「plasma-processing」に関連した英語例文の一覧と使い方(29ページ目) - Weblio英語例文検索

PLASMA ETCHING REACTOR AND COMPONENT OF THE SAME, AND METHOD OF PROCESSING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE例文帳に追加

プラズマエッチング反応器及びその構成部品並びに半導体基板を処理する方法 - 特許庁

Then oxygen plasma processing is applied to the via hole 10 and the inside of the wiring groove.例文帳に追加

続いて、ビアホール１０及び配線溝１３の内部に対して酸素プラズマ処理を施す。 - 特許庁

METHOD AND SYSTEM FOR CONTROLLING UNIFORMITY IN BALLISTIC ELECTRON BEAM ACCELERATING PLASMA PROCESSING SYSTEM例文帳に追加

弾道電子ビーム促進プラズマ処理システムにおける均一性制御方法及びシステム - 特許庁

This plasma processing equipment has a doubly concentric rf electrode as an upper electrode.例文帳に追加

このプラズマ処理装置は上部電極として二重同心ｒｆ電極を有する。 - 特許庁

DEVICE AND METHOD FOR GAS-FLOW CONDUCTANCE CONTROL IN CAPACITIVE COUPLING PLASMA PROCESSING CHAMBER例文帳に追加

容量結合プラズマプロセスチャンバにおけるガスフローコンダクタンス制御のための装置および方法 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus, for less frequency in replacement of a sticking preventing member.例文帳に追加

防着部材の交換頻度を低減することができるプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

To shorten the cleaning time of materials stacked in a processing apparatus using plasma.例文帳に追加

プラズマを用いた処理装置で内部に堆積した物質の清掃時間を短縮する。 - 特許庁

DISCHARGE ELECTRODE, HIGH-FREQUENCY PLASMA GENERATION SYSTEM, POWER FEED METHOD, AND SEMICONDUCTOR PROCESSING METHOD例文帳に追加

放電電極、高周波プラズマ発生装置、給電方法および半導体製造方法 - 特許庁

To provide a plasma processing method and apparatus capable of processing porous materials efficiently even in fine holes as well as on surfaces.例文帳に追加

多孔性素材の表面のみならず細孔内も効率的にプラズマ処理する方法及び処理装置を提供する。 - 特許庁

A gas for processing reaches the plasma processing space 15 by passing through the gas passages 26, 28 from the outside of the device.例文帳に追加

処理ガスは、装置の外部からガス流路２６,２８を通って、プラズマ処理空間１５に到達するようになっている。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus in which abnormal discharge does not occur readily at an antenna portion from which a processing gas is discharged.例文帳に追加

処理ガスの放出を伴なうアンテナの部分で異常放電が起きにくいプラズマ処理装置を提供すること。 - 特許庁

To provide plasma processing equipment having a built-in porous plate for uniforming the plasma distribution near a substrate to be treated while suppressing a reduction in plasma density, easily not by a try-and-error method.例文帳に追加

プラズマ密度の低減を抑えながら被処理基板近傍のプラズマ分布を均一にする多孔板を内蔵したプラズマ処理装置を、試行錯誤でなく簡便に提供する。 - 特許庁

To generate a plasma with high density at low electric potential free from unbalance in plasma density especially between an inlet portion and an opposite portion so as to enable faster and more uniform performance for high quality plasma processing.例文帳に追加

高品質な処理をより高速且つ均一に行うことが可能となるように、特に導入部と対向部とのプラズマ密度バランスが崩れない高密度低電位プラズマを発生させる。 - 特許庁

In addition, in plasma processing apparatus having a dual power control, at a given application of power to the plasma generation source, the stability of the plasma is extended by increasing the pressure in the etch process chamber.例文帳に追加

さらに、2重電力制御を有するプラズマ処理装置において、プラズマ発生源にある電力を適用するとき、エッチング処理チャンバの圧力を増すと、プラズマの安定性が拡大する。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus which uses an inductive coupling electrode for plasma generation to prevent etching of the inner wall surface of a plasma formation box.例文帳に追加

プラズマ発生のために誘導結合型の電極を用いることにより、プラズマ形成ボックス内の壁面がエッチングされることを防止することが可能なプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus of capacity coupling type capable of forming uniform plasma efficiently, with a high uniformity within field of plasma treatment, and hardly causing charge up damage.例文帳に追加

効率的に均一なプラズマを形成することができ、プラズマ処理の面内均一性が高く、かつチャージアップダメージが生じ難い容量結合型のプラズマ処理装置を提供すること。 - 特許庁

To enable an electronic drive distance to be made infinite, significantly improve the ignitability of plasma, and make better the circumferential directional uniformity of plasma in an induction-type plasma processing device.例文帳に追加

誘導型プラズマ処理装置において、電子の駆動距離を無限大にすることを可能とし、プラズマの着火性を飛躍的に改善し、周方向のプラズマの均一性を良好なものとする。 - 特許庁

In the plasma processing apparatus 20, plasma is produced from the introduced gas by using electric field energy of the inputted microwaves, and etching of the organic film is carried out by using the produced plasma.例文帳に追加

プラズマ処理装置２０は、投入されたマイクロ波の電界エネルギーを用いて、前記導入されたガスからプラズマを生成し、生成されたプラズマを用いて有機膜をエッチングする。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus capable of improving an efficiency of production of plasma products and suppressing damage to an object to be processed due to a light beam emitted from plasma.例文帳に追加

本発明は、プラズマ生成物の生成効率を向上させるとともに、プラズマから放出される光による被処理物の損傷を抑制することができるプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

To execute uniform plasma processing, without damage to a substrate to be processed by controlling the uniformity of a plasma electron concentration, while suppressing the rise in plasma electron temperature, even under a low-pressure atmosphere.例文帳に追加

低圧雰囲気においても，プラズマの電子温度の上昇を抑えつつ，プラズマ電子密度の均一性を制御し，被処理基板へのダメージのない，均一なプラズマ処理を行う。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus for performing a plasma process on a substrate to be processed using plasma, which prevents the substrate placed on a substrate placement member from being damaged.例文帳に追加

プラズマを用いて被処理基板に対してプラズマ処理を行なうプラズマ処理装置において、被処理基板載置部材の上に載置された被処理基板に傷が付くことを抑制する。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus for generating stable plasma at from high pressure to low pressure by forming an adequate resonance region in a top plate according to plasma conditions.例文帳に追加

プラズマ条件に応じて天板内に最適な共振領域を形成し、高い圧力から低い圧力にわたって安定したプラズマの発生が可能なプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma processor capable of preventing metallic pollution generated from an earth electrode constituted of a conductive material containing a metal as the earth of plasma generated in a plasma processing room.例文帳に追加

プラズマ処理装置において、プラズマ処理室中に生成するプラズマのアースとして、金属を含む導体材料で構成されるアース電極から発生する金属汚染を防止する。 - 特許庁

To provide a means for measuring the potential difference of plasma and current of plasma, generated on a wafer, which are important quantities in a semiconductor-surface processing apparatus using plasma, without modifying apparatus.例文帳に追加

プラズマを用いた半導体の表面処理装置で重要な量であるウエハ上に発生するプラズマ電位差及びプラズマ電流を装置の改造なしで測定する手段を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus capable of preventing a wall surface inside a plasma generation box from being etched by using an inductively coupling type electrode for plasma generation.例文帳に追加

プラズマ発生のために誘導結合型の電極を用いることにより、プラズマ形成ボックス内の壁面がエッチングされることを防止することが可能なプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

The grounded plate is adapted with openings that remove electrons and ions from the plasma admitted from the plasma cavity into the processing space to provide downstream-type plasma of free radials.例文帳に追加

接地板は、プラズマ・キャビティから処理空間中に入ることを許されるプラズマから電子およびイオンを除去して遊離基のダウンストリーム型プラズマを供給する開口と適合される。 - 特許庁

The film forming method comprises a step for (A) processing a substrate by at least one process selected from among the UV irradiation process, oxygen plasma process, nitrogen plasma process, helium plasma process, argon plasma process, hydrogen plasma process, and ammonia plasma process, and a step for (B) coating and heating it with a film forming composition containing polysiloxane and an organic solvent.例文帳に追加

（Ａ）基板に、紫外線照射処理、酸素プラズマ処理、窒素プラズマ処理、ヘリウムプラズマ処理、アルゴンプラズマ処理、水素プラズマ処理、アンモニアプラズマ処理から選ばれる少なくとも１種の処理を行った後、（Ｂ）ポリシロキサンならびに有機溶剤を含む膜形成用組成物を塗布し、加熱することを特徴とする膜形成方法。 - 特許庁

The gas for plasma processing is introduced between electrodes 1, 1 facing each other when generating a plasma 3 under a pressure near the atmospheric pressure by applying voltages between the electrodes 1, 1 facing each other and applying a plasma processing on the surface of an object 4 to be processed by the plasma 3.例文帳に追加

対向配置された電極１、１間に電圧を印加することよって大気圧近傍の圧力下でプラズマ３を生成すると共に該プラズマ３により被処理物４の表面をプラズマ処理する際に、上記対向する電極１、１間に導入されるプラズマ処理用ガスに関する。 - 特許庁

To provide a plasma processing method for easily and securely lighting up plasma in low pressure while the drop of yield is prevented and securely performing a highly precise plasma treatment by sucking dust and dirt by a substrate to be processed and to provide a plasma processing apparatus.例文帳に追加

被処理基板に塵埃が吸着され、歩留まりの低下が発生することを防止しつつ、低圧下においても、容易にかつ確実にプラズマを着火することができ、高精度なプラズマ処理を確実に行うことのできるプラズマ処理方法及びプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

The plasma processing apparatus comprises a processing chamber in which plasma is formed, a rotating body which is rotated around a shaft facing the plasma, and a space which is arranged on the side facing the plasma of a bearing part of the shaft, and has a step larger than a space between a bearing surface of the bearing part and the shaft.例文帳に追加

内部にプラズマが形成される処理室と、前記プラズマに面して軸周りに回転する回転体と、前記軸の軸受部の前記プラズマに面する側に配置され、前記軸受部の軸受面と軸との間の隙間より大きくされた段差を有する空間とを備えたプラズマ処理装置。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus which is capable of coping with various processing accompanying the microminiaturization and complex structure of a semiconductor device and controlling the distribution of the electromagnetic field of plasma-exciting high frequencies and the distribution of plasma so as to process a wafer uniformly.例文帳に追加

半導体デバイスの微細化、複雑構造に伴った多様な処理に対応し、プラズマ励起高周波の電磁界分布及びプラズマ発生分布を制御して均一処理を可能とするプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma processing device and a plasma processing method generating an uniform plasma of high density and large area, reducing kinetic stress and thermal stress added on a dielectric window for indentation of microwave.例文帳に追加

異常放電を防止しつつ均一で高密度な大面積プラズマを生成し、且つマイクロ波入射用の誘電体窓に加わる力学的応力と熱的応力を減少させるプラズマ処理装置及び処理方法の提供。 - 特許庁

To provide a shower head and a plasma processing apparatus, which can efficiently execute uniform plasma processing by preventing diffusion of the plasma, even when employing a structure which supplies a gas from the shower head and discharges it from the shower head.例文帳に追加

シャワーヘッドからガスを供給し、シャワーヘッドから排気する構成の場合であっても、プラズマの拡散を防止することができ、効率良く均一なプラズマ処理を行うことのできるシャワーヘッド及びプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus preventing temperature lowering of an outer peripheral part of an object to be processed to attain uniform plasma processing in placing a substrate to be processed on a placing table to plasma-process the substrate by heat.例文帳に追加

被処理基板を載置台上に載置し、加熱しつつプラズマ処理を行う際に、被処理体の外周部の温度が低下することを防止して均一なプラズマ処理を行うことができるプラズマ処理装置を提供すること。 - 特許庁

To provide magnet arrangement making point-cusp magnetic field for plasma generation that can produce uniform plasma distribution over the whole surface of a wafer so that a uniform processing speed may be realized, and to provide a plasma processing system.例文帳に追加

均一な処理速度を実現することができるようにウエハー表面全体に渡ってプラズマの均一な分布を作ることができるプラズマ生成用ポイントカスプ磁界を作るマグネット配列、およびプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

Under a state where a substrate W is supported by one of these electrodes, the plasma of processing gas is formed by forming a high frequency electric field between the first and second electrodes, and plasma processing is performed on the substrate W by this plasma.例文帳に追加

そして、いずれかの電極に基板Ｗを支持させた状態で、第１および第２の電極間に高周波電界を形成することにより処理ガスのプラズマを形成し、このプラズマにより基板Ｗにプラズマ処理を施す。 - 特許庁

This plasma processing method comprises the step of making plasma gas pass through a porous material by sucking the porous material in being contacted with plasma gas (a), or making plasma gas blow the porous material with a predetermined flow rate (b).例文帳に追加

(a) プラズマガスを多孔性素材に接触させた状態で多孔性素材を吸引することにより、多孔性素材に前記プラズマガスを通過させるか、(b) プラズマガスを所定の流量で多孔性素材に吹き付けてプラズマガスを通過させる方法。 - 特許庁

This will enable the plasma distribution uniformity to be secured and the gas inflow from the plasma processing space into the plasma generation space to be stopped, and the forthright speed of the ion species to be independently controlled, moreover satisfactory controllability for the plasma component ratio.例文帳に追加

プラズマ分布の均一性確保とプラズマ処理空間からプラズマ発生空間へのガス流入阻止の両立が図れるうえ、プラズマ成分比率の制御性がよいことに加えて、イオン種の直進速度も独立に制御可能となる。 - 特許庁

To provide a plasma density measuring probe that facilitates determination between surface wave resonance and the resonance excluding the surface wave resonance, and to provide a plasma density measuring device, a plasma processing device, and a plasma density measuring method.例文帳に追加

本発明は、表面波共振と表面波共振以外の共振との判別を容易に行うことができるプラズマ密度測定子、プラズマ密度測定装置、プラズマ処理装置、およびプラズマ密度測定方法を提供する。 - 特許庁

The plasma processing apparatus is provided with a processing chamber wherein a substrate 4 to be processed, a gas inlet 6 to introduce a gas into the inside of the chamber, and a plasma discharge generator 15 to form a plasma area in an area away from the substrate 4 by generating plasma discharge within the chamber, and it is used to apply plasma processing to the substrate 4.例文帳に追加

プラズマプロセス装置は、被処理基板４が内部に配置される処理室と、処理室の内部にガスを導入するガス導入口６と、処理室の内部にプラズマ放電を発生させることにより、被処理基板４から離れた領域にプラズマ領域を形成するプラズマ放電発生部１５とを備え、被処理基板４にプラズマ処理を施すように構成されている。 - 特許庁

A plasma etching system 1 comprises a processing chamber 2 normally performing plasma etching, and an automatic pressure controller 4 connected with the processing chamber 2 through an exhaust line 3 in order to control the inner pressure of the processing chamber 2.例文帳に追加

プラズマエッチング処理装置１は、通常、プラズマエッチング処理を行う処理室２と、排気管路３を介して処理室２と接続され、処理室２の内圧を制御する自動圧力制御装置４とを備える。 - 特許庁

To perform uniform plasma processing in a processing furnace by making the diameter direction distribution of a high frequency wave which is introduced into the processing furnace from an antenna to have uniformity.例文帳に追加

アンテナから処理容器内に導入される高周波の径方向の分布を均一化して、処理容器内で均一なプラズマ処理を行えるようにする。 - 特許庁

To improve processing speed and processing uniformity by implementing the smooth circulation of a processing gas through a simple modification of the apparatus when a process using plasma is performed.例文帳に追加

プラズマを用いて処理する際、簡易な装置改変によって処理ガスの流通を円滑にして処理速度、処理の均一性を向上させる。 - 特許庁

A substrate processing apparatus has a processing chamber 1 for processing a substrate 6, and a gas activation section 11 provided outside the chamber 1 and generating plasma.例文帳に追加

基板処理装置は、基板６を処理する処理室１と、処理室１外部に設けられプラズマを発生させるガス活性化部１１とを有する。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus wherein gas is hard to accumulate in a processing space and fresh processing gas can be always supplied to a substrate to be processed.例文帳に追加

処理空間にガスが滞留し難く、被処理基板に常に新鮮な処理ガスを供給することが可能なプラズマ処理装置を提供すること。 - 特許庁