「plane-layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

To improve a plane magnetic element which has a plane coil between a lower magnetic layer and an upper magnetic layer and has an intercoil magnetic layer arranged in a gap between the coils of the plane coil.例文帳に追加

本発明は、下部磁性層と上部磁性層との間に平面コイルを有し、該平面コイルのコイル線間の空隙にコイル線間磁性層を配した平面磁気素子の改良に関する。 - 特許庁

In the medium opposing plane, at least a part of an end plane of the recording shield layer 20 is arranged at a front side of a progress direction of the recording medium keeping the prescribed interval by thickness of the gap layer 17 for an end plane of the magnetic pole layer 15.例文帳に追加

媒体対向面において、記録シールド層２０の端面の少なくとも一部は、磁極層１５の端面に対して、ギャップ層１７の厚みによる所定の間隔を開けて記録媒体の進行方向の前側に配置されている。 - 特許庁

In the second plane data generating step, second plane data is generated in a way that the pseudo layer group is regularly disposed on the other plane and the respective pseudo layers on the second plane data overlap with the respective pseudo layers on the first plane data when overlapped with the first plane data.例文帳に追加

第２平面データ生成工程は、擬似レイヤ群が他の一つの平面上に規則的に配置された第２平面データであり、第１平面データと重ね合わせたときに第２平面データ上の各擬似レイヤが第１平面データ上の各擬似レイヤと重なる第２平面データを生成する。 - 特許庁

The circuit board 27 has a ground layer 27g provided on one principal plane (mounting plane 27a), and is stacked by turning the other principal plane (rear plane of the mounting plane 27a) to the inner side plane of the display front case 15 opposite to the display rear case 17.例文帳に追加

回路基板２７は、一方の主面（実装面２７ａ）設けられたグランド層２７ｇを有し、表示フロントケース１５の表示リアケース１７に対向する内側面に他方の主面（実装面２７ａの背面）を向けて積層されている。 - 特許庁

A shield plane conductive layer 161 for breaking electric fields that poorly affect each other between the surface layer electrodes 121, 123 for power supplies, and the internal plane electrode layer 141 for power supplies closest to the surface layer electrodes 121, 123 for power supplies is arranged between the surface layer electrodes 121, 123 and the internal plane electrode layer 141.例文帳に追加

電源用表層電極１２１，１２３と、電源用表層電極１２１，１２３に最も近い電源用内部プレーン電極層１４１との間には、両者の間で互いに悪影響を及ぼし合う電界を遮断するシールドプレーン導体層１６１が配置される。 - 特許庁

a layer in which a positive electric charge and a negative electric charge are on the opposite surfaces of a plane, called electric double layer 例文帳に追加

電気二重層という,正電荷と負電荷が一つの面の両側に分布した層 - EDR日英対訳辞書

Between the n^--type semiconductor layer 4 and the p-type semiconductor layer 5, a pn junction plane 7 is formed.例文帳に追加

ｎ^−型半導体層４とｐ型半導体層５との間にはｐｎ接合面７が形成されている。 - 特許庁

METHOD FOR OPTICALLY INSPECTING MIDDLE LAYER OF PLANE OBJECT OF AT LEAST THREE-LAYER FORM例文帳に追加

少なくとも３層状の平面状物体の中間層を光学的に検査する方法 - 特許庁

Dielectric layers separate the radiating layers, feed line layer, and ground plane layer.例文帳に追加

複数の誘電体層が、複数の放射層、フィードライン層、及びグランドプレーン層を隔てる。 - 特許庁

The outer connecting terminal 8 is exposed from the resin layer 6 on the same plane with the surface of the resin layer 6.例文帳に追加

外部接続端子８は、樹脂層６の表面と同一面において樹脂層６から露出している。 - 特許庁

The inclined plane 2a is greened through sprouting and growth of seeds in the thick layer base material layer 12.例文帳に追加

この厚層基材層１２中の種子が発芽、生育することにより、傾斜面２ａが緑化される。 - 特許庁

The piezoelectric material layer 14 is included in the area of the lower electrode layer 12 in a plane view.例文帳に追加

平面視において、前記圧電体層１４は、前記下部電極層１２の領域内に含まれる。 - 特許庁

A ground layer having an orientation plane of (220) may be formed between the base material 1 and the plated layer 2.例文帳に追加

基材１とめっき層２との間に（２２０）の配向面を持つ下地層を形成してもよい。 - 特許庁

An upper surface of the mask layer is disposed on the same plane as an upper surface of the first conductivity type semiconductor layer.例文帳に追加

前記マスク層の上面は、前記第１導電型半導体層の上面と面一に配置される。 - 特許庁

The stabilization layer 11 has a lattice constant smaller than that of the spin-polarization layer 12 in an in-plane direction.例文帳に追加

安定化層１１は、スピン分極層１２より膜面内方向の格子定数が小さい。 - 特許庁

A piezoelectric layer 16 preferentially oriented with the (001) plane is provided onto the orientation control layer 15.例文帳に追加

この配向制御層１５上に、（００１）面に優先配向した圧電体層１６を設ける。 - 特許庁

In this liquid crystal device, a part or the whole in the plane of the insulating layer 34 is a retardation layer.例文帳に追加

この液晶装置において、絶縁層３４の平面内の一部又は全部は位相差層である。 - 特許庁

The lower magnetic pole layer 11 and the cooling layer 12 are arranged on the same plane.例文帳に追加

下部磁極層１１と冷却層１２は、同一平面上に配置されている。 - 特許庁

The in-plane magnetization in the auxiliary layer 4 induces magnetic domain expansion on the reproducing layer 3.例文帳に追加

補助層４における面内方向の磁化が、再生層３における磁区拡大を誘発する。 - 特許庁

An InAlAs barrier layer 12 having a trench TR of opposed one side face of a plane A (111) and another side face of a plane B (331) is formed on an InP substrate 11 having an asymmetrical V-groove of one side face of a plane (100) and another side face of a plane (011).例文帳に追加

一方の側面が (100)面、他方の側面が (011)面の非対称Ｖ溝を有する InP基板11上に、向かい合う一方の側面が(111)A面、他方の側面が(331)B面のトレンチTRを有するInAlAsバリア層12を形成する。 - 特許庁

The upper surface of the AlInGaN layer 101 includes at least one first inclined plane 101a inclined in a [0001] direction from the (m) plane and at least one second inclined plane 101b inclined in a [000-1] direction from the (m) plane.例文帳に追加

ＡｌＩｎＧａＮ層１０１の上面は、ｍ面から［０００１］方向に傾斜した少なくとも１つの第１傾斜面１０１ａと、ｍ面から［０００−１］方向に傾斜した少なくとも１つの第２傾斜面１０１ｂとを有している。 - 特許庁

A diffusion barrier is constituted to have a constricted layer within the layer plane between a first solid electrolytic layer and a second solid electrolytic layer.例文帳に追加

拡散バリアが、第１の固体電解質層と第２の固体電解質層の間の層平面内にくびれ層を有するように構成する。 - 特許庁

The principal growth plane 10a is a plane having an off angle in the a-axis direction relative to the "m" plane, and the individual nitride semiconductor layers 11 to 18 include: an active layer 14 containing In; and a GaN layer (an n-type GaN layer 11 and a lower guide layer 13) formed between the GaN substrate 10 and active layer 14.例文帳に追加

成長主面１０ａは、ｍ面に対して、ａ軸方向にオフ角度を有する面からなり、窒化物半導体各層１１〜１８は、Ｉｎを含む活性層１４と、ＧａＮ基板１０と活性層１４との間に形成されたＧａＮ層（ｎ型ＧａＮ層１１、下部ガイド層１３）とを有している。 - 特許庁

A first layer among the free layer and the stabilization layer has magnetization, the direction thereof is oriented in a plane of the first layer, while a second layer among two layers of the free layer and the stabilization layer has also magnetization, and direction thereof is oriented in outside of a plane of the second layer.例文帳に追加

前記自由層および安定化層のうちの第１の層は磁化を有しており、その方向は、前記第１の層の平面内に配向されており、一方、前記自由層および安定化層のうちの２つの層の第２の層も磁化を有しており、その方向は、前記第２の層の平面外に配向されている。 - 特許庁

This causes an equipotential-line distribution to be nearly horizontal to a substrate plane at a junction between the p-type deep layer 10 and the p-type resurf layer 15, thus enabling an electric field to match a direction substantially vertical to the substrate plane, or the azimuth direction of a [0001] plane.例文帳に追加

これにより、ｐ型ディープ層１０とｐ型リサーフ層１５の接合部分において、等電位線分布は基板平面にほぼ水平となり、電界がほぼ基板垂直方向、つまり［０００１］面の方位に掛かるようにできる。 - 特許庁

Then a buffer layer 9, comprising a high melting-point metal oriented with a plane almost equal, in plane interval, to an Al (111) plane, is deposited on the barrier metal layer 6.例文帳に追加

次にバリアメタル層６上にAl（１１１）面と面間隔がほぼ等しい面に配向する高融点金属からなるバッファー層９を堆積する。 - 特許庁

The principal growth plane 10a of the GaN substrate 10 consists of a plane having an off-angle in an a-axis direction relative to an m-plane, and an In composition ratio of the active layer 14 (well layer 14a) is set at 0.15-0.45.例文帳に追加

そして、ＧａＮ基板１０の成長主面１０ａが、ｍ面に対して、ａ軸方向にオフ角度を有する面からなり、活性層１４（井戸層１４ａ）のＩｎ組成比が、０．１５以上０．４５以下に設定されている。 - 特許庁

Angles of an inclination from a plane c in a first portion containing the valid light-emitting area in the plane of the light-emitting layer, and a second portion which is one except for the first portion in the plane of the light-emitting layer concerned, differ from each other.例文帳に追加

発光層面内における有効発光領域を含む第一の部分と、当該発光層面内の第一の部分以外の部分である第二の部分におけるｃ面からの傾斜角度は互いに異なっている。 - 特許庁

A GOV(Group Of VOP(Video Object Plane)) is layered into a host layer and a subordinate layer to realize space scalability, the VOPs of the subordinate layer are encoded and the VOPs of the host layer are coded in the same sequence as its display sequence.例文帳に追加

GOV(Group Of VOP(Video Object Plane))が、空間スケーラビリティを実現するための上位レイヤと下位レイヤに階層化され、下位レイヤのVOPが符号化されるとともに、上位レイヤのVOPが、その表示順序と同一の順序で符号化される。 - 特許庁

A principal surface of the active layer 6 is substantially perpendicular to a (0001) plane of the p-side semiconductor layer, a current path portion in the p-side semiconductor layer extends along a crystal orientation substantially parallel to the (0001) plane of the p-side semiconductor layer.例文帳に追加

活性層６の主面は、ｐ側半導体層の（０００１）面と略垂直であり、ｐ側半導体層における電流通路部は、ｐ側半導体層の（０００１）面と略平行な結晶方位に延びる。 - 特許庁

Since the wafer for active layer having a predetermined in-plane distribution and the supporting wafer having an in-plane distribution reverse from the predetermined in-plane distribution are bonded, deviation of the in-plane distribution is offset, and the in-plane distribution of organic matters can be made substantially uniform on the bonding interface.例文帳に追加

これにより、所定の面内分布を持った活性層用ウェーハと、所定の面内分布とは逆の面内分布を持った支持用ウェーハとが貼り合わせられることから、互いの面内分布の偏りが相殺され、貼り合わせ界面における有機物の面内分布をほぼ均一とすることが可能となる。 - 特許庁

An upper electrode 103 is formed on one side principal plane of a piezoelectric material layer 101 and a lower electrode 102 is formed on the other side principal plane.例文帳に追加

圧電体層１０１の一方主面に上部電極１０３が、他方主面に下部電極１０２が形成される。 - 特許庁

Especially, it is used for formation of a nitride semiconductor layer such as gallium and aluminum by using a (0001) plane of the crystal as a major plane.例文帳に追加

特に、この結晶の（０００１）面を主面に利用して、ガリウム、アルミニウムなどの窒化物半導体層の成長に使用する。 - 特許庁

The semiconductor substrate 2 has a through wiring layer 6 connecting the first principal plane 2a to a second principle plane 2b.例文帳に追加

半導体基板２は第１の主面２ａと第２の主面２ｂとを繋ぐ貫通配線層６を有する。 - 特許庁

The movable electrode moves on a plane in parallel with the base layer 101, and therefore the arm 3 opens/closes along the plane.例文帳に追加

可動電極はベース層１０１に対して平行な平面上を移動するので、アーム３はその平面上に沿って開閉する。 - 特許庁

The MOS device includes a semiconductor layer formed on a substrate, wherein the substrate defines a horizontal plane and a normal line perpendicular to the horizontal plane.例文帳に追加

ＭＯＳデバイスは、基板上に形成された半導体層を含み、その基板は水平面とその水平面に垂直な方向の法線とを画定する。 - 特許庁

The two-layer dividing part 13 separates the manuscript image into a character information plane and a picture information plane on the basis of the separate information.例文帳に追加

２層分割部１３は、分離情報に基づいて原稿画像を文字情報プレーンと絵柄情報プレーンに分離する。 - 特許庁

To provide an antenna for radiating an electromagnetic field, including a ground plane and a dielectric layer disposed on the ground plane.例文帳に追加

電磁界を放射するアンテナは、グランドプレーンと、グランドプレーンにおいて備えられている誘電層とを有する。 - 特許庁

In some embodiments, binary information is arranged in a bit plane, and the bit plane is coded at a picture/frame layer.例文帳に追加

いくつかの実施形態において、バイナリ情報は、ビットプレーン内に配置され、ビットプレーンは、ピクチャ／フレーム層でコード化される。 - 特許庁

The plane heating unit comprises a laminate of plane electric heating elements on a metal base body through an insulating layer made of a resin seat having gaps.例文帳に追加

金属基体上に、空隙を有する樹脂製シートからなる絶縁層を介して、電熱面発熱体を積層してなる電熱面発熱ユニット。 - 特許庁

A semiconductor layer is formed on a second substrate main face as a main face on the plus c plane side of the c plane off substrate.例文帳に追加

ｃ面オフ基板の＋ｃ面側の主面である第２基板主面上に半導体層を形成する。 - 特許庁

The substrate includes a crystal plane, and the carbon nano-tube layer includes multiple carbon nano-tubes and is placed on the crystal plane of the substrate.例文帳に追加

前記基板は、結晶面を含み、前記カーボンナノチューブ層が、複数のカーボンナノチューブを含み、前記基板の結晶面に配置される。 - 特許庁

A first flat plane 9 and a sloping plane 8 are so formed as to be parallel with the resonant direction of laser rays emitted from the active layer 3.例文帳に追加

このとき、第１平面９および斜面８は、活性層３より発光するレーザ光の共振方向と平行になるように形成する。 - 特許庁

A semiconductor laminated layer 19 of a group III nitride semiconductor laser element 11 is manufactured not on a c-plane of a substrate 17, but on a semi-polar plane 17a thereof.例文帳に追加

III族窒化物半導体レーザ素子１１の半導体積層１９は、基板１７のｃ面ではなく半極性面１７ａ上に作製される。 - 特許庁

Then, a ground 26 is formed so as to surround the power plane 24 in a power layer 14 wherein the power plane 24 is formed.例文帳に追加

そこで、電源プレーン２４が形成された電源層１４に、電源プレーン２４を包囲するようにしてグランド部２６を形成する。 - 特許庁