「oxygen mask」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

The oxygen ions 16b implanted directly into the substrate reaches deep region of substrate, and oxygen ions 16a implanted via the mask pattern are located in the region near the substrate surface.例文帳に追加

直接基板内へ注入する酸素イオン１６ｂは、基板深部に達し、マスク・パターンを介して注入された酸素イオン１６ａは基板表面近傍に位置する。 - 特許庁

Oxygen generated by the electrolysis is supplied to a respiration supporting mask 40 for the oxygen inhalation through a steam separator 33, a container 17 and a control valve 39.例文帳に追加

その電気分解によって発生した酸素は、酸素吸入のために、水井分離器３３、容器１７、及び調節弁３９を介して呼吸補助マスク４０に供給される。 - 特許庁

A reservoir bag 4 and a tube 5 with a specified amount of internal volume are connected to a closed mask 3 having an oxygen inlet 1 and an oxygen outlet 2.例文帳に追加

酸素流入口１と酸素流出口２を作成した密閉型マスク３に，リザーババッグ４と，一定量の内容積をもつ管５を接続する． - 特許庁

To provide an oxygen mask for emergency evacuation, capable of generating oxygen in emergency situations during waiting time even without water or compressed hydrogen.例文帳に追加

水や圧縮酸素を携帯しなくとも、緊急状況で待避時間の間に酸素を発生させることができる緊急避難用酸素マスクを提供する。 - 特許庁

On the processed film 103 (e.g. insulating film), an intermediate film 104 as a mask material is formed by using an oxide compound which has a bond of a semiconductor element (e.g. Si) and oxygen or a bond of a metal element (e.g. Al) and oxygen as a material.例文帳に追加

被加工膜１０３（例：絶縁膜）上に、半導体元素（例：Ｓｉ）と酸素との結合、或いは金属元素（例：Ａｌ）と酸素との結合を有する酸化化合物を材料に用い、マスク材である中間膜１０４を形成する。 - 特許庁

An air-mixed oxygen cylinder 5 for maintaining pressures of oxygen being filled only for a specified period of time is housed into a sealed heat resisting bag 2 with a mouth mask 4 covering the mouth and nose.例文帳に追加

口および鼻の部分を覆うマウスマスク４を備えた耐熱性を有する密封袋２内に、所定時間だけ酸素圧を充填維持すべく空気混入酸素ボンベ５を収納する。 - 特許庁

The generated oxygen is passed through the filter and flow in a bag-shaped receptacle having the both functions of oxygen storage and a mask to allow the respiration for several minutes.例文帳に追加

容器３を回転させると、容器４のネジの先端部分にあるツメ９によってフィルム８が破られ、酸素発生剤としての過炭酸ナトリウムと触媒作用をもつ二酸化マンガンが容器３の水の中で酸素を発生させる。 - 特許庁

Thereafter, the resist mask 4a is removed and the surface of the remaining mask layer 6 is denatured to the SiOX layer 6a through the ashing in the oxygen plasma.例文帳に追加

その後、酸素ガスプラズマ中でアッシングを行うことにより、レジストマスク４ａを除去し且つ残存するマスク層６の表面をＳｉＯ_x層６ａに変質させる。 - 特許庁

To provide a mask with a high level of trapping performance of minute particles, etc., and also improving deterioration in oxygen concentration in an interior space between a face surface and the mask.例文帳に追加

微粒子等の捕捉性能に優れ、かつ顔面とマスクとの間の内部空間内の酸素濃度低下を改善することができるマスクを提供する。 - 特許庁

An island-shaped oxide semiconductor layer is formed using a resist mask, the resist mask is removed, oxygen is implanted (added) to the oxide semiconductor layer, and heat treatment is performed.例文帳に追加

レジストマスクを用いて島状の酸化物半導体層を形成し、レジストマスクを除去し、酸化物半導体層に酸素を導入（添加）し、加熱処理を行う。 - 特許庁

To provide a method and device of exposure by which an optical lithography with shorter wave length is realized by facilitating substitution of inert gas for keeping the concentration of oxygen around a mask to an allowed value or lower, and to provide a mask with a pellicle used for the method and device.例文帳に追加

マスク周辺部の酸素濃度を許容値以下に保つ為の不活性ガス置換を容易にして、短波長化した光リソグラフィを実現する露光方法及び装置、並びにそれに用いるペリクル付きマスクを提供する。 - 特許庁

By using minutely processed Si mask 5, the etching is conducted on the plate board 1 made of the diamond in an oxygen gas added with a slight amount of CF_4 to form the projection 2 of more minute size than that of the mask.例文帳に追加

微細に加工されたＳｉマスク５を用いて、ＣＦ_４を微量に添加した酸素ガス中でダイヤモンドからなる基板１をエッチングして、先端がマスクサイズよりも微小なサイズの突起２を形成する。 - 特許庁

Besides, the mask is easily put on the face and the mask is easily designed to suck a comparatively large quantity of oxygen while properly shielding outer air.例文帳に追加

さらに、マスク１０を顔面に簡単に装着できたり、適度に外気を遮断しながら比較的大量の酸素を吸い込めるマスク１０の設計が容易になる。 - 特許庁

When the oxygen ions 16 are implanted, divided into a plurality of number of times, the periphery of the mask oxide film 23 is removed by etching or, is padded for enlargement between the previous oxygen ion implantation process and the subsequent oxygen ion implantation process.例文帳に追加

酸素イオン１６の注入が複数回に分けて行われる場合には、先の酸素イオン注入工程と後の酸素イオン注入工程との間にマスク酸化膜２３の周縁をエッチング除去するか或いは肉盛りをして拡大させても良い。 - 特許庁

Between the process for forming the mask oxide film and the process for injecting oxygen ions, a recess 12c at a prescribed depth, that is deeper than the substrate surface 12b that serves as a bulk region where the mask oxide film is formed, is formed on the substrate surface 12a that serves as the SOI region where mask oxide films have not been formed.例文帳に追加

マスク酸化膜を形成する工程と酸素イオンを注入する工程の間に、マスク酸化膜の形成されていないＳＯＩ領域となる基板表面１２ａに、マスク酸化膜の形成されたバルク領域となる基板表面１２ｂより深い所定の深さの凹部１２ｃを形成する。 - 特許庁

A mask blank having a hard mask layer on a substrate is provided, wherein the hard mask layer comprises: a layer A which is disposed on the substrate, has conductivity, and can be subjected to wet etching; and a layer B which is disposed on the layer A and subjected to dry etching that substantially does not contain oxygen, and which functions as a mask for the layer A on etching the layer A.例文帳に追加

基板上にハードマスク層を有するマスクブランクスにおいて、前記ハードマスク層は、前記基板上に設けられ、導電性を有し且つウェットエッチング自在な層Ａと、前記層Ａの上に設けられ、実質的には酸素を含まないドライエッチングの対象となる層であり且つ前記層Ａに対してエッチングを行う際に前記層Ａのマスクとなる層Ｂと、を有する。 - 特許庁

The optical element is irradiated with a UV radiation beam from a radiation source LA for mask pattern projection or a radiation source 7 exclusive for purge whereby the beam of radiation decomposes oxygen and produces an oxygen radical which cleans the optical element very effectively.例文帳に追加

マスクパターン投影用の線源ＬＡからの、またはパージ専用線源７からのＵＶ放射線ビームをこの光学要素に照射するので、この放射線が酸素を分解して酸素ラジカルを作り、それらが非常に効果的に光学要素をクリーニングする。 - 特許庁

In addition, an acceleration voltage for adding nitrogen, oxygen or carbon to the high-resistance impurity area is controlled to add nitrogen, oxygen or carbon to the high-resistance impurity area in self-alignment manner while using the gate electrode and the gate insulation film as a mask.例文帳に追加

また、高抵抗不純物領域に窒素、酸素又は炭素を添加する加速電圧を制御することで、ゲイト電極及びゲイト絶縁膜をマスクにして自己整合的に高抵抗不純物領域に窒素、酸素又は炭素を添加する。 - 特許庁

Then, when etching is started by using oxygen plasma etching in the vertical direction, the thin film 38 of a silicon oxide by oxygen plasma is formed on the surface of the patterned resist layer 37, and the cutting of a groove 47 and patterning in the resin layers 35, 36 is performed by using the silicon oxide layer 38 as a mask.例文帳に追加

その後、垂直方向に酸素プラズマエッチングを用いてエッチングを開始すると、パターニングされたレジスト層３７は表面に酸素プラズマにより酸化シリコンの薄膜３８を作り、この酸化シリコン層３８をマスクとして、樹脂層３５および３６に溝４７を掘り、パターニングする。 - 特許庁

Since a desired pattern is uniformly formed through a light semitransmission layer of the half tone mask according to the uniformity of an oxygen-containing chromium film, that is uniformity of sputtering, the half tone mask is not limited in size.例文帳に追加

また、該ハーフトーンマスクの半透過層は、酸素（Ｏ）含有のクロム（Ｃｒ）膜の均一度、すなわち、スパッタリングの均一度によって形成しようとするパターンを均一に形成できるので、ハーフトーンマスクの大きさに制限を受けない。 - 特許庁

An etching mask film 3 is formed on an upper surface of the light-shielding film 2 and is made of a material containing a transition metal, silicon, and at least one of nitrogen and oxygen, and the content ratio of the transition metal to a total of the transition metal and the silicon in the etching mask film 3 is less than 9%.例文帳に追加

遮光膜２の上面には、遷移金属及びケイ素に、さらに窒素及び酸素のうち少なくとも一方の元素を含む材料で形成されるエッチングマスク膜３が設けられ、該エッチングマスク膜３中の遷移金属とケイ素との間における遷移金属の含有比率が９％未満である。 - 特許庁

In the electro-optical device, a resist mask is formed on a TFT array substrate 10, and thereafter, an etching is performed in an etching gas environment containing oxygen, thereby, the resist mask is subjected to the etching and, at the same time, the surface of TFT array substrate 10 is subjected to the etching.例文帳に追加

電気光学装置において、ＴＦＴアレイ基板１０にレジストマスクを形成した後、酸素を含有するエッチングガス中でエッチングを行なうことにより、レジストマスクをエッチングしながらＴＦＴアレイ基板１０の表面をエッチングする。 - 特許庁

To provide a convenient and handy micromini oxygen-mask-cum-gas-mask constantly carried as emergency and first-aid goods.例文帳に追加

地下街、地下鉄の事故或いはビル火災など不測事態に対応した携帯用超小型酸素マスク・防毒マスク及び呼吸困難時に対応した超小型の応急処置マスクの提供するも、本発明では超小型酸素補給装置で酸素の発生量に限界があり更に効率の良い酸素発生剤の研究が待たれる。 - 特許庁

A mask blank 10 is used to make a transfer mask applied with ArF exposure light and has a light-shielding film 2 on a translucent substrate 1, where the light-shielding film 2 has, as a main component, a material containing at least one or more elements selected from a transition metal, silicon, oxygen and nitrogen.例文帳に追加

ＡｒＦ露光光が適用される転写用マスクを作成するために用いられ、透光性基板１上に遮光膜２を有するマスクブランク１０であって、遮光膜２は、遷移金属及びケイ素に更に酸素及び窒素から選ばれる少なくとも１つ以上の元素を含む材料を主成分とする。 - 特許庁

Before forming the mask oxide film 23 or between a process for forming the mask oxide film 23 and a process for implanting oxygen ions 16, a process is provided for implanting silicon ions 21 onto the surface of the silicon substrate 12 that faces the periphery of the embedded oxide film 13 to be obtained.例文帳に追加

マスク酸化膜２３を形成する以前又はマスク酸化膜２３を形成する工程と酸素イオン１６を注入する工程の間に、得ようとする埋込み酸化膜１３の周囲に対向するシリコン基板１２の表面にシリコンイオン２１を注入する工程を有する。 - 特許庁

A mask oxide film 19 is partially formed on the surface of a substrate 12 which has been composed of silicon monocrystal, oxygen ions 16 are implanted on the substrate surface via the mask oxide film 19, and then this substrate is annealed to form an embedded oxide film 13 in the inside of the substrate.例文帳に追加

シリコン単結晶からなる基板１２の表面に部分的にマスク酸化膜１９を形成した後に、マスク酸化膜１９を介して基板の表面に酸素イオン１６を注入し、更にこの基板をアニール処理して基板の内部に埋込み酸化膜１３を形成する。 - 特許庁

The method includes a step to form a buried oxide layer BOX at the logic circuit part 18 of a substrate, which is not masked by a first mask, by injecting oxygen and a step to apply etching to isolation trenches inside the array part 17 and the logic circuit part 18 by a second mask.例文帳に追加

酸素を注入して、第１のマスクによってマスクされていない基板の論理回路部分１８に埋設酸化物層ＢＯＸを形成するステップと、第２のマスクでアレイ部分１７と論理回路部分１８内の分離トレンチにエッチングを施すステップを含む。 - 特許庁

After a mask oxide film 19 is formed partially on the surface of a silicon substrate 12, oxygen ions 16 are injected onto the surface of a substrate via the mask oxide film, and the substrate is annealed, to form the embedded oxide film 13 in the inside of the substrate.例文帳に追加

シリコン基板１２の表面に部分的にマスク酸化膜１９を形成した後に、このマスク酸化膜を介して基板の表面に酸素イオン１６を注入し、更にこの基板をアニール処理して基板の内部に埋込み酸化膜１３を形成する。 - 特許庁

The first mask layer 14 and the magnetic recording layer 13 are etched with reactive ion etching under heating by using a mixed gas composed of gaseous chlorine, gaseous argon, and gaseous oxygen in a vacuum, and using the second mask layer 15a having a width corresponding to the width of a trailing side edge part of the magnetic recording head as a mask.例文帳に追加

真空中で塩素ガスとアルゴンガスと酸素ガスとの混合ガスを用い、当該磁気記録ヘッドのトレーリング側端部の幅に対応する幅を有する第２のマスク層１５ａをマスクとして、加熱下で反応性イオンエッチングによって第１のマスク層１４及び記録用磁性層１３をエッチングする。 - 特許庁

The etching method comprises a step of using the periphery of a copper film 101 where a mask material 102 was formed on its surface as the atmosphere of an organic compound gas 22 and a step of anisotropically etching the copper film 101 by irradiating the copper film 101 with an oxygen ion 6 using the mask material 102 as a mask in the atmosphere of the organic compound gas 22.例文帳に追加

表面にマスク材１０２が形成された銅膜１０１の周囲を、有機化合物ガス２２雰囲気とする工程と、有機化合物ガス２２雰囲気中で、銅膜１０１に、マスク材１０２をマスクに用いて酸素イオン６を照射し、銅膜１０１を異方性エッチングする工程と、を具備する。 - 特許庁

In a dry etching process of the fine mask pattern of a membrane mask, a radical and an ion, containing at least one of nitrogen, carbon, and oxygen that do not contribute to pattering, are generated by plasma for supplying to the upper and side surfaces and foundation of the mask pattern, and a layer (membrane) for restraining the generation of stress is reliably formed on the side.例文帳に追加

メンブレンマスクの微細マスクパターンのドライエッチング工程において、パターニングに寄与しない窒素、炭素もしくは酸素の少なくとも一つ以上を含むラジカルやイオンをプラズマにより発生させて、マスクパターンの上面、側面および下地に供給し、側面に応力発生を抑制する層（膜）を確実に形成する。 - 特許庁

The mask blank having a thin film 12, 13 to form a pattern on a substrate 11 is to be subjected to a dry etching process applicable to the method of producing an exposure mask, the method including patterning the thin film by dry etching using an etching gas substantially containing no oxygen through a resist pattern 14a to be formed on the thin film as a mask.例文帳に追加

基板１１上にパターンを形成するための薄膜１２，１３を有するマスクブランクにおいて、前記薄膜上に形成されるレジストパターン１４ａをマスクにして、酸素を実質的に含まないエッチングガスを用いたドライエッチング処理により、前記薄膜をパターニングする露光用マスクの作製方法に対応するドライエッチング処理用のマスクブランクである。 - 特許庁

The etching method comprises a step of forming a copper oxide 103 anisotropically oxidized for all thickness directions of a copper film 101 in the copper film 101 by irradiating the copper film 101 where a mask material 102 was formed on its surface with an oxygen ion 6 using the mask material 102 as a mask and a step of etching an anisotropically oxidized copper oxide 103.例文帳に追加

表面にマスク材１０２が形成された銅膜１０１に、マスク材１０２をマスクに用いて酸素イオン６を照射し、銅膜１０１内に、銅膜１０１の厚さ方向の全てに対して異方的に酸化された酸化銅１０３を形成する工程と、異方的に酸化された酸化銅１０３をエッチングする工程と、を具備する。 - 特許庁

A stuck substrate 600 has an ion shielding mask 300a formed on the surface of a silicon substrate 200 and oxygen ions 400 are implanted.例文帳に追加

貼り合わせ基板６００において、単結晶シリコン基板２００の表面にイオン遮蔽用マスク３００ａを形成し、酸素イオン４００を注入する。 - 特許庁

With these ultraviolet rays 21, ozone is generated from oxygen in the atmospheric air, the organic semiconductor film 11 at the part of the holes of metal mask 12 reacts with ozone, and thereby, the conductivity thereof is lowered.例文帳に追加

この紫外線２１により、大気中の酸素からオゾンが生成され、メタルマスク１２の孔の部分の有機半導体膜１１がオゾンと反応してその導電率が低下する。 - 特許庁

A first dry etching is performed with a mixed gas of chlorine gas and oxygen gas as etchant, to form a pseudo etching mask M on an n-type AlGaInP clad layer 11.例文帳に追加

塩素系ガス及び酸素ガスの混合ガスをエッチャントとして第１のドライエッチングを行い、ｎ型AlGaInPクラッド層１１に擬似エッチングマスクＭを形成する。 - 特許庁

Next, the first oxidation film 103 is used as a mask to perform oxygen ion plantation, and a second oxidation film 104 is formed on the lower part of the emitter formation area.例文帳に追加

次に、第１の酸化膜１０３をマスクとして酸素イオン注入を行い、エミッタ形成領域の下部に第２の酸化膜１０４を形成する。 - 特許庁

Then, a silicon mask 50a and the DLC film 42 are simultaneously etched through reactive ion etching (RIE), by using the mixed gas of tetrafluorocarbon (CF4) and oxygen.例文帳に追加

次に、テトラフルオロカーボン（ＣＦ_４）と酸素との混合ガスを用いて、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）により、シリコンマスク５０ａとＤＬＣ膜４２とを同時にエッチングする。 - 特許庁

Then after the resist layer 16 is eliminated, the substrate 12 is cleaned and oxygen ion 23 is vertically implanted onto the surface of the substrate 12 through the mask of the surface oxide film 14.例文帳に追加

次にレジスト層１６を除去して基板本体１２を洗浄し、表面酸化膜１４をマスクにして基板本体１２の表面に垂直に酸素イオン２３を注入する。 - 特許庁

In the method for manufacturing a mask blank, a film is deposited on a transparent substrate using the sputtering target and a sputtering gas used in the film deposition contains nitrogen and/or oxygen.例文帳に追加

また、本発明のマスクブランクの製造方法は、上記スパッタリングターゲットを用いて、透明基板上に成膜することを特徴とし、成膜時に使用される成膜ガスは、窒素及び／又は酸素を含んでいる。 - 特許庁

Heat treatment is then carried out in an atmosphere of oxygen or nitrogen, whereby the etching mask 5a comprising the heat disappearing resin is thermally decomposed and thoroughly removed.例文帳に追加

その後、酸素雰囲気あるいは窒素雰囲気中で加熱処理を施し、加熱消滅性樹脂からなるエッチングマスク５ａを熱分解し完全に除去する。 - 特許庁

The method for pattern formation comprises covering the surface of a hydrophobic polymer with a mask pattern followed by contacting with an active oxygen species in water to etch exposed parts.例文帳に追加

疎水性ポリマー表面をマスクパターンで被覆し、水中において活性酸素種と接触させ、露出部分をエッチングするパターン形成方法である。 - 特許庁

With use of the mask and an RIE(reactive ion etching) method, removal of resist using an oxygen gas, etching of the film 3 and removal of a silylation layer 8 formed on a resist are repeated.例文帳に追加

次に、このマスクを用いて、ＲＩＥ法により、酸素ガスを用いたレジストの除去、ＣＨＦ_3とＣＦ_4とＡｒとの混合ガスにより、層間絶縁膜３のエッチング及びレジスト表面のシリル化層８除去を繰り返す。 - 特許庁

This oxygen mask storing box comprises a housing 10 closed by the door 12, and a piping accommodated in the housing for supplying a breathing gas through a soft tube by the first pressure.例文帳に追加

本発明の酸素マスク収納箱は、ドア１２によって閉鎖されるハウジング１０と、呼吸用ガスを柔軟チューブを介して第１圧力でマスクに供給するためにハウジング内に収容された配管とを備えている。 - 特許庁

The chlorine/oxygen-based plasmas provide good selectivity with high etch rates for Ir and PZT layers and low etch rates for the hard mask.例文帳に追加

塩素／酸素系のプラズマは、Ｉｒ及びＰＺＴ層に対して高いエッチング速度かつハードマスク(360)に対して低いエッチング速度を有する良好な選択性を提供する。 - 特許庁