「plasma-processing」に関連した英語例文の一覧と使い方(24ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a baffle plate capable of enhancing a confinement effect of plasma, while securing a conductance, and to provide a plasma processing apparatus.例文帳に追加

コンダクタンスを確保しつつ、プラズマの閉じ込め効果を高めることのできるバッフル板及びプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

To improve uniformity of plasma density distribution in an azimuth direction in an inductive coupling type plasma processing apparatus.例文帳に追加

誘導結合型のプラズマ処理装置において方位角方向におけるプラズマ密度分布の均一性を改善すること。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus capable of making generated plasma uniform in circumferential and/or radial directions.例文帳に追加

発生させるプラズマを周方向および／または径方向において均一にすることができるプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide an inductive coupling plasma processing device capable of providing a uniform plasma distribution even for a large-sized substrate.例文帳に追加

大型基板に対しても、均一なプラズマ分布を得ることができる誘導結合プラズマ処理装置を提供すること。 - 特許庁

To provide an inductively-coupled plasma processing apparatus capable of enhancing uniformity of plasma density distribution in a longitudinal direction of an antenna.例文帳に追加

誘導結合型のプラズマ処理装置において、アンテナの長手方向におけるプラズマ密度分布の均一性を高める。 - 特許庁

To provide a reaction vessel and a plasma processing apparatus free from elemental impurity contamination on a sample and damages by the plasma.例文帳に追加

元素不純物で試料が汚染されず、且つプラズマによる損傷が少ない反応容器及びプラズマ処理装置。 - 特許庁

To provide a lighting stabilizing processing device of a plasma display panel that is aimed at stabilizing lighting of a plasma display panel(PDP).例文帳に追加

プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）の点灯の安定化を図るプラズマディスプレイパネルの点灯安定化処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a processing apparatus performing various treatments using plasma and protected from damage due to the plasma.例文帳に追加

プラズマを使用して各種の処理を行う装置において、プラズマによる損傷から保護された処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a coupling window construction and a plasma processing device, wherein capacity coupling between an antenna and plasma is reduced to a large extent.例文帳に追加

アンテナおよびプラズマ間の容量結合を大幅に低減する結合窓構成及びプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

Since a plasma atmosphere is produced for every wafer, the plasma processing condition is made uniform within the wafer plane and between the wafers.例文帳に追加

プラズマ雰囲気がウエハ毎に生成されるので、プラズマ処理状況はウエハ面内およびウエハ相互間で均一になる。 - 特許庁

The gas undergoes glow discharge between the opposing electrodes 14 at the plasma processing section 10 to generate plasma thus rendering the resist hydrophilic.例文帳に追加

前記のガスはプラズマ処理部１０の対向電極１４間でグロー放電によりプラズマ化され、レジストを親水化する。 - 特許庁

Subsequently, in a second plasma processing, a silicon substrate 101 is subjected to a plasma etching by using an etching gas to form a trench 120.例文帳に追加

引き続き第２のプラズマ処理では、シリコン基板１０１を、エッチングガスを用いてプラズマエッチングし、トレンチ１２０を形成する。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus capable of preventing an abnormal discharge from occurring between a susceptor and a plasma.例文帳に追加

サセプタとプラズマとの間で異常放電が生じることを防止することができるプラズマ処理装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a plasma processing system equipped with an exhaust ring having a high plasma resistance which can suppress abnormal discharge.例文帳に追加

耐プラズマ性が高く異常放電を抑制することが可能な排気リングを備えたプラズマ処理装置を提供すること。 - 特許庁

To facilitate the replacement of a member provided to surround a substrate for controlling plasma at the time of implementing processing by plasma for the substrate on a placement base by making plasma processing gas with high frequency electric power in a processing container.例文帳に追加

処理容器内にて処理ガスを高周波電力によりプラズマ化し、載置台上の基板に対しプラズマにより処理を行う際に、プラズマを制御するために基板を囲むように設けた部材の交換を容易にすること - 特許庁

To provide a plasma processing device capable of processing an object to be processed continuously or in a manner of semi-batch, capable of reducing consumption amount of plasma generating gas, and an effective plasma processing method using the same.例文帳に追加

被処理物を連続的又はセミバッチ的に処理することが可能であるとともに、プラズマ発生用ガスの使用量を低減することが可能なプラズマ処理装置及びそれを用いた効率的なプラズマ処理方法を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus capable of stably carrying out excellent plasma processing by preventing the occurrence of phenomena, such as abnormal discharge in a rear-side space of a shower head, which adversely affect the plasma processing.例文帳に追加

シャワーヘッドの裏面側空間における異常放電等のプラズマ処理に悪影響を与える現象の発生を抑制することができ、良好なプラズマ処理を安定的に行うことのできるプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma processing method and a plasma processing device capable of efficiently processing objects to give a substantially-uniform surface state and increase the adhesion property improving effect.例文帳に追加

効率的よく被処理物を実質的に均一な表面状態に処理でき、さらに接着性改善効果が高くなるプラズマ処理方法およびプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

The plasma P diffuses in a processing container 1 communicating with the plasma generation container 2 through its opening, and thereby, predetermined processing is applied to the surface of a substrate 9 arranged in the processing container 1.例文帳に追加

プラズマ生成容器２の開口を通して連通している処理容器１内にプラズマＰが拡散し、処理容器１内に配置された基板９の表面に所定の処理が施される。 - 特許庁

To provide a plasma processing device capable of carrying out a uniform processing, even if the ratios of gas conductance of a main gas passage to those of a plurality of branch gas passages are increased, and to provide a plasma processing method.例文帳に追加

主ガス流路と複数の枝ガス流路とのガスコンダクタンスの比を大きくしても、均一な処理が行えなえるプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を提供する。 - 特許庁

To provide a microwave feeder to minimize a power loss, to avoid erosion of a dielectric window, and to form highly dense and uniform plasma, and also to provide a plasma processing apparatus using it, and a plasma processing method.例文帳に追加

パワー損失を最小化し、誘電体ウィンドウの侵蝕を避け、高密度で均一なプラズマを形成するマイクロウェーブ供給装置、それを用いたプラズマ工程装置及びプラズマ工程方法の提供。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus that can stably and accurately measure plasma emission in a processing chamber for an extended period of time, without lowering the transmittance of a measurement port that measures plasma emission.例文帳に追加

プラズマ発光を計測する計測ポートの透過率を低下させることなく、長時間にわたり安定して精度よく処理室内のプラズマ発光を計測できるプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

An area suitable for fitting is selected out of the plasma radiation spectra, in selection processing S2 for a wavelength area required for the fitting, and the plasma radiation spectrum is determined in determination processing S3 for the plasma radiation/spectrum.例文帳に追加

フィッティングに要する波長領域の選定処理Ｓ２では、プラズマ輻射スペクトルのうち、フィッティングに適した領域を選定し、プラズマ輻射・スペクトルの決定処理Ｓ３でプラズマ輻射スペクトルを決定する。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus which is easy to control ion irradiation energy to a work, and plasma processing on the work is evenly performed at the time of plasma excitation by microwave.例文帳に追加

マイクロ波によるプラズマ励起において、被処理物に対するイオン照射エネルギの調整が容易で、被処理物に対するプラズマ処理が面内にわたって均一なプラズマプロセス装置を提供する。 - 特許庁

To provide a substrate processing apparatus capable of uniformly performing plasma processing of a wafer surface by overcoming the problem, wherein although a silicon wafer is mounted between electrodes and ac power of high frequency is applied between the electrodes to perform the plasma processing of wafer in a plasma processing apparatus, there is an wafer between the electrodes so that plasma is not uniform.例文帳に追加

プラズマ処理装置では、電極間にシリコンウエハを載置し、電極間に高周波の交流電力を印加してウエハのプラズ処理を行っていたが、電極間にはウエハが存在する為、プラズマは均一とならず、ウエハ表面のプラズマ処理を均一に行う事の出来る基板処理装置を提供する。 - 特許庁

The plasma processing device for performing plasma processing of a test piece by generating plasma inside a vacuum processing chamber 1 is provided with a plurality of groups (7, 7') of high frequency induction antennas for forming an induction electric field which rotates clockwise on an ECR face of a magnetic field formed in the vacuum processing chamber 1, and plasma is generated by an electron cyclotron resonance (ECR) phenomenon.例文帳に追加

真空処理室１内にプラズマを生成して試料をプラズマ処理するプラズマ処理装置であって、真空処理室１内に形成される磁場のＥＣＲ面に右回転する誘導電場を形成する高周波誘導アンテナを複数組（７、７’）設け、電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）現象によりプラズマを生成する。 - 特許庁

In this plasma processing apparatus, which generates plasma by supplying high-frequency power into a processing chamber and processes the object based on the plasma, a high-frequency antenna is arranged on the inside and on the outside of the processing chamber so as to surround the top board of the processing chamber.例文帳に追加

処理チャンバ内に高周波電力を供給してプラズマを発生させ、該プラズマに基づき被処理体を処理するプラズマ処理装置において、処理チャンバの天板を巻くように、高周波アンテナが処理チャンバ内および処理チャンバ外に配置される。 - 特許庁

When a wafer is arranged in a chamber and subjected to the plasma processing while heated, the wafer is preheated (preliminary heating) prior to the processing while irradiated with plasma, and a processing gas is supplied into the chamber after preheating to perform the plasma processing on the wafer.例文帳に追加

チャンバー内にウエハを配置し、ウエハを加熱しながらウエハにプラズマ処理を施すにあたり、処理に先立ってウエハにプラズマを照射しつつウエハにプリヒート（予備加熱）を施し、プリヒート後にチャンバー内に処理ガスを供給してウエハに対してプラズマ処理を行う。 - 特許庁

The plasma processing apparatus, having a plasma processing chamber and a slot for introducing microwaves to the plasma processing chamber, easily changes the density and distribution of plasma near the substrate, by changing at least one of the shape and position of the slot.例文帳に追加

本発明は、プラズマ処理室と前記プラズマ処理室ヘマイク口波を導入するスロットを備えたプラズマ処理装置であって、前記スロットの形と位置のうち少なくとも一つを変更することにより、基板近傍のプラズマの密度と分布を容易に変更するプラズマ処理装置を提供するものである。 - 特許庁

A plasma processing device for subjecting the electrostatic chucking device with a photoconductive film having photoconductivity formed on the surface of its insulating material to a plasma processing has the steps of introducing a processing gas for a plasma processing chamber, generating plasma in the plasma processing chamber, and the light of the plasma to be irradiated on the photoconductive film.例文帳に追加

静電吸着装置の絶縁性材料の表面に、光導電性を有する光導電膜を設けた静電吸着保持装置に対してプラズマ処理をするプラズマ処理装置において、プラズマ処理室内に処理用ガスを導入する工程と、該プラズマ処理室内のガス圧力を1Torr以上にする工程と、該プラズマ処理室内にプラズマを発生する工程と、該プラズマの発光を該光導電膜に照射する工程とを有することを特徴とする。 - 特許庁

The substrate processing method for generating plasma by incurring magnetron discharge within a processing vessel by an electric field and a magnetic field, and for performing plasma processing on a substrate using the plasma includes the steps of: carrying the substrate into the processing vessel; forming a film on the substrate through activation using plasma by feeding gases into the processing vessel; and carrying the treated substrate out of the processing vessel.例文帳に追加

電界と磁界とにより処理容器内にマグネトロン放電を起こしてプラズマを生成し、このプラズマを用いて基板をプラズマ処理する基板処理方法であって、基板を処理容器内に搬入する工程と、処理容器内にガスを供給してプラズマにより活性化させ、基板上に膜を形成する工程と、処理後の基板を処理容器から搬出する工程とを備える。 - 特許庁

In this inductively coupled plasma processing device, a coiled high frequency antenna 21 is installed in a housing constituting a processing chamber, and reaction gas is introduced into the processing chamber to generate a plasma to form or etch a film on a substrate in the processing chamber.例文帳に追加

従って、処理装置の大型化に伴って高周波アンテナの長さが長くなっても、アンテナ電位を均等かつ低下させることができる誘電結合プラズマ処理装置を提供することにある。 - 特許庁

A magnetic sensor 21 is provided on the outer face of a sidewall of a plasma processing container 11 between an anode 12 and a cathode 13, and measures a magnetic field generated in the surrounding of the flow of plasma P generated in the plasma generating space of the plasma processing container 11.例文帳に追加

アノード１２およびカソード１３の間となるプラズマ処理容器１１の側壁の外面に、磁気センサ２１を設け、プラズマ処理容器１１のプラズマ生成空間に生成したプラズマＰの流れの周囲に発生する磁界を計測する。 - 特許庁

The plasma treatment device 9 is provided with a plasma producing chamber 1 for producing plasma, a processing chamber 5 in which a workpiece 6 is installed and a gas introducing unit (pulse nozzle) 101 which introduces gas for processing timely and intermittently into the plasma producing chamber 1.例文帳に追加

プラズマ処理装置９は、プラズマを生成するプラズマ生成室１と、被加工物６が設置される加工室５と、プラズマ生成室１内に時間的に間欠的に加工用ガスを導入するガス導入部（パルスノズル）１０１とを備える。 - 特許庁

In a plasma processing apparatus 1 which changes a processing gas introduced in a processing container 2 into plasma to process a substrate W, the ratio of an introduction amount of a processing gas introduced in a center part of the substrate W stored in the processing container 2 and an introduction amount of a processing gas introduced in a peripheral part of the substrate W stored in the processing container 2 changes during the plasma processing.例文帳に追加

処理容器２に導入された処理ガスをプラズマ化させて基板Ｗを処理するプラズマ処理装置１において、処理容器２に収納された基板Ｗの中心部に導入される処理ガスの導入量と、処理容器２に収納された基板Ｗの周辺部に導入される処理ガスの導入量の比が、プラズマ処理中に変化する。 - 特許庁

To provide a plasma producing apparatus capable of high-speed wafer processing with no contamination.例文帳に追加

無汚染で高速度のウエハ処理ができるプラズマ生成装置を提供する。 - 特許庁

To realize highly selective etching which enables plasma processing of superior uniformity.例文帳に追加

均一性に優れたプラズマ処理を可能とし、高選択なエッチングを実現する。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus capable of suppressing curving of an electrode.例文帳に追加

電極に反りが生じることを抑制できるプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

This equipment for plasma processing comprises a high frequency electrode 11 and a counter electrode (a substrate holder 13).例文帳に追加

高周波用電極１１と対向電極（基板ホルダー１３）を有する。 - 特許庁

PLASMA PROCESSING APPARATUS, CHAMBER INTERNAL PART, AND METHOD OF DETECTING LONGEVITY OF CHAMBER INTERNAL PART例文帳に追加

プラズマ処理装置、チャンバ内部品及びチャンバ内部品の寿命検出方法 - 特許庁

To provide a process for controlling a substrate processing operation such as a plasma etching operation.例文帳に追加

プラズマエッチング動作などの基板処理動作を制御するプロセスを提供する。 - 特許庁

PLASMA PROCESSING APPARATUS AND METHOD FOR MANUFACTURING SOLAR CELL MANUFACTURED BY THE SAME例文帳に追加

プラズマ処理装置及びそれよって製造される太陽電池の製造方法 - 特許庁

PLASMA PROCESSING METHOD AND SPUTTERING SYSTEM AND METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

プラズマ処理方法およびスパッタ装置ならびに半導体装置の製造方法 - 特許庁

METHOD AND DEVICE FOR CONTROLLING PROCESS GAS CONCENTRATION IN PLASMA REACTOR PROCESSING SYSTEM例文帳に追加

プラズマ反応炉処理システムにおけるプロセスガス濃度の制御方法及び装置 - 特許庁

METHOD AND APPARATUS FOR PROCESSING SUBSTRATE BY ATMOSPHERIC PRESSURE GLOW PLASMA (APG)例文帳に追加

大気圧グロープラズマ（ＡＰＧ）によって基体を処理するための方法および装置 - 特許庁