「plasma-processing」に関連した英語例文の一覧と使い方(27ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide an atmospheric-pressure plasma generation head capable of stably providing a highly-uniform processing region, in an atmospheric-pressure plasma head for generating a linear processing region.例文帳に追加

ライン状の処理領域を生成する大気圧プラズマヘッドにおいて、均一性の良い処理領域を安定して得られる大気圧プラズマ生成ヘッドを提供する。 - 特許庁

Subsequently, the processing gas (a second gas) formed of a compound including nitrogen is introduced to the vacuum chamber, and the semiconductor substrate 10 is irradiated with the plasma thereof (nitrogen plasma processing step).例文帳に追加

続いて、真空チャンバに窒素含有化合物からなる処理ガス（第２のガス）を導入し、そのプラズマを半導体基板１０に照射する（窒素プラズマ処理工程）。 - 特許庁

To provide plasma processing apparatus capable of stabilizing the floating accuracy of workpieces and performing desired plasma processing on the workpieces.例文帳に追加

被処理物の浮上精度を安定したものにすることができるとともに、被処理物に対して所望のプラズマ処理を行うことができるプラズマ処理装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a plasma processing device in which particles producing during plasma processing of semiconductor wafer are hard to remain on the upper surface of the semiconductor wafer.例文帳に追加

この発明は半導体ウエハをプラズマ処理する際に発生するパーティクルが半導体ウエハの上面に滞留し難くしたプラズマ処理装置を提供することにある。 - 特許庁

SEGMENTED BIASSED PERIPHERAL ELECTRODE IN PLASMA PROCESSING METHOD AND APPARATUS例文帳に追加

プラズマ処理方法および装置におけるセグメント化されてバイアスされる周縁電極 - 特許庁

To prevent sulfur ingredients in a processing gas from flowing out of a plasma processor.例文帳に追加

処理ガス中の硫黄分がプラズマ処理装置外へ流出することを防止する。 - 特許庁

Gas introduction piping 20 introduces process gas for plasma generation into a processing chamber 3.例文帳に追加

ガス導入配管２０は、処理室３にプラズマ生成用のプロセスガスを導入する。 - 特許庁

PLASMA PROCESSING APPARATUS AND METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURED BY USING THEM例文帳に追加

プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法、それらを用いて作製した半導体装置 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus and a plasma processing method capable of suppressing variation in an etching rate caused by wear of an electrode plate of an upper electrode.例文帳に追加

上部電極の電極板の消耗にともなうエッチングレートの変動を抑制することができるプラズマ処理装置およびプラズマ処理方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a plasma chamber for performing semiconductor wafer processing within a wafer track system.例文帳に追加

ウェーハトラックシステム内において半導体ウェーハ処理を遂行するためのプラズマチャンバ。 - 特許庁

The temperature of the Ti substrate is changed diversely, and a plasma nitriding processing is carried out.例文帳に追加

そして、Ｔｉ基板の温度を種々に変更してプラズマ窒化処理を行った。 - 特許庁

To reduce power requirements for plasma making and to enable continuous processing.例文帳に追加

プラズマ化の所要電力を小さくするとともに連続的な処理を可能にする。 - 特許庁

A surface-active processing method by an atmospheric plasma method is used for the direct junction.例文帳に追加

直接接合には、常圧プラズマ法による表面活性処理法が用いられる。 - 特許庁

To provide a monitor system which can accurately grasp the state variation of a plasma processing device.例文帳に追加

プラズマ処理装置の状態変化を正確に捉える監視システムを提供する。 - 特許庁

To provide a fault supervisory system of plasma processing apparatus which can supervise accurately a fault of plasma processing apparatus and can minimize the contamination of a substrate to be processed by quickly processing the fault if such fault is detected.例文帳に追加

プラズマ処理異常の精確に監視し、異常が検出された場合には、迅速に対処して、被処理基板の汚染を最小限に抑えることができるプラズマ処理の異常監視システムを提供する。 - 特許庁

Before the processing-object substrate is plasma-processed, top-and-bottom surfaces of the processing-object substrate are simultaneously subjected to a weak plasma in gas composed mainly of inert gas, which makes it possible to neutralize the charges on the processing-object substrate.例文帳に追加

被処理基板をプラズマ処理する前に、不活性ガスを主体としたガス中で微弱なプラズマにて被処理基板の表裏を同時に曝すことで、被処理基板の電荷を取り除くことが可能となる。 - 特許庁

To solve the problem, wherein in-plane distribution of activated species and byproduct gases that contribute to plasma processing does not always becomes uniform in the conventional plasma processing apparatuses, because evacuation is performed from only the surrounding side of the processing material.例文帳に追加

従来のプラズマ処理装置では、被処理体周辺部からのみ排気を行っているため、プラズマ処理に寄与する活性種や副生成ガスの面内分布が必ずしも均一にはならない。 - 特許庁

To provide a magnetron plasma processing device which is capable of locally producing a strong magnetic field at a required site in the processing space of a work so as to enhance a processing space in plasma density.例文帳に追加

被処理体の処理空間の所望の位置に局部的に強磁場強度部分を形成して、処理空間のプラズマ密度を高くすることができるマグネトロンプラズマ処理装置を提供すること。 - 特許庁

To enable continuous plasma processing in a single processing vessel simultaneously for multiple source gaseous species and moreover to enlarge plasma processing region while avoiding the influence of side reaction products or the like.例文帳に追加

１つの処理容器内で連続したプラズマ処理を複数の原料ガス種に対し同時に行うことを可能とし、さらに副反応物等の影響をさけながらプラズマ反応領域を広げる。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus capable of effectively and inexpensively performing plasma processing position selectively to a region of different shape on a processing surface of a work using one application electrode.例文帳に追加

１つの印加電極を用いて、ワークの処理面上の異なる形状の領域に対して位置選択的に行うプラズマ処理を、効率よく低コストで行うことができるプラズマ処理装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus and a plasma processing method by which a mirror processing can be applied on a silicon substrate without degrading the surface roughness of a silicon material when hydrogen gas is used as etching gas.例文帳に追加

水素ガスをエッチングガスとして用いた場合に、シリコン材料の表面粗さを悪化させることなく、シリコン基板を鏡面加工し得るプラズマ加工装置及びプラズマ加工方法を提供する。 - 特許庁

A plasma formed in a remote plasma generator (27) flows through a tube (62) to a plenum (60) where it is diluted to form a plasma mixture before the plasma mixture flows into a processing chamber (15).例文帳に追加

遠隔プラズマ発生器（２７）内で生成したプラズマは、チューブ（６２）を経てプレナム（６０）へ流し込まれ、そこで希釈されてプラズマ混合物を生成した後にそのプラズマ混合物が処理チャンバ（１５）へ流し込まれる。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus having high gas conductance capability, capable of dealing with a wide range of processes, without causing increase in production cost, having the function of preventing the plasma leakage, and capable of performing satisfactory plasma processing with stable plasma.例文帳に追加

高いガスコンダクタンス能力を備え、製造コストの上昇を招くことなく、広範なプロセスに対応することができるとともに、プラズマのリークを防止する機能が高く、安定したプラズマにより良好なプラズマ処理を行うことのできるプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide plasma processing equipment in which plasma can be formed under a state of uniform density on the center side of a processing space distant from the ceiling by introducing a microwave from the sidewall side of a processing container toward the processing space.例文帳に追加

処理容器の側壁側より処理空間に向けてマイクロ波を導入することにより、天井から離れた処理空間の中心側に密度が均一な状態でプラズマを形成することが可能なプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

A plasma CVD apparatus 100 for processing a substrate by generating plasma of a processing gas is provided with a processing container 103 for receiving the substrate, and a cathode electrode 101 and an anode electrode 102 which are arranged in the processing container 103.例文帳に追加

処理ガスをプラズマ化して基板を処理するプラズマＣＶＤ装置１００は、基板を収容する処理容器１０３と、処理容器１０３内に配置されたカソード電極１０１およびアノード電極１０２とを備えている。 - 特許庁

A plasma processing apparatus includes: a processing gas supply source 8 installed outside a vacuum chamber 12; and a radical emitter 10 for discharging processing gas supplied from the processing gas supply source 8.例文帳に追加

真空槽１２の外部に設けられた処理ガス供給源８と、処理ガス供給源８から供給された処理ガスを放電させるラジカル放出器１０とを備える。 - 特許庁

When the substrate 5 is processed by the plasma CVD processing using only the plasma generation means 31 or by plasma enhanced catalyst CVD processing using the combination of the heated catalyst 10 and the plasma generation means 31, the plasma generation means 31 is located between the catalyst 10 and the substrate 5 as shown in (b) of the diagram.例文帳に追加

プラズマ生成手段３１だけを用いるプラズマＣＶＤ処理あるいは加熱した触媒体１０とプラズマ生成手段３１とを併用するプラズマエンハンスト触媒ＣＶＤ処理が行われるときは、（ｂ）に示すように、プラズマ生成手段３１が触媒体１０と基板５との間に位置する。 - 特許庁

The plasma processing apparatus that supplies a processing gas into a cylindrical processing chamber 12 accommodating the workpiece W to generate plasma and performs the plasma processing on the workpiece W with the generated plasma includes a first light irradiator of irradiating a nearly center portion in the processing chamber 12 with light and a second light irradiator of irradiating a region in the processing chamber 12 on the side of a peripheral wall with light.例文帳に追加

被処理体Ｗが収容された筒状の処理室１２内に処理ガスを供給してプラズマを生成し、生成したプラズマにて被処理体Ｗにプラズマ処理を施すプラズマ処理装置に、前記処理室１２内の略中央部に光を照射する第１光照射手段と、前記処理室１２内の周壁側の領域に光を照射する第２光照射手段とを備える。 - 特許庁

A plasma processing method includes a step of performing first plasma processing for a first layer A1 adsorbed on a substrate W under a first pressure P1 and a step of performing second plasma processing for a second layer A2 adsorbed on the first layer L1 for which the first plasma processing was performed under a second pressure P2 lower than the first pressure P2.例文帳に追加

本実施形態のプラズマ処理方法は、基板Ｗ上に吸着された第１層Ａ１に対して、第１圧力Ｐ１下で第１プラズマ処理を施す工程と、第１プラズマ処理を施された第１層Ｌ１上に吸着された第２層Ａ２に対して、第１圧力Ｐ１より低い第２圧力Ｐ２下で第２プラズマ処理を施す工程とを含む。 - 特許庁

To decrease the number of mechanisms added to respective processing chambers of a plasma CVD device without affecting a processing tact of each processing chamber.例文帳に追加

プラズマＣＶＤ装置において、各処理室の処理タクトに影響を及ぼすことなく各処理室に付設する機構の個数を低減する。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus capable of processing a sample to be processed stably for a long period by reducing damage to a processing chamber wall surface.例文帳に追加

処理室壁面の損傷を少なくし、長期間安定して被処理対象の試料を処理できるプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

To extend a life of a member that comes into contact with reductive plasma, especially a plasma generating chamber member by preventing deterioration in the function of a plasma processing device caused by reduction of the plasma generating chamber by reductive plasma that is generated from a process gas to be introduced.例文帳に追加

導入されるプロセスガスから生成される還元性プラズマによってプラズマ発生室が還元されることによるプラズマ処理装置の機能の低下を防止し、プラズマ発生室部材をはじめとする還元性プラズマに接する部材の長寿命化を提供する。 - 特許庁

In a shower plate 105 arranged in the processing chamber 102 of plasma processing equipment and discharging plasma excitation gas in order to generate plasma in the processing chamber 102, a porous gas circulator 114 having pores communicating in the direction of gas circulation is attached to a longitudinal hole 112 becoming the discharge passage of plasma excitation gas.例文帳に追加

プラズマ処理装置の処理室１０２に配置され、処理室１０２にプラズマを発生させるためにプラズマ励起用ガスを放出するシャワープレート１０５において、プラズマ励起用ガスの放出経路となる縦孔１１２に、ガス流通方向に連通した気孔を有する多孔質ガス流通体１１４を装着した。 - 特許庁

To obtain a plasma processing apparatus which processes the surface of a sample with a plasma, where a pattern of a high aspect ratio can be processed at a high speed.例文帳に追加

プラズマを利用し、試料の表面処理を行なうプラズマ処理装置において、高アスペクト比のパターンを高速度で処理する。 - 特許庁

To provide a plasma processing device capable of etching a surface of a base by using plasma without causing discharge breakdown on the base.例文帳に追加

基板に、放電破壊を起すことなくプラズマを用いて基板表面のエッチングを行うことができるプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a substrate processing apparatus, a plasma film forming method, and a film formation method, whereby the uniformity of a plasma present on a pedestal can be improved.例文帳に追加

ペデスタル上におけるプラズマの均一性を向上できる基板処理装置、プラズマ成膜方法、及び成膜方法を提供する。 - 特許庁

To prevent variation in plasma by preventing changes in high-frequency impedance of a high-frequency circuit, in an atmospheric pressure plasma processing apparatus.例文帳に追加

大気圧プラズマ装置において、高周波回路における高周波インピーダンスの変動を防止することによって、プラズマの変動を防ぐ。 - 特許庁

To provide a plasma processing device with heightened uniformity of plasma density in a chamber without generating abnormal discharge or undesirable stationary wave.例文帳に追加

プラズマ処理装置において、異常放電や不所望な定在波を発生させることなく、チャンバ内のプラズマ密度の均一性を高める。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus with which the effects on the shape of a sample-carrying port on plasma can be reduced through a simple arrangement.例文帳に追加

簡易な構成で、試料搬送口の形状のプラズマへの影響を低減することのできるプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

Plasma is generated in a limited area of the necessary minimum for carrying out plasma processing on a substrate to be processed.例文帳に追加

本発明はこのような状況を鑑みて行われたものであり、パーティクル発生を抑制するプラズマ処理装置の提案を課題とする。 - 特許庁

MOUNTING BASE, SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS, PLASMA TREATMENT DEVICE, CONTROL METHOD OF MOUNTING BASE, CONTROL METHOD OF PLASMA TREATMENT DEVICE, CONTROL PROGRAM, AND STORAGE MEDIUM例文帳に追加

載置台、基板処理装置、プラズマ処理装置、載置台の制御方法、プラズマ処理装置の制御方法、制御プログラム、及び記憶媒体 - 特許庁

To provide a plasma processing device which is structured such that the inside surface of a discharge tube is effectively protected from plasma generated in the discharge tube.例文帳に追加

放電管に生成したプラズマから放電管の内壁が効果的に保護されるようにしたプラズマ処理装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a plasma processing device capable of surely and easily controlling the distribution of plasma formed in a vacuum chamber.例文帳に追加

真空チャンバ内に形成されるプラズマの分布を確実且つ容易に制御できるプラズマ処理装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a slot antenna type microwave plasma processing device for controlling electric field distribution in the vicinity of a slot antenna and uniformly controlling plasma to be generated.例文帳に追加

スロットアンテナ方式のマイクロ波プラズマ処理装置において、スロットアンテナ付近の電界分布を制御し、生成するプラズマを均一にする。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus which has an electric conductor work that is hard to be damaged and in which both sides of the electric conductor work can be plasma-processed simultaneously.例文帳に追加

導電体ワークが損傷しにくく、導電体ワークの両面が同時にプラズマ処理されるプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁