「plasma-processing」に関連した英語例文の一覧と使い方(40ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide an appartus and methods to monitor the dose of one or more kinds during plasma processing of semiconductor substrates.例文帳に追加

半導体基板のプラズマ処理中に１つ以上の種のドーズ量を監視するための方法及び装置を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus that easily supplies electric power to a stage and circulates a heat medium.例文帳に追加

ステージに対する電力供給や熱媒の循環を容易に行うことができるプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus which can obtain a stable film deposition result even in the case an adhesion preventing shield is exchanged.例文帳に追加

防着シールドを交換した場合でも安定した成膜結果を得ることができるプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide an apparatus for plasma processing which can realize a compact apparatus, while assuring a uniform etching distribution.例文帳に追加

均一なエッチング分布を確保しつつコンパクトな装置を実現できるプラズマ処理装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a plasma display device that has a lightweight and thin structure for which electromagnetic noise countermeasures are taken and facilitates repair processing.例文帳に追加

軽量かつ薄型で電磁波ノイズ対策された構造を有し、リペア処理が容易なプラズマディスプレイ装置を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus, capable of preventing the processed surface of the object to be processed from contaminating with fine particles or the like.例文帳に追加

被処理体の処理面を微粒子などの汚染から保護することが可能なプラズマ処理装置を提供すること。 - 特許庁

The processing tube can supply particles 42 activated by the plasma 40 inside the chamber 33 to the chamber 12.例文帳に追加

処理管は放電室３３内のプラズマ４０で活性化させた粒子４２を処理室１２へ供給することができる。 - 特許庁

To allow a user to easily replace only a surface portion when the surface of a stage of a plasma processing apparatus is damaged.例文帳に追加

プラズマ処理装置のステージの表面が損傷したとき、上記表面部分だけを容易に交換できるようにする。 - 特許庁

To minimize the damage to a metallic vessel for a dielectric plate supporting unit and improve the plasma processing efficiency.例文帳に追加

誘電体板支持部の金属製容器のダメージを最小限に抑えると共に、プラズマ処理効率の向上を図ること。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus capable of maintaining airtightness of the atmosphere of the apparatus even if a vessel is heated.例文帳に追加

容器が加熱された場合でも、装置内の雰囲気の気密性を保持することができるプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

On the substrate before applying the adhesive, cleaning processing by oxygen plasma or the like, or thin film formation by sputtering is carried out.例文帳に追加

接着剤塗布前の基板に、酸素プラズマ等による洗浄処理、或いはスパッタによる薄膜形成を行なう。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus equipped with a particle counter for detecting foreign particles having 100 nm or less particle diameter with high efficiency.例文帳に追加

100nm以下の粒径の異物粒子を高効率で検出できるパーティクルカウンタを搭載したプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus that makes in-plane distribution of substrate temperature uniform even when gas pressure of a heat transfer gas is high.例文帳に追加

伝熱ガスのガス圧が高圧であっても、基板温度の面内分布を均一化できるプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma processing device that removes heterogeneous materials from separate regions on a substrate and a method of the same.例文帳に追加

基板上の別の領域から異質な材料を除去するためのプラズマ処理装置及び方法を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus, capable of increasing the flexural rigidity of electrodes and securing gas passage of uniform cross section for the flow.例文帳に追加

電極の曲げ剛性を高め、均一な流通断面積のガス通路を確保できるプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

Then a seed film 102 made of a Cu-Al alloy is deposited without applying plasma processing to the barrier film 101.例文帳に追加

次いで、このバリア膜１０１のプラズマ処理を行うことなく、Ｃｕ−Ａｌ合金から成るシード膜１０２を被着させる。 - 特許庁

The plasma processing device comprises a beam-like spacer 7 which is opposed to a substrate 2 and is disposed on the top opening of a chamber 3.例文帳に追加

プラズマ処理装置は、基板２と対向するチャンバ３の上部開口に配置された梁状スペーサ７を備える。 - 特許庁

A plasma 31 is generated by a surface processing device 27 to the POF cable 12 exiting the first cooling tank 25.例文帳に追加

第１冷却槽２５を出たＰＯＦケーブル１２に対して表面処理装置２７によりプラズマ３１を発生させる。 - 特許庁

To provide a plasma processing method capable of preventing the generation of an etching stop without causing damage to a photoresist film layer.例文帳に追加

フォトレジスト膜層を損傷することなくエッチストップの発生を防止することが可能なプラズマ処理方法を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma processing device with a coaxial cable structure in which characteristics impedance is different at an input side and an output side.例文帳に追加

特性インピーダンスが入力側と出力側で異なる同軸管構造を有するプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

To simplify an assembling operation or a disassembling operation of an electrode structure of a plasma processing device having a cylindrical discharge space.例文帳に追加

筒状の放電空間を有するプラズマ処理装置の電極構造の組付け作業や分解作業を簡易化する。 - 特許庁

The plasma processing device is provided with a contacting member 70 different from a first electrode 11 and capable of being separated from the device.例文帳に追加

プラズマ処理装置には、第１電極１１と別体でそれから分離可能な当接部材７０が設けられている。 - 特許庁

Each target immobilizing domain 12 has a carbonaceous film 13 and a plasma processing layer 13A formed on its surface.例文帳に追加

ターゲット固定領域１２は、炭素質膜１３とその表面に形成されたプラズマ処理層１３Ａとを有している。 - 特許庁

As a result, it enables the capacity of the reaction container to be adaptable to the size of the base body in the plasma processing device 101.例文帳に追加

これにより、プラズマ処理装置１０１が、前記反応容器の容積を基体の大きさに適合可能としている。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus which can accurately predict a cleaning timing of a reaction chamber and can increase a production throughput.例文帳に追加

反応室のクリーニング時期を正確に予測でき、生産のスループットを向上可能なプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

Thereby, gases flow uniformly on a surface of the matter to be processed, allowing more uniform plasma surface processing.例文帳に追加

これにより、ガスが被処理物表面に均等に流れるようになり、より均一なプラズマ表面処理が可能となる。 - 特許庁

To provide a method for predicting a processing surface profile predicting a process surface profile that a given plasma process will create on a process substrate.例文帳に追加

所定のプラズマプロセスが処理基板に創り出す処理表面プロファイルを予測するための方法を提供する。 - 特許庁

For example, immediately after the trench processing, the semiconductor substrate is subjected to plasma ashing treatment, after subjecting it to heat treatment within a temperature scope of 300-500°C.例文帳に追加

例えば、トレンチ加工処理直後に、３００〜５００［℃］の温度範囲内で加熱処理した後、プラズマアッシング処理する。 - 特許庁

To provide a plasma processor and the method capable of executing a uniform processing to the entire surface of a body to be processed.例文帳に追加

被処理体の全面に均一な処理を施すことが可能なプラズマ処理装置およびその方法を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus which selectively nitrides a region to be processed occupying a part of the surface of an object to be processed.例文帳に追加

被処理物の表面の一部を占める被処理領域を選択的に窒化するプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma stripping method, having a high selective ratio and a high processing capacity and a dry ashing process.例文帳に追加

高選択比で、高処理能力を有したプラズマストリッピング処理方法および乾式アッシングプロセスを提供すること。 - 特許庁

A processing chamber (12) of the plasma treatment system (10) includes a lid of a chamber (14) having a symmetrical array of apertures (192).例文帳に追加

プラズマ処理システム（１０）の処理チャンバ（１２）は、開口（１９２）の対称的なアレイを有するチャンバ（１４）の蓋を含む。 - 特許庁

This method includes a process of depositing a microcrystal silicon film and a process of conducting hydrogen plasma processing alternately each several times.例文帳に追加

微結晶シリコン膜を堆積する工程と、水素プラズマ処理を施す工程を交互に複数回ずつ繰り返す。 - 特許庁

The plasma processing apparatus includes a vacuum container 100, a cathode electrode 200, an anode electrode 300, and an electrode plate 220.例文帳に追加

このプラズマ処理装置は、真空容器１００、カソード電極２００、アノード電極３００、及び電極板２２０を備える。 - 特許庁

The semiconductor substrate 2 is subject to surface reforming treatment through plasma processing by using a gas containing nitrogen, ammonia or the like.例文帳に追加

半導体基板２は、窒素、アンモニア等を含むガスを用いて、プラズマ処理により表面改質処理されている。 - 特許庁

To selectively conduct the plasma etching to silicon nitride under the almost normal pressure for the processing object including silicon nitride and silicon oxide.例文帳に追加

窒化シリコンと酸化シリコンを有する被処理物において、略常圧下で前記窒化シリコンを選択的にプラズマエッチングする。 - 特許庁

In the meanwhile, it is preferable that the plasma processing be done in an atmosphere of mixed gases of nitrogen, oxygen, and hydrogen, or of nitrogen and hydrogen.例文帳に追加

なお、プラズマ処理は、窒素、酸素、水素、又は窒素と水素の混合ガスの雰囲気中で行われることが好ましい。 - 特許庁

The normal pressure plasma processing apparatus M includes a pair of upper and lower first and second electrode units 10, 20, and a movement mechanism 30.例文帳に追加

常圧プラズマ処理装置Ｍは、上下一対の第１、第２電極ユニット１０，２０と移動機構３０を備えている。 - 特許庁

To eliminate a nonuniformity in the circumferential direction caused by the structure of an inductively coupled plasma processing apparatus.例文帳に追加

誘導結合型プラズマ処理装置の構造に起因して生じる周方向の不均一性を除くことを目的とする。 - 特許庁

The glass is useful for a member for forming a window to introduce electromagnetic waves for a plasma processing equipment or the like.例文帳に追加

このようなガラスは、プラズマ処理装置等の電磁波を導入すべき窓を構成するための部材に有用である。 - 特許庁

The plasma processing device is comprised of a reaction container 2 of which one side is opened as a blowing outlet 1 and plural electrodes 3, 4.例文帳に追加

片側が吹き出し口１として開放された反応容器２と複数の電極３、４とを具備して構成される。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus capable of easily and homogeneously depositing a gas barrier film on a container of an optional shape.例文帳に追加

任意形状の容器にガスバリア膜を容易にしかも均質に形成することができるプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

Oxide gas and freon gas are mixed to be used as processing gas in the method of plasma cleaning the printed-circuit board.例文帳に追加

プリント配線基板のプラズマ洗浄方法において、処理ガスとして酸素ガスとフロンガスを混合して使うようにする。 - 特許庁

To provide a plasma processing device that securely detects etching end points of a plurality of film species with simple constitution.例文帳に追加

複数膜種のエッチング終点の検出を容易な構成で確実に実施できるプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus, capable of controlling the distribution of the standing wave of microwaves inside a microwave waveguide.例文帳に追加

マイクロ波導波管の内部のマイクロ波の定在波の分布を制御することができるプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁