「oxygen mask」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

The surface reforming layer 10 is etched by using the resist pattern 3 as a mask, and the organic insulating film 2 is removed through plasma containing oxygen while the surface reforming layer 10 is used as an etching stopper, thereby forming a pattern.例文帳に追加

レジストパターン３をマスクとしてエッチング法により表面改質層１０をエッチングし、酸素を含んだプラズマにより表面改質層１０をエッチングストッパとして有機絶縁膜２を除去しパターンを形成する。 - 特許庁

This mask is a micromini type and has a limit in its volume so that, if necessary, two or three micromini oxygen generators can be carried to elongate the generation hours.例文帳に追加

発生時間を多くするには、超小型で容量に限界ある事から必要あれば本発明による超小型酸素発生装置を２個、３個と装着する方法可能である。 - 特許庁

Next, after the water-repellent film 6 is removed except for the semi-through hole by second plasma gas treatment using oxygen gases or the like by a dry mask 8, a plating resist pattern 9a is patterned.例文帳に追加

次いで、ドライマスク８によって酸素ガス等を使用した第２のプラズマガス処理により半貫通ホール以外の撥水性膜６を除去した後、めっきレジストパターン９ａをパターニングする。 - 特許庁

In forming an oxide film 2 and a nitride film 1 which are deposited in layers on top of the silicon substrate having the off angle, as a mask for forming element isolation, radical oxygen is used for growing the oxide film 2.例文帳に追加

素子分離形成用のマスクとしてオフ角を有するシリコン基板の上に積層された酸化膜２、窒化膜１の形成において、酸化膜２の成長にラジカル酸素を用いる。 - 特許庁

A high-resolution flexographic printing plate with a relief excellent in resolution can be obtained by forming a mask on an infrared laser ablation layer and thoroughly shutting off oxygen.例文帳に追加

赤外レーザー融除層にマスクを形成後、十分な酸素遮断を行うことにより、解像度に優れたレリーフが形成された高解像度フレキソ印刷版を得ることができる。 - 特許庁

To provide a silicone rubber mask which easily removes new influenza virus and pollen floating in the air and feeds cooled oxygen into nasal cavity.例文帳に追加

空気中に浮遊している新インフル菌や花粉等を自在に除去し、鼻腔内に冷却酸素を送り込むようにした、シリコーンゴムマスクを提供する。 - 特許庁

The device has a mask type (containing a nasal type and a facial type) inlet 6 attached to the mouth of a patient and sections 10 for measuring the pulse, temperature, blood oxygen concentration, blood pressure, etc. on various sockets mounted on the finger, wrist, girth of the chest, etc. of the patient.例文帳に追加

患者の口に取り付けるマスク型（鼻型、顔面型を含む）の吸入口６と、患者の指、手首、胸囲などに装着する各種ソケット上で、脈拍、体温、血中酸素濃度、血圧、等測定部位１０とで構成される。 - 特許庁

To provide an especially compact and micro type pocket oxygen mask storable in a pocket.例文帳に追加

ビルや地下鉄の火災などにより発生した有毒ガスの充満するエリアから避難するためには、呼吸が数分間できるだけの酸素供給能力を持ち、常時持ち運びできる酸素マスクが必要である。 - 特許庁

Thereafter, the embedded oxide film 13 is formed in the main body 12 by implanting oxygen ions 22 into the body 12 perpendicular to surface of the main body 12 by using the oxide film 14 as a mask and annealing the body at 1,300°C or higher.例文帳に追加

次に表面酸化膜１４をマスクにして基板本体１２の表面に垂直に酸素イオン２２を注入し、基板本体１２を１３００℃以上でアニール処理して基板本体１２の内部に埋込み酸化膜１３を形成する。 - 特許庁

At least one solid photosetting element is prepared, comprising a solid photosetting material containing an oxygen scavenger, a support layer having an actinic radiation absorbing compound uniformly dispersed therein and a photoablative mask layer.例文帳に追加

酸素捕捉剤を含有する固体光硬化性物質、化学照射線吸収性化合物を均一に分散した支持体層及び光削摩性マスク層からなる少なくとも１の固体光硬化性要素を用意する。 - 特許庁

Masking is performed to the central effective part of the transparent conducting film 4 by using mask member 7, and only the end portion of the transparent conducting film 4 is subjected to oxygen plasma treatment and made high resistance (d).例文帳に追加

透明導電膜４の中央の有効部分をマスク材７にてマスキングして、透明導電膜４の端部にのみ酸素プラズマ処理を施して高抵抗化する（ｄ）。 - 特許庁

To provide a gas protection plastic bag mask preventing a user from inhaling noxious gas by taking fresh air in a plastic bag, securing oxygen and allowing a user to evacuate when being involved in a fire.例文帳に追加

火災に巻き込まれたとき、有毒ガスを吸い込まないために、ビニール袋内にきれいな空気を取り込んで、酸素を確保して避難できる防毒ビニール袋マスクを提供する。 - 特許庁

After the mask pattern is removed, the first insulating film on the first region is annealed in an atmosphere containing oxygen at a temperature of, for example, ≤600°C.例文帳に追加

前記マスクパターンの除去後、前記第１の領域上を前記第１の絶縁膜を、酸素を含む雰囲気中において、例えば温度６００℃以下の温度でアニールする。 - 特許庁

When a mouth and a nose are covered to be blocked with the mask 1 in respiration, the concentration of oxygen in gas staying in the respiratory gas storage portion 7 is slowly reduced while receiving outside air supplied from the outside air supply hole 9.例文帳に追加

マスク１を口や鼻を塞ぐように被せて呼吸すると、外気補給孔９からの外気補給を受けながら、呼吸気体格納部７に溜まる気体の酸素濃度がゆっくり低下する。 - 特許庁

Correspondingly, in a mask period from the start of resuming the fuel injection to the elapse of a predetermined time period T, the updating of the maximum value Max and the minimum value Min of the output of the oxygen sensor is inhibited for preventing the oxygen sensor with the element crack from being determined to be normal based on the rich output immediately after the resumption of the injection.例文帳に追加

そこで、燃料噴射が再開された時点から既定時間Ｔが経過するまでのマスク期間においては、酸素センサの出力の最大値Ｍａｘ及び最小値Ｍｉｎの更新を禁止し、噴射再開直後のリッチ出力に基づいて、素子割れ状態の酸素センサが正常判定してしまうことを防止する。 - 特許庁

A substrate provided with a resist mask formed through an insulation film is held inside the chamber of an ashing device, gas containing oxygen atoms introduced into the chamber is activated by applying RF power, and the resist mask is ashed by applying the RF power to the substrate side.例文帳に追加

絶縁膜を介して形成されたレジストマスクを有する基板をアッシング装置のチャンバ内に保持し、ＲＦ電力を印加してチャンバー内に導入した酸素原子を含有するガスを活性化させるとともに、前記基板側にＲＦ電力を印加して前記レジストマスクのアッシングを行うアッシング方法。 - 特許庁

The method includes steps of forming an in-situ mask for the photosensitive element; exposing the element to actinic radiation through the in-situ mask in an environment having an inert gas and a concentration of oxygen between 190,000 and 100 ppm; and treating the exposed element to form the relief printing form having a pattern of printing areas.例文帳に追加

この方法は、感光性要素用のその場マスクを形成するステップと、この要素をその場マスクを介して不活性ガスと１９０，０００ｐｐｍと１００ｐｐｍとの間の酸素濃度を有する環境内で化学放射線に露出させるステップと、印刷領域のパターンを有する凸版印刷組版を形成するように、露出された要素を処理するステップとを含む。 - 特許庁

The method includes steps of forming an in-situ mask on a photosensitive element, exposing the element to chemical rays via the in-situ mask in an environment, having an inert gas and an oxygen concentration ranging from 190,000 to 100 ppm, and processing the exposed element to prepare a relief printing form, having a pattern of an embossed surface segment.例文帳に追加

この方法は、感光性エレメントの上にｉｎ−ｓｉｔｕマスクを形成するステップと、不活性ガスおよび１９０，０００から１００ｐｐｍの間の酸素濃度を有する環境内においてｉｎ−ｓｉｔｕマスクを介して化学線に対してエレメントを露光させるステップと、浮出し面区域のパターンを有する凸版印刷フォームを形成するために露光されたエレメントを処理するステップとを含む。 - 特許庁

To provide a method for producing a letterpress plate in which a photosensitive resin layer in a portion freed of a mask layer is not affected by oxygen in the air, and by which a letterpress plate having a good fine pattern can be obtained after development, with respect to a method for producing a letterpress plate from a multilayer laminate for producing a letterpress plate including a photosensitive resin layer and a mask layer.例文帳に追加

感光性樹脂層とマスク層とを有する凸版印刷版製造用多層積層体から凸版印刷版を製造する凸版印刷版の製造方法であって、マスク層が除去された部位の感光性樹脂層が空気中の酸素の影響を受けず、現像後に微細で良好なパターンを有する凸版印刷版を得ることができる凸版印刷版の製造方法を提供すること。 - 特許庁

The blank photomask comprises: a chromium light shielding layer formed on a light-transmissive substrate; a hard mask layer comprising a conductive substance formed thereon with an etching selectivity of at least 3:1 or higher with respect to the chromium light shielding layer against an etching gas mixture containing chlorine gas and oxygen gas; and a resist layer formed on the hard mask layer.例文帳に追加

投光基板上にクロム遮光層が形成され、その上にクロラインガス及び酸素ガスを含むエッチングガスに対して前記クロム遮光層とのエッチング選択比が少なくとも３：１以上になる導電性物質よりなるハードマスク層が形成され、その上にレジスト層が形成されるブランクフォトマスクである。 - 特許庁

In a reflective mask blank for EUV lithography where a layer 12 reflecting EUV light, a layer 14 for absorbing EUV light, and a low reflection layer 15 for the inspection light (wavelength 190-260 nm) of a mask pattern are formed on a substrate 11 in this order, the low reflection layer 15 contains hafnium Hf, nitrogen N and oxygen O at content in total of 80 at% or more.例文帳に追加

基板１１上に、ＥＵＶ光を反射する反射層１２と、ＥＵＶ光を吸収する吸収体層１４と、マスクパターンの検査光（波長１９０〜２６０ｎｍ）に対する低反射層１５が、この順に形成されたＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランクであって、前記低反射層が、ハフニウム（Ｈｆ）、窒素（Ｎ）および酸素（Ｏ）を合計含有率で８０ａｔ％以上含有する。 - 特許庁

In order to efficiently exhaust the hydrocarbon molecules sublimed or evaporated from the mask 1 by heat treatment, the hydrocarbon molecules are preferably cyclicly purged with a minute amount of oxygen and nitrogen gases by using a gas introduction port 33 and a gas exhaust port 35.例文帳に追加

ここで、熱処理によりマスク１から昇華あるいは蒸発した炭化水素分子を効率よく排出するために、ガス導入ポート３３およびガス排気ポート３５を用いて、微量の酸素や窒素などのガスでサイクルパージすることが好ましい。 - 特許庁

When a photoresist 13 used as an etching mask is removed by ashing, a susceptor 9 for supporting a substrate 11 is ashed with plasma- excited oxygen, by using a modified magnetron type plasma treatment device grounded via a high-frequency matching circuit 10.例文帳に追加

エッチングマスクとして用いたフォトレジスト１３をアッシングにて除去する際、基板１１を支持するサセプタ９を高周波整合器１０を介して接地した変形マグネトロン型プラズマ処理装置を用いて、プラズマ励起した酸素によりアッシングを行う。 - 特許庁

In a particular embodiment, oxygen (O_2), nitrogen (N_2), and carbon monoxide (CO) are utilized to etch the amorphous carbon layer to form a mask capable of producing sub-100 nm features on a substrate film having a reduced line edge roughness value.例文帳に追加

特定の実施形態において、酸素（Ｏ_２）、窒素（Ｎ_２）及び一酸化炭素（ＣＯ）を利用して、アモルファスカーボン層をエッチングし、ラインエッジ粗さ値の減じた基板フィルムにサブ１００ｎｍのフィーチャーを製造できるマスクを形成する。 - 特許庁

In a step of ashing a resist mask used for etching the layer having a low dielectric constant included in this method of manufacturing the semiconductor element, the ashing is performed so as to suppress the arrival of oxygen radicals at the surface of the layer having the low dielectric constant.例文帳に追加

半導体素子の製造方法における低誘電率層のエッチングに用いたレジストマスクをアッシングする工程であって、前記低誘電率層表面への酸素ラジカルの到達を抑制するようにアッシングすることを特徴とする。 - 特許庁

Carbon deposits are attached on the inner walls of an etching chamber, an organic material layer 2 formed on a base board 1 is etched using an inorganic material layer 4 patterned as prescribed as a mask by the use of oxygen active species.例文帳に追加

エッチングチャンバ１０の内部に炭素系堆積物を付着させた状態で、下地基板１上に形成された有機材料層２を、所定の形状にパターニングされた無機材料層４をマスクとして酸素活性種でエッチングする。 - 特許庁

In solid state image pickup device of rear surface irradiation type, an element isolation layer between a light receiving part side and a circuit side is realized by forming an oxide film in a semiconductor substrate through oxygen ion implantation by way of a predetermined mask pattern and a thermal treatment thereafter.例文帳に追加

裏面照射型の固体撮像装置において、受光部側と回路側との素子分離層を所定のマスクパターンを介した酸素イオン注入と、その後の熱処理によって半導体基板中に酸化膜を形成することにより実現する。 - 特許庁

To provide a method for producing a mask blank, to which a high-level quality about defects is required, by reducing the number of high oxide defects in a size of 60 nm or more and less than 150 nm, the defect containing more oxygen than in the surrounding area in a thin film for patterning.例文帳に追加

パターン形成用薄膜中のその周囲よりも多く酸素を含有する６０ｎｍ以上１５０ｎｍ未満の大きさの高酸化物欠陥数を低減させ、高いレベルの欠陥品質を要求されるマスクブランクの製造方法を提供する。 - 特許庁

The two gas systems of a chlorine gas and an oxygen gas are used to form the texture on a surface of a substrate used to manufacture a crystal-based solar cell, and the texture is formed by using the deposition of SiO_2 produced during etching of the substrate as the self-mask.例文帳に追加

結晶系太陽電池の製造に用いられる基板の表面にテクスチャーの形成において、塩素ガスと酸素ガスとの二つのガス系を用い、基板のエッチング中に生成されるＳｉＯ_２のポジションをセルフマスクとしてテクスチャーを形成する。 - 特許庁

To provide a method related to removal of active oxygen existing in a gas such as cigarette smoke, the flue gas of a car or the like and the atmosphere, a removal agent, a filter containing the removal agent, and a cigarette, a mask, an air regulator or an air cleaner provided with the filter.例文帳に追加

タバコの煙、車等の燃焼排気あるいは大気などの気体中に存在する活性酸素の除去に関連する方法、除去剤、それを含むフィルターおよびそのフィルターを備えたタバコ、マスク、空気調節機あるいは空気清浄機を提供すること。 - 特許庁

To overcome the problem, wherein when exposing a photoimageable thick-film composition so as to avoid damages to a photomask, using the so-called "non-contact method", the void between a mask and the exposed thick-film composition is filled with air, with presence of oxygen, which causes processing variability.例文帳に追加

光マスクの損傷を避けるように光像形成可能な厚膜組成物を露光するいわゆる非接触法を使用する場合、マスクと露光される厚膜組成物との空隙は、空気、すなわち酸素の存在で満たされることになり、加工変動性の原因となる。 - 特許庁

When a semiconductor chip is sealed with a resin, the heat- resistant pressure-sensitive adhesive tape is used to mask a terminal area by applying it to the area, and the tape is provided with a heat-resistant layer having an oxygen permeability of 50 cm3/m2.24 h.atm or less and an adherent layer.例文帳に追加

半導体チップを樹脂封止する際に端子部をマスキングするために貼着して使用される耐熱性粘着テープであって、酸素透過度５０ｃｍ^3 ／ｍ^2 ・２４ｈ・ａｔｍ以下の耐熱性層と粘着性層とを備える。 - 特許庁

An organic coating film 13 having low oxygen plasma resistance and a low dielectric constant is utilized for the formation of the multilayered wiring structure of the semiconductor device by forming the film 13 after multilayered wiring is formed, and an inter-wiring interlayer insulating film 7 is selectively removed in a self-aligning way by using the multilayered wiring as a mask.例文帳に追加

多層配線を形成後、配線をマスクとし、自己整合的に配線間の層間絶縁膜７を選択除去した後、塗布型有機低誘電率膜１３を形成することで、酸素プラズマ耐性が低い塗布型有機低誘電率膜１３を半導体装置の多層配線構造の形成に利用する。 - 特許庁

Processes for etching PZT and/or forming a ferroelectric capacitor with Ir/IrOx electrodes (350/355, 300/335) and PZT ferroelectric layer (340) use a titanium-containing hard mask (360), a chlorine/oxygen-based plasma, and a hot substrate, typically at about 350°C.例文帳に追加

PZTをエッチングし、かつ／または、Ｉｒ／ＩｒＯｘ電極（350／355，300／335）を備えた、強誘電体コンデンサー及びPZT強誘電体層(340)を形成するためのプロセスは、チタン含有ハードデスク(360)、塩素／酸素系プラズマ、通常約350℃のホット基板を使用する。 - 特許庁

Then, by adjusting the flow rate of the oxygen of an etching gas including CHF3, the ratio of the etching rate of first and second mask patterns 16B and 20B to that of the element isolation protection film 21 is set to approximately 5:1, and a control gate electrode 15B and a contact electrode 19B are exposed.例文帳に追加

続いて、ＣＨＦ_3 を含むエッチングガスの酸素流量を調節することにより、第１及び第２のマスクパターン１６Ｂ、２０Ｂのエッチング速度と素子分離保護膜２１のエッチング速度との比を５対１程度として、制御ゲート電極１５Ｂ及びコンタクト電極１９Ｂを露出する。 - 特許庁

The method for etching the high dielectric film uses a mask made of an inorganic material and a mixed gas of an inert gas with a fluorine gas or a gas of fluorine compound gas as an etching gas, where the mixed gas is doped with an oxygen gas, to etch the high dielectric film.例文帳に追加

高誘電体膜をエッチングする際、無機材料からなるマスクを用いると共に、フッ素ガス又はフッ素化合物からなるガスと不活性ガスとの混合ガスをエッチングガスとして用いる高誘電体膜のエッチング方法であって、前記混合ガスに、酸素ガスを添加して、前記高誘電体膜をエッチングすることを特徴とする。 - 特許庁

In a halftone phase shifting mask blank 1 having on a transparent substrate a halftone phase shifter film for forming a halftone phase shifter portion, the halftone phase shifter film 5 comprises an upper layer 4 comprising a material consisting essentially of silicon, oxygen and nitrogen and a lower layer 3 comprising a material consisting essentially of tantalum and hafnium.例文帳に追加

透明基板上に前記ハーフトーン位相シフター部を形成するためのハーフトーン位相シフター膜を有するハーフトーン型位相シフトマスクブランクにおいて、ハーフトーン位相シフター膜５が、珪素、酸素、及び窒素とから実質的になる材料からなる上層４と、タンタル及びハフニウムとから実質的になる材料からなる下層３とからなることを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスクブランク１。 - 特許庁

Especially, the oxygen saturation degree measured by the face mask type sensor, the breath, the blood alcohol concentration, the acceleration, and the body temperature are measured in real time, and when an emergency situation happens, it can display them immediately, correspond quickly, and transmit to another biological signal management server in order to correspond systematically.例文帳に追加

特に、顔面マスク型センサーにより測定された酸素飽和度、呼吸、血中アルコール濃度、加速度及び体温などの生体信号をリアルタイムで測定し、救急状況の発生の時に、それを直ちに表示して早く対応することができ、別途の生体信号管理サーバーに伝送することができるため、体系的な対応ができる。 - 特許庁

The reflection type mask blank includes: a substrate; a reflection film formed on the substrate to reflect exposed light; an absorber formed on the reflection film to absorb the exposed light; and a reflection prevention film formed on the absorber for preventing the reflection of inspection light and composed of a lower oxide of which the number of oxygen atoms is smaller than a stoichiometric composition ratio.例文帳に追加

基板と、基板上に形成された露光光を反射する反射膜と、露光光を吸収し、反射膜上に形成された吸収体と、吸収体上に形成され、検査光の反射を防止する、酸素原子数が化学量論組成比よりも少ない低級酸化物からなる反射防止膜と、を備えることを特徴とする反射型マスクブランクス。 - 特許庁

Using a patterned SOG film as a mask, any one of gas selected from a group of ammonia (NH3) gas, nitrogen dioxide (NO2) gas, hydrogen cyanide (HCN) gas, methane (CH4) gas, ethylene (C2H4) gas, methanol gas and ethanol gas is introduced and etching is performed by plasma of mixture gas with oxygen gas.例文帳に追加

パターニングしたＳＯＧ膜をマスクとして用い、ＳＯＧ膜の下層に位置する有機膜を、アンモニア（ＮＨ_3）ガス、二酸化窒素（ＮＯ_２）ガス、シアン化水素（ＨＣＮ）ガス、メタン（ＣＨ_４）ガス、エチレン（Ｃ_２Ｈ_４）ガス、メタノールガス、エタノールガスから成るグループから選択されるいずれか１のガスを導入して、酸素ガスとの混合ガスプラズマによりエッチングする。 - 特許庁

The method for manufacturing a silicon carbide mold includes forming a dry etching mask having an opening and comprising tungsten silicide on a silicon carbide substrate, and then dry-etching the silicon carbide substrate by a reactive ion etching method using a single fluorine-containing gas or a mixture gas of the fluorine-containing gas and oxygen gas as an etching gas.例文帳に追加

炭化ケイ素基板上に、開口部を有するタングステンシリサイドからなるドライエッチング用マスクを形成した後、エッチングガスとしてフッ素含有ガス単独又はフッ素含有ガスと酸素ガスとの混合ガスを用いて、反応性イオンエッチング法によって炭化ケイ素基板をドライエッチングすることを特徴とする炭化ケイ素製モールドの製造方法。 - 特許庁

The air filter detoxifying active oxygen such as a superoxydant anion radical, a hydroxyradical, hydrogen peroxide, nitrogen monooxide, ozone, and peroxylipid by causing a base material to carry polyphenol derived from any of grape, coffee, evening primrose, elderberry, and boysenberry in and can be preferably used for an air cleaner or a mask filtering media.例文帳に追加

基材にブドウ、コーヒー、月見草、エルダーベリー、ボイセンベリーのいずれか由来のポリフェノール類を担持させることにより、スーパーオキシドアニオンラジカル、ヒドロキシルラジカル、過酸化水素、一酸化窒素、オゾン、過酸化脂質などの活性酸素を無害化でき、空気清浄機やマスク用濾材に好適に用いることができる。 - 特許庁

Ion impurities are injected using the resist film 107 formed on a glass substrate 100 as a mask, and processing using a flame of a gas burner consuming a mixed gas of hydrogen and oxygen as a fuel is executed in eliminating the resist film 107 having the altered layer 107a formed thereon, thereby eliminating the resist film 107.例文帳に追加

ガラス基板１００上に形成されたレジスト膜１０７をマスクに不純物イオンを注入し、変質層１０７ａが形成されたレジスト膜１０７を除去する際、水素及び酸素の混合ガスを燃料とするガスバーナーの火炎を熱源とした処理を施すことにより、レジスト膜１０７を除去する。 - 特許庁

In the plasma etching method, a substrate W having a mask pattern formed on a surface is etched in a plasma chamber wherein a target material 30 for sputtering is installed, and plasma of an oxygen-based gas is generated in the plasma chamber in or after the etching of the substrate to ash a surface of a target material 30.例文帳に追加

本発明に係るプラズマエッチング方法は、スパッタ用のターゲット材３０が設置されたプラズマチャンバ内で、表面にマスクパターンが形成された基板Ｗをエッチングし、基板のエッチングの途中またはエッチング後に、プラズマチャンバ内で酸素系ガスのプラズマを発生させて、ターゲット材３０の表面をアッシングする。 - 特許庁

In ashing by oxygen plasmas for removing a resist which was used for a mask when forming the bottom electrode 19 of a ferroelectric capacitor formed in a semiconductor substrate 1 by using an Ru film, the inside pressure of the chamber 31 of a plasma processing apparatus is kept at 70 Pa or above and the temperature of the semiconductor substrate 1 is kept at 100°C or less.例文帳に追加

半導体基板１に形成された強誘電体キャパシタの下部電極１９をＲｕ膜により形成するに際に、マスクとして用いたレジストを除去するための酸素プラズマによるアッシングで、プラズマ処理装置のチャンバ３１内の圧力は７０Ｐａ以上で、かつ、半導体基板１の温度は１００℃以下に保持する。 - 特許庁