「plasma-processing」に関連した英語例文の一覧と使い方(25ページ目)

大気圧プラズマを生成するために用いられるプラズマ生成用ガスであって、プラズマとなることにより処理能力を有するとともに、プラズマ生成用ガス全体をプラズマ源に搬送するためのベースガス（キャリアーガス）としてのアルゴン（Ａｒ）と、前記大気圧プラズマの処理効果を向上する処理効果向上ガスとしての酸素ガスもしくは炭酸ガスとの混合ガスとした。 - 特許庁

In the plasma processing apparatus capable of generating plasma and controlling the incident energy of ions impinging on a specimen simultaneously, a film is formed on the surface of a part contacting plasma in a plasma processing chamber so as to improve the part in plasma-resistant properties, and the plasma processing device has a temperature adjusting function so as to keep the film at a prescribed temperature of 160 °C or below.例文帳に追加

プラズマ生成と試料へのイオンの入射エネルギ制御とを独立におこなうプラズマ処理装置において、プラズマ処理室内のプラズマと接する部品の表面には耐プラズマ性を向上させるために皮膜が形成され、かつ前記皮膜の温度が所定の１６０℃以下に制御出来るように温度調節機能を有したことを特徴とするプラズマ処理装置。 - 特許庁

The plasma processing control part 17 performs control, for example, such as changing the impressing voltage of a plasma generating power supply 14 based on the obtained plasma variation information.例文帳に追加

プラズマ処理制御部１７は、取得したプラズマ変化情報に基づいて、例えば、プラズマ生成用電源１４の印加電圧を変化させる等の制御を行う。 - 特許庁

The plasma is generated by a magnetic neutral line discharge in the plasma generating chamber 101, and the generated plasma is extracted from the chamber 101 into a processing chamber 102 through a communicating hole 108.例文帳に追加

磁気中性線放電によりプラズマ生成室１０１の中にプラズマが生成され、生成されたプラズマが連通孔１０８から処理室１０２に引き出される。 - 特許庁

To prevent plasma flow-derived deposits depositsed on an annular rib for droplet capture in a plasma processing device from falling in a plasma generation unit and causing a short circuit.例文帳に追加

プラズマ処理装置におけるドロップレット捕獲用の環状リブ上に形成されたプラズマ流由来の堆積物が、プラズマ発生部へ落下して短絡を起こすことを防止する。 - 特許庁

To provide a plasma abnormal discharge diagnosis method by which a plasma processing apparatus needs no many sensors and which is high in accuracy, and to provide a plasma abnormal discharge diagnosis system.例文帳に追加

プラズマ処理装置に多くのセンサを備える必要がなく、精度の高いプラズマ異常放電診断方法及びプラズマ異常放電診断システムを提供する。 - 特許庁

To provide a chuck assembly that reduces damage to the film quality of a wafer backside due to plasma during a high density plasma processing, and a high density plasma device using same.例文帳に追加

高密度プラズマ工程中のプラズマによるウエハ裏の膜質ダメージを減少することができるチャックアセンブリ及びそれを用いた高密度プラズマ装置を提供する。 - 特許庁

In a parallel flat plate plasma processing apparatus, before ignition of a plasma, such a bias at a frequency at which the plasma is not ignited is applied to an electrode which holds a substrate to be processed.例文帳に追加

平行平板型プラズマ処理装置において、プラズマの点火より前に、被処理基板を保持する電極に、プラズマが点火しないような周波数のバイアスを印加する。 - 特許庁

To provide a plasma generator that can equalize the concentration distribution of a process gas in a region where plasma is generated, and to provide a plasma processing apparatus.例文帳に追加

本発明は、プラズマを発生させる領域におけるプロセスガスの濃度分布の均一化を図ることができるプラズマ発生装置およびプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

Further, a plasma control means 47 for controlling the quantity of plasma gas is provided between the plasma generation gas supplying means 46 and the processing gas generation means 48.例文帳に追加

またプラズマ発生ガス供給手段４６と処理ガス供給手段４８との間にプラズマ化したガスの量を制御するプラズマ制御手段４７を設ける。 - 特許庁

The plasma processing system 200 comprises the plasma reactor 300 for generating plasma as receiving an input gas and a frequency generator 400 for supplying radio frequency.例文帳に追加

プラズマ処理システム２００は、入力ガスが供給されてプラズマを発生するプラズマ反応器３００と、無線周波数を供給するための周波数発生器４００を備える。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus which ensures uniform plasma density in a plasma generation container without the need for a special container of a specific shape.例文帳に追加

特定の形状を有する専用の容器を必要とすることなく、プラズマ生成容器内のプラズマ密度を均一化できるようにしたプラズマ処理装置を提供すること。 - 特許庁

To provided a plasma processing system capable of stably maintaining plasma of a plasma reactor upon momentary power supply interruption and its control method.例文帳に追加

瞬間的に電源供給の遮断が発生した際にもプラズマ反応器のプラズマを安定して維持することができるプラズマ処理システム及びその制御方法を提供する。 - 特許庁

When the plasma is introduced into the processing chamber 102, Si atoms are sputtered from an Si electrode 114 by impact of ions in the plasma and discharged into the plasma.例文帳に追加

処理室１０２側にプラズマが引き出されると、プラズマ中にイオンの衝撃によりＳｉ電極１１４よりスパッタリングされてＳｉ原子がプラズマ中に放出される。 - 特許庁

By generating a plasma in the plasma processing vessel, the organic metal gas and the oxidizing gas are resolved by the plasma to form a metal oxide film on a substrate to be processed 1.例文帳に追加

プラズマ処理容器内にプラズマを発生させて有機金属ガス及び酸化性ガスをプラズマにて分解させ、被処理基板１に金属酸化物膜を形成する。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus which can be used suitably in fabrication of an electronic device and can provide plasma with higher selectivity (plasma energy is relatively low).例文帳に追加

電子デバイスの製造において好適に使用可能な、より選択性の高い（プラズマエネルギーが比較的に低い）プラズマを与えることができるプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

In the plasma processing apparatus for processing a substrate to be processed, a space for plasma excitation and a plasma gas introducing path for the same are separated from each other by a porous medium such as a porous ceramic material, thereby: preventing the plasma excitation in the plasma introducing path; and exciting uniform plasma of high density in a desired plasma excitation space.例文帳に追加

被処理基板を処理するプラズマ処理装置において、プラズマを励起するための空間と、プラズマを励起するためのプラズマガス導入経路を多孔質媒体、たとえば多孔質セラミック材料で分離することにより、前記プラズマガス導入経路でのプラズマの励起を防止して、所望のプラズマ励起空間において高密度かつ均一なプラズマを励起させることが可能とする。 - 特許庁

To provide a surface processing method and a surface processing device wherein plasma can be kept stable even when both the surfaces of two or more substrates are subjected to surface processing.例文帳に追加