「ohmic electrodes」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

Major part of the upper part of the resistance layer 13 is covered by the conductive layer 17 except two ohmic electrodes 15a, 15b and their peripheries.例文帳に追加

そして、この導電層１７によって、２つのオーミック電極１５ａ、１５ｂ及びその周囲を除く抵抗層１３上方の大部分が被覆されている。 - 特許庁

First and second contact resistance valuation electrodes 21, 23 and a common electrode 25 are formed by ohmic contact so as to be embedded in an insulating film 15 formed on a semiconductor substrate 11.例文帳に追加

半導体基板１１上に形成された絶縁膜１５に埋め込まれるように第１及び第２接触抵抗評価電極２１及び２３並びに共通電極２５がオーミックコンタクトにより形成されている。 - 特許庁

First, a material having a good ohmic contact to a carbonaceous linear structure, such as Pd, is used to form a source electrode 3 and a drain electrode 4 as counter electrodes.例文帳に追加

まず、Ｐdなど、炭素系線状構造体に対してオーミック接触性の良好な材料を用いて、ソース電極３およびドレイン電極４を対向電極として形成する。 - 特許庁

The wirings IC1a-IC1d are formed on portions, where the insulation film IL is not formed on the ohmic electrodes OMEa-OMEd, and at positions which contact the side surface of the insulation film IL.例文帳に追加

配線ＩＣ１ａ〜ＩＣ１ｄは、オーミック電極ＯＭＥａ〜ＯＭＥｄ上で絶縁膜ＩＬが形成されていない部分であって、絶縁膜ＩＬの側面に接触する位置に形成されている。 - 特許庁

A transparent dielectric film 5 is provided between the reflecting metal film 4 and the Mg-GaP contact layer 7, and a plurality of ohmic contact electrodes 6 are provided at predetermined positions in the transparent dielectric film 5.例文帳に追加

反射金属膜４とＭｇ-ＧａＰコンタクト層７の間には透明誘電膜５が設けられており、この透明誘電膜５内の所定位置に複数のオーミックコンタクト電極６が設けられている。 - 特許庁

A III-V compound semiconductor junction layer which forms a p-n junction is provided in the area immediately below the pedestal electrode and ohmic electrodes are dispersedly arranged in the open light emitting area.例文帳に追加

台座電極の直下の領域にｐｎ接合を形成するＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体接合層を設置し、且つ、開放発光領域にオーミック性電極を分散させて敷設する。 - 特許庁

A source electrode 2 and a drain electrode 3 are formed on the top surface of a glass substrate 1, and two ohmic contact layers 4 and 5 formed of ITO are provided on the top surfaces of the electrodes 2 and 3.例文帳に追加

ガラス基板１の上面にはソース電極２およびドレイン電極３が形成され、それらの上面にＩＴＯからなる２つのオーミックコンタクト層４、５が形成されている。 - 特許庁

The wires or electrodes are made into a single layer of an aluminium alloy film, without aiming an excellent ohmic junction with the ITO by adjusting the composition of the aluminum alloy film, and a three-layer structure is provided.例文帳に追加

本発明は、配線または電極をアルミニウム合金膜の単層とし、そのアルミニウム合金膜の組成を調節してＩＴＯとの良好なオーミック接合を目指すのではなく、３層構造とすることで課題を解決する。 - 特許庁

This laser is provided with a grating 2, an active layer 4, an upper clad layer 10, a continuously formed electrode contact layer 11, and separately formed p-type ohmic electrodes 12 and 13.例文帳に追加

グレーティング２、活性層４、上部のクラッド層１０、連続して形成された電極コンタクト層１１、および、分割して形成されたｐ型オーミック電極１２，１３を有する。 - 特許庁

p-type and n-type ohmic electrodes provided in a p-type BP series semiconductor layer and an n-type group III nitride semiconductor layer, respectively, are made of identical material.例文帳に追加

ｐ形ＢＰ系半導体層及びｎ形III族窒化物半導体層に設けるｐ形及びｎ形オーミック電極を同一の材料から構成する。 - 特許庁

The second semiconductor layer 20b has a width in the gate length direction narrower than an interval between the gate electrode 24 and each of the ohmic electrodes 22, 23, and has a surface level density lower than that of the first semiconductor layer 19.例文帳に追加

第２の半導体層２０ｂは、ゲート電極２４とオーミック電極２２、２３との間隔よりもゲート長方向の幅が狭く且つ第１の半導体層１９と比べて表面準位密度が低い。 - 特許庁

In the present invention, the current collapse can be prevented by heat-treating the ohmic electrodes in a state wherein the silicon nitride film 18 having a refractive index of ≥2.1 is formed.例文帳に追加

本発明によれば、屈折率が２．１以上の窒化シリコン膜１８を形成した状態で、オーミック電極の熱処理を行うことにより、電流コラプスを抑制することができる。 - 特許庁

On the source and drain electrodes, a channel layer 340 of a semiconductor oxide made of InGaZnO_4 is directly formed, and satisfactory ohmic contact is obtained while omitting a heavily doped layer.例文帳に追加

その上に、ＩｎＧａＺｎＯ_４からなる酸化物半導体のチャネル層３４０を直接形成して、高濃度不純物拡散層を省略しつつ、良好なオーミック接触を得る。 - 特許庁

According to the forming method, a liquid electrode forming material made of a GA alloy containing Al is brought into contact with the surface of a semiconductor layer 105 made of any one of GaAIN, GaN, and InP to form ohmic electrodes 106a, 107a.例文帳に追加

ＧａＡｌＮ、ＧａＮ及びＩｎＰのいずれかからなる半導体層１０５の表面に、Ａｌを含有するＧａ合金からなる液状電極形成材を接触させることによりオーミック電極１０６ａ、１０７ａを形成する。 - 特許庁

Electric connection paths are extracted to the outside from the fixed electrodes 18, 19 without using the extracting electrode of the silicon substrate 10, thus the sensor is miniaturized, and the ohmic contact of a connection section can be easily ensured.例文帳に追加

シリコン基板の引き出し電極を介さずに固定電極から外部への電気接続経路の引き出しを行うため、センサの小型化し、接続部のオーミック接触を容易に確保することができる。 - 特許庁

The total bottom area of the ohmic electrodes is a bottom area of the pedestal electrode or less, and further set to a range of 2 to 20% of the area of the light emitting open area.例文帳に追加

オーミック電極の合計の底面積を、台座電極の底面積以下とし、更に、発光開放領域の面積の、２〜２０％の範囲内とする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which is capable of improving the reliability by suppressing the occurrence of poor connection or the like due to defects such as cracks in a constitution wherein ohmic electrodes on the sides of two conduction types are provided on one plane.例文帳に追加

２つの導電型側のオーミック電極を同一面に設けた構成において、クラック等の欠損に起因する接続不良等の発生を抑え、信頼性を向上できる半導体装置を提供する。 - 特許庁

In the photoconductive antenna element 17, a pair of ohmic electrodes 21, 21 each have a line section 24 which connects an antenna section 22 and a pad section 23, and each line section 24 includes a parallel portion 24a extended from the antenna section 22.例文帳に追加

光導電アンテナ素子１７では、一対のオーミック電極２１，２１において、アンテナ部２２とパッド部２３とを接続するライン部２４が、アンテナ部２２から延在する平行部分２４ａを含んでいる。 - 特許庁

The reflective film includes reflective electrodes 21 each coming into ohmic contact with the semiconductor film to form a current path in the semiconductor film between the surface electrode and itself.例文帳に追加

反射膜は、半導体膜にオーミック接触して、表面電極との間で半導体膜の内部に電流経路を形成する反射電極２１を含んでいる。 - 特許庁

The second nitride semiconductor layer 14 has a contact part 14a having an inclination part of which the bottom or wall surface is included to a substrate surface and having a concave cross-section, and the electrodes 16, 17 having the ohmic properties are formed in the contact part 14a.例文帳に追加

第２の窒化物半導体層１４は、底面又は壁面が基板面に対して傾斜した傾斜部を持つ断面凹状のコンタクト部１４ａを有し、オーム性を持つ電極１６、１７はコンタクト部１４ａに形成されている。 - 特許庁

In a semiconductor laminate 2 laminated upon a semiconductor substrate 1, a light emitting section 2A and reinforcing sections 2B are formed with recessed sections 6 between them and p- and n-type ohmic electrodes 4 and 5 are respectively formed on the top faces of the reinforcing sections 2B.例文帳に追加

半導体基板１上に積層された半導体積層体２に、凹部６を介して発光部２Ａと補強部２Ｂを形成し、当該補強部２Ｂの上面にｐ型オーミック電極４及びｎ型オーミック電極５を形成する。 - 特許庁

The ohmic contact electrodes 6 are provided so that the distance between a pad portion of a surface electrode 12 and a branch portion (cross portion) is set to be a predetermined distance, e.g. 30 μm.例文帳に追加

オーミックコンタクト電極６は、表面電極１２のバッド部及び枝状部分（十字形部分）との間の距離を、例えば３０μｍにして所定間隔に設けられている。 - 特許庁

The second nitride semiconductor layer 14 is provided with a contact 14a having a recessed cross section that is provided with an inclined part whose bottom face or wall face is inclined to the substrate face, and the ohmic electrodes 16 and 17 are formed in the contact 14a.例文帳に追加

第２の窒化物半導体層１４は、底面又は壁面が基板面に対して傾斜した傾斜部を持つ断面凹状のコンタクト部１４ａを有し、オーム性を持つ電極１６、１７はコンタクト部１４ａに形成されている。 - 特許庁

In this FET 20, a drain electrode 22D is divided into a plurality of drain electrodes 22Da, 22Db spaced from each other, and an insulating region 24I is formed between drain ohmic contacts 26Da, 26Db formed under the plurality of divided drain electrodes 22Da, 22Db, respectively.例文帳に追加

ＦＥＴ２０は、ドレイン電極２２Ｄが互いに離間する複数のドレイン電極２２Ｄａ、２２Ｄｂに分割されており、かつ、分割された複数のドレイン電極２２Ｄａ、２２Ｄｂの下方に各々形成されたドレインオーミック２６Ｄａ、２６Ｄｂ間に絶縁領域２４Ｉが形成されたものである。 - 特許庁

A group III nitride hetero junction semiconductor element for use in a power circuit like a boost conversion circuit is provided with ohmic junction source-drain electrodes, and Schottky junction electrodes integrated into power switches near gates between the above source-drain electrodes or near the above source-drain electrodes themselves.例文帳に追加

ブースト変換回路などの電源回路で用いられるＩＩＩ族窒化物ヘテロ接合半導体素子は、オーミック接合ソース・ドレイン電極と、前記ソース・ドレイン電極間のゲート電極および、前記ソース・ドレイン電極の近傍に電源スイッチと一体化されたショットキ接合電極を備える。 - 特許庁

The electrodes 7 and 8 of an InGaN light emitting diode 10 have Si_3N_4 protective films 9A and 9B for preventing oxidation formed on the surface wherein the Si_3N_4 protective films 9A and 9B are covering an Au pad electrode layer 7b, an Al pad electrode layer 8b, and an Ni ohmic electrode layer 7a, a Ti ohmic electrode layer 8a.例文帳に追加

このＩｎＧａＮ発光ダイオード素子１０の電極７，８は、酸化を防止するＳｉ_３Ｎ_４保護膜９Ａ，９Ｂが表面に形成され、このＳｉ_３Ｎ_４保護膜９Ａ，９ＢがＡｕパッド電極層７ｂ，Ａｌパッド電極層８ｂおよびＮｉオーミック電極層７ａ，Ｔｉオーミック電極層８ａを覆っている。 - 特許庁

The gas sensor is provided with a first semiconductor layer and a second semiconductor layer of different conductivity types, ohmic electrodes in contact with the respective semiconductor layers, and a catalyst layer provided on one surface of the ohmic electrode for dissociating a hydrogen atom from a molecule having the hydrogen atom, and the semiconductor layers in contact with the ohmic electrode provided with the catalyst layer has a specified thickness corresponding to a concentration of an impurity.例文帳に追加

本発明のガスセンサは、導電型の異なる第１半導体層及び第２半導体層と、各々の半導体層とそれぞれコンタクトしているオーミック電極と、これらのオーミック電極のうちのいずれか一方の表面に設けられ、水素原子を有する分子から水素原子を解離する触媒層と、を備え、触媒層が設けられたオーミック電極とコンタクトしている半導体層は、不純物濃度に応じた所定の膜厚を有する。 - 特許庁

According to the procedure, the silicon carbide semiconductor device having an ohmic electrode providing a satisfactory contact with interconnections with a deposition of carbon atom on the surface layer of electrodes and the formation of the Schottky contact by the Si and the SiC suppressed can be acquired.例文帳に追加

以上により、電極の表面層への炭素原子の析出や、ＳｉとＳｉＣとによるショットキー接触の形成が抑制された、配線との良好な密着性を示すオーミック電極を有する炭化珪素半導体装置を得ることができる。 - 特許庁

The first and second main electrodes 13, 14 serve as a drain or a source of a main semiconductor switching element 20 composed of HEMT in ohmic contact with the main semiconductor region 12 and further serve as a cathode of the first and second diodes 21, 22.例文帳に追加

第１及び第２の主電極１３，１４は主半導体領域１２にオーミック接触してＨＥＭＴから成る主半導体スイッチング素子２０のドレイン又はソースとして機能すると共に第１及び第２のダイオード２１，２２のカソードとして機能する。 - 特許庁

As the result, the external pressure of the diaphragm can be measured by reading the amount of variation of its resistance value because the resistance between two ohmic electrodes (source electrode 107S and drain electrode 107D) changes correspondent to the external pressure.例文帳に追加

その結果、２つのオーミック電極（ソース電極１０７Ｓとドレイン電極１０７Ｄ）間の抵抗が、外圧に応じて大きく変化するため、その抵抗値の変動量を読み取ることによって、ダイアフラムの外圧を測定することができる。 - 特許庁

Moreover, an ohmic source electrode 27 and drain electrode 28 are formed on the GaN layer 26, and a rectifying gate electrode 29 is formed between those electrodes, thus, a double-hetero type field-effect transistor 20 is manufactured.例文帳に追加

さらに、ＧａＮキャップ層２６上に、オーミック性のソース電極２７及びドレイン電極２８を形成し、これらの電極間において整流性のゲート電極２９を形成し、ダブルへテロ型の電界効果トランジスタ２０を作製する。 - 特許庁

Emission center ion 18 and a quantum dot 19 are contained in the active layer 13 and when a voltage is impressed on the semiconductor light emitting device 10 through ohmic electrodes (11, 15), energy is moved to the emission center ion 18 by FRET to excite the emission center ion 18.例文帳に追加

活性層１３には、発光中心イオン１８と量子ドット１９が含まれ、オーミック電極（１１、１５）を介して半導体発光デバイス１０に電圧が加えられると、ＦＲＥＴによりエネルギーが発光中心イオン１８に移動し、発光中心イオン１８を励起させる。 - 特許庁

To provide a GaN HFET and an ohmic contact structure capable of drastically reducing access resistance from source and drain electrodes to a channel in a barrier layer inclusive type recess gate structure in which a barrier layer exists under source and drain regions in the GaN HFET.例文帳に追加

ＧａＮ系ＨＦＥＴにおけるソースおよびドレイン領域下に、障壁層の存在する障壁層介在型リセスゲート構造において、ソースおよびドレイン電極からチャネルヘのアクセス抵抗の大幅な低減を可能とする、オーミックコンタクト構造およびＧａＮ系ＨＦＥＴを提供する。 - 特許庁

To obtain a group III nitride semiconductor light emitting element having a high resistance or insulative single crystal substrate and input/output electrodes disposed on the same surface of the substrate so as to obtain suitable Ohmic characteristics, thereby providing superior electric characteristics.例文帳に追加

高抵抗或いは絶縁性単結晶を基板とし、基板の同一表面側に入出力電極を配置したＩＩＩ族窒化物半導体発光素子にあって、好適なオーミック特性が得られるように電極を配置して、電気的特性に優れるＩＩＩ族窒化物半導体発光素子を得る。 - 特許庁

A silicon film 15 is formed on the surface of a III-V group nitride semiconductor layer 14 between a Schottky-contact electrode 16 (a gate electrode 16) and ohmic-contact electrodes (a source electrode 17a and a drain electrode 17b) by an electron cyclotron resonance (ECR) sputtering method.例文帳に追加

ショットキ接触する電極（ゲート電極１６）１６とオーミック接触する電極（ソース電極１７ａ、ドレイン電極１７ｂ）との間のIII−Ｖ族窒化物半導体層１４表面に、ＥＣＲスパッタリング法により珪素膜１５を形成する。 - 特許庁

Each of ohmic electrodes 3 and 4 has a first electrode 51 brought into contact with the peripheral portion of a recess 28 of the surface of a GaN cap layer 26, and a second electrode 52 which is brought into contact with the first electrode 51 and reaches a two-dimensional electron gas layer 27 via the recess 28.例文帳に追加

各オーミック電極３、４は、ＧａＮキャップ層２６表面のリセス２８周辺部位に接触する第１電極５１と、第１電極５１に接触して、リセス２８を介して２次元電子ガス層２７に及ぶ第２電極５２とを有している。 - 特許庁

The Hall element comprises a GaAs substrate 101, an InAs layer 102 formed on the GaAs substrate 101, a surface layer 103 formed on the InAs layer 102, a passivation layer 104 formed on the surface layer 103, and electrodes 105 that ohmic-contact the InAs layer 102.例文帳に追加

ＧａＡｓ基板１０１と、ＧａＡｓ基板１０１の上に形成されたＩｎＡｓ層１０２と、ＩｎＡｓ層１０２の上に形成された表面層１０３と、表面層１０３の上に形成されたパッシべーション層１０４と、ＩｎＡｓ層１０２とオーミック接触する電極１０５とを備える。 - 特許庁

In a semiconductor device, a conductive layer 12 composed of undoped InAs grown by the MBE method is provided on an insulating semiconductor substrate 11 composed of a GaAs crystal, and ohmic electrodes 13 and 14 which are used for injecting an electric current into the conductive layer 12 are provided on the layer 12.例文帳に追加

ＧａＡｓ結晶からなる絶縁性半導体基板１１上に、ＭＢＥ法によって成長したノンドープＩｎＡｓからなる導電層１２を設け、この導電層１２に電流を注入するために用いるオーム型の電極１３，１４を設けている。 - 特許庁

To provide a highly reliable light emitting element made of a nitride-based compound semiconductor, which enables electrodes having good ohmic properties to be formed surely on the exposed surface of the laminating structure made of the nitride-based compound semiconductor from whose surface its substrate is removed by a laser, and is lowered resultantly in its driving voltage.例文帳に追加

レーザによって基板を除去した窒化物系化合物半導体積層構造の露出表面上においても確実に良好なオーミック性を有する電極を形成することを可能にし、ひいては駆動電圧が低くて信頼性の高い窒化物系化合物半導体発光素子を提供する。 - 特許庁

To provide an element including a copper-containing electrode in which oxidation of a copper is suppressed at the time of calcination and good ohmic contact is obtained, the electrode being formed on a silicon-containing substrate of the element, and to provide a paste composition for electrodes suitable for arranging the element.例文帳に追加

焼成時における銅の酸化が抑制され、良好なオーミックコンタクトを有する銅含有電極がシリコンを含む基板上に形成された素子及び該素子を構成するのに好適な電極用ペースト組成物を提供する。 - 特許庁

A high-resistance III-V compound semiconductor layer is provided under a pedestal electrode, and it is preferable that a low-resistance III-V compound semiconductor layer be provided under the ohmic electrodes, by which an operating current is effectively distributed through an open light- emitting region.例文帳に追加

台座電極の直下に高抵抗ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を設け、さらに好ましくはオーミック電極の直下に低抵抗ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を設けることにより、動作電流を開放発光領域に有効的に配分する。 - 特許庁

A semiconductor thin film 8 is provided on a gate electrode 6 through a gate insulating film 7, and a pair of ohmic contact layers 10 and 11 are provided on both sides of the upper surface of a channel protecting film 9 provided thereon, with source-drain electrodes 12 and 13 being provided.例文帳に追加

ゲート電極６上にゲート絶縁膜７を介した半導体薄膜８、及びその上に設けられたチャネル保護膜９の上面両側に一対のオーミックコンタクト層１０、１１が設けられ、更にソース・ドレイン電極１２，１３が設けられる。 - 特許庁

A n^--type SiC layer 2 and a p^+-type SiC layer 3 are formed sequentially on a n^+-type SiC substrate 1 whose main surface has an off angle θ, a guard ring 6 is formed around the device and a plurality of ohmic electrodes 4a are provided on the p^+-type SiC layer 3.例文帳に追加

主面がオフ角θを有するｎ^+型ＳｉＣ基板１上に、ｎ^-型ＳｉＣ層２、ｐ^+型ＳｉＣ層３が順次形成され、素子周辺にガードリング６が形成されると共に、ｐ^+型ＳｉＣ層３上に、複数のオーミック電極４ａが設けられている。 - 特許庁

The present invention relates to a semiconductor device and a method of manufacturing the semiconductor device, in which the semiconductor device is provided with: a nitride semiconductor layer including a channel layer; a Schottky electrode, containing indium 20, provided in contact with the nitride semiconductor layer; and ohmic electrodes 16, 18 provided in connection with the channel layer.例文帳に追加

本発明は、チャネル層を含む窒化物半導体層と、窒化物半導体層に接して設けられたインジウムを含むショットキ電極（２０）と、チャネル層に接続して設けられたオーミック電極（１６、１８）と、を具備する半導体装置及びその製造方法である。 - 特許庁

The thin film transistor has, on a substrate, a gate electrode, a gate insulating film containing phosphorus, a crystalline semiconductor layer, and source and drain electrodes, and is characterized in that the gate electrode, gate insulating film, and crystalline semiconductor layer are laminated in this order from the substrate side, and the crystalline semiconductor layer is brought into ohmic contact with the source and drain electrodes on the opposite side from the substrate.例文帳に追加

基板上に、ゲート電極、リンを含むゲート絶縁膜、結晶性半導体層、ソース及びドレイン電極を有し、ゲート電極、ゲート絶縁膜、結晶性半導体層が、基板側からこの順で積層され、結晶性半導体層が、基板とは反対側でソース及びドレイン電極とオーミック接触していることを特徴とする薄膜トランジスタ。 - 特許庁