「plasma-processing」に関連した英語例文の一覧と使い方(30ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a microwave introduction apparatus wherein microwaves can be uniformly introduced into a plasma processing chamber, and to provide a SWP (Surface Wave Plasma) processing apparatus which can carry out a process uniformly without any damages by plasmas.例文帳に追加

マイクロ波を均一にプラズマ処理室内に導入できるマイクロ波導入装置、およびプラズマダメージのない均一な処理ができるＳＷＰプラズマ処理装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a plasma processing device which is capable of generating stable plasma of which control range of work distance is broad under atmospheric pressure, and in which low running cost and high-speed processing can be made compatible.例文帳に追加

大気圧下でワークディスタンスの制御範囲が広い安定したプラズマを発生させることが可能で、低ランニングコストと高速処理を両立できるプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide an electrode plate for a plasma processing apparatus, that can improve in-plane uniformity of plasma processing by reducing a temperature difference between a center part and an outer peripheral part of the electrode plate.例文帳に追加

電極板の中央部と外周部に生じる温度差を小さくして、プラズマ処理の面内均一性を向上させることができるプラズマ処理装置用電極板を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus directly checking whether plasma is in a suitable state instead of checking the processed quality of a substrate by processing the substrate.例文帳に追加

基板処理を行って基板の処理品質を調べることなく、プラズマが適正状態になっているかどうかを直接的に調べることが可能なプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a microwave plasma processing method capable of preventing deformation of a container caused by local overheat in a plasma processing chamber, and depositing a thin film layer of excellent adhesiveness and gas barrier property.例文帳に追加

プラズマ処理室内の局所的過熱による容器の変形を防止し、密着性及びガスバリア性に優れる薄膜層を形成できるマイクロ波プラズマ処理方法を提供する。 - 特許庁

The dielectric member 180 is subjected to plasma processing for a certain time without mounting semiconductor wafer 1 so as to enable the plasma processing device to be efficiently set up, and shifted to another process, and to prevent generation of particles from occurring.例文帳に追加

装置の立ち上げ，他のプロセスへの移行，パーティクルの発生を防止対策のためには，半導体ウェハ１を載置せずに，誘電体部材１８０を一定時間プラズマ処理する。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus to which a sensor for detecting abnormal discharge can be easily attached without remodeling, and to provide a semiconductor device manufacturing method using the plasma processing apparatus.例文帳に追加

異常放電を検出するセンサを、改造を行うことなく容易に取り付けることが可能なプラズマ処理装置と、それを用いた半導体装置の製造方法とを提供する。 - 特許庁

To provide a small, low-cost stage cooling mechanism for a plasma processing apparatus, which performs such plasma processing as filming or dry-etching a substrate that is an object to be processed.例文帳に追加

本発明は被処理物である基板に成膜、ドライエッチングなどのプラズマプロセスを行うプラズマプロセス用装置に関し、ステージ冷却機構の小型化及び低コスト化を図ることを課題とする。 - 特許庁

To provide a plasma processing device having excellent productivity by adopting a shower plate excellent in processing, mechanical strength, plasma resistance and maintainability, and a semiconductor device having good characteristics.例文帳に追加

加工性、機械的強度、プラズマ耐性、メンテナンス性に優れたシャワー板を採用することで生産性に優れたプラズマ処理装置、および特性の良好な半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus and a plasma processing method capable of highly accurately controlling temperature distribution in a wafer surface, and extending the range of wafer temperatures allowed to be controlled.例文帳に追加

ウエハ面内の温度分布を高精度制御することができ、また制御できるウエハ温度の範囲を広くすることができるプラズマ処理装置および処理方法を供給する。 - 特許庁

To provide a plasma processing method for implementing stable dischargings and processings, in a plasma processing apparatus utilized as a high-frequency window and a dielectric component introducing an aluminum nitride.例文帳に追加

窒化アルミニウムを高周波導入窓及び誘電体部品として用いたプラズマ処理装置において、安定した放電及びプロセスを実現するためのプラズマ処理方法を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma treatment apparatus and a plasma treatment method capable of facilitating the fine processing of a fine pattern for a sample having a large diameter, and capable of improving a selection ratio at the time of the fine processing.例文帳に追加

大口径の試料について微細パターンの精密な加工が容易で、また、微細加工時の選択比も向上させたプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を提供する。 - 特許庁

The coils 12, 17 are positioned at the outside of the processing chamber 2 and are so provided as to generate a plasma of the process gas, in a plasma-generating region interposed between the processing chamber 2 and the pedestal 7.例文帳に追加

コイル１２、１７は、処理チャンバ２の外側に位置しており、処理チャンバ２とペデスタル７との間のプラズマ生成領域にプロセスガスのプラズマを生成するように設けられている。 - 特許庁

MICROWAVE ION SOURCE, LINEAR ACCELERATOR SYSTEM, ACCELERATOR SYSTEM, ACCELERATOR SYSTEM FOR MEDICAL USE, HIGH ENERGY BEAM APPLICATION SYSTEM, NEUTRON GENERATING DEVICE, ION BEAM PROCESSING DEVICE, MICROWAVE PLASMA SOURCE, AND PLASMA PROCESSING DEVICE例文帳に追加

マイクロ波イオン源、線形加速器システム、加速器システム、医療用加速器システム、高エネルギービーム応用装置、中性子発生装置、イオンビームプロセス装置、マイクロ波プラズマ源及びプラズマプロセス装置 - 特許庁

In the plasma etching apparatus, an anode oxide film is arranged in the etching processing chamber made of aluminum alloy and between components in the etching processing chamber and a ceramics thermal spraying film superior in plasma resistance.例文帳に追加

プラズマエッチング装置において、アルミニウム合金から成るエッチング処理室及びエッチング処理室内部品と耐プラズマ性に良好なセラミックス溶射膜の間に、陽極酸化被膜を配置する。 - 特許庁

The microwave plasma processing apparatus 10 performs plasma processing on a substrate W by exciting gas due to the electric field energy of the microwaves emitted from a slot plate 205b of a radial line slot antenna.例文帳に追加

マイクロ波プラズマ処理装置１０は、ラジアルラインスロットアンテナのスロット板２０５ｂから放出されたマイクロ波の電界エネルギーによりガスを励起させ、基板Ｗをプラズマ処理する。 - 特許庁

To provide an apparatus and method for plasma processing capable of providing an energy suited for substrate processing to ions in a plasma and narrowing a dispersion width of the ion energy.例文帳に追加

プラズマ中のイオンに基板の処理に適したエネルギーをもたせるとともに、イオンエネルギーの分散を狭帯域化させることを可能とするプラズマ処理装置およびプラズマ処理方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of depositing a silicon oxide film by plasma CVD, which has good uniformity in film thickness in the wafer surface by processing the wafer surface with an alternate method instead of plasma processing.例文帳に追加

プラズマ処理に代わる方法によってウエハ表面を処理し、膜厚のウエハ面内均一性が良好なシリコン酸化膜をプラズマＣＶＤ法により成膜する方法を提供する。 - 特許庁

A workpiece 18 is processed with a plasma in a vacuum plasma processing chamber 10 by exciting the plasma at three or more frequencies 52, 54, and 56 such that the excitation of the plasma by the three or more frequencies simultaneously causes several different phenomena to occur in the plasma.例文帳に追加

３以上の周波数５２，５４，５６でプラズマを励起し、それによって、その前記３以上の周波数によるプラズマの励起がプラズマ中でいくつかの異なる現象を同時に発生させることにより、加工物１８が真空プラズマ処理チャンバ１０内のプラズマで処理される。 - 特許庁

This plasma monitoring device and a method controlling plasma treatment process use means 8 and 11, which detect leakage electromagnetic waves in the vicinity of a plasma treatment device at the time of generating plasma 2 and a processing means, which correlates the detected results of the means 8 and 11 with the results of plasma treatment.例文帳に追加

プラズマ処理装置において、プラズマ２発生時に該プラズマ処理装置近傍における漏洩電磁波を検出する手段８，１１と、検出した結果とプラズマ処理の結果との関連付け処理を施す処理手段を備えたことを特徴とするプラズマ監視装置および制御方法である。 - 特許庁

The device also controls the power distribution of radiation electromagnetic waves by a displacement current control method to control a plasma distribution, thereby controls the uniformity of the plasma processing.例文帳に追加

放射電磁波電力分布を変位電流制御により制御し、プラズマ分布を制御してプラズマ処理の均一性を制御する。 - 特許庁

Electrons and exciton by the plasma generated in the preliminary electric discharge regions 16-1, 16-2 can be supplied directly to the plasma processing space 15.例文帳に追加

この予備放電領域１６-１,１６-２で発生されたプラズマによる電子や励起種をプラズマ処理空間１５に直接供給できる。 - 特許庁

To prevent corrosion of an inner wall forming a lead-in flow channel of a case by a plasma beam from a discharge space in a plasma processing device.例文帳に追加

プラズマ処理装置において、放電空間からのプラズマ光により筐体の導入流路を画成する内壁が腐食するのを防止する。 - 特許庁

To prevent a rise of plasma potential occurring owing to an insufficient DC ground, and also to prevent occurrence of abnormal discharge in a plasma etching processing apparatus.例文帳に追加

プラズマエッチング処理装置において、直流アース不足により発生するプラズマ電位の上昇を防ぎ、異常放電の発生を阻止する。 - 特許庁

A film substrate 13a with ink peelability is manufactured by plasma processing a peelable film substrate 13 at an atmospheric plasma part 110.例文帳に追加

剥離性を有するフィルム基材１３を大気圧プラズマ部１１０にてプラズマ処理して、インキ剥離性を有するフィルム基材１３ａを作製する。 - 特許庁

To provide a plasma processing device of a small size, in which a treating face of a workpiece can be locally and continuously plasma-processed stably.例文帳に追加

小型で、ワークの被処理面を局所的かつ連続的に安定してプラズマ処理することができるプラズマ処理装置を提供すること。 - 特許庁

The ion-doping apparatus is equipped with a plasma chamber, where a prescribed substance is excited in a plasma to generate ions and a processing chamber where the ion beam made to collide with the sample to inject ions into it.例文帳に追加

また、このイオン注入装置を用いて、生産性を高め、かつ、スイッチング特性に優れた薄膜半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma processing method capable of accurately detecting the endpoint of cleaning of a magnetic neutral line discharge (NLD) plasma etching apparatus.例文帳に追加

磁気中性線放電（ＮＬＤ）プラズマエッチング装置のクリーニングの終点を制度良く検出することが可能なプラズマ処理方法を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma generator used for processing of a workpiece, such as reforming of a substrate and the like, which performing plasma (bloom) lighting surely and immediately.例文帳に追加

基板の改質等、ワークの処理などに使用されるプラズマ発生装置において、確実かつ速やかにプラズマ（プルーム）点灯を行わせる。 - 特許庁

To enable control reflecting a lighting status of plasma in a plasma generator used for workpiece processing such as reforming of a substrate.例文帳に追加

基板の改質等、ワークの処理などに使用されるプラズマ発生装置において、プラズマの点灯状態を反映した制御を可能にする。 - 特許庁

The preliminary reaction plasma processing chamber is constituted so as to generate reaction radicals, by subjecting to chemical reaction based on the plasma of a reaction substance.例文帳に追加

予備反応プラズマ処理チャンバは、反応物質のプラズマに基づく化学反応を行って反応基を生成するように構成されている。 - 特許庁

Alternatively, the stand 10 is applied to a plasma processing apparatus 100, and adhesive force of the protective layer 3 is varied using ultraviolet light when plasma is generated.例文帳に追加

また、載置台１０をプラズマ処理装置１００に適用し、プラズマ発生時の紫外光を用いて、保護層３の粘着力を可変とする。 - 特許庁

Consequently uniform microwaves can be supplied to a plasma processing room and the microwave plasma processor of high quality can be provided.例文帳に追加

これにより、プラズマ処理室に均一なマイクロ波を供給することができるようになり、高品質なマイクロ波プラズマ処理装置とすることができる。 - 特許庁

To provide a slot antenna type microwave plasma processing device for controlling electric field distribution in the vicinity of a slot antenna and uniformly controlling plasma to be generated.例文帳に追加

スロットアンテナ方式のマイクロ波プラズマ処理装置において、スロットアンテナ付近の電界分布を制御し、生成するプラズマを均一に制御する。 - 特許庁

To provide a resin member with high plasma resistance to be used inside a plasma processing device for a manufacturing process of semiconductors, flat panel displays and the like.例文帳に追加

本発明は、半導体やフラットパネルディスプレー等の製造プロセスのプラズマ処理装置内で用いるプラズマ耐性が高い樹脂部材を提供する。 - 特許庁

This relates to a plasma processing method in which this plasma 3 is blown from between the mutually facing electrodes 1, 1 and supplied to an object 4 to be processed.例文帳に追加

このプラズマ３を対向する電極１、１の間から吹き出して被処理物４の表面に供給するプラズマ処理方法に関する。 - 特許庁

To obtain good seal performance between a plasma space and its outside, over a long period in an ECR(electron cyclotron resonance) plasma processing unit.例文帳に追加

例えばＥＣＲ（電子サイクロトロン共鳴）プラズマ処理装置において、長期間に亘ってプラズマ空間と外部との間の高いシール性を得ること。 - 特許庁

To provide a protective member for the wafer up-down device of a plasma processing device, where the protective member is excellent in plasma resistance and can be stably used for many hours.例文帳に追加

耐プラズマ性に優れ、長時間に亘って安定使用が可能なプラズマ処理装置のウエハ昇降装置の保護部材を提供する。 - 特許庁

To enable maintenance reflecting the lighting state of plasma in a plasma generating device used for processing workpiece such as modification of a substrate.例文帳に追加

基板の改質等、ワークの処理などに使用されるプラズマ発生装置において、プラズマの点灯状態を反映したメンテナンスを可能にする。 - 特許庁

A wiring board plasma-processing device includes, in the same plasma processing chamber 109, a plasma source, a surface processing unit 106 for performing a pretreatment of the board 102 to be processed, and a plurality of sputtering film deposition units 107, 108 for forming a seed layer formed of a plurality of films.例文帳に追加

同一のプラズマ処理室１０９内に、プラズマ源を備え、被処理基板１０２の前処理を行なう表面処理部１０６と、複数の膜によって形成されたシード層を形成する複数のスパッタ成膜部１０７、１０８を備えた配線基板プラズマ処理装置とする。 - 特許庁

The plasma processing parameter includes a main parameter, a bias voltage for example, that determines the depth from the surface of the substrate at which an impurity concentration becomes equal to a reference value by the plasma processing, and a sub parameter, a plasma processing time for example, that has a saturation range in which the impurity concentration is made to saturate at the reference value.例文帳に追加

プラズマ処理パラメタは、プラズマ処理により不純物濃度が基準値に等しくなる基板表面からの深さを決定づける主パラメタ例えばバイアス電圧と、不純物濃度を基準値に飽和させる飽和範囲をもつ副パラメタ例えばプラズマ処理時間と、を含む。 - 特許庁

A microwave plasma processing device has a susceptor 411 for placing a substrate G on which an organic EL element is formed, and a gas supply source 443 to supply a gas into a processing vessel, and generates plasma from the gas supplied into the processing vessel to process the substrate G by the generated plasma.例文帳に追加

マイクロ波プラズマ処理装置は、有機ＥＬ素子が形成された基板Ｇを載置するサセプタ４１１と、処理容器内にガスを供給するガス供給源４４３とを有し、処理容器内に供給されたガスからプラズマを生成し、生成されたプラズマにより基板Ｇを処理する。 - 特許庁

In a plasma processing apparatus including a unit for generating a plasma, a processing chamber whose interior can be reduced in pressure by a vacuum evacuation unit connected thereto, and a unit for supplying gas to the processing chamber; an inner wall contacting the plasma is made of a material having low resistance.例文帳に追加

処理室内部にプラズマを発生させるプラズマ発生手段と、真空排気装置が接続され内部を減圧可能な処理室と、前記処理室内へのガス供給装置とから成るプラズマ処理装置において、プラズマと接する内壁を抵抗性材料で構成した。 - 特許庁

To provide a plasma-discharge processing apparatus and method therefor whereby the density of atomic oxygen radicals is improved properly and the control of a plasma-discharge processing is made at a low cost, in the plasma-discharge processing performed under a nearly atmospheric pressure by using the mixed gas of nitrogen and oxygen gases.例文帳に追加

大気圧近傍の圧力下で窒素ガスと酸素ガスとが混合された混合ガスを用いて行うプラズマ放電処理で、原子状酸素ラジカルの密度を的確に高めることができ、かつ安価に制御を行うことが可能なプラズマ放電処理装置およびプラズマ放電処理方法を提供する。 - 特許庁

The processing chamber of this plasma treatment system includes a chamber lid having a plasma cavity disposed generally between a powered electrode and a grounded plate, a processing space separated from the plasma cavity by the grounded plate, and a substrate support in the processing space for holding the workpiece.例文帳に追加

本プラズマ処理システムの処理チャンバは、電力供給電極と接地板の間に一般的に配置されたプラズマ・キャビティを有するチャンバ蓋、プラズマ・キャビティから接地板で隔離された処理空間、および加工物を保持するための処理空間中の基板支持物を含む。 - 特許庁