「plasma-processing」に関連した英語例文の一覧と使い方(43ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a plasma processing system, in which an insulating plate having a not so high a thermal conductivity, can be cooled efficiently.例文帳に追加

熱伝導率がそれ程良好でない絶縁板を効率的に冷却することができるプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

Only the uniform heater plate 14 rotates above the stage body 13, and the substrate G is subjected to uniform plasma processing.例文帳に追加

ステージ本体１３の上方において均熱板１４のみが回転し、基板Ｇに対する均一なプラズマ処理が行われる。 - 特許庁

In the processing furnace 1, it is constituted that the plasma is generated by the high frequency wave input from the antenna.例文帳に追加

処理容器１内において、アンテナ２から導入された高周波によってプラズマが生成されるように構成されている。 - 特許庁

To provide a plasma processor which realizes a good surface reforming effect at a low cost by a simple mechanism, and a substrate surface reforming method by the plasma processing.例文帳に追加

良好な表面改質効果を低コスト且つ簡便な機構で実現することができるプラズマ処理装置およびプラズマ処理による基板の表面改質方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To enhance processing efficiency by lessening the useless gap between each of a plurality of streamer discharge regions (S), in a plasma reactor which performs gas treatment by the streamer discharge to produce low temperature plasma.例文帳に追加

ストリーマ放電により低温プラズマを生成してガス処理などを行うプラズマ反応器において、複数のストリーマ放電領域(S) 同士の間の無駄な隙間を小さくして処理効率を高める。 - 特許庁

Furthermore, a first altered layer 25 is formed by altering a part of the second interlayer insulating film 19, which is exposed from a sidewall of the fist through hole 23 through plasma processing using plasma including oxygen gas.例文帳に追加

次に、酸素ガスを含むプラズマを用いたプラズマ処理により、第２の層間絶縁膜１９における第１のホール２３の側壁に露出する部分を変質して、第１の変質層２５を形成する。 - 特許庁

To provide a dry etching device, a dry etching method and a plasma controller such that etching processing can be performed in an optimum plasma state wherein etching damage to an etching mask as well as a material to be etched is taken into consideration.例文帳に追加

被エッチング材料に加えてエッチングマスクのエッチングダメージを考慮した最適なプラズマ状態でエッチング処理ができるドライエッチング装置、ドライエッチング方法およびプラズマ制御装置を提供する。 - 特許庁

To solve a problem wherein, in a capacitively-coupled plasma CVD apparatus, a DC potential voltage difference between plasma discharge electrodes changes over time and therefore a deposition processing cannot be performed stably and efficiently.例文帳に追加

容量結合型のプラズマＣＶＤ装置では、プラズマ放電電極間の直流電位差が経時的に変動してしまうので、安定且つ高能率の成膜処理を行うことができない。 - 特許庁

To provide a plasma processor, a focus ring and a plasma processing method for much more improving the in-face uniformity of etching and productivity than a conventional manner.例文帳に追加

従来に比べてエッチング処理の面内均一性の向上を図ることができるとともに、生産性の向上を図ることのできるプラズマ処理装置、フォーカスリング及びプラズマ処理方法を提供する。 - 特許庁

To provide a relatively cost-effective device and method of processing plasma, wherein various particles are effectively distinguished so as to remove the selected particles from the plasma and they can be easily utilized and used.例文帳に追加

選ばれた粒子をプラズマから除去するために各種粒子を効果的に区別し、容易に利用および使用でき、費用効果の比較的良好なプラズマの処理装置および方法を提供する。 - 特許庁

Plasma is generated in the processing chamber 2 by supplying microwaves from a microwave supply device 37 and the surface of the article T is subjected to radical oxidation with oxygen radicals generated from the plasma.例文帳に追加

マイクロ波供給装置３７の供給によって，処理容器２内にプラズマを発生させ，それによって発生した酸素ラジカルによって被処理体Ｔの表面にラジカル酸化処理を行う。 - 特許庁

To provide a plasma-etching method, where by improving decomposition efficiency at plasma processing, the amount of gas used for etching is reduced, while PFC concentration in exhaust gas is reduced.例文帳に追加

プラズマ処理時の分解効率を向上させることで、エッチングに用いるガスの使用量の低減を図るとともに、排ガス中のＰＦＣ濃度を低減させることができるプラズマエッチング方法を提供する。 - 特許庁

The method further includes a step of plasma processing the semiconductor wafer 1 after the mask pattern is formed to remove the boundary region of the semiconductor wafer 1 by plasma etching, and a step of dividing each semiconductor element 1c.例文帳に追加

そしてマスクパターン形成後の半導体ウェハ１をプラズマ処理することにより半導体ウェハ１の境界線領域をプラズマエッチングにより除去して半導体素子１ｃ毎に分割する。 - 特許庁

To provide a plasma processing method and a plasma processor capable of making the resistance almost the same resistance before cutting after removing the extended layer and capable of shortening the unit process time.例文帳に追加

引き延びた層の除去工程後の抵抗値を、切断前の抵抗値とほぼ同程度の値にすることができ、タクトタイムも短くすることができるプラズマ処理方法およびプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus with which light emission from plasmas can be measured precisely and stably for a long time without lowering transparency of a measurement port for measuring the light emission from the plasma.例文帳に追加

プラズマ発光を計測する計測ポートの透過率を低下させることなく、長時間にわたり安定して精度よく処理室内のプラズマ発光を計測できるプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for driving a three-electrode plasma display device including a three-electrode plasma display panel, a video processing part, a control part, an address driving part, an X driving part, a Y driving part, and an electric power regenerating circuit.例文帳に追加

３電極プラズマディスプレイパネル、映像処理部、制御部、アドレス駆動部、Ｘ駆動部、Ｙ駆動部及び電力回生回路を含む３電極プラズマディスプレイ装置の駆動法を提供する。 - 特許庁

The inductively coupled plasma processing apparatus 1 includes a process chamber 2, a lower electrode 6 arranged in the process chamber 2, and an inductively coupled coil 4 for generating plasma in the process chamber 2.例文帳に追加

本発明の誘導結合プラズマ処理装置１は、処理室２、この処理室２内に配置された下部電極６、処理室２内にプラズマを発生させるための誘導結合コイル４を備えている。 - 特許庁

To provide an apparatus whose plasma processing performance is not decremented when first and second electrodes within a plasma chamber are connected respectively to a low-frequency RF power source and a high-frequency RF power source.例文帳に追加

プラズマチャンバ内の第１の電極および第２の電極がそれぞれ低周波数ＲＦ電源および高周波数ＲＦ電源に接続されても、プラズマ処理能力が低下しない装置を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor chip capable of both plasma-dicing and bonding with a die attach film, and also preventing the inside of a vacuum chamber for plasma processing from getting smeared.例文帳に追加

プラズマダイシングとダイアタッチフィルムによるボンディングを両立させることができ、併せてプラズマ処理用の真空チャンバ内の汚損も抑えることができる半導体チップの製造方法を提供する。 - 特許庁

To process with plasma a plurality of wafers, which are unprocessed substrates having solved the problem of contamination caused by static electricity due to charging of wafer surfaces after plasma processing.例文帳に追加

プラズマ処理後のウエーハ表面の帯電による静電気を原因とした汚染の問題を解決した非処理基板であるウエーハを複数枚一括してプラズマで処理する半導体製造装置を提供する。 - 特許庁

A high frequency voltage is applied between the electrode 2 and the metallic pallet 4 and gas is supplied between the workpiece 100 and the electrode 2 to generate plasma and apply plasma processing to the surface 101 of the work 100 to be processed.例文帳に追加

電極２、金属パレット４間に高周波電圧を印加しつつ、ワーク１００と電極２との間にガスを供給してプラズマを発生させ、ワーク１００の被処理面１０１をプラズマ処理する。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus capable of suppressing deterioration of a protective film caused by shedding and cracking of yttrium oxide particles, even when forming the protective film by a material containing yttrium oxide with high resistance to plasma.例文帳に追加

プラズマ耐性の高い酸化イットリウムを含む材料で保護膜を形成した場合でも、酸化イットリウム粒子の脱粒やクラックなどによる劣化を抑えることができるプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a batch type vacuum processing apparatus capable of efficiently performing surface processing such as removal of a natural oxide film of a wafer by using remote plasma processing process and capable of reducing deterioration in wafer yield, device loads and so on.例文帳に追加

遠隔プラズマ処理プロセス処理を用い、ウェハの自然酸化膜除去などの表面処理を効率的に行うことができ、ウェハの歩留り悪化や装置負担を軽減し得るバッチ式真空処理装置を提供する。 - 特許庁

A method for forming fine irregularities by applying blast processing to the surface or a method for substituting other atoms for a fluoric atoms to be the source of water repellent force by plasma processing is used as processing for reducing the water repellent property.例文帳に追加

撥液性の低下する処理については、表面にブラスト処理を施して微細な凹凸を形成する方法、またはプラズマ処理にて撥液力の元となるフッ素原子を他の原子に置換する方法等がある。 - 特許庁

When plasma is generated in the processing vessel 2 and processing gas or etching gas is introduced thereinto to etch the resist mask on the surface of the wafer, the uniform etching rates in the surface of the wafer can be carried out and uniform processing can be effected.例文帳に追加

処理容器２内にプラズマを発生させ、ここに処理ガスであるエッチングガスを導入してウエハ表面のレジストマスクをエッチングすると、ウエハの面内のエッチングレートが揃えられ、均一な処理を行うことができる。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus for performing easy electric discharge under the atmospheric pressure with the existence of nitrogen while enduring long-time streamer electric discharge to provide an object with wide-range uniform processing with low damage in a shorter processing time.例文帳に追加

大気圧・窒素中の放電が容易で、長時間のストリーマ放電に耐え、広範囲で均一な処理ができ、対象物に低ダメージの処理ができ、処理時間が短縮されたプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a substrate processing device increasing plasma excitation efficiency of a processing gas passing between electrodes to increase a film-deposition speed in the substrate processing device having at least a pair of electrodes.例文帳に追加

少なくとも一対の電極とを有する基板処理装置において、該電極間を通過する処理ガスのプラズマ励起効率を向上させ、成膜速度を向上させることのできる基板処理装置を提供する。 - 特許庁

If the plasma processing is stopped before reaching the setting time and thereafter the processing is resumed, a monitor 30 couples, in a waveform coupling unit 34, the light emission waveform stored in the waveform storage unit 33 with the light emission waveform in the resumed processing.例文帳に追加

モニタ３０は、設定時間に至る前にプラズマ処理が停止し、その後再処理をした場合、波形記憶部３３に記憶されている発光波形とこの再処理の発光波形とを波形結合部３４で結合する。 - 特許庁

A pressure control device 70 controls a pressure of processing gas in a processing chamber 90 of a plasma processing device 1, and comprises a detection part 20; an exhaust pipe 30; a control valve 40; and pressure control parts 42, 43.例文帳に追加

プラズマ処理装置１の処理室９０内における処理ガスの圧力を制御する圧力制御装置７０であって、検知部２０と、排気管３０と、調整弁４０と、圧力制御部４２、４３とを備える。 - 特許庁

The processing of the substrate is carried out in a plasma processing vessel in which a plasma is generated and controlled by a bias electric field between the substrate 21 mounted on the susceptor contained in the processing vessel and the side wall of the vessel to make higher the temperature at the center of the substrate 21 than that of the periphery.例文帳に追加

処理容器内にプラズマを生成し、処理容器内に収容されたサセプターに載置された基板２１と処理容器の側壁との間にバイアスの電界を形成することによりプラズマを制御し、基板２１の中心部の温度を周縁部の温度よりも高くして基板に対し処理を行う。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus with which a workpiece can be placed at an accurate position on a support member and the workpiece is supported on the support member in a correct attitude, and to provide a placing method for a tray in the plasma processing apparatus.例文帳に追加

処理対象物を支持部材上の正確な位置に載置して処理対象物を支持部材上に正しい姿勢で支持することができるようにしたプラズマ処理装置及びプラズマ処理装置におけるトレイの載置方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The plasma processing system 1 for processing the surface of an article 30 to be processed by discharging plasma between an applying side electrode part 40 and an earth side electrode part 42 disposed oppositely is provided with a plurality of applying side electrode parts 40.例文帳に追加

対向して配置された印加側電極部４０とアース側電極部４２の間にプラズマを放電させることによって被処理体３０の表面を処理するためのプラズマ処理装置１であり、印加側電極部４０を複数備えることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a safe and highly competitive plasma processing device making a low running cost compatible with high speed processing by generating stable plasma having a wide control range for a work distance under the atmospheric pressure, and giving no harm to peripheral apparatuses and a human body.例文帳に追加

大気圧下でワークディスタンスの制御範囲が広く安定したプラズマを発生させることで低ランニングコストと高速処理を両立し、更に周辺機器や人体に対する障害をなくした安全でコスト競争力の高いプラズマプロセス装置を提供すること - 特許庁

To provide a plasma processing device capable of processing of high quality under process conditions in wider ranges by fixedly retaining the distance between a plasma region and a substrate even in the case in which process conditions such as process pressure and high-frequency output are different.例文帳に追加

プロセス圧力または高周波出力等のプロセス条件が異なる場合においても、プラズマ領域と基板との距離を一定に保つことにより、より広範囲のプロセス条件下で高品質の処理を可能とするプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for enabling detection of foreign matters for the entire part of a substrate to be processed without influence of the reflected scattering light beam generated from the internal wall of a plasma processing chamber and also for monitoring contaminating condition of the internal wall of the plasma processing chamber.例文帳に追加

プラズマ処理室の内壁から発生する反射散乱光の影響を受けることなく、被処理基板全面にわたり異物検出が可能になると同時に、プラズマ処理室の内壁の汚染状況をモニタリングできる技術を提供することにある。 - 特許庁

To provide a method for treating with plasma by which the surface of a base material can be uniformly treated by metal ions with a constitution having high reliability and high maintenance performance when a treatment such as film deposition processing or doping processing of the surface of the base material using plasma is performed.例文帳に追加

プラズマを用いて基体表面の成膜加工やドーピング加工などの処理を行うに際し、信頼性やメンテナンス性が高い構成で、金属イオンによって、基体表面を均一に表面処理することが可能なプラズマ処理方法を提供すること。 - 特許庁

Moreover, changes of plasma conditions and wafer processing conditions generated by the process of the processing object 4 can be monitored also by providing a means for calculating the electric conductivity Rc of plasma using current and voltage measured with a sensor 7.例文帳に追加

また、センサー７で計測された電流と電圧とを用いてプラズマの電気伝導性Ｒｃを算出する手段を備えたことにより、処理対象物４が処理されることによって生じるプラズマ状態やウェハ処理状態の変化をモニタすることが可能となる。 - 特許庁

The insulating film processing device 34 while forming a water-free dry atmosphere in a processing container produces plasma from krypton gas and causes the plasma to collide against the surface of the substrate W to remove fluorine atoms exposed in the surface of the CF insulating film.例文帳に追加

絶縁膜処理装置３４では，処理容器内を水分を含まない乾燥雰囲気に維持しながら，クリプトンガスからプラズマを生成し，当該プラズマを基板Ｗの表面に衝突させて，ＣＦ絶縁膜の表面に露出しているフッ素原子を離脱させる。 - 特許庁

To provide a laserprocessing method and device which not only decreases the cutting speed and stops the shaft but also positively prevent generation of plasma rays and eliminate a promptly defective cutting in a defective cutting due to generation of plasma rays in a laser processing device performing a laser processing on a work W with high pressure assist gas.例文帳に追加

高圧アシストガスで加工するレ−ザ加工において、プラズマ光発生による不良切断時に、単に切断速度を低下したり、軸を停止するのでなく、能動的にプラズマ光の発生を抑制して即座に不良切断をなくするようにする。 - 特許庁

To achieve a high aspect ratio and microfabrication of an uneven structure by improving a PR selection ratio in substrate plasma processing for forming, on a surface of a sapphire substrate, the uneven structure corresponding to a mask pattern by executing the plasma processing on the sapphire substrate on which the mask pattern is arranged.例文帳に追加

マスクパターンが配置されたサファイア基板に対して、プラズマ処理を行い、サファイア基板の表面にマスクパターンに応じた凹凸構造を形成する基板のプラズマ処理において、ＰＲ選択比を向上させて、凹凸構造の高アスペクト比化や微細化を実現する。 - 特許庁

The plasma processing device guides the microwaves M transmited inside a wave guide 3 from first and second slot antennas provided to a magnetic field surface H, forms a surface wave S, produces surface wave excitated plasma P by exciting process gas inside a chamber 4 by the surface wave S and processes a processing object by the plasma P.例文帳に追加

プラズマ処理装置は、導波管２内を伝播するマイクロ波Ｍを磁界面Ｈに設けられた第１および第２のスロットアンテナからマイクロ波導入窓３に導き、表面波Ｓを形成し、表面波Ｓによってチャンバー４内のプロセスガスを励起して表面波励起プラズマＰを生成し、このプラズマＰにより被処理物を処理する。 - 特許庁

The plasma processing method is used to form a silicon nitride film for a substrate 21 to be subjected to plasma processing by applying plasma of raw material gas containing silicon and hydrogen and a nitrogen containing gas, wherein a bias power for ion injection onto the substrate 21 is set higher than a threshold level, so that the increased Si-H coupling can reduce the compression stress.例文帳に追加

シリコン及び水素を含有する原料ガスと窒素を含有するガスとのプラズマにより、プラズマ処理対象の基板２１に対して窒化シリコン膜を成長させるプラズマ処理方法において、前記基板２１にイオン入射させるバイアスパワーを閾値以上にすることでＳｉ−Ｈ結合量を増加させて圧縮応力を低減させた。 - 特許庁

A plasma etching device includes a processing vessel 100 for subjecting a wafer W to plasma processing in the inside thereof; an upper electrode 105 and a lower electrode 110, facing each other inside of the processing vessel 100 for forming a processing space between them; and a high-frequency power source 150 connected to at least either of the upper electrode 105 and the lower electrode 110 for outputting high-frequency power to the inside of the processing vessel 100.例文帳に追加

プラズマエッチング装置は、内部にてウエハＷをプラズマ処理する処理容器１００と、処理容器１００の内部にて互いに対向し、その間に処理空間を形成する上部電極１０５及び下部電極１１０と、上部電極１０５及び下部電極１１０の少なくともいずれかに接続され、処理容器１００の内部に高周波電力を出力する高周波電源１５０と、を有する。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus for realizing monitoring of the suitable wafer processing conditions by accurately separating the data for each wafer which changes in accordance with the processing conditions of a processing object 4 as a thin film device such as semiconductor and liquid crystal.例文帳に追加

半導体や液晶などの薄膜デバイスである処理対象物４の処理状態に伴って変化する計測データを、１枚のウェハ毎に確実にデータを分離し、好適なウェハ処理状態の監視を実現するプラズマ処理装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

Alternatively, the inkjet recording device has a processing unit for conducting the wetness improving process selected from the group consisting of the plasma processing, the corona processing and the frame processing, and a linear type ink head having linearly the ultraviolet curing type ink head and an ultraviolet irradiating unit.例文帳に追加

また、プラズマ処理、コロナ処理、フレーム処理よりなる群から選択される濡れ性向上化処理を行う処理装置、紫外線硬化型インクヘッドおよび紫外線照射装置を直線状に有する直線式インクヘッドを備えたインクジェット記録装置である。 - 特許庁