「plasma-processing」に関連した英語例文の一覧と使い方(26ページ目) - Weblio英語例文検索

To control and perform plasma processing with high accuracy by using an simple processing method and apparatus.例文帳に追加

簡易な方法または装置でもってプラズマ処理を制御して、プラズマ処理を精度良く行うことを課題とする。 - 特許庁

A substrate support (64) storing a workpiece is provided in the inside of a processing chamber (12) of a plasma processing system (10).例文帳に追加

プラズマ処理システム（１０）の処理チャンバ（１２）内に、加工物を収容する基板サポート（６４）が設けられている。 - 特許庁

To provide a plasma processing device with processing efficiency and device working efficiency improved by shortening maintenance time.例文帳に追加

メンテナンス時間を短縮して処理の効率や装置の稼働効率を向上させたプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

A plasma processing device 1 includes a microwave introduction device 5 which introduces a microwave into a processing container 2.例文帳に追加

プラズマ処理装置１は、処理容器２内にマイクロ波を導入するマイクロ波導入装置５を備えている。 - 特許庁

To enable to suck treated gas uniformly along the fringe part of a processing region in the plasma processing.例文帳に追加

プラズマ処理における処理領域の周縁部に沿って処理済みガスを万遍なく吸引できるようにする。 - 特許庁

To facilitate maintenance by preventing damage of resin bolts in a processing head including an electrode of a plasma processing device.例文帳に追加

プラズマ処理装置の電極を含む処理ヘッドにおける樹脂ボルトの損傷を防止し、メンテナンスの容易化を図る。 - 特許庁

To provide a plasma processing device which allows the lowering of processing rate and formation of particles to be positively and readily copied with.例文帳に追加

処理速度の低下やパーティクルの形成に確実且つ容易に対処できるプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

To reduce time necessary for second plasma processing to remove a by-product produced by first plasma processing for forming an uneven structure in substrate plasma processing for forming, on a surface of a sapphire substrate, the uneven structure corresponding to a mask pattern.例文帳に追加

サファイア基板の表面にマスクパターンに応じた凹凸構造を形成する基板のプラズマ処理において、凹凸構造を形成するための第１プラズマ処理により生じる副生成物を除去するための第２プラズマ処理の時間を短縮化する。 - 特許庁

To prevent a plasma electrode installed at an opening of a vacuum vessel from being deformed, by being pressed with a pressure difference between the outside and the inside of a vacuum chamber, thereby improving the uniformity of plasma processing, in a plasma processing apparatus for processing a meter-class large area substrate.例文帳に追加

メートル級の大面積基板を処理するプラズマ処理装置において、真空槽内外の圧力差で押されることによって真空容器の開口部に設置されたプラズマ電極が変形することを防ぎ、プラズマ処理の均一性を向上する。 - 特許庁

In this plasma processing apparatus, which generates plasma by supplying a microwave into a processing chamber and processes the object based on the plasma, at least one antenna which is passed through the sidewall or top board of the processing chamber is arranged on the sidewall or top board.例文帳に追加

処理チャンバ内にマイクロ波を供給してプラズマを発生させ、該プラズマに基づき被処理体を処理するプラズマ処理装置において、チャンバ壁、またはチャンバ天板に、該チャンバ壁または天板を貫通しする少なくとも１つのアンテナを配置する。 - 特許庁

In a plasma etching processing method that introduces a processing gas comprising a mixture of a plurality of material gases into a processing container 2 and changes the processing gas into plasma in the processing container 2 to perform etching processing on a substrate W, the mixing ratio of different kind of material gases is changed to control the CD.例文帳に追加

複数の原料ガスが混合された処理ガスが処理容器２に導入され、処理容器２内で処理ガスがプラズマ化されて基板Ｗがエッチング処理されるプラズマエッチング処理方法であって、種類の異なる原料ガスの混合比を変えることにより、ＣＤが制御される。 - 特許庁

To provide a plasma processing device that speeds up processing by enhancing plasma density and prevents the generation of particles by preventing the accumulation of a deposited substance on the inside wall of the closed end of a plasma generation container.例文帳に追加

プラズマ密度を高くして処理の高速化が図れるようにするとともに、プラズマ生成容器閉端部内壁へのデポ物質の堆積を防ぐことでパーティクルの発生を防止したプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma processing device capable of properly monitoring the state of plasma discharge and detecting a sign of abnormal discharge, and to provide a method for monitoring the state of discharge in the plasma processing device.例文帳に追加

プラズマ放電の状態を適正に監視して、異常放電の予兆を検出することができるプラズマ処理装置およびプラズマ処理装置における放電状態監視方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus having a simple structure capable of supplying large electric power by using a waveguide, treating a rectangular large-area substrate by plasma with excellent uniformity, and to provide a plasma processing method.例文帳に追加

導波管を用いることにより大電力を投入でき、均一性の良いプラズマで、角型大面積の基板を処理することができ、しかも構造が簡単なプラズマ処理装置およびプラズマ処理方法を提供する。 - 特許庁

The plasma processing apparatus includes a patch antenna opposed to a holding means of an element to be processed in a plasma processing chamber to generate the plasma, and a shower plate disposed between the holding means of the element and the patch antenna to diffuse a gas.例文帳に追加

プラズマ処理室内に、被処理体保持手段と対向させて、プラズマを発生させるためのパッチアンテナを配置し、且つ、該被処理体保持手段とパッチアンテナとの間に、ガス拡散用のシャワープレートを配置する。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus in which a large and flat plasma beam opposite to a work to be processed is formed and a uniform film forming processing is performed on the work to be processed by using the plasma beam.例文帳に追加

被処理物に対向して大きな平面状に形成されたプラズマビームを得ることができ、このプラズマビームを用いて被処理物に対して均一な成膜処理を行うことができるプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

To attain plasma cleaning at low consumption for an electrode of placing a substrate to be processed, in a step of plasma cleaning the inside of a processing container without a substrate to be processed, in a plasma processing apparatus for semiconductor manufacturing.例文帳に追加

半導体製造に用いるプラズマ処理装置の、被処理基板を用いず処理容器内をプラズマ洗浄する工程において、被処理基板載置用電極の消耗の少ないプラズマ洗浄を実現する。 - 特許庁

When at least two plasma processing steps are performed in the same plasma reaction chamber, CW AC power or pulse modulated AC power is selected properly as plasma processing power at each step.例文帳に追加

少なくとも２のプラズマ処理工程を同一のプラズマ反応室内で行う場合に、各工程においてプラズマ処理用の電力としてＣＷ交流電力またはパルス変調された交流電力を適宜選択する。 - 特許庁

To improve the uniformity of plasma processing condition within a wafer plane and between wafers.例文帳に追加

ウエハ面内およびウエハ相互間のプラズマ処理状況の均一性を向上する。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus that successively performs plasma processing on glass substrates while transporting many setters by arranging the setters in a row and can surely prevent the temperature drops of the substrates to be treated.例文帳に追加

多数のセッタを一列に並べて搬送しながら順次プラズマ処理する装置であって、被処理物の温度低下を確実に防止できる装置を提供する。 - 特許庁

A nozzle part 12 is installed on the processing gas injection direction side of a plasma generation part 11.例文帳に追加

プラズマ生成部１１の処理ガス噴出方向側にノズル部１２を設ける。 - 特許庁

Consequently, the uniformity of the plasma processing on the surface of the substrate W is improved.例文帳に追加

このため、基板Ｗ表面におけるプラズマ処理の均一性が向上する。 - 特許庁

To provide a plasma processing method and device that can improve uniformity of the processing, between the substrates in the continuous process by securing steadily the stability of plasma discharge.例文帳に追加

確実にプラズマ放電の安定を得ることで、連続処理中における基板間の処理の均一性を向上できるプラズマ処理方法及び装置を提供する。 - 特許庁

To reduce defective parts of an oxidation film in the substrate electrode of a plasma processing unit.例文帳に追加

プラズマ処理装置の基板電極における酸化皮膜の欠陥部を低減する。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus which can efficiently remove attached substances even in an area within a processing chamber that is hard to be exposed to plasma, and to provide a cleaning method therefor.例文帳に追加

プラズマに暴露されにくい処理室内の領域においても、効率的に付着物を除去することが可能なプラズマ処理装置およびそのクリーニング方法を提供する。 - 特許庁

PLASMA PROCESSING APPARATUS AND METHOD OF ADSORPTION BY ELECTROSTATIC CHUCKING USED IN APPARATUS THEREOF例文帳に追加

プラズマ処理装置および当該装置で用いられる静電チャック吸着方法 - 特許庁

To provide a plasma processing device capable of preventing leakage of an electric field from a blowoff nozzle.例文帳に追加

吹出し口からの電界漏れを防止できるプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide an electrode plate for a plasma processing apparatus that improves in-plane uniformity of plasma processing and facilitates replacement of an upper electrode having been consumed.例文帳に追加

プラズマ処理の面内均一性を向上させるとともに、消耗した上部電極の交換が容易に行えるプラズマ処理装置用電極板を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus that can subject the treatment surface of a processed material to plasma processing without upsizing the apparatus or without increasing power consumption.例文帳に追加

装置を大型化することなく、又、消費電力を大きくすることなく、被加工物の処理面に確実にプラズマ処理を施すことができるプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

GROOVING METHOD, CONTROL PROGRAM, COMPUTATION PROGRAM, CONTROL SYSTEM, AND PLASMA PROCESSING APPARATUS例文帳に追加

開先加工方法、制御プログラム、演算プログラム、制御システム及びプラズマ加工装置 - 特許庁

In such a plasma processing device, a circular truncated vacuum vessel 23 of dielectrics is provided, and the plasma processing chamber 26 is formed in the vacuum vessel 23.例文帳に追加

このようなプラズマ処理装置において、誘電体からなる円錐台形状の真空容器２３を設け、真空容器２３内にプラズマ処理室２６を形成する。 - 特許庁

A plasma processing apparatus has a plurality of electrodes 1, 2 arranged to be opposed to each other and gas passages 36.例文帳に追加

対向配置された複数の電極１、２及びガス流路３６を有する。 - 特許庁

BLOOD PROCESSING CENTRIFUGAL SEPARATION BOWL AND METHOD FOR COLLECTING PLASMA FRACTIONS例文帳に追加

血液処理遠心分離ボウルおよび全血から血漿分画を収集する方法 - 特許庁

To provide a method in which stable discharge plasma processing is performed by generating uniform discharge plasma under the pressure in the vicinity of the atmospheric pressure regardless of a gas atmosphere in processing.例文帳に追加

処理の際のガス雰囲気を問わず、大気圧近傍の圧力下で均一な放電プラズマを発生させ、安定して放電プラズマ処理を行う方法を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus able to prolong its life by preventing abnormal discharge at a shower plate that is a gas introducing means into a plasma processing chamber.例文帳に追加

プラズマ処理室へのガス導入手段となるシャワープレートにおける異常放電を防止し、その寿命を延ばすことができるプラズマ処理装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a plasma processing method and a plasma processing system employing an electrostatic suction unit in which adhesion of particles to a semiconductor substrate is reduced.例文帳に追加

静電吸着装置を用いたプラズマ処理装置において、半導体基板へのパーティクルの付着が少ないプラズマ処理方法およびプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

SUBSTRATE ELECTRODE PLASMA GENERATING DEVICE AND SUBSTANCE AND MATERIAL PROCESSING METHOD USING THE SAME例文帳に追加

基板電極プラズマ発生装置とそれを用いた物質・材料プロセッシング方法 - 特許庁

To provide a method and device for normal pressure plasma processing capable of performing stable glow discharge plasma processing by a continuous wave under a pressure close to atmospheric pressure.例文帳に追加

大気圧近傍の圧力下で、連続波によって安定したグロー放電プラズマ処理を行うことのできる常圧プラズマ処理方法および装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a plasma processing equipment and a plasma processing method, which reduces falling of particles inside a vacuum treatment container, and also reduces deterioration of semiconductor product yield.例文帳に追加

真空処理容器内におけるパーティクルの落下を低減し、半導体基板の製品歩留まりの低下を低減するプラズマ処理装置およびプラズマ処理方法を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus for selecting and heating a heating target.例文帳に追加

加熱対象を選択して加熱することが可能な、プラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

The problem can be solved by implementation of plasma processing with the apparatus.例文帳に追加

前記装置で前記プラズマ処理を実施することで課題を解決する事が出来る。 - 特許庁

PLASMA PROCESSING APPARATUS, METHOD OF ASSEMBLING AND DISASSEMBLING THEREOF AND JIG FOR EXCLUSIVE USE FOR IT例文帳に追加

プラズマ処理装置、プラズマ処理装置の組付け解体方法及びその専用治具 - 特許庁

In an apparatus for plasma etching, no high-frequency discharge occurs when no processing gas is supplied to the processing space of a chamber 10, and no load substantially exists for plasma generation.例文帳に追加

このプラズマエッチング装置において、チャンバ１０の処理空間に処理ガスを供給しない時は高周波放電が起こらず、プラズマ生成用負荷は実質的に存在しない。 - 特許庁

To provide a plasma processing system, capable of uniformly conducting plasma processing, even for a thin substrate to be processed, without being influenced by the surface state of mounting base.例文帳に追加

薄型の被処理基板に対しても載置台の表面状態の影響を受けずに均一なプラズマ処理を行うことができるプラズマ処理装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a monitoring system precisely recognizing the change of state of a plasma processing device.例文帳に追加

プラズマ処理装置の状態変化を正確に捉える監視システムを提供する。 - 特許庁