「parallel step」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

When the step-up/down converter 2A is switched from an operation system to perform at least a part of the formation of a sinusoidal waveform corresponding to AC power to the operation system not to perform the formation of the sinusoidal waveform corresponding to the AC power, a capacitor 103 is connected to the capacitor 101 in parallel by a capacitor connection switch 104, thereby increasing the capacity of the intermediate stage capacitor.例文帳に追加

昇降圧コンバータ２Ａが交流電力に対応する正弦波波形の少なくとも一部の成形を行う動作方式から、交流電力に対応する正弦波波形の成形を行わない動作方式切り換える場合に、コンデンサ接続スイッチ１０４によりコンデンサ１０３をコンデンサ１０１に並列に接続することによって中間段コンデンサの容量を増やす。 - 特許庁

In this parallel imaging method, the whole sensitivity image is deformed using a function for recessing in the phase encoding direction, whereby weighting for extrapolation of background area of a sensitivity distribution is converted to reflect the characteristics of the central part of the sensitivity distribution of each coil strongly on extrapolation to improve S/N after matrix calculation and restrain step of S/N.例文帳に追加

パラレルイメージング法において、全体感度画像を位相エンコード方向に凹型となる関数を用いて変形することにより、感度分布の背景領域の外挿を行うときの重み付けを変換し、各コイルの持つ感度分布の中心部の特徴を外挿に強く反映させることによって、行列演算後のＳ／Ｎを改善すると共にＳ／Ｎの段差を抑制する。 - 特許庁

An FFT circuit 100 comprises; a first FFT processing section 110 which performs (M-1) steps of FFT processing to two parallel 2^M-1 digital signals; a second FFT processing section 120 which performs (N-M+1) steps of FFT processing to 2^N digital signals; and a third FFT processing section 130 which performs one step of FFT processing to 2^Mdigital signals.例文帳に追加

ＦＦＴ回路１００は、２つの並列した２^Ｍ−１個のデジタル信号に対して（Ｍ−１）段のＦＦＴ処理を行う第１のＦＦＴ処理部１１０と、２^Ｎ個のデジタル信号に対して（Ｎ−Ｍ＋１）段のＦＦＴ処理を行う第２のＦＦＴ処理部１２０と、２^Ｍ個のデジタル信号に対して１段のＦＦＴ処理を行う第３のＦＦＴ処理部１３０とを有する。 - 特許庁

The respective upper end parts and one side of a wide step tread are journaled to each other, the respective predetermined positions of the other side, the composite strut and the guide strut are connected to each other by a stay to be used even in the parallel bars installed in the pit.例文帳に追加

高支柱と低支柱夫々の上下所定位置に横架支承した伸縮杆の略央部に昇降自在な複合支柱と高支柱にも昇降自在なガイド支柱を設け夫々の上端部と巾広な踏み台の一側とを軸着し、その他側と複合支柱、前記ガイド支柱夫々の所定位置とをステーで連結してピットに設置した平行棒でも使用出来るものである。 - 特許庁

Furthermore, thermal swing adsorption equipment has at least three parallel thermal swing adsorption zones and a means for controlling the flow of the feed gas through the zones such that each bed undergoes repeated cycles which are out of phase with the cycles for the other vessels provided that, in use, at least two vessels are in the adsorption step at any time.例文帳に追加

少なくとも３つの並列な熱スイング吸着帯域と、各床が繰り返し行われるサイクルを受けるように帯域を通して供給ガスの流れを制御するための手段とを有する熱スイング吸着装置であって、該サイクルは、使用時に、少なくとも２つの容器が常に吸着工程にあるという条件で、残りの容器の該サイクルと段階を異にする。 - 特許庁

The semiconductor substrate has an insulating layer formed on a semiconductor wafer and a semiconductor single-crystal layer for forming a device formed on the insulating layer, wherein the interface between the semiconductor single-crystal layer and the insulating layer has a level difference (step) structure consisting of flat surfaces (terraces), each of which is a plane parallel to a crystal plane of the semiconductor single-crystal layer.例文帳に追加

半導体ウェーハ上に絶縁層が形成され、絶縁層上にデバイス形成用の半導体単結晶層が形成された半導体基板であって、半導体単結晶層と絶縁層の界面が、平坦面（テラス）が半導体単結晶層の結晶面に平行な面で構成される段差（ステップ）構造を有することを特徴とする半導体基板および半導体基板の製造方法。 - 特許庁

To provide the spacer structure of a battery, that prevents the battery from swinging at a caulked portion of the battery and moreover allows lengthwise positional adjustment to let the battery housed in a battery case with stability, by using a fabric that makes a spacer lying between batteries placed mutually slidable lengthwise in parallel, and positioning the caulked spot of the battery at a step formed this sliding.例文帳に追加

この発明の課題はこの発明の課題は相互に並置されて置かれる電池間に介在されるスペーサを長手方向に摺動出来る構造にしてこの摺動によって生じた段部に電池のカシメ部分が位置するようにすることでカシメ部分で電池が揺動せずにしかも長手方向で位置調整が出来安定的に電池がバッテリーケースに収納出来る電池のスペーサ構造を提供するものである。 - 特許庁

A method of manufacturing the ceramic package formed by dividing a ceramic substrate which is obtained by stacking an uncalcinated ceramics and firing the stacked ceramics, according to a groove formed in a prescribed pattern, includes a step of dividing the ceramic substrate while applying bending moment with a principal surface of the ceramic substrate as a point of action, and also applying drawing moment in a direction parallel to the principal surface.例文帳に追加

本発明にかかるセラミックパッケージの製造方法は、未焼成セラミックを積層し焼成して得たセラミック基板を所定のパターンに形成された溝に従って分割することによりパッケージとするセラミックパッケージの製造方法であって、セラミック基板の主面を作用点とし、曲げモーメントを加えるとともに、主面に平行な方向に引っ張りモーメントを加えながらセラミック基板を分割する工程を含むことを特徴とする。 - 特許庁

A polycrystalline silicon thin film for a display device is featured in that adjoining primary crystal grain boundaries are not parallel and an area enclosed by primary crystal grain boundaries is larger than 1 μm^2, and also characterized by a step of crystallizing amorphous silicon using a laser beam, through the use of a mask having a mixed structure of a laser-transparent line-shaped pattern and a laser-opaque pattern.例文帳に追加

本発明は多結晶シリコン薄膜、これの製造方法及びこれを利用して製造された薄膜トランジスタに係り、隣接したプライマリ結晶粒境界が平行せずにプライマリ結晶粒境界に囲まれた面積が１μｍ^２より大きいことを特徴とするディスプレーデバイス用多結晶シリコン薄膜及びレーザーが透過するライン形態のパターンとレーザーが透過することができないパターンが混合された構造を有するマスクを用いて非晶質シリコンをレーザーを利用して結晶化する段階を含むことを特徴とする。 - 特許庁