「p Si」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

To prevent or inhibit the corrosion of a-Si and p-Si.例文帳に追加

ａ−Ｓｉ、ｐ−Ｓｉの腐蝕を阻止又は大幅に抑制する。 - 特許庁

By this setup, the resistivity of the p-type layer containing Si can be reduced to 40 to 90% of that of a Si-free p-type layer.例文帳に追加

これによりp型層の抵抗率は、Siが実質的に含有されていない場合に比べて40〜90％に低減する。 - 特許庁

A nitride ferroelectric film 4, that is made of Sr2NbN3, is formed on a p-type Si substrate 1.例文帳に追加

p型Si基板１上にSr_2NbN_3からなる窒化物強誘電体膜４を形成する。 - 特許庁

The p layer 3 consists of p-type poly-Si:H, the n layer 5 consists of n-type poly-Si:H.例文帳に追加

ｐ層３は、ｐ型ｐｏｌｙ−Ｓｉ：Ｈからなり、ｎ層５は、ｎ型ｐｏｌｙ−Ｓｉ：Ｈからなる。 - 特許庁

The p layer 3 consists of p-type a-Si:H, the n layer 5 consists of n-type a-Si:H.例文帳に追加

ｐ層３は、ｐ型ａ−Ｓｉ：Ｈからなり、ｎ層５は、ｎ型ａ−Ｓｉ：Ｈからなる。 - 特許庁

The (p) layer 3 consists of p-type a-Si:H, the (n) layer 5 consists of n-type a-Si:H.例文帳に追加

ｐ層３は、ｐ型ａ−Ｓｉ：Ｈからなり、ｎ層５は、ｎ型ａ−Ｓｉ：Ｈからなる。 - 特許庁

A porous Si layer 2 is formed on a single-crystal Si substrate 1 and a p^+-type Si layer 3, a p-type Si layer 4, and an n^+-type Si layer 5 all of which become solar battery layers are formed on the Si layer 2.例文帳に追加

単結晶Ｓｉ基板１上に多孔質Ｓｉ層２を形成し、その上に太陽電池層となるｐ^+ 型Ｓｉ層３、ｐ型Ｓｉ層４およびｎ^+ 型Ｓｉ層５を形成する。 - 特許庁

The upper Si oxide film and the Si nitride film 5 inside the ONO gate insulating film G are separated from the Si nitride film 9 inside the anti-reflection film F in a region over the P+-type channel blocking regions 12.例文帳に追加

ONOゲート絶縁膜G内の上のSi酸化膜6及びSi窒化膜5と、反射防止膜Fの内のSi窒化膜9とをp^+型チャネル阻止領域12上の領域で切り離している。 - 特許庁

In an inspection process of crystallinity of a p-Si film 23, irradiation light Lout is emitted to the p-Si film 23 and an a-Si film 230 to acquire transmission images of the p-Si film 23 and the a-Si film 230.例文帳に追加

ｐ−Ｓｉ膜２３の結晶化度の検査処理の際に、ｐ−Ｓｉ膜２３およびａ−Ｓｉ膜２３０へ向けて照射光Ｌoutを照射し、ｐ−Ｓｉ膜２３およびａ−Ｓｉ膜２３０の透過画像を取得する。 - 特許庁

Secret information sets S, T are dispersed by a threshold value dispersion method to obtain Si, Ti and the Si and a Ui (=g exponential (Ti/Si mod q)mod p) are delivered to terminal (i) (=1-5).例文帳に追加

秘密情報Ｓ，Ｔを閾値分散法により分散して、Ｓ_iとＴ_iを求め、Ｓ_iとｕ_i(＝g^(Ｔ_i／Ｓ_i mod q)mod p)を端末ｉ（＝１〜５）に配送しておく。 - 特許庁

As the semimetals, C, B, P, Si, As, Te, Ge, Sb, or the like, are exemplified.例文帳に追加

半金属としてはＣ，Ｂ，Ｐ，Ｓｉ，Ａｓ，Ｔｅ，Ｇｅ，Ｓｂ等が例示される。 - 特許庁

A p/i interfacial layer 5 such as amorphous silicon (a-Si) of p-type and low impurity concentration whose band gap is wider than that of a p-layer 6 is held between the μc-Si p-layer 6 and an amorphous silicon germanium (a-SiGe) i-layer 4.例文帳に追加

μc-Siのｐ層６と非晶質シリコンゲルマニウム（a-SiGe）のｉ層４との間に、ｐ層６よりバンドギャップが広く、ｐ型で低不純物濃度の例えば非晶質シリコン（a-Si）のｐ／ｉ界面層５を挟む。 - 特許庁

The organic electroluminescence element material contains a compound having N and P, N and Si, P and Si, or P and P, Si and Si on 1,4-positions of one ring of a condensed polycyclic system (at least pentacyclic system) as ring-constituting atoms thereof.例文帳に追加

縮合多環系（少なくとも五環系）の一つの環の環構成原子としてＮとＰ、ＮとＳｉ、ＰとＳｉ、あるいはＰとＰ、ＳｉとＳｉを１，４位に有する化合物を含有する有機エレクトロルミネッセンス素子材料。 - 特許庁

The p-type GaAs single crystal has an average dislocation density of ≤100/cm^-2 and contains Si, Zn, B and In as dopants.例文帳に追加

本発明のp型GaAs単結晶は、平均転位密度100cm^-2以下のp型GaAs単結晶であって、ドーパントとして、Si，Zn，B，及びInを含有することを特徴とする。 - 特許庁

Therefore, the resistivity of the p-type layer is reduced to 40-90%, as compared with the case where the p-type layer does not substantially contain Si.例文帳に追加

これによりp型層の抵抗率は、Siが実質的に含有されていない場合に比べて40〜90％に低減する。 - 特許庁

The underlayer 3 consists of a p-type poly-Si, the (p) layer 4 consists of p-type a-Si:H, the (i) layer 5 consists of i-type a-Si:H, the (n) layer 6 consists of n-type a-Si:H, and the electrode 7 consists of Al.例文帳に追加

下地層３は、ｐ型ｐｏｌｙ−Ｓｉからなり、ｐ層４は、ｐ型ａ−Ｓｉ：Ｈからなり、ｉ層５は、ｉ型ａ−Ｓｉ：Ｈからなり、ｎ層６は、ｎ型ａ−Ｓｉ：Ｈからなり、電極７は、Ａｌからなる。 - 特許庁

The electrolyte liquid contains a compound having P-O-Si bonding or B-O-Si bonding.例文帳に追加

電解液はＰ−Ｏ−Ｓｉ結合またはＢ−Ｏ−Ｓｉ結合を有する化合物を含んでいる。 - 特許庁

Optimum recording power P(Si) at the prescribed high recording speed Si is obtained by a test writing.例文帳に追加

所定の高速記録速度Ｓｉでの最適記録パワーＰ（Ｓｉ）を試し書きによって求める。 - 特許庁

The magnetic material comprises an Fe alloy magnetic material (containing Fe as a primary component and Si, Al (or Cr), etc. added thereto), such as an Fe-Si-Al-based or Fe-Si-Cr-based material, and phosphorous of 0.2 to 0.5 wt.% added to the Fe alloy magnetic material.例文帳に追加

本発明の一実施の形態に係る磁性材は、Fe-Si-Al系、またはFe-Si-Cr系等の、（Feを主成分として、Si、Al（またはCr）等を添加した）Ｆｅ系合金磁性材に、P（リン）が０．２〜０．５w％添加されて構成される。 - 特許庁

The aluminum alloy extrusion molding material for a cylinder liner has a composition containing, by volume, 5 to 30% Si and a 3 to 20% Fe-P compound provided as containing 10 to 20 mass% P, and substantially consisting of Fe3P, and the balance substantially aluminum, and a structure in which Si particles and an Fe-P compound are dispersed.例文帳に追加

体積百分率で、５〜３０％のSi及び３〜２０％のFe-P化合物−但し、P10〜20質量％を含みかつ実質的にFe_3Pよりなる−を含有し、残部が実質的にアルミニウムからなる組成を有し、Si粒子及びFe-P化合物が分散した組織を有するシリンダライナ用アルミニウム合金押出成形材。 - 特許庁

To provide a composite treating device which continuously subjects a film-like long-sized substrate to deposition of a-Si and p-Si chemical conversion treatment of a-Si.例文帳に追加

フィルム状の長尺基板に対して、ａ−Ｓｉの成膜とａ−Ｓｉのｐ−Ｓｉ化処理を連続的に行う複合処理装置を提供する。 - 特許庁

This inorganic solid electrolyte contains 25-60 atom.% of Li, and its remaining part substantially comprises P and S and does not contain Si.例文帳に追加

Liを25原子％以上60原子％以下含み、残部が実質的にPおよびSで構成されて、Siを含有していない無機固体電解質とする。 - 特許庁

As the componential values of the steel after secondary refining, the componential values of ≥5 elements including C, Si, Mn, P and S are analyzed per charge.例文帳に追加

二次精錬後の鋼の成分値として、C、Si、Mn、P、Sを含む５以上の元素の成分値をチャージ毎に分析する。 - 特許庁

H_mXY_12O_40 (1) (X: either of P and Si; Y: either of W and Mo; when X=P, m=3; when X=Si, m=4).例文帳に追加

Ｈ_mＸＹ_12Ｏ_40 （１）（Ｘ：Ｐ、Ｓｉのいずれか、Ｙ：Ｗ、Ｍｏのいずれか ｍ：Ｘ＝Ｐの場合はｍ＝３ Ｘ＝Ｓｉの場合はｍ＝４） - 特許庁

The steel sheet contains C: 0.2 to 0.7%, Si: 0.01 to 1.0%, Mn: 0.1 to 1.0%, P: 0.03% or below, S: 0.035% or below, Al: 0.08% or below and N: 0.01% or below with the balance consisting of Fe and unavoidable impurities.例文帳に追加

C：0.2〜0.7%、Si：0.01〜1.0%、Mn：0.1〜1.0%、P：0.03%以下、S：0.035%以下、Al：0.08%以下、N：0.01%以下を含有し、残部がFeおよび不可避的不純物からなる。 - 特許庁

A TFT element 1 comprises: a P doped n^+a-Si film 6 formed on an a-Si film 5; and an Si film 7 of less than 1 nm formed on the P doped n^+a-Si film 6.例文帳に追加

ＴＦＴ素子１は、ａ−Ｓｉ膜５上に形成されたＰドープｎ^＋ａ−Ｓｉ膜６と、Ｐドープｎ^＋ａ−Ｓｉ膜６上に形成された１ｎｍ以下のＳｉ酸化膜７を有している。 - 特許庁

The Si layer 14 comprises an n-type Si layer with the concentration of an n-type impurity of about 7×10^18 atoms cm^-3, and a p-type Si layer with the concentration of a p-type impurity of about 2×10^17 atoms cm^-3 which is formed on the n-type Si layer.例文帳に追加

Ｓｉ層１４は、ｎ型不純物濃度が７ｘ１０^18atoms・cm^-3程度のｎ型Ｓｉ層と、ｎ型Ｓｉ層の上に形成され、ｐ型不純物濃度が２ｘ１０^17atoms・cm^-3程度のｐ型Ｓｉ層とからなる。 - 特許庁

The collector junction consists of hetero-junction (P^+-SiGe/N^--Si).例文帳に追加

コレクタ接合はヘテロ接合（Ｐ^+−ＳｉＧｅ／Ｎ^-−Ｓｉ）より成る。 - 特許庁

Si/SiGe HETEROSTRUCTURE FOR HIGH-SPEED COMPOSITE P-CHANNEL FIELD EFFECT DEVICE例文帳に追加

電界効果デバイス用高速複合ｐチャネルＳｉ／ＳｉＧｅヘテロ構造 - 特許庁

An imaging portion 10A uses one surface of a p-type Si substrate as an imaging surface.例文帳に追加

撮像部１０Ａは、ｐ型Ｓｉ基板の一表面を撮像面とする。 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING Mg DOPED P-TYPE Si AND THERMOELECTRIC CONVERSION MATERIAL例文帳に追加

Ｍｇドープｐ型Ｓｉの作製方法および熱電変換材料 - 特許庁

Finally, an a-Si film 104 containing Ni and P is removed.例文帳に追加

最後に、Ｎｉ,Ｐを含有するａ−Ｓｉ膜１０４を除去する。 - 特許庁

Film thickness of the p-type a-Si:H layer 5 is 50 to 200 Å.例文帳に追加

このｐ型ａ−Ｓｉ：Ｈ層５の膜厚は５０〜２００Åである。 - 特許庁

The p-type silicon nitride film 3 includes a plurality of quantum dots 31 made of p-type Si.例文帳に追加

ｐ型シリコン窒化膜３は、ｐ型Ｓｉからなる複数の量子ドット３１を含む。 - 特許庁

To provide an excimer laser annealing method(ELA) for obtaining a p-Si good in crystallinity in the ELA for forming the p-Si for p-Si TFT LCDs.例文帳に追加

ｐ−ＳｉＴＦＴＬＣＤのｐ−Ｓｉを形成するエキシマレーザーアニール(ＥＬＡ)において、結晶性の良好なｐ−Ｓｉを得るためのＥＬＡを提供する。 - 特許庁

In the inspection processing of a p-Si film 23, an LED 12 irradiates the p-Si film 23 with an irradiating light Lout from a rear side of a movable stage 11, on which a transparent substrate 20 (Si thin-film substrate 2) formed with the p-Si film 23 is mounted.例文帳に追加

ｐ−Ｓｉ膜２３の検査処理の際に、ｐ−Ｓｉ膜２３が形成された透明基板２０（Ｓｉ薄膜基板２）を搭載する可動ステージ１１の裏側から、ｐ−Ｓｉ膜２３へ向けてＬＥＤ１２によって、照射光Ｌoutを照射する。 - 特許庁

In inspection processing on the crystallinity of a p-Si film 23, an LED 12 irradiates the p-Si film 23 and an a-Si film 230 with irradiation light Lout.例文帳に追加

ｐ−Ｓｉ膜２３の結晶化度の検査処理の際に、ｐ−Ｓｉ膜２３およびａ−Ｓｉ膜２３０へ向けて、ＬＥＤ１２によって照射光Ｌoutを照射する。 - 特許庁

In an inspection step for the crystallinity of a p-Si film 23, the p-Si film 23 and an a-Si film 230 are each irradiated with irradiation light Lout by an LED 12.例文帳に追加

ｐ−Ｓｉ膜２３の結晶化度の検査処理の際に、ｐ−Ｓｉ膜２３およびａ−Ｓｉ膜２３０へ向けて、ＬＥＤ１２によって照射光Ｌoutをそれぞれ照射する。 - 特許庁

Recesses (scribe line) 45 are cut in the P--type Si layer 25 beyond the N+-type Si layer 24, and a positive electrode 32 is filled into the recess 45 through the intermediary of a P+-type Si layer 26.例文帳に追加

半導体層２４、２５の裏面に、ｎ^+型Ｓｉ層２４を超えｐ^-型Ｓｉ層２５をもえぐる凹部（スクライブライン）４５があり、前記凹部４５のなかにｐ^+型Ｓｉ層２６を介して正電極３２が埋め込まれている。 - 特許庁

An i-type Si semiconductor layer is disposed between an n-type Si semiconductor layer or p-type Si semiconductor layer and an i-type Si_xGe_1-x semiconductor layer (where 0≤x≤0.6).例文帳に追加

ｎ型Ｓｉ半導体層又はｐ型Ｓｉ半導体層とｉ型Ｓｉ_ｘＧｅ_１−ｘ半導体層（但し、０≦ｘ≦０．６）の間に、ｉ型Ｓｉ半導体層を配置することとした。 - 特許庁

The light-absorbing film 32 is constituted of a material having high absorptance of light, such as a-Si or p-Si.例文帳に追加

光吸収膜３２は、ａ−Ｓｉまたはｐ−Ｓｉなどの光吸収率の高い材料により構成する。 - 特許庁

An n-type polycrystalline Si thin film 3 and a p-type polycrystalline Si thin film 4 are formed on the metal electrode 2 by an epitaxial growth method.例文帳に追加

ｎ型多結晶Ｓｉ薄膜３及びｐ型多結晶Ｓｉ薄膜４は、エピタキシャル成長法により金属電極２上に形成する。 - 特許庁

An amorphous Si film 4 is formed on a first SiO2 film 3 formed by thermal oxidation on a p-type Si substrate 1.例文帳に追加

ｐ型Ｓｉ基板１上の、熱酸化によって形成された第１のＳｉＯ_２膜３上に、非晶質Ｓｉ膜４を形成する。 - 特許庁

Then, the a-Si film 102a is crystallized into a p-Si film 102b by nickel, which promotes its crystallization through subjecting it to thermal treatment.例文帳に追加

次に、加熱処理することによって、ａ−Ｓi膜１０２aを結晶化を助長するニッケルにより結晶化させてｐ−Ｓi膜１０２bを形成する。 - 特許庁

To Si-Fe alloy powder having a composition containing 1.0 to 7.0 wt.% Si, and the balance Fe, 0.5 to 1.5 wt.% P is added.例文帳に追加

Ｓｉが１.０〜７.０ｗｔ％、残部Ｆｅの組成からなるＳｉ−Ｆｅ合金粉末において、Ｐを０.５〜１.５ｗｔ％添加する。 - 特許庁