「plane-layer」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The magnetization direction of the free layer (16) rotates in any plane of the layer or in a plane which is perpendicular to this plane.例文帳に追加

自由層（１６）の磁化方向は、層の面又は当該面に直交する面のいずれかの面内で回転する。 - 特許庁

A (110) surface is exposed on a semiconductor layer surface 27 on the side surface, while (111) plane is exposed on a semiconductor layer plane 28 at a bottom plane.例文帳に追加

側面の半導体層表面２７は（１１０）面が露出し、底面の半導体層表面２８には（１１１）面が露出する。 - 特許庁

When polishing is completed, the surface of the lacquerware piece is flush with the designed layer, forming a smooth surface plane. 例文帳に追加

研磨した後には、器の表面は平滑になる。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

The second layer underlying the first layer is a power supply wiring layer and a first power supply plane 2a and a second power supply plane 2b are separately formed on the layer so that the first plane 2a may surround the second plane 2b.例文帳に追加

その下の第２層は、電源配線層であって、第１電源プレーン２ａと第２電源プレーン２ｂとが分離されて、かつ第１電源プレーン２ａが第２電源プレーン２ｂを囲むように形成されている。 - 特許庁

The substrate includes a first layer 4a, of which the lower plane makes contact directly with the first shielding layer 3 and a second layer 4 of which the lower plane contacts to an upper plane of the first layer 4a and the upper plane makes contact directly with the MR element 5.例文帳に追加

下地層４は、下面が第１のシールド層３に直接接する第１の層４ａと、下面が第１の層４ａの上面に接すると共に、上面がＭＲ素子５に直接接する第２の層４ｂとを含んでいる。 - 特許庁

To form a plane NiPt silicide layer.例文帳に追加

平坦なＮｉＰｔシリサイド層を形成する。 - 特許庁

The dielectric layer 11 and the internal electrode layer 12 have a rectangular plane shape.例文帳に追加

誘電体層１１と内部電極層１２は矩形平面形状を有する。 - 特許庁

A TPA (Top Plane Adhesive) layer 11 is formed at the end part of the electronic ink layer 13.例文帳に追加

電子インク層１３の端部には、ＴＰＡ層１１が形成されている。 - 特許庁

The third layer 20E is in contact with the third plane of the second layer 20C.例文帳に追加

第３層２０Ｅは、第２層２０Ｃの第３の面に接している。 - 特許庁

An easy magnetization direction of the perpendicular magnetization free layer is perpendicular to a film plane and an easy magnetization direction of the in-plane magnetization free layer is parallel to the film plane, and magnetization of the perpendicular magnetization free layer is directed in an in-plane direction by exchange coupling with the in-plane magnetization free layer via the nonmagnetic intermediate layer.例文帳に追加

垂直磁化自由層の磁化容易方向は膜面に対して垂直であり、面内磁化自由層の磁化容易方向は膜面に平行であり、垂直磁化自由層の磁化は、非磁性中間層を介して面内磁化自由層と交換結合することによって、面内方向を向いている。 - 特許庁

To secure air layer between the circuit plane of a high-frequency component and the substrate plane through a simple structure.例文帳に追加

簡単な構造で高周波部品の回路面と基板面の間に空気層を確保する。 - 特許庁

The dielectric layer 21 has a first principal plane 117 and a second principal plane 118.例文帳に追加

誘電体層２１は、第１主面１１７及び第２主面１１８を有する。 - 特許庁

The dielectric layer 21 is held between the first principal plane-side metal layer 121 and the second principal plane-side metal layer 122.例文帳に追加

誘電体層２１は、第１主面側金属層１２１と第２主面側金属層１２２とによって挟み込まれている。 - 特許庁

An antenna 10 for radiating an electromagnetic field includes a ground plane 16, a first dielectric layer 18 disposed on the ground plane, and a second dielectric layer 20 disposed on the first dielectric layer.例文帳に追加

そのアンテナは、第１誘電層に埋め込まれている少なくとも１つの給電要素と、給電要素から延びている放射要素とを有する。 - 特許庁

The magnetization free layer includes a perpendicular magnetization free layer, an in-plane magnetization free layer arranged between the perpendicular magnetization free layer and the tunnel barrier layer, and a nonmagnetic intermediate layer arranged between the perpendicular magnetization free layer and the in-plane magnetization free layer.例文帳に追加

磁化自由層は、垂直磁化自由層、垂直磁化自由層とトンネルバリア層との間に配置された面内磁化自由層、及び垂直磁化自由層と面内磁化自由層との間に配置された非磁性中間層とを含む。 - 特許庁

As (111) plane or (001) plane appears, an edge 117 of the plane is used to detect the position of the active layer stripe 106.例文帳に追加

これにより、（１１１）面または（００１）面が現れるので、この面のエッジ１１７を利用して活性層ストライプ１０６の位置を検出する。 - 特許庁

The opposing plane of the flux guide layer 6 to a recording medium is provided on the same flat plane as the medium opposing plane 11 of a magnetic head.例文帳に追加

上記フラックスガイド層６の記録媒体との対向面は、磁気ヘッドの媒体対向面１１と同一平面に設けられている。 - 特許庁

The semiconductor material confinement layer is deposited on another semiconductor layer and defines a plane parallel to the other semiconductor layer.例文帳に追加

閉込め層は、別の半導体層の上に堆積され、この別の半導体層に平行な面を画定する。 - 特許庁

The third layer of the wiring board is a ground wiring layer and a ground plane 1 is formed on almost all surface of the layer.例文帳に追加

第３層は、グランド配線層であり、ほぼ全面にグランドプレーン１が形成されている。 - 特許庁

All of the ferromagnetic free layer, the ferromagnetic reference layer, and the enhancement layer have an out-plane magnetization direction.例文帳に追加

強磁性自由層、強磁性基準層、および強化層は、すべて、面外の磁化方向を有する。 - 特許庁

The mutual capacitance touch panel includes a touch plane made of a transparent insulating medium, a driving layer and a sensor layer which are covered with the touch plane, and a capacitance medium plane which is formed between the driving layer and the sensor layer.例文帳に追加

透明な絶縁媒質で作成されたタッチ平面を備え、タッチ平面がカバーする駆動層、検出層、及び駆動層と検出層との間に作成された静電容量媒質平面を備える。 - 特許庁

The upper electrode layer 9 has a geometric plane in such a shape that area of the plane enlarges from the incident plane side toward the outgoing plane side, to cover the polarization inversion region 5b of the core layer 5, and the lower electrode layer is connected electrically to an external electrode part 10 on the incident plane side.例文帳に追加

上部電極層９はコア層５の分極反転領域５ｂを被覆するようにして入射面側から出射面側に向かって面積が拡大する幾何学的面を有し、下部電極層は入射面側で外部電極部１０に電気的に接続されている。 - 特許庁

The second layer 20C has a first plane arranged in the medium facing surface 30, a second plane in contact with the first layer 20A, and a third plane reverse to the second plane.例文帳に追加

第２層２０Ｃは、媒体対向面３０に配置された第１の面、第１層２０Ａに接する第２の面、および第２の面とは反対側の第３の面を有している。 - 特許庁

A GaN layer 2 is formed on a sapphire C plane ((0001) plane) substrate 1, and then a titanium film 3 is formed on the GaN layer 2.例文帳に追加

サファイアＣ面（（０００１）面）基板１上にＧａＮ層２を形成した後、その上にチタン膜３を形成する。 - 特許庁

A single-crystal semiconductor layer with a crystal plane inclined by ±1.0 degree higher than on the basis of {100} plane is pasted on an insulation layer formed on a support board.例文帳に追加

支持基板に形成された絶縁体層に、｛１００｝面より±１．０度を超えた傾きを持つ結晶面の単結晶半導体層を貼り合わせる。 - 特許庁

The hetero-junction surface, formed on a boundary between the first layer and the second layer, is positioned on a crystalline plane orthogonal to a (0001) crystalline plane.例文帳に追加

第１層と第２層との境界に形成されたヘテロ接合面は、（０００１）結晶面に垂直な結晶面上に位置している。 - 特許庁

Further, voltage is applied between the plane of incidence and the plane of emission in the light absorption layer 1, and an electric field is thus formed in the light absorption layer 1.例文帳に追加

そして、光吸収層１の入射面と出射面との間に電圧が印加され、光吸収層１内部に電界が形成される。 - 特許庁

A top face of the mark part semiconductor layer is included in a plane different from a plane including a top face of the mark part insulator layer.例文帳に追加

マーク部半導体層の上面は、マーク部絶縁層の上面を含む平面とは異なる平面内に含まれる。 - 特許庁

The photoconductor includes a substrate; a ground plane layer; an undercoat layer over the ground plane layer; a charge generating layer; and at least one charge transport layer, wherein the undercoat layer contains an aminosilane and a phosphonate.例文帳に追加

基板と、グラウンドプレーン層と、グラウンドプレーン層上の下引き層と、電荷発生層と、少なくとも１つの電荷輸送層とを含み、下引き層がアミノシランおよびホスホネートを含む光導電体。 - 特許庁

The photoconductor includes a substrate; a ground plane layer; an undercoat layer over the ground plane layer; a charge generating layer; and at least one charge transport layer, wherein the undercoat layer contains an aminosilane and a crosslinked acrylic resin.例文帳に追加

基板と、グラウンドプレーン層と、該グラウンドプレーン層上の下引き層と、電荷発生層と、少なくとも１つの電荷輸送層と、を含み、前記下引き層が、アミノシランおよび架橋アクリル樹脂を含む、光導電体。 - 特許庁

SINGLE-LAYER ADAPTIVE PLANE ARRAY ANTENNA AND VARIABLE REACTANCE CIRCUIT例文帳に追加

シングルレイヤアダプティブ平面アレイアンテナ、可変リアクタンス回路 - 特許庁

The reinforcement layer 14 includes reinforcement cords inclined to the equatorial plane.例文帳に追加

この補強層１４は、赤道面に対して傾斜する補強コードを含む。 - 特許庁

MALE FORMED PLANE FASTENER MEMBER HAVING ADHESIVE LAYER AND PROCESS THEREFOR例文帳に追加

粘着層を有する雄成形面ファスナー部材とその製造方法 - 特許庁

A second semiconductor layer 25 is formed to cover a first principal plane 10b.例文帳に追加

第２の半導体層２５を、第１の主面１０ｂを覆うように形成する。 - 特許庁

Then a mirror index of the surface of the seed layer 5a is a (111) plane.例文帳に追加

そして、シード層５ａの表面のミラー指数は（１１１）面となっている。 - 特許庁

The channel layer 104 is formed along {1-101} in plane orientation.例文帳に追加

チャネル層１０４は面方位の｛１−１０１｝面に沿って形成されている。 - 特許庁

A ground plane layer is disposed underneath the radiating layers.例文帳に追加

グランドプレーン層が、第１及び第２放射層の下に配置される。 - 特許庁

A first magnetic layer 2 is provided on a part of a first plane 1f.例文帳に追加

第１の磁性層２は、第１の面１ｆの一部の上に設けられている。 - 特許庁

The land 37 is included in the metallic layer 36 in plane view.例文帳に追加

ランド３７は、平面視で金属層３６に包含されている。 - 特許庁

The plated layer 31 may be provided all over the surface of the plane 3c.例文帳に追加

メッキ層３１は平面３ｃの全面に設けられてもよい。 - 特許庁

The fourth terminal communicates with a third plane-like metal layer 124-1.例文帳に追加

第４端子は第３平面状金属層１２４−１に連絡している。 - 特許庁

REFLECTING BOUNDARY PLANE BETWEEN LED LAYER, AND WAFER JOINTED TO IT例文帳に追加

発光ダイオード層と接合されたウェーハとの間の反射性境界面 - 特許庁

The first terminal communicates with a second plane-like metal layer 124-2.例文帳に追加

第１端子は第２平面状金属層１２４−２に連絡している。 - 特許庁

A fourth plane-like metal layer 130 includes first, second, and third contact portions 130-1, 130-2, and 130-3 electrically isolated from each other and connected to the second plane-like metal layer 124-2, the first plane-like metal layer 110, and the third plane-like metal layer 124-1, respectively.例文帳に追加

第４平面状金属層１３０は、互いに電気的に絶縁され、第２平面状金属層１２４−２、第１平面状金属層１１０、および第３平面状金属層１２４−１それぞれに接続された第１、第２および第３の複数の接触部１３０−１、１３０−２、１３０−３を含んでいる。 - 特許庁

Further, a mirror index of the surface of an Ru layer 5b is a (0002) plane.例文帳に追加

更に、Ｒｕ層５ｂの表面のミラー指数は（０００２）面となっている。 - 特許庁