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pattern containingの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 1520件
The decorative sheet 1 is constituted by laminating an ink layer 11 having a solid ink layer 3 and/or a pattern ink layer 4, an adhesive layer 5 and a transparent resin layer 6 on a base material 2 in this order and at least one of the ink layer 11 and the adhesive layer 5 is formed using an aqueous coating agent containing an aqueous compound having at least two carbodiimide groups in one molecule thereof.例文帳に追加
基材2上に、ベタインキ層3及び/又は絵柄インキ層4を有するインキ層11、接着剤層5、及び透明樹脂層6をこの順番で積層した化粧シート1であって、前記インキ11及び前記接着剤層5のうち少なくとも一方を、1分子中に2個以上のカルボジイミド基を持つ水性化合物を含有した水性塗工剤により形成することにより、上記課題を解決した。 - 特許庁
A negative pattern of carbon nanotubes is formed by introducing double bond-containing functional groups participating in radical polymerization into surfaces of carbon nanotubes, dispersing the carbon nanotubes with a photo-initiator in an organic solvent, applying the dispersion liquid on a substrate to form a coating, exposing the coating to UV rays through a photomask to induce radical polymerization of the carbon nanotubes in an exposed part, and removing an unexposed part with a developer solution.例文帳に追加
炭素ナノチューブの表面に、ラジカル重合への参加が可能な二重結合を有する作用基を導入し、前記炭素ナノチューブを光開始剤と共に有機溶媒に分散させて基材上にコーティングし、その後フォトマスクに介してUVに露光させて露光部で炭素ナノチューブのラジカル重合を誘発した後、非露光部を現像液で取り除くことにより、炭素ナノチューブのネガティブパターンを形成する。 - 特許庁
When a photosensitive insulating resin is used as the surface protective layer of a circuit wiring pattern on the substrate, or when the photosensitive insulating resin is used as an insulation layer between circuit wiring conductor layers; multivalent metal substitutes for Na ions adsorbed to the photosensitive insulating resin by subjecting to a treatment process containing the Na ions performed after a thermosetting process of the photosensitive insulating resin.例文帳に追加
回路基板に於ける回路配線パタ−ンの表面保護層として感光性絶縁樹脂を用いる場合、又は回路配線導体層間の絶縁層として感光性絶縁樹脂を用いる場合、その感光性絶縁樹脂の熱硬化処理工程以後に行われるNaイオンを含む処理工程を経由することにより感光性絶縁樹脂に吸着されるNaイオンを多価金属に置換する。 - 特許庁
The curable sheet composition capable of following a metal mold shape by heating and pressurizing, of polymerizing to cure by means of photoirradiation, and of fixing an optical element molding pattern, is characterized by containing 50-94% of a polycarbonate diol-modified urethane acrylate oligomer, 5-40% of a (meth)acrylate having in the molecule at least one carboxyl group and 0.5-5% of a photopolymerization initiator.例文帳に追加
加熱加圧により金型形状に追従し、光照射により重合硬化し、光学素子成型パターンを固定化することが出来る硬化性シート組成物であって、ポリカーボネートジオール変性ウレタンアクリレートオリゴマー50乃至94%と分子内に少なくとも1個のカルボキシル基を有する(メタ)アクリレート5乃至40%と光重合開始剤0.5乃至5%を含むことを特徴とする硬化性シート組成物。 - 特許庁
There is provided a method for inspecting variation in grain size of fine particles in an inspection object containing homogeneous fine particles, the method comprising the steps of: using a liquid in which the fine particles are dispersed in a solvent for electrophoresis using a separation medium which serves as a sieve; and inspecting variation in grain size of the fine particles from an electrophoretic pattern after the electrophoresis.例文帳に追加
本発明の方法は、均質な微小粒子を含んでいる検査対象における当該微小粒子が有している粒度のばらつきを検査する方法であって、上記微小粒子が溶媒に分散している液体を、ふるいとして機能する分離媒体を用いた電気泳動に供する工程と、上記電気泳動後の泳動パターンから上記微小粒子の粒度のばらつきを検査する工程とを包含している。 - 特許庁
The production process of the artificial marble with a large-sized color pattern comprises heat curing a molding material containing a thermosetting resin, a filler, patterning materials and a curing agent, wherein the patterning materials having various color tones and shapes are previously inserted and fixed inside a mold for casting, and thereafter a resin compound for casting is injected/filled in the gap of the patterning materials and heat-cured.例文帳に追加
熱硬化性樹脂と充填材、柄材、硬化剤を含む成形材料を注型用金型内で加熱硬化させて人造大理石を製造するに当り、予め様々な色調と形状の柄材を注型用金型内に挟み込んで固定した後、柄材の隙間に注型用樹脂コンパウンドを注入・充填して加熱硬化させることにより、大柄の色柄模様を有する人造大理石を製造する。 - 特許庁
This method for forming fluorescent pattern in a barrier plate of a plasma display panel, comprises forming a reflective layer (A) containing inorganic compound (a) selected from alumina, titanium oxide, yttrium oxide, magnesium oxide, calcium oxide, tantalum oxide, silicon oxide, barium oxide and recovered phosphors, and a layer (B), including the phosphor are successively in the barrier plate, and executing exposure, development and baking.例文帳に追加
プラズマディスプレイパネルの隔壁内に蛍光体パターンを形成するに当たり、該隔壁内に、アルミナ、酸化チタン、酸化イットリウム、酸化マグネシウム、酸化カルシウム、酸化タンタル、酸化ケイ素、酸化バリウム、回収蛍光体より選ばれる無機化合物(a)を含んでなる反射層(A)、及びその上に蛍光体含有層(B)を設けてなる層を形成させた後、露光、現像、焼成を行う蛍光体パターンの形成方法。 - 特許庁
The etching method includes the steps of forming the antireflective film (Si-ARC film) on an etched layer, forming the resist film (ArF resist film) patterned on the antireflective film, and etching the antireflective film with an etching gas containing CF_4 gas, COS gas and O_2 gas using the resist film as the mask to form a desired pattern on the antireflective film.例文帳に追加
被エッチング層上に反射防止膜(Si−ARC膜)を形成する工程と、前記反射防止膜上にパターン化されたレジスト膜(ArFレジスト膜)を形成する工程と、前記レジスト膜をマスクとして、CF_4ガスとCOSガスとO_2ガスとを含むエッチングガスを用いて前記反射防止膜をエッチングすることにより、前記反射防止膜に所望のパターンを形成する工程と、を含むことを特徴とするエッチング方法が提供される。 - 特許庁
In a measuring method of an X-ray diffraction pattern of the translin crystal, the translin crystal obtained using sodium formate as a precipitant is frozen in crystallizing solution containing polyalcohol, and X-ray diffraction data is collected in a frozen state.例文帳に追加
トランスリン結晶のX線回折像の測定方法、該結晶のX線回折像より得られる3次元構造座標、該構造座標を含むデータベース若しくは記録媒体、該構造座標を用いるトランスリンの機能を調節する能力を有する化合物の同定方法、該3次元構造座標を用いるトランスリンに潜在的に結合しうる化合物からなる化合物群の調製方法、及び、該3次元構造座標を用いるトランスリンの変異体の作製方法。 - 特許庁
The method for growing a nitride semiconductor single crystal includes steps of: forming a nitride seed layer on a substrate for growing a nitride single crystal; forming a dielectric mask having a stripe pattern on the nitride seed layer; and growing a nitride semiconductor single crystal containing Al on the nitride seed layer where the dielectric mask is formed while injecting Cl-based gas or Br-based gas.例文帳に追加
本発明は、窒化物単結晶成長用基板上に窒化物シード層を形成する段階と、上記窒化物シード層上にストライプパターンを有する誘電体マスクを形成する段階と、Cl系ガスまたはBr系ガスを注入しながら、上記誘電体マスクが形成された窒化物シード層上にAlを含んだ窒化物半導体単結晶を成長させる段階を含む窒化物半導体単結晶の成長方法を提供する。 - 特許庁
In the water developable photosensitive paste containing an inorganic powder, a water developable photosensitive resin component and a photopolymerization initiator, an internal curing type photopolymerization initiator and a surface curing type photopolymerization initiator are used in combination with each other as the photopolymerization initiator so as to achieve satisfactory curing even in a low transmittance part and to form a good pattern even in an over-developed state.例文帳に追加
無機粉末、水現像性感光性樹脂成分および光重合開始剤を含む、電子回路部品製造用水現像性感光性ペーストにおいて、光重合開始剤として、内部硬化型光重合開始剤と表面硬化型光重合開始剤とを併用して、光透過性の低い部分においても、十分な硬化を達成でき、また、過現像状態となっても、良好なパターンを形成することができるようにする。 - 特許庁
In a method for manufacturing an unsaturated polyester resin- molded product molded by laminating plural sheet molding compounds in which an unsaturated polyester resin composition containing an unsaturated polyester resin, a polymerizable monomer, a low shrink material, a curing agent and a thickener is impregnated into a fiber base material, the method for manufacturing the unsaturated polyester resin-molded product is made to contain a pattern material of the sheet molding compound only corresponding to the surface.例文帳に追加
不飽和ポリエステル樹脂、重合性単量体、低収縮材、硬化剤及び増粘剤を含有する不飽和ポリエステル樹脂組成物を繊維基材に含浸させたシートモールデイングコンパウンドを複数枚積層して成形することにより不飽和ポリエステル樹脂成形品を製造する方法において、表面に対応するシートモールデイングコンパウンドにのみ模様材を含有させることを特徴とする不飽和ポリエステル樹脂成形品の製造方法。 - 特許庁
When etching a monocrystalline silicon layer 101 through a photoresist layer 102 formed on the upper part of the monocrystalline silicon layer 101 and patterned in a prescribed pattern by processing gas plasma, a protection film forming process for forming a protection film 103 on a side wall part of the photoresist layer 102 by using gas containing carbon, e.g., CF gas plasma, is performed before starting a plasma etching process for etching the monocrystalline silicon layer 101.例文帳に追加
単結晶シリコン層101を、単結晶シリコン層101の上部に形成され所定のパターンにパターニングされたフォトレジスト層102を介して処理ガスのプラズマによりエッチングする際に、単結晶シリコン層101のエッチングを行うプラズマエッチング工程を開始する前に、カーボンを含んだガス例えばCF系ガスのプラズマを用いてフォトレジスト層102の側壁部に保護膜103を形成する保護膜形成工程を行う。 - 特許庁
The method for manufacturing the plated substrate 100 is a manufacturing method for forming the metallic layer with an electroless plating method, and comprises the steps of: forming a resin-molded body 22 with an arbitrary pattern containing a catalytic metal 31 which functions as a catalyst for electroless plating, on a substrate; and immersing the substrate into an electroless plating solution to precipitate a metal on the resin-molded body to form the metallic layer.例文帳に追加
本発明にかかるめっき基板100の製造方法は、無電解めっき法により金属層を形成するめっき基板の製造方法であって、無電解めっき用の触媒として機能する触媒金属31を含有する任意のパターンの樹脂成形体22を基板上に形成する工程と、無電解めっき液に前記基板を浸漬することにより、前記樹脂成形体上に金属を析出させて金属層を形成する工程と、を含む。 - 特許庁
The method of forming the conductive pattern includes: a coating step to apply paste containing AlN powder, glass frit and a solvent on a substrate; a drying step to dry the paste applied and to form a dry coating film; a laser drawing step to draw conductive patterns on the dry coating film by irradiation of laser beams; and a development step to remove unirradiated part of laser light out of the dry coating film by using a developer.例文帳に追加
本発明の導電パターン形成方法によれば、AlN粉末、ガラスフリット及び溶剤を含むペーストを基板上に塗布する塗布工程と、塗布された前記ペーストを乾燥し、乾燥塗膜を形成する乾燥工程と、レーザー光の照射により、前記乾燥塗膜に導電パターンを描画するレーザー描画工程と、前記乾燥塗膜のうち、前記レーザー光の未照射部分を、現像液を用いて除去する現像工程とを含むことを特徴とする - 特許庁
The stack for the oxide semiconductor electrode has a heat resistant substrate 1 having heat resistance; a porous layer 2 formed on the heat resistant substrate and containing metal oxide semiconductor fine particles; a transparent electrode layer 3 formed on the porous layer and comprising a metal oxide; a first electrode layer 5 comprising a conductive layer 4 formed on the surface of the transparent electrode layer in a pattern shape.例文帳に追加
耐熱性を有する耐熱基板1と、上記耐熱基板上に形成され、金属酸化物半導体微粒子を含む多孔質層2と、上記多孔質層上に形成され、金属酸化物からなる透明電極層3、および上記透明電極層の表面にパターン状に形成された導電層4からなる第1電極層5と、を有することを特徴とする酸化物半導体電極用積層体を提供することにより、上記課題を解決するものである。 - 特許庁
The resist pattern formed on a board comprises a first resist layer made of an organic material having high solubility in water or a solvent containing water as a main component, a second resist layer made of an organic material having high light absorbability to an exposure wavelength, and a third resist layer formed on the second resist layer and made of an organic material having high resistance to dry etching of at least three layers.例文帳に追加
基板上に形成されたレジストパターンであって、前記レジストパターンは、有機溶剤、水または水を主成分とする溶剤に対する溶解度の高い有機材料からなる第1のレジスト層と、前記第1のレジスト層上に形成され、露光波長に対する吸光性の高い有機材料からなる第2のレジスト層と、前記第2のレジスト層上に形成され、ドライエッチングに対する耐性の高い有機材料からなる第3のレジスト層と、の少なくとも3層を有してなる。 - 特許庁
In this RFID tag having the antenna formed by electroconductive paste containing an electroconductive filler such as silver flake on a substrate, and the RFID chip connected to the antenna, after hardening a pattern of the antenna shaped by the electroconductive paste, the bump electrode of the RFID chip is brought into contact with the antenna, and they are heated to connect the RFID chip to the antenna by thermoplastic resin contained in the electroconductive paste.例文帳に追加
基材に銀フレーク等の導電性フィラーを含有する導電性ペーストで形成されたアンテナと、当該アンテナに接続されたRFIDチップとを備えたRFIDタグにおいて、本発明は、上記導電性ペーストで成形された上記アンテナのパターンを硬化した後、当該アンテナに上記RFIDチップのバンプ電極を接触させて加熱して、当該導電性ペーストに含有される熱可塑性樹脂で当該RFIDチップを当該アンテナに接続する。 - 特許庁
To obtain both a polymer compound useful as a base resin for a positive type resist material and the positive type resist material containing the polymer compound, having excellent uniformity in fine processing, high sensitivity/high resolution, excellent pattern shape, excellent heat resistance film remaining properties, adhesivity to a substrate and storage stability.例文帳に追加
下記構造式(1)で示される繰り返し単位を有し、ポリスチレン換算重量平均分子量が1,000〜30,000であるノボラック樹脂の水酸基の水素原子の一部が1,2−ナフトキノンジアジドスルホニルエステル基で置換され、かつ残りの水酸基の一部の水素原子が−CR^1R^2OR^3で示される酸不安定基により置換及び/又は−CR^4R^5−O−R^6−O−CR^7R^8−で示される架橋基により分子内又は分子間で架橋されていることを特徴とする高分子化合物。 - 特許庁
The oxide semiconductor electrode is provided with a first base material, a first electrode layer consisting of a conductive layer and metal oxide laminated in random order in contact with each other on the first base material, and a porous layer formed on the first electrode layer and the conductive layer containing metal oxide semiconductor fine particles, of which, the conductive layer is formed in a pattern with continued polygons with at least one internal angle obtuse.例文帳に追加
第1基材と、上記第1基材上に順不同で互いに接するように積層された導電層および金属酸化物からなる第1電極層と、上記第1電極層および上記導電層上に形成され、金属酸化物半導体微粒子を含む多孔質層とを有する酸化物半導体電極であって、上記導電層が少なくとも一つの内角が鈍角である多角形が連続したパターン状に形成されていることを特徴とする酸化物半導体電極を提供することにより、上記課題を解決する。 - 特許庁
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