「plasma-processing」に関連した英語例文の一覧と使い方(47ページ目) - Weblio英語例文検索

To supply gas at a specified rate of flow stably into a reaction chamber, in a semiconductor manufacturing device which performs processing making use of a plasma.例文帳に追加

プラズマを利用した処理を行なう半導体製造装置において、反応室内に所望の流量のガスを安定して供給する。 - 特許庁

To provide a method for plasma processing in a semiconductor substrate, capable of effectively cleaning on a lower electrode or around the lower electrode.例文帳に追加

下部電極上あるいは下部電極周辺のクリーニングを効率的に行うことができる半導体基板のプラズマ処理方法を提供する。 - 特許庁

According to an embodiment, the plasma processing apparatus includes a first electrode, a second electrode, a dielectric member, and a relative permittivity control unit.例文帳に追加

実施形態によれば、第１電極と、第２電極と、誘電体部材と、比誘電率制御部と、を備えたプラズマ処理装置が提供される。 - 特許庁

The substrate electrode 11 of a plasma processing unit comprises a parent material 22 of aluminum, and an oxidation film 23 formed thereon.例文帳に追加

プラズマ処理装置の基板電極１１は、アルミニウムからなる母材２２と、この母材２２の表面に形成された酸化皮膜２３とを備える。 - 特許庁

A metal film 104 having a barrier film 106 is subject to an oxygen plasma processing to form an oxide film 110 on the surface of the barrie film 107.例文帳に追加

バリヤー膜１０６を有する金属膜１０４に対して酸素プラズマ処理を行い、バリヤー膜表面に酸化物膜１１０を形成する。 - 特許庁

To cool a tray with high efficiency in a plasma processing apparatus which arranges the tray housing a substrate in a substrate housing hole on a substrate susceptor.例文帳に追加

基板収容孔に基板を収容したトレイを基板サセプタ上に配置するプラズマ処理装置において、トレイを高効率で冷却する。 - 特許庁

Uniform plasma thus generated is jetted from one end of the tubular container and the surface of an article to be processed is processed uniformly at a high processing rate.例文帳に追加

得られた均一なプラズマは筒状容器の一端から噴射され、被処理物の表面を高処理速度で均一に表面処理する。 - 特許庁

To provide a plasma processing method capable of reducing sparse and dense micro-loading in a pattern where the dense space width is 20 nm or less.例文帳に追加

本発明は、密部スペース幅２０ｎｍ以下のパターンにおいて、疎密マイクロローディングの低減を可能とするプラズマ処理方法を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma-processing apparatus capable of controlling an abnormal discharge produced between an insulating plate and a supporting frame component for supporting the insulating plate.例文帳に追加

絶縁板とこれを支持する支持枠部材との間の異常放電の発生を抑制することができるプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

The substrate processing apparatus includes a processing chamber 1 having a substrate supporting part for supporting a member 18 to be etched and a substrate, a gas supply unit for supplying halogen gas so as to allow the member to be etched in the processing chamber to be exposed therewith, a plasma generation unit for making the supplied gas in a plasma state, and a power source for applying the DC current to a solid metal as the member to be etched.例文帳に追加

被エッチング部材１８及び基板を支持する基板支持部を有する処理室１と、前記処理室内の前記被エッチング部材にハロゲンガスを晒すように供給するガス供給部と、前記供給されたガスをプラズマ状態とするプラズマ生成部と、前記被エッチング部材である固体金属に直流電流を印加する電源とを有する。 - 特許庁

An exhaust ring 126 is disposed around the lower electrode 122 to section the interior of the processing chamber 100 into a plasma processing space 102 and an exhaust space 104 wherein the exhaust ring 126 is provided with through holes 126a and stop holes 126b, smaller in number than the through holes 126a, and opening to the plasma processing space 102 side.例文帳に追加

下部電極１２２の周囲には，処理室１００内のプラズマ処理空間１０２と排気空間１０４とを区画するように排気リング１２６が配されており，排気リング１２６には貫通孔１２６ａと，貫通孔１２６ａより少数であり，かつ，プラズマ処理空間１０２側に開口する止り孔１２６ｂが形成されている。 - 特許庁

This ageing processing method of the plasma display panel can accurately determine finishing time of ageing processing, and is composed of a step of starting the ageing processing by supplying source voltage to the plasma display panel, and a step of determining ageing finishing time by a change in a current waveform by monitoring the change in the current waveform impressed on the panel.例文帳に追加

エージング処理の終了時点を正確に決定し得るプラズマディスプレイパネルのエージング処理方法に係るもので、プラズマディスプレイパネルに電源電圧を供給することで、エージング処理を開始する段階と、パネルに印加される電流波形の変化を監視して電流波形の変化によってエージング終了時点を判断する段階とからなる。 - 特許庁

To avoid the facilities from becoming enormous, when a plurality of types of surface processes are effected by a plasma surface processor, in which a semiconductor substrate such as a silicon wafer, etc., fed into a core chamber is mounted in the surface processor of a plasma processing unit connected to this core chamber via a gate value, and the surface processing is effected by plasma therein.例文帳に追加

コアチャンバー１内に送り込んだシリコンウエハー等の半導体基板８を、このコアチャンバー１にゲート弁３を介して接続したプラズマ処理ユニット２の表面処理室２ａ内に装填して、ここでプラズマによる表面処理を行うようにしたプラズマ表面処理装置において、この装置によって複数種類の表面処理を行う場合に設備が膨大になることを回避する。 - 特許庁

Furthermore, by using the plasma processing device 100, processing gas containing rare gas and oxygen is introduced into the chamber 1 and a microwave is introduced by the flat antenna 31, plasma is generated under pressure conditions in the range of 6.7-267 Pa and the insulating film is modified by the plasma (step S6).例文帳に追加

この酸化珪素膜上にＣＶＤ法により絶縁膜としての酸化珪素膜を成膜し（ステップＳ４）、さらに、プラズマ処理装置１００を用い、チャンバ１内に希ガスと酸素を含む処理ガスを導入するとともに平面アンテナ３１によりマイクロ波を導入し、６．７Ｐａ以上２６７Ｐａ以下の範囲内の圧力条件でプラズマを発生させ、該プラズマにより、絶縁膜を改質する（ステップＳ６）。 - 特許庁

The plasma processing apparatus generates a plasma-generated object from a process gas using plasma excited by microwave and processes a workpiece, and is characterized by a microwave transmission member for introducing microwave to a region wherein the plasma is excited, and a thickness detection means to detect the thickness of the microwave transmission member directly.例文帳に追加

マイクロ波により励起させたプラズマを用いてプロセスガスからプラズマ生成物を生成し、被処理物の処理を行うプラズマ処理装置であって、前記プラズマが励起される領域にマイクロ波を導入するためのマイクロ波透過部材と、前記マイクロ波透過部材の厚み寸法を直接検出する厚み検出手段と、を備えることを特徴とするプラズマ処理装置が提供される。 - 特許庁

A plasma is generated by applying high frequency electric power to a processing gas supplied into a reaction chamber S, and a film is formed on a substrate 7 held in the reaction chamber S using the plasma, The plasma is generated under such conditions that may easily cause plasma discharging, and then the conditions are changed to such ones required for film formation to form the film.例文帳に追加

反応室Ｓ内に導入した処理ガスに高周波電力を印加することでプラズマを生成し、該生成したプラズマを利用することで、反応室Ｓ内に保持した基板７に成膜処理を施す半導体製造方法において、予めプラズマ放電し易い条件下でプラズマを生成し、その後、成膜に必要な条件に変更して成膜を行う。 - 特許庁

For plasma cleaning in the processing container 10 in which a semiconductor wafer W is absent, a control unit 68 controls the first high-frequency power source 32 so that a first high frequency contributing to plasma generation alternates between a first period having a first amplitude for generating plasma and a second period having a second amplitude for substantially not generating the plasma in predetermined cycles.例文帳に追加

制御部６８は、半導体ウエハＷの無い処理容器１０内で行われるプラズマクリーニングに際して、プラズマ生成に寄与する第１の高周波が、プラズマを生成させる第１の振幅を有する第１の期間と、プラズマを実質的に生成させない第２の振幅を有する第２の期間とを所定の周期で交互に繰り返すように、第１高周波電源３２を制御する。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus having a cathode electrode provided with a plurality of recesses or exhaust holes in which plasma is generated only in the vicinity of the cathode electrode and generation of plasma is minimized in the vicinity of a substrate, unnecessary substance is prevented from being mixed into a film, and plasma can be generated uniformly in all recesses or exhaust holes of the cathode electrode.例文帳に追加

複数の凹部または複数の排気孔を設けたカソード電極を備えるプラズマ処理装置において、カソード電極の近傍のみにプラズマを発生させて基板近傍のプラズマ発生を抑制し、膜中への不要物質の混入を防ぐとともに、カソード電極の全ての凹部または全ての排気孔に均一にプラズマを生成することができるプラズマ処理装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a plasma processing device which can apply a chamfering processing on the corner of an edge part of a workpiece individually and efficiently even if a small workpiece such as a crystal vibration chip is used.例文帳に追加

水晶振動片のような小型のワークを用いた場合であっても、ワークの縁部の角に面取り加工を個別にかつ効率的に施すことができるプラズマ処理装置を提供すること。 - 特許庁

The deposition shield 14 improved for surrounding a processing space 12 of the plasma processing system includes a cylindrical body having: an inner surface 82; an outer surface 84; an upper end face 86; and a lower end face 88.例文帳に追加

プラズマ処理システムの処理空間１２を包囲するための改良された堆積シールド１４は、内面８２、外面８４、上端面８６、及び下端面８８を有する円筒体を具備する。 - 特許庁

To provide a method of processing while monitoring the state of deposits on an inner wall of a processing chamber, the inside of plasma, or the like in real time and managing at all times in order to manufacture a semiconductor device stably and efficiently.例文帳に追加

半導体装置の製造を安定して効率よく行うため、処理室内壁の堆積物の状態やプラズマ内部をリアルタイムでモニタを行い、常時管理しながら処理する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method and device for plasma processing capable of reducing contamination and dust generated by metallic parts constituting a gas feeding means and improving the uniformity of processing by evenly feeding the gas.例文帳に追加

ガス供給手段を構成する金属部品による汚染、ダスト発生を低減でき、かつ均一なガス供給により処理性能の均一性を向上できるプラズマ処理方法及び装置を提供する。 - 特許庁

The plasma process apparatus is equipped with a processing chamber 5, a gas intake 7 which introduces material gas into the processing chamber 5, discharge electrodes 2a and 2b, and an AC power source 1 with a plurality of terminals.例文帳に追加

プラズマプロセス装置は、処理室５と、処理室５内に材料ガスを導入するためのガス導入口６と、複数の放電電極２ａ，２ｂと、複数の端子を有する交流電源１とを備える。 - 特許庁

To provide a plasma processing method and a device capable of realizing a high accuracy of form and roughness of a processed surface in processing of an optical component or a die of a complicated shape such as a free-form surface.例文帳に追加

自由曲面のような複雑形状の光学部品や金型の加工などにおいて、高精度の形状精度、加工面粗さを実現できるプラズマ加工方法及び装置を提供する。 - 特許庁

To optimize the path of a high-frequency current and to improve electric power consumption efficiency, in a plasma processing apparatus of a type for supplying high-frequency biasing power to a mounting stage for mounting a processing object thereon.例文帳に追加

被処理体を載置する載置台にバイアス用の高周波電力を供給する方式のプラズマ処理装置において、高周波電流の経路を適正化して電力消費効率を向上させる。 - 特許庁

A glass workpiece 32 is dechucked from a monopolar electrostatic chuck by gradually reducing the chucking voltage during processing while maintaining the voltage high enough to clamp the workpiece in a plasma processing chamber.例文帳に追加

プラズマ加工チャンバ中でガラス工作物３２を締め付けるために十分に高い電圧を維持しながら加工中にチャッキング電圧を徐々に下げることによってモノポーラ静電チャックからデチャッキングされる。 - 特許庁

Moisture and/or inert gas is added to process gas in a surface processing method where the surfaces of the processed member are subjected to plasma processing in the presence of process gas in a chamber.例文帳に追加

プロセスガスの存在下のチャンバ内で被処理部材の各面をプラズマ処理にて加工する表面処理方法において、上記プロセスガスに水分及び不活性ガスのうち少なくともいずれかをを添加する。 - 特許庁

When a film is deposited on a substrate by generating plasma between electrodes in a processing chamber, an unnecessary film is deposited on the part in the processing chamber other than the substrate, including a shower plate 2 constituting one electrode.例文帳に追加

処理室内の電極間にプラズマを発生させて基板に成膜を行うと、一方の電極を構成するシャワー板２を含む、処理室内の基板以外の部分に不要な膜が堆積する。 - 特許庁

When manufacturing the TFT substrate 1, as processing for reducing the resistance of the auxiliary capacitor semiconductor layer 17, plasma processing is performed after forming a passivation layer 20 and before forming a pixel electrode 21.例文帳に追加

ＴＦＴ基板１を製造するときには、補助容量半導体層１７を低抵抗化する処理として、パシベーション層２０を形成した後で絵素電極２１を形成する前にプラズマ処理を行う。 - 特許庁

To provide a substrate processing apparatus and method, in which deterioration of discharging electrodes for exciting a processing gas into plasma is prevented or suppressed, thereby service life of the discharging electrodes are improved.例文帳に追加

処理ガスをプラズマ励起させるための放電電極の変質を防止または抑制し、放電電極の寿命向上を図ることができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。 - 特許庁

The metal surface is directly phase-transformed into a modified layer containing more ceramic particles with the ion beam implantation, or high-speed electron beam irradiation as the pretreatment, and the plasma processing as the main processing.例文帳に追加

イオンビーム注入、或いは、高速電子線照射を前処理とし、プラズマプロセッシングを主加工として、金属直面を直接的にセラミックス粒子を多く含む改質層に相変態させる加工法。 - 特許庁

While the temperature of the internal wall of the vacuum processing container 1 is set higher than that of a processed base body 2 during the RIE processing, the deposited film formed on the internal wall of the vacuum container 1 during the IRE processing is removed by plasma.例文帳に追加

真空処理容器１の内壁の温度を、ＲＩＥ加工時の被処理基体２の温度よりも高い温度に設定した状態で、ＲＩＥ加工時に真空処理容器１の内壁に形成された堆積膜をプラズマにより除去する。 - 特許庁

Film forming (forming) of a thin film by etching-processing, ashing-processing, and a plasma CVD-processing the subject to be treated or a surface of the subject to be treated is achieved by moving a relative position of the first and second electrodes and the subject to be treated.例文帳に追加

そして、前記第１及び前記第２の電極と、前記被処理物との相対位置を移動して、前記被処理物又は前記被処理物の表面にエッチング処理、アッシング処理、プラズマＣＶＤ法による薄膜の成膜（形成）を行う。 - 特許庁

To provide a plasma processing device which mixes a first material gas and a second material gas together, and supplies the mixed gas to a processing object substrate capable of supplying the mixed gas uniformly to the processing object substrate in a large area.例文帳に追加

第１原料ガスと第２原料ガスとを混合させて処理対象基板に供給するプラズマ処理装置であって、処理対象基板に、大きな面積で均一に混合ガスを供給することを可能とするプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a discharge plasma processing method capable of realizing a stable discharge state under an atmospheric pressure using a simple device, and carrying out processing with a small amount of processing gas in a peeling process in a semiconductor manufacturing process.例文帳に追加

半導体製造工程における剥離工程において、大気圧条件下で安定した放電状態を実現させることができ、簡便な装置かつ、少量の処理用ガスで処理の可能な放電プラズマ処理方法及びその装置を提供。 - 特許庁

The vapor deposition mask return passage 75 is provided with a plasma processing apparatus, and the plasma irradiation to the vapor deposition masks 40 in the vapor deposition mask return passage 75 removes organic matters deposited on the vapor deposition masks 40.例文帳に追加

蒸着マスク返却路７５にはプラズマ処理装置が設けられており、蒸着マスク返却路７５において蒸着マスク４０にプラズマを照射することにより、蒸着マスク４０に付着した有機物を除去する。 - 特許庁

To provide a dry etching device which is capable of keeping a plasma environment more uniform than usual and enables a plasma expansion ring arranged in a processing chamber to be easily replaced and to lengthen its service life, and to provide a semiconductor device manufacturing method and an Si ring.例文帳に追加

より均一なプラズマ環境を維持でき、処理室内に配されるプラズマ拡張用のリングの交換容易性、長寿命化対策が得られるドライエッチング装置及び半導体装置の製造方法、Ｓｉリングを提供する。 - 特許庁

In an inductively coupled plasma processing apparatus, an RF antenna 54 provided on a dielectric window 52 for generating inductively coupled plasma is radially divided into an inner coil 58, an intermediate coil 60, and an outer coil 62.例文帳に追加

この誘導結合型プラズマ処理装置においては、誘導結合プラズマを生成するために誘電体窓５２の上に設けられるＲＦアンテナ５４が径方向で内側コイル５８、中間コイル６０および外側コイル６２に分割されている。 - 特許庁

The plasma CVD apparatus 1 comprises a processing chamber 11, wherein a processed substrate 10 is set up, a gas supply 16a, a gas pressure controller 16b, and a plasma discharge generator 13 which is so arranged as to face the processed substrate 10.例文帳に追加

プラズマＣＶＤ装置１は、被処理基板１０が装入される処理室１１と、ガス供給部１６ａと、ガス圧調整部１６ｂと、被処理基板１０に対向位置するように設けられたプラズマ放電発生部１３とを有する。 - 特許庁

The reactive gas containing a polymeric monomer is blown out from a nozzle 14 of a plasma processing apparatus 10, put into contact with a transparent film 9 to be treated, and plasma generated under a pressure close to an atmospheric one is applied to the transparent film 9.例文帳に追加

プラズマ処理装置１０のノズル１４から重合性モノマーを含有する反応ガスを吹き出して、透明な被処理フィルム９に接触させ、かつ被処理フィルム９に大気圧近傍下で生成したプラズマを照射する。 - 特許庁

When the wafer 10 is subjected to plasma process in this state, the wafer 10 and tray 11 are both cooled during the plasma processing, so that the wafer 10 is unlikely to have a temperature difference between a center part and an outer peripheral part thereof, thereby improving uniformity of etching.例文帳に追加

この状態でウエハ１０をプラズマ処理すれば、プラズマ処理中にウエハ１０とトレイ１１の両方が冷却されるため、ウエハ１０の中心部と外周部で温度差が生じにくくエッチングの均一性が向上する。 - 特許庁

In the manufacturing method of the copper damascine multilayer wiring in a semiconductor integrated circuit device, heating at 300-400°C is executed in a reductive gas atmosphere or plasma annealing is executed in a reductive gas plasma atmosphere after oxidation processing is executed on the surface of the copper.例文帳に追加

半導体集積回路装置における銅ダマシン多層配線の形成方法であって、銅表面の酸化処理を行った後に、還元性ガス雰囲気にて300〜400℃の加熱あるいは還元性ガスプラズマ雰囲気にてプラズマアニールを行う。 - 特許庁

In this plasma processing apparatus, high frequency power applied to a high frequency applying electrode 2 is cyclically turned ON/OFF and turned to an intermittent pulse shape, the excitation strength of a plasma 7 is changed with time, and the generation of the powder is suppressed.例文帳に追加

プラズマ処理装置において、高周波印加電極２に印加される高周波電力を周期的にオン・オフさせて間欠的なパルス状とし、プラズマ７の励起強度を時間的に変化させてパウダーの発生を抑制する。 - 特許庁

This plasma apparatus includes particle removing electrodes 40 consisting of a negative voltage-applied conductor around a processing electrode 20 in a vacuum treatment chamber 10 of the plasma apparatus and a thin surface insulator for covering the surface of the conductor.例文帳に追加

プラズマ装置の真空処理室１０内の加工電極２０の周囲に、負の電圧が印加される導電体と、当該導電体の表面を覆う薄い表面絶縁物とからなるパーティクル除去電極４０を配置する。 - 特許庁

To provide a plasma processing device that can prevent deterioration due to abrasion and formation of particles by preventing members which sections and forms a plasma generation space from coming into direct frictional contact with each other when expanding/contracting.例文帳に追加

プラズマ生成空間を区画形成する部材同士がそれぞれ膨張・収縮の際に直接に摩擦接触させるのを防止して摩耗による劣化及びパーティクルの発生を防止することができるプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁