「plasma-processing」に関連した英語例文の一覧と使い方(36ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a plasma processing device efficiently supplying energy of microwaves to a processing vessel even if it is provided with a plurality of microwave sources.例文帳に追加

複数のマイクロ波源を備えた場合も，処理容器にマイクロ波のエネルギーを効率的に供給できるプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

A resistor region 20 is formed by processing a region immediately below the p-type pad 24 in the surface of the p-type nitride layer 18 through plasma processing.例文帳に追加

ｐ型窒化物層１８の表面のうち、ｐ型パッド２４直下の領域をプラズマ処理することで抵抗領域２０を形成する。 - 特許庁

To provide plasma processing equipment that suppresses damages to a processing chamber that causes contamination over samples and mixing of foreign matter with improved operating ratio.例文帳に追加

試料への汚染及び異物混入の原因となる処理室の損傷を抑制し、稼働率の向上したプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a substrate processing device which is capable of efficiently decomposing waste gas with a plasma without affecting a vacuum processing chamber.例文帳に追加

真空処理チャンバに影響を与えることなく、排ガスをプラズマにより効率よく分解することのできる基板処理装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a vacuum processing apparatus capable of performing stable plasma-processing even for a large substrate by suppressing thermal deformation of a ridge electrode and the substrate.例文帳に追加

リッジ電極および基板の熱変形を抑制し、大型の基板にも安定したプラズマ処理が行える真空処理装置を提供する。 - 特許庁

When performing plasma processing, the coil 7 for plasma generation is activated after the inside of vacuum container 3 is replaced by a gas, and bias voltage potential is applied to the holding means 2.例文帳に追加

プラズマ処理を行う場合は、真空容器３内をガス置換した後にプラズマ発生用コイル７を作動させ、保持手段２にバイアス電位を負荷し、プラズマを発生させる。 - 特許庁

Next, a second plasma exposure process is carried out which makes the second processing plasmatic and makes it contact with the matter to be bonded which has been processed by the first plasma exposure process.例文帳に追加

次いで、第２処理ガスをプラズマ化して前記第１プラズマ照射工程を経た接合対象物に接触させる第２プラズマ照射工程を実行する。 - 特許庁

The plasma processing section is provided with a linear opening 16b for blowing out fluorine based plasma gas, and a diffuser 35 for widening the irradiation width of the linear opening.例文帳に追加

プラズマ処理部は、プラズマ化したフッ素系ガスを吹き出すライン状の吹き出し口１６ｂを備えており、吹き出し口の照射幅を広げる拡散板３５を備える。 - 特許庁

To provide a plasma processing device in which uniform plasma is generated by forming streamer discharge stably, and further, upsizing and cost increase of the device is suppressed.例文帳に追加

安定してストリーマ放電を生成して均一なプラズマを生成することができ、しかも装置の大型化や高コスト化を抑制することができるプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma processing device capable of generating various plasma by one device and providing various surface treatment to a substrate to improve a manufacturing efficiency.例文帳に追加

一台で各種のプラズマを発生でき、基板に対して各種の表面処理を可能にし、生産効率を向上させることのできるプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma process device chamber member in which plasma resistance is secured, which can be used for long time even if a cleaning processing is repeated and which is economically advantageous.例文帳に追加

耐プラズマ性が確保されており、クリーニング処理を繰り返しても長期間使用可能で、経済的に有利なプラズマプロセス装置用チャンバー部材を提供すること。 - 特許庁

To provide a plasma processing method and a device for generating a uniform high-density plasma with good efficiency of high frequency power throughout a large area under lower pressure.例文帳に追加

低圧力下で大面積にわたり高周波電力効率が良好で、均一な高密度プラズマを発生させることができるプラズマ処理方法及び装置を提供する。 - 特許庁

To obtain a plasma processing apparatus which accurately measures high-frequency characteristics, especially of accurately measuring high-frequency characteristics during the generation of plasma.例文帳に追加

高周波特性を精度良く測定することのできるプラズマ処理装置、特にプラズマ発生中の高周波特性を精度良く測定することのできるプラズマ処理装置を得る。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus that has excellent plasma generation efficiency, a high etching speed and high throughput for input power of high-frequency electric power.例文帳に追加

高周波電力の入力パワーに対して、プラズマ発生効率が良好で、エッチング速度が早く、スループットが高いプラズマ処理装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus capable of inhibiting occurrence of charging damage in plasma extinction without adversely influencing process performance and generating foreign matter.例文帳に追加

プロセス性能に悪影響を及ぼすことなく、また異物を発生させることなくプラズマ消火時のチャージングダメージの発生を抑制可能なプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

PLASMA DISCHARGE PROCESSOR, PLASMA DISCHARGE PROCESSING METHOD, THIN FILM AND LAYERED PRODUCT MANUFACTURED BY THIS METHOD, OPTICAL FILM, POLARIZING PLATE AND DISPLAY DEVICE USING OPTICAL FILM例文帳に追加

プラズマ放電処理装置、プラズマ放電処理方法、その方法で製造された薄膜及び積層体、及び光学フィルム、光学フィルムを用いた偏光板及び表示装置 - 特許庁

To provide a plasma processing device capable of restraining the peak value of reflected waves appearing at the output of a high-frequency power source without being affected by a load change in discharging plasma.例文帳に追加

放電中のプラズマの負荷の変化に影響されず、高周波電源の出力部に現れる反射波のピーク値を抑えることができるプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

The plasma within the cavity 40 is allowed to act as a dielectric, so as to easily and freely control the distribution characteristic of plasma density in a processing space PS.例文帳に追加

空洞４０内のプラズマを誘電体として作用させることにより、処理空間ＰＳにおけるプラズマ密度の分布特性を簡単かつ自在に制御できる。 - 特許庁

To provide a plasma processing method having little thermal damage with a low running cost by minimizing a consumption quantity of a gas for generating plasma, and supplied power without lowering productivity.例文帳に追加

生産性を低下させることなくプラズマ生成用ガスの消費量や印加電力を少なくして低ランニングコストで熱的なダメージの少ないプラズマ処理方法を提供する。 - 特許庁

Based on the measurement result of the plasma density information, plasma processing of etching or the like is easily and appropriately controlled by an electric power control part 4 for generation.例文帳に追加

そのプラズマ密度情報の測定結果に基づいて、生成用電力制御部４によってエッチング等のプラズマ処理を容易にかつ適切に制御することができる。 - 特許庁

The electric field by the microwave accelerates electrons, generates a plasma in the plasma processing chamber 101, and excites the gas to process the surface of an object to be processed.例文帳に追加

このマイクロ波の電界により電子が加速され、プラズマ処理室１０１内にプラズマが発生し、処理用ガスが励起されて被処理基体１１２の表面を処理する。 - 特許庁

To provide a lighting stabilizing processing device of a plasma display panel capable of dealing with the plasma display panels (PDP) having a variety of sizes, and simply attachable.例文帳に追加

プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）の多種サイズに対応でき、かつ簡易に取り付けることができるプラズマディスプレイパネルの点灯安定化処理装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

The anode provides a path to ground for electrons that are excited in the plasma and may uniformly distribute the electrons within the plasma across the processing space rather than collect at the chamber walls.例文帳に追加

アノードはプラズマ内で励起される電子の接地経路となり、プラズマ内の電子をチャンバ壁部に集めるのではなく、処理空間全体にわたって均一に分散させる。 - 特許庁

A grounding side electrode 3, a high-voltage side electrode 4 and a dielectric member 5 disposed between them are provided in the plasma reactor A, that is, a plasma processing chamber.例文帳に追加

プラズマリアクター、すなわちプラズマ処理室Ａ内には、接地側電極３、高圧側電極４、および両者の間に配置された誘電体部材５が設けられている。 - 特許庁

To provide a semiconductor plasma processing device that can enhance etching uniformity, by compensating a radical-side concentration phenomenon which is a weakness of an inductively coupled plasma source.例文帳に追加

本発明の誘導結合プラズマ源の短所であるラジカル側面集中現象を補ってエッチング均一度を高めることができる半導体プラズマ処理装置に関する。 - 特許庁

To provide a corrosion-resistant material having excellent corrosion resistance to the plasma of a halogen base gas used in manufacturing a semiconductor and a polyimide substrate, and in plasma-processing liquid crystal.例文帳に追加

半導体製造、ポリイミド基板製造、液晶プラズマ処理等で使われるハロゲン系ガスのプラズマに対して優れた耐蝕性を有する耐蝕性部材を提供する。 - 特許庁

The plasma processing device is operable to control a flow conductance of plasma formed, and comprises a lower electrode 104, and an upper electrode 114 opposed to the lower electrode, between which a gap is formed.例文帳に追加

空隙を形成するために下部電極１０４と反対側に上部電極１１４を含むプラズマ処理装置において形成されたプラズマのフローコンダクタンスを制御する。 - 特許庁

Thus, rapid pressure variations in the processing vessel caused just after the plasma inflammation can effectively be suppressed and a uniform plasma can stably be generated.例文帳に追加

これにより，プラズマ着火直後に生じる処理容器内の急激な圧力変動を効果的に抑止して，均一なプラズマを安定的に発生させることができる。 - 特許庁

In the plasma etching method, the gas containing C_4F_6 and O_2 and CO is used as a processing gas for plasma etching to suppress surface roughness of a photoresist.例文帳に追加

本発明のプラズマエッチング方法は、処理ガスとして、Ｃ_４Ｆ_６とＯ_２とＣＯとを含むガスを用いてプラズマエッチングすることで、フォトレジストの表面荒れを抑えることができる。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus capable of controlling impedance on a plasma source side and capable of eliminating impedance errors among devices or cleaning cycles.例文帳に追加

プラズマソース側のインピーダンスを調整することができ、装置間あるいはクリーニングサイクル間のインピーダンス誤差を解消することができるプラズマ処理装置を提供すること。 - 特許庁

The substrates 1 equal in number to the movable chambers 14 can be loaded into the vacuum standby chambers 4 and 13, and plasma processing can be carried out in plasma processing chambers 15.例文帳に追加

また、第１および第２の真空予備室４，１３には、複数の可動チャンバー１４の数と同数の基板１を搬入できるようにし、複数のプラズマ処理室１５で同時に同様のプラズマ処理を行うこともできる。 - 特許庁

To provide a plasma processing device and a plasma processing method wherein a member to be processed can be processed precisely without making a reacted product scattered around surroundings, and there is no necessity for major maintenance work.例文帳に追加

反応生成物を周囲に飛散させることがなくて、被加工部材を精密に加工することができ、かつ、大掛かりなメンテナンス作業を必要としないプラズマ加工装置およびプラズマ加工方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a separator for a solid polymer type fuel cell having superior corrosion resistance and using a metal substrate with low contact resistance, and to provide a plasma processing technology and a plasma processing device which are excellent in productivity.例文帳に追加

耐食性に優れ、かつ接触抵抗が低くい金属基板を用いた固体高分子型燃料電池用セパレータの提供、及び生産性に優れたプラズマ処理技術及プラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

A base material 108 to be processed is carried into the plasma processing device 100 from the outside, and disposed at a predetermined position between the electrode 101a and the electrode 101b, and predetermined plasma processing is executed.例文帳に追加

プラズマ処理装置１００には、外部から被処理基材１０８が搬入され、電極１０１ａと電極１０１ｂとの間において予め定められた位置に配置され、予め定められたプラズマ処理が実行される。 - 特許庁

To provide a method and an apparatus for plasma surface treatment which can execute large area/equalization processing by suppressing the influence of a standing wave being a problem factor in large area/equalization processing by high-frequency plasma.例文帳に追加

高周波プラズマによる大面積・均一化処理における問題要因である定在波の影響を抑制し、大面積・均一化処理が可能なプラズマ表面処理方法及び表面処理装置を提供すること。 - 特許庁

In the inside of the chamber 1 of an etching apparatus, a first step of performing H2O plasma processing and following the first step, and a second step of performing Cl2 plasma processing, are executed after executing an Al dry etching process.例文帳に追加

プラズマエッチング装置のチャンバー内部１において、Ａｌドライエッチング工程を行った後、Ｈ_2Ｏプラズマ処理を行う第１工程と、第１工程に続いて、Ｃｌ_2プラズマ処理を行う第２工程とを実施する。 - 特許庁

A dummy load device 1 is provided with a coil spring 40 that compresses a positive electrode plate 70 and a ground electrode plate 60 to each of two electrodes of a plasma processing apparatus, when it is arranged within a chamber of the plasma processing apparatus.例文帳に追加

プラズマ処理装置のチャンバー内に配置されたときに、正電極板７０およびグランド電極板６０をプラズマ処理装置の２つの電極にそれぞれ押し付けるコイルばね４０を、模擬負荷装置１に設けた。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus capable of highly accurately measuring the temperature of a substrate or the like and capable of highly accurately and efficiently performing plasma processing of the substrate, and to provide a temperature measuring method and a temperature measuring apparatus.例文帳に追加

基板等の温度を精度良く測定することができ、より精度良くかつ効率良く基板のプラズマ処理を行うことのできるプラズマ処理装置及び温度測定方法並びに温度測定装置を提供する。 - 特許庁

To provide an atmospheric pressure plasma processing apparatus that sequentially performs plasma processing on substrates while transporting many setters carrying the substrates by arranging the setters in a row and can relieve the influence of another gas flow, such as sucked air etc., exerted upon the blown-off flow of a process gas.例文帳に追加

多数のセッタを一列に並べて搬送しながら順次プラズマ処理する装置であって、処理ガスの吹出し流が、吸気等の他のガス流の影響を受けるのを緩和できる装置を提供する。 - 特許庁

To provide a surface working method of a discharge plasma processing apparatus, an application electrode and a discharge plasma processing apparatus for achieving highly precise flattening by a one-time operation process, thereby improving the efficiency of working.例文帳に追加

１回の作業工程で精度の高い平坦化を実現し作業効率の向上を図ることのできる放電プラズマ処理装置の表面加工方法、印加電極及び放電プラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

After plasma processing on the wafer is completed, application of opposite-polarity voltages, demagnetizing plasma processing, and application of a demagnetizing voltage are carried out in order, and then a lift pin is placed in operation to separate the wafer from the electrostatic chuck 20.例文帳に追加

ウエハに対しプラズマ処理が終了した後、逆極性電圧の印加、除電プラズマ処理、除電電圧の印加を順次行い、その後リフトピンを作動させてウエハを静電チャック２０から脱離する。 - 特許庁

To provide a parallel flat plate type plasma processing apparatus which does not cause problems due to an abnormal discharge and can solve problems caused by reaction products sticking on an electrode, and to provide a plasma processing method.例文帳に追加

異常放電による問題が生じず、かつ電極に付着する反応生成物に起因する問題を解消することができる平行平板型のプラズマ処理装置およびプラズマ処理方法を提供すること。 - 特許庁

This plasma processing method uses a plasma processing device equipped with a pair of electrodes 4A and 4B facing to each other, and a solid dielectric layer 5 or 6 installed on a facing surface of at least one of the pair of electrodes.例文帳に追加

相対向する一対の電極４Ａ、４Ｂ、および一対の電極のうち少なくとも一方の電極の対向面に設置された固体誘電体層５もしくは６を備えているプラズマ処理装置を使用する。 - 特許庁

The adhesive tape with an adhesive agent layer formed on a base film has a heat resistance at temperatures when a plasma dicing process for semiconductor wafer processing is conducted, and is the mask in the plasma dicing processing.例文帳に追加

基材フィルムに粘着剤層が形成された粘着テープであって、半導体ウェハ処理のプラズマダイシングプロセスが行われる温度における耐熱性を有し、かつ該プラズマダイシングプロセスにおけるマスクとなる粘着テープ。 - 特許庁

To provide a plasma processing system in which abnormal discharge in a space, e.g. a gas channel or a vacuum insulation space, can be reduced greatly as compared with the prior arts and good plasma processing can be ensured.例文帳に追加

ガス流路や真空断熱用空間等の空間内で発生する異常放電を従来に比べて大幅に削減することができ、良好なプラズマ処理を行うことのできるプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁