「plasma-processing」に関連した英語例文の一覧と使い方(32ページ目) - Weblio英語例文検索

This invention generally provides methods and the apparatus to monitor an ion dose during the plasma processing.例文帳に追加

本発明は、一般に、プラズマプロセス中にイオンドーズ量を監視する方法及び装置を提供する。 - 特許庁

As a result, cooling efficiency of the semiconductor wafer 150 can be enhanced during plasma processing.例文帳に追加

したがって、プラズマ処理中の半導体ウエハ１５０の冷却効率を向上させることができる。 - 特許庁

To provide an electrode assembly for a plasma reaction chamber used in semiconductor substrate processing.例文帳に追加

半導体基板処理に使用されるプラズマ反応チャンバのための電極アセンブリを提供する。 - 特許庁

SUBSTRATE ELECTRODE OF PLASMA PROCESSING UNIT AND METHOD FOR SURFACE-TREATING AND EVALUATING SUBSTRATE ELECTRODE例文帳に追加

プラズマ処理装置の基板電極、並びにこの基板電極の表面処理及び評価方法 - 特許庁

The plasma processing system includes a bottom piece including a chuck configured to hold a substrate.例文帳に追加

プラズマ処理システムは、基板を保持するように構成されたチャックを含む下部部材を有している。 - 特許庁

The treating section 3 is provided with a processing unit 10 which blows off a gas used for plasma treatment.例文帳に追加

処理部３には、プラズマ処理のためのガスを吹出す処理ユニット１０が設けられている。 - 特許庁

To provide plasma processing apparatus and method capable of obtaining a large uniform processed surface.例文帳に追加

広く均一な加工面を得ることができるプラズマプロセス装置およびプラズマプロセス方法を提供する。 - 特許庁

METHOD FOR REDUCING TOPOGRAPHY-DEPENDENT CHARGING EFFECTS IN PLASMA ENHANCED SEMICONDUCTOR WAFER PROCESSING SYSTEM例文帳に追加

プラズマ強化半導体ウェハ処理システムにおいて外形による帯電効果を減少させる方法 - 特許庁

To provide a plasmas processing device capable of making a density distribution of plasma uniform in a vacuum chamber.例文帳に追加

真空容器内のプラズマ密度分布の均一化を図り得るプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

To realize metal bonding of a target object unsuitable for high energy irradiation, such as plasma processing or the like.例文帳に追加

プラズマ処理等の高エネルギの照射に不向きな対象物の金属接合を実現する。 - 特許庁

A plasma processing unit has a function in which microwaves are introduced into a vacuum chamber 4 through the intermediary of a microwave transmission window member 3, processing gas existing in the vacuum chamber 4 is irradiated with microwaves to generate plasma, and a work is processed by the use of the plasma.例文帳に追加

マイクロ波透過窓部材３を介して真空容器４の内部にマイクロ波を導入し、真空容器４内のプロセスガスにマイクロ波を照射してプラズマを発生させ、このプラズマを利用して被処理物７を処理する装置である。 - 特許庁

To provide a device for processing work by plasma capable of moving electrodes closer to each other, to increase an etching rate, when plasma- processing a work and of increasing a gap between the electrodes, when putting the work into or out of the gap between the electrodes after the plasma process is finished.例文帳に追加

プラズマ処理時には電極部同士を接近させてエッチングレートを上げ、プラズマ処理が終了してワークを電極部間に出し入れするときには、電極部間の間隔を大きくできるワークのプラズマ処理装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a charged particle current measuring device and a plasma processing device which can accurately and easily determine the density of a charged particle and the electric potential distribution of a charged particle in plasma without negatively affecting the plasma processing of a work piece.例文帳に追加

精度よく、被処理物品のプラズマ処理に悪影響を与えないでプラズマ中の荷電粒子の密度や荷電粒子の電位分布を簡易に求めることができる荷電粒子電流計測装置及びプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma processing device capable of improving plasma processing capability without deteriorating the capability of surface activation process by ultraviolet irradiation of a UV irradiation means adjacently installed with a plasma supply means.例文帳に追加

プラズマ供給手段と隣り合って設置した紫外線照射手段の紫外線照射による表面活性化処理の能力を低下させないようにして、プラズマ処理の能力を向上させることができるプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma processing system realizing a high density, high uniformity plasma over a wide parameter region in a plasma generation system employing a high frequency of VHF or UHF band and a magnetic field.例文帳に追加

ＶＨＦもしくはＵＨＦ帯の高周波と磁場とを用いてプラズマを生成する方式において、広いパラメータ領域で、高密度，高均一のプラズマを実現するプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma processor and a plasma processing method which are superior in efficient removal of charges on a plasma-processed substrate and in prevention of dielectric breakdown in liquid crystal panel manufacturing process.例文帳に追加

液晶パネル製造工程において、プラズマ処理された基板上に帯電した電荷を効率よく除去し、絶縁破壊を防止するのに優れたプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を提供すること。 - 特許庁

Finally, while conveying the film-shaped base material the from a first winding roller 2_1 to the second winding roller 2_2, a post-plasma process is performed by performing the plasma processing on the electrode film by the plasma generation unit 6.例文帳に追加

最後に、第１巻出巻取ローラ２_１から第２巻出巻取ローラ２_２にフィルム状基材ａを搬送しつつ、プラズマ発生ユニット６により電極膜にプラズマ処理を施す後プラズマ工程を行う。 - 特許庁

To provide a plasma processing method and a device forming uniform and stable plasma, and forming a film in uniform film thickness and film quality distribution on a large-area substrate, and to provide a plasma CVD method and device.例文帳に追加

一様で安定したプラズマを形成でき、大面積基板に均一な膜厚及び膜質分布で成膜できるプラズマ処理方法及び装置並びにプラズマＣＶＤ方法及び装置を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma processing device capable of improving in-plane uniformity of plasma treatment by suppressing a temperature rise in the periphery of a substrate to be processed, thereby capable of uniform plasma treatment.例文帳に追加

被処理基板の周縁部の温度上昇を抑制することによってプラズマ処理の面内均一性を向上させることができ、均一なプラズマ処理を行うことのできるプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma-resistant member which has an excellent corrosion resistance to plasma or a corrosive gas and a low dust-emitting property and which is suitable as a member constituting a plasma-processing apparatus, and to provide a method of producing the same and a semiconductor manufacturing apparatus.例文帳に追加

プラズマや腐食性ガスに対する耐食性に優れ、低發塵性で、プラズマ処理装置の構成部材に適する耐プラズマ性部材、その製造方法、及び半導体製造装置の提供。 - 特許庁

Plasma of oxidative gas produced by a plasma generating device 2, e.g. the plasma of oxygen gas or steam is guided into a processing chamber 11 and made to react on the substrate 19 to be processed, thereby performing ashing.例文帳に追加

プラズマ発生装置２で発生した酸化性ガスのプラズマ、例えば酸素ガスや水蒸気のプラズマを、処理室１１内に導き、処理対象基板１９と反応させ、例えばアッシングを行う。 - 特許庁

To obtain a plasma processing method and apparatus which heats a location within a vacuum to be irradiated with high frequency microwave for plasma excitation without reducing the plasma density within the vacuum bath.例文帳に追加

真空槽内のプラズマ密度を低下させることなくこの真空槽のプラズマ励起用の高周波が放射される箇所を加熱するプラズマ処理方法とプラズマ処理装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

The method also includes: flowing the etchant gas mixture into the plasma processing chamber; irradiating the substrate with a second plasma from the etchant gas mixture; and etching the substrate with the second plasma.例文帳に追加

また該方法は、プラズマ処理チャンバ内にエッチングガス混合物を流入させる工程、エッチングガス混合物からの第二プラズマを照射する工程、第二プラズマにより基板をエッチングする工程、を含む。 - 特許庁

The dry type processing part 20 has a plasma supply unit 200 and a moving unit for supplying plasma to the top surface of the substrate, and the moving unit changes a relative position of the plasma supply unit 200 and the substrate.例文帳に追加

乾式処理部２０は、基板上面にプラズマを供給するプラズマ供給ユニット２００と移動ユニットを有し、移動ユニットは、プラズマ供給ユニット２００と基板の相対的な位置を変化させる。 - 特許庁

The plasma processing method provides a plurality of plasma sources of different types to one process chamber, and proceeds the process by changing the used plasma sources in the process progress.例文帳に追加

本発明のプラズマ処理方法によれば、一つの工程チャンバに互いに異なっている種類の複数のプラズマソースを提供し、工程進行の時、用いられるプラズマソースを変化させて工程を進行する。 - 特許庁

A plasma source electrode and a wafer, which are processed, are disposed opposite to each other in a chamber and means for supplying etching gas is disposed between the plasma source electrode and the wafer being processed in order to plasma processing, e.g. plasma etching, the wafer being processed.例文帳に追加

チャンバ内にプラズマソース電極と被処理基板とを対向配置するとともに、これらプラズマソース電極と被処理基板との間にエッチングガスを導入するためのガス供給手段を配置し、被処理基板をプラズマ処理、例えばプラズマエッチングする。 - 特許庁

To provide an all-purpose plasma processing device which has a size capable of generating plasma on the processed object as a whole, as an electrode for generating the plasma and has an electrode with a mechanism capable of arbitrarily controlling the planar distribution of the plasma generated.例文帳に追加

プラズマ発生用電極として、被処理物面全体にプラズマを発生させることのできる大きさを有し、発生させたプラズマの面内分布を任意に制御できる機構を持った電極を備えた汎用的なプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method of processing a wafer in a plasma reactor chamber by controlling a plurality of chamber parameters in accordance with desired values of a plurality of plasma parameters.例文帳に追加

複数のプラズマパラメータの所望の値に従って複数のチャンバパラメータを制御することによる、プラズマリアクタチャンバ内でのウェハ処理法に関する。 - 特許庁

A discharge space 91 is formed by using the lower surface of the electrode 30 of a plasma processing device M as a discharge surface, and plasma treatment is applied to an object W to be processed.例文帳に追加

プラズマ処理装置Ｍの電極３０の下面を放電面として放電空間９１を形成し、被処理物Ｗをプラズマ処理する。 - 特許庁

To provide a plasma processing device which is capable of monitoring and controlling the state of plasma with high accuracy even when the external surface of the device varies in temperature.例文帳に追加

装置外表面の温度が変化した場合でも、高精度にプラズマ状態をモニタして管理することができるプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma treatment method and a plasma treatment apparatus whereby treatment in a dust-free clean atmosphere can be realized, and the yields of fine processing devices can be improved.例文帳に追加

ダストのない清浄な雰囲気での処理を実現できて微細加工デバイスの歩留りを向上できるプラズマ処理方法及び装置を提供する。 - 特許庁

The displacement difference allows gas flow (plasma flow) inside the processing chamber PC to be appropriately controlled so that uniform plasma can be introduced to a workpiece W to be processed.例文帳に追加

この排気量差により，処理室ＰＣ内のガス流（プラズマ流）を適宜調整して，被処理体Ｗに均一なプラズマを導入することができる。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus which can realize plasma confinement and capture of redicals even under a low-pressure and high-gas flow rate condition.例文帳に追加

この発明の目的は、低圧・大流量の条件においても、プラズマの閉じ込めとラジカルの捕捉とを実現できるプラズマ処理装置を提供することにある。 - 特許庁

To provide a plasma treatment device capable of generating uniform plasma on a processing surface by alleviating electric field concentration right under a dielectric window.例文帳に追加

誘電体窓直下の電界集中を緩和し、被加工物表面に均一なプラズマを生成することができるプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

The controller control the substrate processing chamber 201 so that He plasma is replaced by Ne plasma, in advance prior to the opening of the gate valve 244.例文帳に追加

制御部は、さらにゲートバルブ２４４を開く前に、基板処理室２０１内を予めＨｅプラズマまたはＮｅプラズマに置換しておくよう制御する。 - 特許庁

With such a configuration, it is possible to further uniformize the plasma density distribution along the radial direction of the processing substrate, and to readily control the plasma potential also.例文帳に追加

このような構成によれば、処理基板の半径方向に沿ってプラズマの密度分布をさらに均一にでき、プラズマの電位も容易に制御しうる。 - 特許庁

A uniform and flat plasma 60 is generated by creeping discharge in a surface of the electrode body 50, and uniform plasma processing is applied to a major surface of the wafer 1 of each stage.例文帳に追加

電極体５０の表面に沿面放電による均一で平坦なプラズマ６０を生成し、各段のウエハ１の主面に均一なプラズマ処理を施す。 - 特許庁

A helicon-wave plasma etching apparatus 1 is provided with a processing chamber 2 to etch a wafer 50 by plasma, wherein a stage 3 is provided.例文帳に追加

ヘリコン波プラズマエッチング装置１では、ウェハ５０にプラズマエッチング処理を施すための処理室２が設けられ、その処理室２内にステージ部３が配設されている。 - 特許庁

To provide a method of simply measuring a plasma state in detail for plasma processing on the cylindrical inside, etc., and a current measuring instrument used therefor.例文帳に追加

円筒状内部等へのプラズマ処理にあたって、簡素にかつ詳細にプラズマ状態を計測する方法とそれに用いる電流計測器を提供する。 - 特許庁

To improve uniformity or controllability of plasma density distribution in an orientation angle direction and in addition a diameter direction in an inductive coupling type plasma processing apparatus.例文帳に追加

誘導結合型のプラズマ処理装置において方位角方向さらには径方向のプラズマ密度分布の均一性または制御性を向上させること。 - 特許庁

To improve the reproducibility and reliability of a plasma process by stabilizing high-frequency power transmission efficiency at a high-frequency power supply unit of a plasma processing apparatus.例文帳に追加

プラズマ処理装置の高周波給電部において高周波パワー伝送効率の安定化をはかり、プラズマプロセスの再現性・信頼性を向上させる。 - 特許庁

The shape dimension of the plasma torch A is subjected to design processing so that the maximum emission point of the plasma torch A coincides with the focal position of the condenser lens of a spectroscope B.例文帳に追加

プラズマトーチＡの形状寸法を、プラズマ炎１の最大発光点が分光器Ｂの集光レンズの焦点位置に合致するよう、設計加工する。 - 特許庁

To provide an atmospheric-pressure plasma generating apparatus in which uniform line plasma is generated using a long waveguide and uniform processing can be performed to a workpiece.例文帳に追加

長尺な導波管を用いて均一なラインプラズマを生成し、被処理体に対し均一な処理が可能な大気圧方式のプラズマ生成装置を提供する。 - 特許庁

A blowing port 4 for blowing the plasma P, generated within the reaction vessel 1 to the processing object 7 in the form of plasma jet, is formed in the reaction vessel 1.例文帳に追加

反応容器１内に生成されたプラズマＰを被処理物７に向かってジェット状に吹き出すための吹き出し口４を反応容器１に形成する。 - 特許庁

To apply uniform plasma processing to the surface of a substrate by controlling the quantity of plasma and radical so as to uniformly supply the radical to a chamber.例文帳に追加

プラズマやラジカルの量を制御することによって、チャンバに均一にラジカルを供給して、基板表面に対する均一なプラズマ処理を可能とする。 - 特許庁