「plane-layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

To enable protecting simply an incident end plane and an output plane of an optical memory element (multi-layer lamination medium) with simple structure suppressing a manufacturing cost to a low cost.例文帳に追加

コストを低く抑えながら、光メモリ素子（多層積層媒体）の入射端面及び出力面を簡単な構造で簡易に保護できるようにする。 - 特許庁

Each of the groove paths is formed of two plane surfaces, curved surfaces or bent plane surfaces connected inside the main diffusing layer.例文帳に追加

各溝路は、前記主拡散層の内部で接続される二つの平面、曲面または折れ平面によって形成される。 - 特許庁

A pattern corrector 4 adjusts the amount of in-plane exposure so as to cancel the in-plane film thickness distribution of the lower layer structural body in each exposure region.例文帳に追加

パターン補正部４は、各露光領域における下層構造体の面内膜厚分布を打ち消すように、当該面内の露光量を調節する。 - 特許庁

In the well layers 19 in an active layer 17, both the m-plane and the a-plane of the well layers 19 tilt from the normal axis A_N of the primary surface 13a.例文帳に追加

活性層１７の井戸層１９は、井戸層１９のｍ面及びａ面のいずれも主面１３ａの法線軸Ａ_Ｎに対して傾斜する。 - 特許庁

Each colored layer is applied onto each inclined plane part 22, 24 and the vertical plane part 25 by digital printing after fabrication of the dial plate 2.例文帳に追加

また、各斜面部２２、２４、垂直面部２５に対しては、文字盤２の成型加工後にデジタル印刷で着色層を施している。 - 特許庁

The optical extracting layer 8 is directly formed on the optical extraction principal plane 2b of the element substrate 2 on an opposite side of the growth principal plane 2a.例文帳に追加

光取出層８は、成長主面２ａとは反対側の素子基板２の光取出主面２ｂに直接形成されている。 - 特許庁

Upper ends of the conductor 16a, 16b are nearly on the same plane with respect to the upper plane of a lower layer plate 12 of the insulating substrate 11.例文帳に追加

導電体１６ａ、１６ｂの上端は、絶縁基板１１の下層板１２の上面とほぼ同一平面上にある。 - 特許庁

In another embodiment, the ratio of the orientation index of the (220) plane to the orientation index of the (321) plane in the plated layer is controlled to be 0.5-1.5.例文帳に追加

他の態様では、めっき層における（２２０）面と（３２１）面との配向指数の比（２２０）／（３２１）が０．５以上１．５以下とする。 - 特許庁

In the dielectric layer 21, a communicating portion 112 is formed which allows the first principal plane 117 side and the second principal plane 118 side to communicate with each other.例文帳に追加

誘電体層２１には、第１主面１１７側と第２主面１１８側とを連通させる連通部１１２が形成されている。 - 特許庁

An optical member 4 has at least one fine structure layer 2d disposed on a light incidence plane or a light emitting plane.例文帳に追加

光学部材４は、光入射面又は光出射面に少なくとも一つの微細構造層２dを設ける。 - 特許庁

Second conductor wires 111-116 are positioned on a plane opposite to a plane whereon a first insulating layer 101 and a second insulating layer 102 come close to each other and to a plane of a fourth insulating layer 104 that comes close to a third insulating layer 103.例文帳に追加

第２の導体配線１１１〜１１６は、第１番目の絶縁層１０１と第２番目の絶縁層１０２とが隣接する面、及び、第４番目の絶縁層１０４の面であって、第３番目の絶縁層１０３と隣接する面とは反対側の面に位置している。 - 特許庁

An epitaxially grown orientation film is provided to the aluminum electrode layer 4 and the background electrode layer 5, the (111) plane of the crystal of the aluminum electrode layer 4 and the (001) or (100) plane of the crystal of the background electrode layer 5 are oriented in parallel with the (001) plane of the crystal of the piezoelectric substrate 2.例文帳に追加

Ａｌ電極層４および下地電極層５を、エピタキシャル成長した配向膜によって与え、Ａｌ電極層４の結晶の（１１１）面と下地電極層５の結晶の（００１）面あるいは（１００）面と圧電基板２の結晶の（００１）面とを互いに平行に配向させる。 - 特許庁

The transparent piezoelectric sheet includes the first transparent plane electrode 22 arranged on one face of a sheet-like transparent piezoelectric layer, and the second transparent plane electrode 23 arranged on the other face of the sheet-like transparent piezoelectric layer, the first transparent plane electrode has the first transparent plane electrode part 221, and the second transparent plane electrode has the second transparent plane electrode part 231.例文帳に追加

シート状透明圧電体層の一方の面上に配置された第１透明平板電極２２と、シート状透明圧電体層の他方の面上に配置された第２透明平板電極２３とを含み、第１透明平板電極は、第１透明平板電極部２２１を有し、第２透明平板電極は、第２透明平板電極部２３１を有する。 - 特許庁

The metal electrodes 11 and 31 have such a structure that a first principal plane-side metal layer 121 formed on the first principal plane 117 side and a second principal plane-side metal layer 122 formed on the second principal plane 118 side are joined by the communicating portion 112.例文帳に追加

金属電極１１，３１は、第１主面１１７側に形成された第１主面側金属層１２１、及び、第２主面１１８側に形成された第２主面側金属層１２２を、連通部１１２において接合した構造となっている。 - 特許庁

The method of manufacturing the semiconductor light emitting element includes a buffer layer forming step of growing the buffer layer formed of the AlGaInN-based material including In on the growth substrate made of ZnO, the growth plane including the nitrogen polar plane; and an active layer forming step of growing the active layer formed of the AlGaInN-based material including In on the buffer layer, the growth plane including the group III polar plane.例文帳に追加

また、ＺｎＯからなる成長基板上に、Ｉｎを含むＡｌＧａＩｎＮ系材料からなり、成長面が窒素極性面を有する緩衝層を成長する緩衝層形成工程と、前記緩衝層上に、Ｉｎを含むＡｌＧａＩｎＮ系材料からなり、成長面がＩＩＩ族極性面を有する活性層を成長する活性層形成工程と、を含む。 - 特許庁

A carrier layer 12 has a measuring plane 16 plane-parallel to a support surface 14, a standard 17 has a support surface 18 plane-parallel to a measuring plane 19 to be mounted on the measuring plane 16 of the carrier layer 12, and the standard 17 is permanently disposed on the carrier layer by wiping plating.例文帳に追加

キャリア層（１２）が支え面（１４）に対する面平行の測定面（１６）を有し、標準（１７）が、キャリア層（１２）の測定面（１６）上に載せるための、測定面（１９）に面平行の支え面（１８）を有し、さらに標準（１７）がこすりつけるメッキによってキャリア層に永久的に設けられることを特徴とする。 - 特許庁

A contact interface of a p-type superlattice layer 1 and a light active layer 2 is nonparallel, especially vertical to a laminating plane of the p-type superlattice layer 1.例文帳に追加

ｐ型超格子層１と光能動層２との接触界面を、ｐ型超格子層１の積層面と非平行に、特に、垂直にする。 - 特許庁

The recording layer consists of two layers of a main recording layer showing perpendicular magnetization and an auxiliary layer showing perpendicular magnetization at room temperature and changing into in-plane magnetization at ≥120°C.例文帳に追加

記録層を垂直磁化の主記録層と、室温で垂直磁化を有し、１２０℃以上で面内磁化となる補助層の２層で構成する。 - 特許庁

The rubber surface 20 has a first rubber layer disposed at the position intersecting with a tire equatorial plane 2 between the carcass layer 4 and the belt layer 8.例文帳に追加

ゴム層２０は、カーカス層４とベルト層８との間において、タイヤ赤道面２と交差する位置に配設された第一のゴム層を有している。 - 特許庁

An insulating film 22 is formed on the first principal plane of the semiconductor layer 12, and the metal layer 14 is connected to the embedded conductor layer 21.例文帳に追加

半導体層１２の第１主面上に絶縁膜２２を形成し、金属層１４と埋込導体層２１とを接続する。 - 特許庁

A semiconductor layer contacting with the major growth plane 10a is an InGaN layer 11 (nitride semiconductor layer containing In).例文帳に追加

そして、上記成長主面１０ａと接する半導体層が、ＩｎＧａＮ層１１（Ｉｎを含む窒化物半導体層）となっている。 - 特許庁

Respective semiconductor layers such as an n-type GaN layer 2, an active layer 3, and a p-type GaN layer 4 are formed on a C-plane sapphire substrate 1.例文帳に追加

Ｃ面サファイア基板１上にｎ型GaN層２、活性層３及びｐ型GaN層４の各半導体層を形成する。 - 特許庁

A soft magnetic layer 3F (or a hard magnetic layer) for obtaining the single magnetic domain of the free-layer 3A in the same plane shape is arranged at the lower part of the plurality of SV/GMR elements 3.例文帳に追加

複数のSV-GMR素子３の下部には同一平面形状で自由層３Ａの単磁区化を行う軟磁性層３Ｆ（又は硬磁性層）が配設される。 - 特許庁

The magnetic head for perpendicular magnetic recording is provided with a medium opposing plane, a coil, a magnetic pole layer 15, a recording shield layer 20, and a gap layer 17.例文帳に追加

垂直磁気記録用磁気ヘッドは、媒体対向面と、コイルと、磁極層１５と、記録シールド層２０と、ギャップ層１７とを備えている。 - 特許庁

The light emitting diode elements are formed with a high heat conductive substrate, a non-conductor type protective layer, a metal bonding layer, a mirror plane protective layer, an ohmic contact epitaxy layer, an upper coating layer, an active layer, and a lower coating layer.例文帳に追加

発光ダイオード素子は、高導熱基板と、非導体型保護層と、金属接着層と、鏡面保護層と、オーミックコンタクトエピタキシ層と上被覆層と活性層と下被覆層とを形成してなる。 - 特許庁

The thin film magnetic head is further provided with a non-magnetic layer 15 contacting to a plane of an opposite side to the gap layer 9 of the magnetic pole portion layer 14A, and a third magnetic layer 16 being adjacent to a plane of an opposite side to the magnetic pole portion layer 14A of this non-magnetic layer 15.例文帳に追加

薄膜磁気ヘッドは、更に、磁極部分層１４Ａのギャップ層９とは反対側の面に接する非磁性層１５と、この非磁性層１５の磁極部分層１４Ａとは反対側の面に隣接する第３の磁性層１６とを備えている。 - 特許庁

The semiconductor device has a semiconductor substrate 2, an epitaxial layer 3 formed on the principal plane of the substrate 2, an n-type semiconductor layer 4a and a p-type semiconductor layer 5 formed on the layer 3, and a pn composition plane 6 formed between the layer 4a and the layer 5.例文帳に追加

半導体基板２と、半導体基板２の主面上に形成されたエピタキシャル層３と、エピタキシャル層３に形成されたＮ型の半導体層４ａおよびＰ型の半導体層５と、半導体層４ａと半導体層５との間に形成されたＰＮ接合面６とを有する。 - 特許庁

A semiconductor device includes a first wiring layer including the signal wiring line, and a second wiring layer stacked on the first wiring layer and including the power-supply plane or the ground plane formed.例文帳に追加

半導体装置は、信号配線が設けられた第１の配線層と、この第１の配線層に絶縁層を介して積層され、電源プレーン又はグランドプレーンが設けられた第２の配線層とを備える。 - 特許庁

A semiconductor light emitting device includes a planar light-emitting layer with a wurtzite crystal structure having a <0001> axis substantially parallel to the plane of the layer, referred to as an in-plane light-emitting layer.例文帳に追加

層の平面にほぼ平行な＜０００１＞軸を有するウルツ鉱結晶構造を有する、面内発光層と呼ばれるプレーナ発光層を含む半導体発光装置。 - 特許庁

On the other hand, the NMOS transistor 30n is formed in a distorted semiconductor layer 11 consisting of a plane orientation (100) Si obtained through epitaxial growth on a plane orientation (100) Si-Ge layer constituting the surface layer of the semiconductor substrate.例文帳に追加

一方、ＮＭＯＳトランジスタ３０ｎは、半導体基板の表面層を構成する面方位（１００）Ｓｉ−Ｇｅ層上にエピタキシャル成長させた面方位（１００）Ｓｉからなる歪半導体層１１に形成されている。 - 特許庁

In a multilayer substrate having a ground layer and a power source layer, a main power source plane 1 provided in the power source layer is connected to a sub-power source plane 2 via a filter.例文帳に追加

グランド層および電源層を有する多層基板において、電源層に設けた主電源プレーン１とサブ電源プレーン２をフイルタを介して接続する。 - 特許庁

As for via holes connecting the internal layer wiring electrode to a plane terminal, the via diameter of at least ≥1 layer is made larger than that of any other internal layer in upper and lower layers where the plane terminal electrode is formed.例文帳に追加

また、内層配線電極を平面の端子に接続するビアにおいて、平面端子電極が形成される上下層において、少なくとも１層以上のビア径が他の内層ビア径よりも大きく形成する。 - 特許庁

In addition, by providing the film thickness of the light reflecting layer 8 with distributions in the plane of the scintillator or the surface coarseness of the light reflecting layer 8 with distributions in the plane of the scintillator, reflectance distributions are formed in the light reflecting layer 8.例文帳に追加

また、光反射層８の膜厚をシンチレータ面内で分布を持たせる、或いは光反射層８の表面荒さをシンチレータ面内で分布を持たせることにより光反射層８に反射率分布を形成する。 - 特許庁

The polishing sheet 1 is formed of a surface layer 1a having predetermined thickness formed on the side of the polishing plane P over the whole surface of the polishing plane P, and an inner layer 1b as a part except the surface layer 1a.例文帳に追加

研磨シート１は、研磨面Ｐ側に研磨面Ｐの全面に亘り形成された所定厚を有する表面層１ａと、表面層１ａを除く部分である内部層１ｂとで形成されている。 - 特許庁

An antenna element includes a cover layer disposed over a radiator layer, has a first ground plane disposed on the radiator layer, and has an aperture inside the ground plane.例文帳に追加

アンテナ素子は、放射層上に配置されたカバー層を含み、放射層上には第１接地面が配置され、接地面内部にはアパーチャを有する。 - 特許庁

Secondly, a buffer layer composed of AlN is formed on the sapphire substrate on the side where a rugged configuration is formed by the sputter method, and a GaN layer having the c-plane as the principal plane is formed through the buffer layer by the MOCVD method.例文帳に追加

次に、凹凸形状を施した側のサファイア基板上にスパッタ法によってＡｌＮからなるバッファ層を形成し、バッファ層を介してＭＯＣＶＤ法によってｃ面を主面とするＧａＮ層を形成した。 - 特許庁

To improve the in-plane distribution of MTF (modulation transfer function)occurring due to a fluorescent substance layer as a scintillator layer by limiting the light reflected by a light reflection layer without exerting an influence over the formation of an image, so that the reflection light quantity has an in-plane distribution.例文帳に追加

像形成に影響を与えることなく光反射層から反射した光を制限し反射光量に面内分布を持たせ、シンチレータ層である蛍光体層に起因するMTFの面内分布を改善する。 - 特許庁

The first laminated structure has a DH structure comprising a p-type AlGaAs clad layer 62, an active layer 64, and an n-type AlGaAs clad layer 66, which has a triangular cross section of with the (111)B plane as an inclined plane.例文帳に追加

第１の積層構造は、ｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層６２、活性層６４、及びｎ型ＡｌＧａＡｓクラッド層６６からなるＤＨ構造を構成し、｛１１１｝Ｂ面を斜面とする断面三角形状である。 - 特許庁

A recording layer plane (0001) is oriented on a (0001) plane of the intermediate layer 24 formed in the direction of a predetermined inclination, and the c-axis (axis of easy magnetization) of the recording layer is formed to the substrate surface inclined.例文帳に追加

所定の傾斜方向に形成された中間層２４の（０００１）面上に記録層の（０００１）面が配向し、記録層のｃ軸（磁化容易軸）が基板面に対して傾斜して形成される。 - 特許庁

First conductor wires 121-127 are positioned on a plane whereon the second insulating layer 102 and the third insulating layer 103 come close to each other, and on a plane whereon the third insulating 103 and the fourth insulating layer 104 come close to each other.例文帳に追加

第１の導体配線１２１〜１２７は、第２番目の絶縁層１０２と第３番目の絶縁層１０３とが隣接する面、及び、第３番目の絶縁層１０３と第４番目の絶縁層１０４とが隣接する面に位置している。 - 特許庁

The antenna is comprised of a truncated ground plane 22, a layer of dielectric material 28 having a first surface overlying the ground plane and an opposing second surface, and an electrically conductive layer 30 overlying the second opposing surface of the dielectric layer.例文帳に追加

切頭形のグランド平面２２と、グランド平面の上に存する第１面と反対側の第２面とを有する誘電体材料の層２８と、誘電体層の反対側の第２面の上に存する電気伝導層３０とから成る。 - 特許庁

To obtain an alignment layer useful to produce a liquid crystal alignment layer and a phase difference layer for a liquid crystal display, having an in-plane switching mode for performing display by the in-plane rotation of a liquid crystalline compound.例文帳に追加

液晶性化合物の面内回転により表示を行う、インプレーンスイッチングモードの液晶表示装置用の液晶配向膜および、位相差膜の作製に有用な配向膜に関する。 - 特許庁

Therefore, when forming a plated layer 8 on the metallized layer 7, a plating liquid can be easily allowed to follow between the first principal plane 1A and the second principal plane 1B through the hole 15, thereby forming the plated layer 8 evenly.例文帳に追加

このため、メタライズ層７上にメッキ層８を形成する際、メッキ液が有底孔１５を通じて、第１主面１Ａと第２主面１Ｂとの間を流通し易く、メッキ層８を均一に形成することができる。 - 特許庁

By setting the in-plane direction coercive force of the in-plane magnetization layer larger than the perpendicular residual magnetization of the recording layer, the influence of the mirror image effect of the soft magnetic lining layer on a reproduction output at the recording density of a wide range is reduced.例文帳に追加

面内磁化層の面内方向の保磁力を記録層の垂直方向の残留磁化より大きくすることにより、広範囲の記録密度において軟磁性裏打ち層の鏡像効果による再生出力への影響を低減する。 - 特許庁

Also, this wiring board 1 is provided with a built-in capacitor 13 constituted of a first plane electrode layer 29 or the like, a second plane electrode layer 30 or the like, and a high dielectric layer 76 or the like.例文帳に追加

また、内部に、第１プレーン電極層２９等、第２プレーン電極層３０等、及び高誘電体層７６等からなる内蔵コンデンサ１３を備える。 - 特許庁