「plane-layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

The bottom wall member 3 has a plane contact portion 31 capable of contacting the thermal discoloring layer.例文帳に追加

底壁部材３が、熱変色層に接触可能な平面状の接触部３１を備える。 - 特許庁

To provide a magnetic recording medium in which the in-plane orientation of a magnetic layer deposited can be improved.例文帳に追加

成膜された磁性層の面内配向性を改善することのできる磁気記録媒体を提供する。 - 特許庁

To provide a forming method for manufacturing of a ferroelectric layer having the superior in-plane uniformity of dielectric characteristics.例文帳に追加

誘電特性の面内均一性に優れた強誘電体層の製造方法の提供。 - 特許庁

A recess 131 for fitting an electronic element is provided in the plane of the surface of the second substrate layer 13.例文帳に追加

第２基板層１３の表面の面内に、電子素子を取り付ける凹部１３１が設けられている。 - 特許庁

To produce an optical compensatory sheet excellent in adhesion to an alignment layer and having a good plane shape.例文帳に追加

配向膜との密着性に優れ、かつ良好な面状を有する光学補償シートを製造する。 - 特許庁

Contractile force of the elastic body layer 51 in an in-plane direction is 4 MPa or higher.例文帳に追加

弾性体層５１は面内方向の収縮力が４ＭＰａ以上である。 - 特許庁

To improve the planarity of a peeling plane of an SOI layer formed on a transparent insulating substrate.例文帳に追加

透明絶縁性基板上に形成されたＳＯＩ層の剥離面の平坦性を高めること。 - 特許庁

Since the damaged layer 13 is an R plane, it is etched and removed (Figure 1C) during the wet etching.例文帳に追加

ダメージ層１３はＲ面であるためエッチングされ、除去できる（図１Ｃ）。 - 特許庁

The first layer 20A has an end plane arranged in a medium facing surface 30.例文帳に追加

第１層２０Ａは、媒体対向面３０に配置された端面を有している。 - 特許庁

A first conductivity-type charge storage layer 12 is formed on a primary principal plane of a semiconductor substrate 11.例文帳に追加

半導体基板１１の第１主面に第１導電型の電荷蓄積層１２が形成されている。 - 特許庁

SYSTEM AND METHOD FOR UNIFORM MULTI-PLANE SILICON OXIDE LAYER FORMATION FOR OPTICAL APPLICATIONS例文帳に追加

光学用途のための均一な複数面のシリコン酸化物層を形成するシステム及び方法 - 特許庁

The plane orientation of the main surface of the quantum well active layer 105 is (1-101).例文帳に追加

上記量子井戸活性層１０５の主面の面方位は（１−１０１）である。 - 特許庁

(1) Maximum convex value L of a magnetic layer in nonbinding side cross-sectional plane is 1.0 μm or less.例文帳に追加

（１）非拘束側切断面における磁性層最大凸量Ｌが１．０μｍ以下である。 - 特許庁

To make a ridge crestal plane to be exposed in a simple method while covering other element surface with a desired film or layer.例文帳に追加

簡便な方法でリッジ頂面が露出し、他の素子表面を所望の膜又は層で覆うこと。 - 特許庁

In some embodiments, the in-plane light-emitting layer has a thickness greater than 50 Å.例文帳に追加

いくつかの実施形態では、面内発光層は、５０Åよりも大きい厚みを有する。 - 特許庁

On a sacrificial layer of a base, a recess corresponding to a plane shape of a probe is formed using a resist mask.例文帳に追加

基台の犠牲層上にプローブの平面形状に対応した凹所をレジストマスクで形成する。 - 特許庁

Also, the wiring board 101 has a nearly completely spread grounding plane layer 165 on the same surface 124H.例文帳に追加

また、同じ表面１２４Ｈに、略ベタ状の接地プレーン層１６５を備える。 - 特許庁

The reinforcing layer has a plane having heat resistance, flexibility and predetermined frictional force.例文帳に追加

補強層は、耐熱性、柔軟性、所定の摩擦力を備える平面を有するものである。 - 特許庁

In the nitride semiconductor growth substrate with the semipolar plane, an AlN, GaN, or AlGaN buffer layer is formed on a principal plane of a sapphire substrate having a semipolar plane.例文帳に追加

半極性面を有するサファイヤ基板の主面上に、ＡｌＮ,ＧａＮ又はＡｌＧａＮバッファ層を形成してなることを特徴とする半極性面を有する窒化物半導体成長基板。 - 特許庁

To reduce variance in plane resonance frequency due to variance in thickness of an insulating layer between a power supply plane and a ground plane of a multilayer printed circuit board having the same specifications.例文帳に追加

同一仕様の多層プリント配線基板の電源プレーンとグランドプレーン間の絶縁層の厚さにバラツキが生ずることによるプレーン共振周波数のバラツキを小さくすること。 - 特許庁

The semiconductor substrate comprises a β-Ga_2O_3 single crystal having the (100) plane as a given plane direction, in which oxygen is removed from the surface layer of the (100) plane.例文帳に追加

所定の面方位である（１００）面を有し、この（１００）面の表面層の酸素が除去されたことを特徴とするβ—Ｇａ_２Ｏ_３系単結晶からなる半導体基板とする。 - 特許庁

Through X-ray diffractometry of the surface layer, a primary diffraction peak corresponding to at least one of the (111) crystal plane, (200) crystal plane and (311) crystal plane is observed.例文帳に追加

表層のＸ線回折により、（１１１）結晶面、（２００）結晶面、（２２０）結晶面及び（３１１）結晶面の少なくとも一つに対応した１次回折ピークが観察される。 - 特許庁

The liquid crystal molecules existing almost in the central part of a liquid crystal layer 16 formed inside the pair of the substrates concerning a direction normal to the substrates are defined as mid-plane liquid crystal molecules 17 and a plane incorporating them is defined as an observation plane.例文帳に追加

その一対の基板内側に形成の液晶層１６の基板法線方向に関し概略中央にある液晶分子をミッドプレーンの液晶分子１７とし、それを含む平面を観察平面とする。 - 特許庁

In the first plane data generating step, first plane data is generated in a way that a pseudo layer group having pseudo layers corresponding to respective layers respectively is regularly disposed on one plane.例文帳に追加

第１平面データ生成工程は、夫々が各レイヤに対応している擬似レイヤを有する擬似レイヤ群が一つの平面上に規則的に配置された第１平面データを生成する。 - 特許庁

The principal growth plane 10a includes a plane having an off-angle in the a-axis direction with respect to the m plane, and the nitride semiconductor layers 12-18 each include a lower clad layer 12 formed of AlGaN.例文帳に追加

成長主面１０ａは、ｍ面に対して、ａ軸方向にオフ角度を有する面からなり、窒化物半導体各層１２〜１８は、ＡｌＧａＮからなる下部クラッド層１２を含んでいる。 - 特許庁

A first conductivity type buffer layer 15 is formed on the principal plane 13a of the semiconductor region 13, and the principal plane 13a forms an angle of 10° or more relative to the reference plane RC.例文帳に追加

第１導電型バッファ層１５は半導体領域１３の主面１３ａ上に設けられ、この主面１３ａは基準面ＲＣに対して１０度以上の角度を成す。 - 特許庁

By using the expanded separating information plane, in a multi-layer separation part 6, the color information of a character line part is separated to a character information plane and image pattern information and background images other than the character line part are separated to an image pattern information plane.例文帳に追加

この膨張分離情報プレーンを用いて多層分離部６にて文字線画部の色情報を文字情報プレーンに、文字線画部以外の絵柄情報と背景画像を絵柄情報プレーンに分離する。 - 特許庁

The inclination angle A between the (0001) plane of a GaN support base material (reference plane S_R3) and the (0001) plane of a buffer layer 33a is greater than or equal to 0.05°, and the inclination angle A is less than or equal to 2°.例文帳に追加

ＧａＮ支持基体の（０００１）面（参照面Ｓ_Ｒ３）とバッファ層３３ａの（０００１）面との傾斜角Ａは０．０５度以上であり、傾斜角Ａは２度以下である。 - 特許庁

The inclination angle B between the (0001) plane of the GaN support base material (reference plane S_R4) and the (0001) plane of a well layer 37a is greater than or equal to 0.05°, and the inclination angle B is less than or equal to 2°.例文帳に追加

また、ＧａＮ支持基体の（０００１）面（参照面Ｓ_Ｒ４）と井戸層３７ａの（０００１）面との傾斜角Ｂは０．０５度以上であり、傾斜角Ｂは２度以下である。 - 特許庁

In this device, the p-type Al_xGa_1-xN layer 5 side is down bonded, and light is emitted from a second principal plane 1a which is a principal plane opposite from the first principal plane of the GaN substrate 1.例文帳に追加

発光装置は、ｐ型Ａｌ_xＧａ_1-xＮ層５の側をダウン実装し、ＧａＮ基板１の第１の主表面と反対側の主表面である第２の主表面１ａから光を放出する。 - 特許庁

This film is the laminating polyester film used for the process paper of the high density DVD light transmission protection layer, and average roughness of a center plane (SRa(A)) of one film plane (A plane) is 20 nm or less, and average roughness of a center plane (SRa(C)) of the other film plane (C plane) is larger than SRa(A).例文帳に追加

高密度ＤＶＤ光透過保護層の工程紙として使用されるポリエステルフィルムであって、一方のフィルム面（Ａ面）の中心面平均粗さ（ＳＲａ（Ａ））が２０ｎｍ以下であり、もう一方のフィルム面（Ｃ面）の中心面平均粗さ（ＳＲａ（Ｃ））がＳＲａ（Ａ）よりも大きいことを特徴とする積層ポリエステルフィルム。 - 特許庁

This semiconductor device includes a first layer, a second layer provided on a principal plane of the first layer, a conductive columnar structure which penetrates the principal plane and extends to the first layer and the second layer, and a side section attached to a side wall of the columnar structure in a second layer side of the principal plane.例文帳に追加

第１層と、前記第１層の主面の上に設けられた第２層と、前記主面を貫通し、前記第１層と前記第２層とに延在する導電性の柱状構造体と、前記主面の前記第２層の側において前記柱状構造体の側壁に付設された側部と、を備えたことを特徴とする半導体装置を提供する。 - 特許庁

The ZnO device is characterized in that an undoped ZnO layer having a Zn polarity plane is used as a channel layer and on the ZnO layer having the Zn polarity plane, an O polarity high-concentration n-type ZnO layer connected to source/drain is formed selectively via an inversion layer.例文帳に追加

Ｚｎ極性面を有するアンドープＺｎＯ層をチャンネル層とし、該Ｚｎ極性面を有するＺｎＯ層上には、極性面反転層を介して、ソース・ドレインに接続されたＯ極性高濃度ｎ型ＺｎＯ層が、選択的に形成されていることを特徴とするＺｎＯデバイスである。 - 特許庁

The wavelength conversion member comprises: a phosphor layer 22 having a laser incidence plane which can introduce the laser light and including a phosphor in the layer; and a high refractive index layer 26 which is bonded to a surface facing the laser incidence plane of the phosphor layer and has a higher refractive index than a refractive index of the phosphor layer.例文帳に追加

波長変換部材は、レーザ光を導入し得るレーザ入射面を有し且つ層内に蛍光体を含有する蛍光体層２２と、蛍光体層のレーザ入射面と対向する面に接合され且つ蛍光体層の屈折率よりも高い屈折率を有する高屈折率層２６と、を有する。 - 特許庁

A adhesion layer 12 is provided on a substrate 11, a first electrode layer 14 made of a noble metal containing titanium or titanium oxide is provided on the adhesion layer 12, and an orientation control layer 15 preferentially oriented with the (100) plane or the (001) plane is provided on the first electrode layer 14.例文帳に追加

基板１１上に密着層１２を設け、密着層１２上に、チタン又は酸化チタンを含有する貴金属からなる第１の電極層１４を設け、第１の電極層１４上に、（１００）面又は（００１）面に優先配向した配向制御層１５を設ける。 - 特許庁

Further, the interlayer resin insulation layer 60 is hardly peeled off (delaminated) because adhesion between the plane layer 53 and the upper layer of the interlayer resin insulation layer 60 is increased for the recess 50a of the via hole 50A formed at the plane layer 53 serves as an anchor.例文帳に追加

更に、プレーン層５３に形成されるバイアホール５０Ａの窪み５０ａがアンカーとなってプレーン層５３と上層の層間樹脂絶縁層６０との密着性を高めるため、該層間樹脂絶縁層６０に剥離（デラネーション）が生じ難い。 - 特許庁

The semiconductor laser element includes an n-type GaN semiconductor substrate 1 having a principal plane, and an n-side clad layer 3 formed on the principal plane of the substrate 1 having a principal plane substantially inclined with respect to the principal plane of the substrate 1 and having a light emitting layer 4 formed on the principal plane.例文帳に追加

この半導体レーザ素子は、主表面を有するｎ型ＧａＮ半導体基板１と、ｎ型ＧａＮ半導体基板１の主表面上に形成されるとともに、ｎ型ＧａＮ半導体基板１の主表面に対して実質的に傾斜する主表面を有するとともに、主表面上に発光層４が形成されるｎ側クラッド層３を備えている。 - 特許庁

The metal whisker 15 is formed on the surface of a plating layer 13 of the end plane side of a substrate (electrode 12) by forming the plating layer 13 at the end plane of the substrate (electrode 12) and at least a part of a principal plane connected to the end plane and applying surface pressure in a substrate thickness direction to the plated principal plane of the substrate (electrode 12).例文帳に追加

基板（電極１２）の端面と少なくとも端面に連なる主面の一部とに金属のめっき層１３を形成し、基板（電極１２）のめっきされた主面に対し基板厚み方向に面圧を加えることにより、基板（電極１２）の端面側のめっき層１３表面に金属のウィスカ１５を形成する。 - 特許庁

A multi-layer antenna comprises: a first micro-strip patch 605 arranged along a first plane; a second micro-strip patch 610 arranged along a second plane substantially in parallel with said first plane; and a ground plane 615 having a slot 620 formed therein.例文帳に追加

多層アンテナは、第１の平面に沿って配置された第１のマイクロストリップパッチ６０５と、前記第１の平面に実質的に平行な第２の平面に沿って配置された第２のマイクロストリップパッチ６１０と、その中に形成されたスロット６２０を有するグランド平面６１５とを含む。 - 特許庁

To each planar part 21, 23, 26, each inclined plane part 22, 24 and a vertical plane part 25, coloring treatment is applied so that the lightness of each colored layer applied onto each mutually-adjacent plane is different, and the boundary between both colored layers of each adjacent plane agrees with the line of intersection between both planes.例文帳に追加

文字盤２を形成する各平面部２１、２３、２６、各斜面部２２、２４、垂直面部２５に対して、互いに隣り合う各面に施された着色層の明度が異なるように着色処理を施し且つ隣り合う各面の両着色層の境界を両面の交線と一致させている。 - 特許庁

A p-type MOS transistor 21 is formed to provide, as a channel region 21c, a region including a plane (111) as the facet plane where hole mobility is larger as the carrier mobility than the plane (100) as the principal plane of the semiconductor substrate 11 in an epitaxial growth film layer 112.例文帳に追加

エピタキシャル成膜層１１２において半導体基板１１の主面である（１００）面よりも、キャリア移動度として正孔移動度が大きいファセット面である（１１１）面を含む領域が、チャネル領域２１ｃになるように、ｐ型ＭＯＳトランジスタ２１を形成する。 - 特許庁

The semiconductor light emitting element has a buffer layer grown using a growth substrate made of ZnO and formed of an AlGaInN-based material including In, having a growth plane including a nitrogen polar plane; and an active layer formed on the buffer layer and formed of an AlGaInN-based material including In, having a growth plane including a group III polar plane.例文帳に追加

ＺｎＯからなる成長基板を用いて成長した、Ｉｎを含むＡｌＧａＩｎＮ系材料からなり、成長面が窒素極性面を有する緩衝層と、前記緩衝層上に形成され、Ｉｎを含むＡｌＧａＩｎＮ系材料からなり、成長面がＩＩＩ族極性面を有する活性層と、を備える。 - 特許庁

In the programming method, the memory cells belonging to each layer of a YZ plane are programmed to multi-bit data by a shadow program system and when the memory cell in N-th layer (where N is 1 or constant number larger than 1) of the YZ plane is programmed, remaining memory cells of an XZ plane corresponding to the N-th layer are programmed before memory cells of other layers of the YZ plane are programmed.例文帳に追加

本発明のプログラム方法によると、シャドープログラム方式によってＹＺ平面の各層に属したメモリセルがマルチビットデータにプログラムされ、ＹＺ平面のＮ番目の層（ここで、Ｎは１、またはそれより大きい定数）のメモリセルがプログラムされる場合、ＹＺ平面の他層のメモリセルがプログラムされる前にＮ番目の層に対応するＸＺ平面の残りのメモリセルがプログラムされる。 - 特許庁

In the growing method of compound semiconductor substrate, a carbon-doped semiconductor layer 104 is formed on a GaAs substrate 101 wherein a plane orientation for growing of the semiconductor layer is a little inclined by 1.0° to 2.0° in the direction nearest to the plane (110) from the plane (100) of the GaAs substrate.例文帳に追加

半導体層を成長させる面方位をGaAs基板の(100)面から(110)面に最も近い方向に1.0°から2.0°微傾斜させたGaAs基板１０１上にカーボンドープする半導体層１０４を形成する化合物半導体基板の成長方法である。 - 特許庁

The plane type macromolecular optical waveguide 10 is an optical waveguide such that the wavelength of passing light is set to about 850 nm, and has a plane type core layer 11 of 20 μm in film thickness which is formed of a macromolecular organic compound and plane clad layers 12 between which the core layer 11 is sandwiched by an upper part and a lower part.例文帳に追加

平面型高分子光導波路１０は、通過光の波長が８５０ｎｍ付近に設定された光導波路であって、それぞれ、高分子有機化合物からなる、膜厚２０μｍの平板状のコア層１１、及びコア層１１を上下から挟む平板状のクラッド層１２を備える。 - 特許庁