「plasma-processing」に関連した英語例文の一覧と使い方(22ページ目)

シリコン窒化膜２３は、プラズマ成膜装置の処理容器内にシランガス、窒素ガス及び水素ガスを含む処理ガスを供給し、処理容器内の基板の温度を１００℃以下に維持し、且つ処理容器内の圧力を２０Ｐａ〜６０Ｐａに維持した状態で、処理ガスを励起させてプラズマを生成し、当該プラズマによるプラズマ処理を行って成膜される。 - 特許庁

Disclosed is the plasma processing apparatus that processes the sample placed in a processing chamber in a vacuum container using plasma generated in the processing chamber, wherein the plasma processing apparatus includes an in-processing-chamber member which is disposed in the processing chamber to face the plasma and made of quartz containing 0.05 to 0.5% by weight of yttrium or 0.1 to 1% by weight of aluminum.例文帳に追加

真空容器内の処理室内に配置された試料をこの処理室内に形成したプラズマを用いて処理するプラズマ処理装置であって、この処理室内に配置されて前記プラズマに面しイットリウムを０.０５乃至０.５重量％またはアルミニウムを０.１乃至１重量％含む石英から構成された処理室内部材を備えた。 - 特許庁

The plasma processing apparatus 100 includes at least: a plasma processing chamber 101 for executing plasma processing to a semiconductor wafer W; a mounting base 102 for arranging the semiconductor wafer W in the plasma processing chamber 101; and a microwave generator 108 for generating plasma in the plasma processing chamber 101, wherein a device capable of intermittently supplying energy is used for the microwave generator 108.例文帳に追加

半導体ウエハＷにプラズマ処理を行うためのプラズマ処理室１０１と，半導体ウエハＷを，プラズマ処理室１０１内に配置するための載置台１０２と，該プラズマ処理室１０１内にプラズマを発生させるためのマイクロ波発生装置１０８とを少なくとも含むプラズマ処理装置１００において，マイクロ波発生装置１０８に，断続的なエネルギー供給可能なもの使用している。 - 特許庁

To provide a plasma processing method and a plasma processing apparatus, wherein a film of good quality can be obtained by minimizing an impurity concentration of a thin film formed by a microwave plasma processing apparatus including a dielectric for introducing an electromagnetic wave into a processing chamber.例文帳に追加

電磁波を処理室へ導入するための誘電体を備えたマイクロ波プラズマ処理装置において成膜された薄膜の不純物濃度を低く抑え、良質な膜を得ることが可能なプラズマ処理方法およびプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

A plasma processing apparatus includes a plasma generating mechanism (for example, a pair of opposing electrodes 11 and 12 and a high-frequency power source 2) for generating plasma by high frequency power.例文帳に追加

高周波電力によってプラズマを発生させるプラズマ発生機構（例えば、一対の対向電極１１、１２及び高周波電源２）を備える。 - 特許庁

In addition, a shaped member (66) between a substrate and the plasma source controls the plasma density in a prescribed fashion to enhance-plasma processing uniformity.例文帳に追加

また、基板とプラズマ減との間に位置する形成部（６６）は、プラズマの密度を所定の形態で制御して，プラズマ処理の均一性が向上される。 - 特許庁

A gas introduction system 2 introduces gas into a plasma forming area in a processing chamber 1, and a plasma forming means 3 gives energy to form plasma P.例文帳に追加

処理チャンバー１内のプラズマ形成領域にガス導入系２がガスを導入し、プラズマ形成手段３がエネルギーを与えてプラズマＰを形成する。 - 特許庁

To improve uniformity and yield of a plasma process by enabling easy and free control of plasma density distribution in a capacitive coupling plasma processing apparatus.例文帳に追加

容量結合型のプラズマ処理装置においてプラズマ密度分布の容易かつ自在な制御を可能とし、プラズマプロセスの均一性や歩留まりを向上させること。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus coping with variations in a plasma density generated by various causes and having high controllability over the variations in the plasma density.例文帳に追加

種々の要因により発生した揺らぎについて対応でき、またプラズマ密度の揺らぎに対して高い制御性を持つプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide plasma processing technology which can generate large-area plasma in high reproducibility and therefore can use inexpensive plasma source applicable for wide application.例文帳に追加

大面積のプラズマを再現性良く生成することができ、これにより幅広い用途に適用可能な安価なプラズマソースを用いたプラズマ処理技術を提供する。 - 特許庁

To solve a matter that the electric energy being fed to plasma increases because a high voltage must be applied between the electrodes in order to generate and sustain uniform plasma between the electrodes at a second plasma processing step when a first plasma processing step and the second plasma processing step of higher discharge start voltage are performed in the same plasma reaction chamber.例文帳に追加

第１のプラズマ処理工程とその工程より放電開始電圧が高い第２のプラズマ処理工程を同一プラズマ反応室内において行う場合に、第２のプラズマ処理工程において均一なプラズマを電極間に発生および維持させるためには、電極間に高電圧を印加する必要があり、プラズマへの投入電力量が大きくなる。 - 特許庁

To provide a microwave plasma generator for a plasma processing device and an ion beam processing device which perform various processes using plasma in the field of semiconductor processing, enabled to stably generate a uniform plasma having big area for long period at low gas pressure.例文帳に追加

半導体プロセッシングの分野において、プラズマを用いて各種の加工を行なうプラズマ加工装置およびイオンビーム加工装置において、低ガス圧で、均一、大面積のプラズマを長時間安定に発生さすことを可能とするマイクロ波プラズマ生成装置を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma processing method enhancing plasma processing characteristics, reproducibility of the plasma processing characteristics, and reducing plasma processing cost by stably achieving matching adjustment of high frequency power in the plasma processing method for processing a workpiece set in a reaction vessel by introducing a plurality of high frequency powers having different frequencies into the reaction vessel and decomposing raw gas in the reaction vessel, and to provide a plasma processing apparatus.例文帳に追加

周波数の異なる複数の高周波電力を反応容器中に導入し、前記反応容器中で原料ガスを分解することにより、前記反応容器中に設置した被処理物に処理を施すプラズマ処理方法において、高周波電力のマッチング調整が安定して達成され、その結果、プラズマ処理特性の向上、プラズマ処理特性の再現性向上、更にはプラズマ処理コストの低減が可能なプラズマ処理方法、プラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a low cost plasma processing device that is excellent in starting with steady lighting of plasma and capable of reducing the time and trouble of maintenance, and further that enables to start plasma processing immediately after the plasma lighting.例文帳に追加