「oxygen mask」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

When the SiCO film is used as the hard mask, a method includes: exposing the CF film for about 5-10 seconds in a plasma atmosphere activated with an organic compound of silicon, for example, trimethyl silane gas; next, adding nitrogen plasma to this plasma and depositing the SiCN film on the fluorine-added carbon film; and thereafter, depositing the SiCO film by the plasma activating trimethyl silane gas and oxygen gas.例文帳に追加

ＳｉＣＯ膜をハードマスクとして使用する場合に、ＣＦ膜をシリコンの有機化合物例えばトリメチルシランガスを活性化したプラズマ雰囲気に例えば５〜１０秒程度曝し、次いでこのプラズマに窒素プラズマを加えてフッ素添加カーボン膜の上にＳｉＣＮ膜を成膜し、その後例えばトリメチルシランガスと酸素ガスとを活性化したプラズマによりＳｉＣＯ膜を成膜する。 - 特許庁

In the halftone phase shifting mask blank having a phase shifter film for forming a phase shifter portion on a transparent substrate, the phase shifter film comprises a film containing ≤10 at.% metal and using the metal, silicon, oxygen and nitrogen as principal constituent elements and an etching stopper film formed between the above film and the transparent substrate.例文帳に追加

透明基板上に前記位相シフター部を形成するための位相シフター膜を有するハーフトーン型位相シフトマスクブランクにおいて、前記位相シフター膜が、金属を１０原子％以下含有する、金属、珪素、酸素、及び窒素を主構成要素とする膜、及び、前記膜と透明基板との間に形成されたエッチングストッパー膜とからなることを特徴とする。 - 特許庁

An organic polymer resin layer is provided on the surface of a semiconductor device, after pattern processing and hardening treatment are performed, the resin pattern is etched as a mask, the conduction layer of the opening part is exposed, next, oxygen plasma treatment is performed at a temperature of 100°C or higher, and the semiconductor device is manufactured by cleaning the conduction layer of the opening part.例文帳に追加

半導体素子表面に有機ポリマー樹脂層を設け、パターン加工及び硬化処理を施したのち、この樹脂パターンをマスクとしてエッチング処理し、開口部の導通層を露出させ、次いで１００℃以上の温度で酸素プラズマ処理を行い、上記開口部の導通層をクリーニングすることにより、半導体装置を製造する。 - 特許庁

The surface of the substrate 2 with the mask 7 formed thereon is subjected to heat treatment in an oxygen-containing atmosphere, and this oxidizes a predetermined region of the conductive hydrogen barrier film 6 for the conversion of at least a part of the region in contact with the contact plug 5 into a conductive hydrogen barrier layer 8.例文帳に追加

次に、マスクが形成された基板表面を、酸素を含む雰囲気で熱処理して導電性水素バリア膜の所定領域を酸化させ、コンタクトプラグに接する領域の少なくとも一部を導電性水素バリア層８とし、導電性水素バリア層となる領域以外に絶縁性水素バリア層９を形成する。 - 特許庁

After that, recesses 1R each formed by adjacent silicon columnar bodies 1F are completely filled by a PVD method using an oxygen gas, an argon gas, a hydrogen gas and a silicon gas as a base reaction gas, and a burying oxide film 5 is deposited up to the upper part of each of the recess 1R and the hard mask 3.例文帳に追加

その後、酸素ガス、アルゴンガス、水素ガス及びシリコンガスをベースとなる反応ガスとして用いるＰＶＤ法によって、隣り合うシリコン柱体１Ｆによって形成されるリセス１Ｒを完全に充填すると共に、リセス１Ｒの上方及びハードマスク３の上方にまで至る埋め込み酸化膜５を堆積する。 - 特許庁

This method of manufacturing the sub master mold 20 from a master pattern mold 30 for imprint having grooves corresponding to the minute pattern includes a minute pattern dimension fluctuation process of performing dry etching using oxygen gas with respect to a resist layer 4 which is formed on a hard mask layer formed on a substrate 1 for the sub master mold and to which the minute pattern of the master pattern mold 30 is transferred.例文帳に追加

微細パターンに対応する溝が設けられたインプリント用の元型モールド３０からサブマスターモールド２０を製造する方法において、前記サブマスターモールド用の基板１上にはハードマスク層が形成され、前記ハードマスク層上に形成され且つ元型モールドの微細パターンが転写されたレジスト層４に対して、酸素ガスを用いたドライエッチングを行う微細パターン寸法変動工程を有する。 - 特許庁

The resist film 28 patterned and formed on an overcoat layer 12, formed on a thin-film transistor and an upper layer side of a pixel electrode, as a mask for exposing at least a part of a pixel electrode from the overcoat film 12 is removed using a mixed gas of one of COF_2 and F_2 and an oxygen gas, after at least the part of the pixel electrode is exposed from the overcoat layer 12.例文帳に追加

薄膜トランジスタ及び画素電極の上層側に成膜されたオーバーコート膜１２から前記画素電極の少なくとも一部を露出させる際のマスクとして前記オーバーコート層１２上にパターニングして形成されたレジスト膜２８を、前記オーバーコート層１２から前記画素電極の少なくとも一部を露出させた後にＣＯＦ_２またはＦ_２のいずれか一方と酸素ガスとを含む混合ガスを用いて除去する。 - 特許庁

The manufacturing method of the semiconductor device comprises processes of: forming a high specific dielectric insulating layer on an SOI substrate; forming a gate electrode layer on the high specific dielectric insulating layer; forming a resist layer on the gate electrode layer; selectively removing the gate electrode layer using the resist layer as a mask; and removing the resist layer by ashing processing using gas not containing oxygen.例文帳に追加

本発明に係る半導体装置の製造方法は、ＳＯＩ基板上に、高比誘電率絶縁層を形成する工程と；前記高比誘電率絶縁層上に、ゲート電極層を形成する工程と；前記ゲート電極層上に、レジスト層を形成する工程と；前記レジスト層をマスクとして前記ゲート電極層を選択的に除去する工程と；酸素を含まないガスを用いたアッシング処理によって前記レジスト層を除去する工程とを含んでいる。 - 特許庁

In the blank for a halftone phase shifting mask obtained by disposing a translucent film layer comprising a single layer film or a multilayer film whose transmittance and phase after transmission are controlled on a transparent substrate, the principal constituent elements contained in at least one layer of the translucent film layer except oxygen and nitrogen are two metal elements, one of the metal elements is aluminum and the other is a transition metal.例文帳に追加

透明基板上に、透過率および透過した後の位相が制御される単層膜もしくは多層膜からなる半透明膜層が設けられてなるハーフトーン型位相シフトマスク用ブランクにおいて、前記半透明膜層の少なくとも１層に含まれる、酸素、窒素以外の主要構成元素が２種類の金属元素であり、その一方がアルミニウムであり、他方が遷移金属であることを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスク用ブランクを提供する。 - 特許庁

Emergency preparedness and response activities by licenseesLicensees equip and maintain radiation measuring equipment on nuclear sites that is necessary in reporting of a Specific Event, and also prepare radiation protection equipment such as an anticontaminant suit, a respiratory oxygen tank, and a protective mask, emergency communication equipment such as a cell phone and a facsimile machine, measuring equipment such as a fixed measuring instrument or dose meter and a portable measuring instrument for measuring radioactive materials released outside a building, and other materials and equipment for nuclear disaster response.例文帳に追加

原子力事業者による防災対応の実施原子炉設置者は、事業所内に、特定事象の通報を行う上で必要となる放射線測定設備を設置、維持しているほか、汚染防護服、呼吸用ボンベや防護マスクなどの放射線障害防護用器具、携帯電話やファクシミリなどの非常用通信機器、建物の外部に放出される放射性物質を測定するための固定式測定器や線量計、可搬式測定器などの計測器、その他の原子力防災資機材を備え付けている。 - 経済産業省