程（ａ）ＧａＮ系化合物半導体基板１上に厚さ２００Å以下のＡｌＧａＮバリア層２を形成し、ソース、ドレイン電極となるオーミック電極３を形成する。 - 特許庁

To obtain a nitride semiconductor device, a photodetector and a flame sensor, each having a semiconductor element structure wherein a good Ohmic contact electrodes can be formed on a p-AlxGa1-xN layer.例文帳に追加

ｐ−Ａｌ_x Ｇａ_1-x Ｎ層に良好なオーミック接触の電極を形成可能な半導体素子構造を有する窒化物半導体デバイス、受光素子、火炎センサを提供する。 - 特許庁