「plasma-processing」に関連した英語例文の一覧と使い方(42ページ目) - Weblio英語例文検索

When a high frequency power is supplied to a lower electrode 104 for plasma generation after the internal pressure of the chamber 104 reaches the initial pressure, the pressure dropped after the plasma generation becomes substantially equal to the processing pressure, and thus stable plasma can be realized.例文帳に追加

処理室１０４内圧力が初期圧力値に達した後，下部電極１０４に高周波電力を印加してプラズマを生成すれば，プラズマ生成後に低下した圧力と処理圧力とが実質的に同一になり，安定したプラズマが生成される。 - 特許庁

A charged particle beam apparatus is configured so that a plasma gas supply source and an electrode connected to a plasma power supply can be installed in the vicinity of a desired region inside the charged particle apparatus to realize local plasma processing and composite functions such as inspection, analysis, and microfabrication by a charged particle beam.例文帳に追加

荷電粒子線装置内にプラズマのガス供給源とプラズマ電源に繋がった電極を所望領域近傍に設置できる構成とし、局所的なプラズマ加工と荷電粒子線による検査、解析、微細加工等の複合機能を実現する。 - 特許庁

To provide a striker type plasma generation apparatus for generating higher-quality plasma while utilizing a target material to a maximum by stabilizing the contacting operation of a striker over a long period, and to provide a plasma processing apparatus using the same.例文帳に追加

ストライカによる接触作用を長期に亘って安定的に行わせて、ターゲット材料を最大限に利用可能にし、且つ生成プラズマの高品質化を実現することのできるストライカ式プラズマ発生装置及びそれを用いたプラズマ処理装置を提供することである。 - 特許庁

A first gas feeding port 40 for exciting the plasma is provided in the inner peripheral surface of the processing container 2, and a gas feeding structure 50 for exciting the plasma which has a second gas feeding port 53 for exciting the plasma is provided on the top surface of the raw-material-gas feeding structure 30.例文帳に追加

処理容器２の内周面に，第１のプラズマ励起用ガス供給口４０を設け，原料ガス供給構造体３０の上面に第２のプラズマ励起用ガス供給口５３を備えたプラズマ励起用ガス供給構造体５０を設ける。 - 特許庁

In the plasma processing system employing an electrostatic suction unit 1, a semiconductor substrate 4 is charged negatively by applying a minus voltage to a suction electrode 2 which has been applied with a plus voltage before a plasma 5 disappears and then the plasma is extinguished.例文帳に追加

静電吸着装置１を備えたプラズマ処理装置において、プラズマ５を消失する前にプラスの電圧を印加していた吸着用電極２にマイナスの電圧を印加することにより、半導体基板４をマイナスに帯電させ、その後プラズマを消失させる。 - 特許庁

To provide a plasma generator used in processing a workpiece such as reforming of a substrate in which a plurality of plasma generating nozzles are installed on a waveguide and uniform plasma is obtained in coping with a plurality of the workpieces to be treated or works with large area.例文帳に追加

基板の改質等、ワークの処理などに使用されるプラズマ発生装置において、導波管にプラズマ発生ノズルが複数個取付けられ、複数の被処理ワークや大面積の被処理ワークの処理などに対応するにあたって、均一のプルームを得るようにする。 - 特許庁

A substrate 1 on which a flip chip 11 is loaded via bumps is housed in a casing 34 of a plasma processing apparatus 30, and a plasma- generating gas is supplied to the inside of the casing 34 with pressure ranging 200 [pa]-800 [pa] to generate plasma discharge.例文帳に追加

フリップチップ１１をバンプを介在させて搭載した基板１をプラズマ処理装置３０のケーシング３４に収納し、このケーシング３４内に圧力が２００［ｐａ］〜８００［ｐａ］の範囲のプラズマ発生用ガスを供給してプラズマ放電を発生させる。 - 特許庁

To provide a method and a device of processing plasma that reduce foreign matter on a backside and scarcely transfer the foreign matter from a loading base to a wafer.例文帳に追加

裏面異物を低減し、ウェハに対する載置台からの異物転写の少ない、プラズマ処理方法及び装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a plasma display panel in which processing capacity per unit time can be maintained while minimizing cracking of a substrate.例文帳に追加

基板割れを抑制しつつ、単位時間あたりの処理能力を維持できるプラズマディスプレイパネルの製造方法を提供する。 - 特許庁

The surface wave excited plasma processing device 100 is provided with a shower plate 10 for introducing material gases into a chamber.例文帳に追加

表面波励起プラズマ処理装置１００には、チャンバ内へ材料ガスを導入するためのシャワープレート１０が設けられている。 - 特許庁

After the plasma processing, the active layer wafer and the support substrate wafer are laminated, and the active layer wafer is exfoliated through thermal treatment.例文帳に追加

プラズマ処理後、活性層用ウェーハと支持基板用ウェーハを貼り合わせ、熱処理により活性層用ウェーハを剥離させる。 - 特許庁

To provide a gas discharge structure and a device and a method for plasma processing which enable uniform gas discharge and have improved maintainability.例文帳に追加

均一な排気を可能とすると共に、メンテナンス性を向上させた排気構造、プラズマ処理装置及び方法を提供する。 - 特許庁

To provide an etching method that controls the tapered shape of projections regardless of the shape of a resist film, and also to provide a plasma processing apparatus.例文帳に追加

レジスト膜の形状に関係なく凸部のテーパ形状を制御できるエッチング方法及びプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide an ultra precise processing method using plasma which can process the surface of a work with high efficiency.例文帳に追加

被加工物表面を高能率に加工することができるプラズマによる超精密加工方法及びその装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method and an apparatus for plasma processing by means of a vacuum arc discharge which controls the generation of a droplet.例文帳に追加

ドロップレットの発生を抑制した真空アーク放電によるプラズマ加工方法及びプラズマ加工装置を提供することである。 - 特許庁

Surface of the solder resist layer 408 is modified by plasma processing selecting specific conditions to form a micro protrusion group.例文帳に追加

ソルダーレジスト層４０８の表面を特定の条件を選択したプラズマ処理により改質し、微小突起群を形成する。 - 特許庁

To alleviate maintenance of a microwave generating device of a plasma generating device used for processing of a work such as reforming of a substrate.例文帳に追加

基板の改質等、ワークの処理などに使用されるプラズマ発生装置において、マイクロ波発生装置のメンテナンスを軽減する。 - 特許庁

To provide an automatic matching device for a plasma processing device that effectively suppresses hunting without causing a decrease in matching speed.例文帳に追加

整合速度低下を招く事なくハンチングを効果的に抑制できるプラズマ処理装置用自動整合装置を提供する。 - 特許庁

By forming them like that, this lighting stabilizing processing device can deal with the PDPs (plasma display panels) having the variety of sizes, and can simply be attached.例文帳に追加

このように構成することで、ＰＤＰ（プラズマディスプレイパネル）の多種サイズに対応でき、かつ簡易に取り付けることができる。 - 特許庁

To provide a gas supply member which can feed a gas into a chamber without allowing it to stay, and to provide a plasma processing apparatus.例文帳に追加

ガスを滞留させることなくチャンバ内に供給することができるガス供給部材及びプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

ELECTRONIC DEVICE, ITS MANUFACTURING METHOD, STRUCTURAL BODY OF SEALING FILM, MANUFACTURING DEVICE FOR MANUFACTURING ELECTRONIC DEVICE, AND PLASMA PROCESSING DEVICE例文帳に追加

電子デバイス、電子デバイスの製造方法、封止膜の構造体、電子デバイスを製造する製造装置およびプラズマ処理装置 - 特許庁

Then, the metal wiring is exposed to an inert gas plasma in the same processing apparatus in which a vacuum state in this dry etching step is maintained.例文帳に追加

次に、このドライエッチング工程における真空の状態が維持される同一処理装置内で、不活性ガスプラズマに晒す。 - 特許庁

The second supply means 46 supplies a second process gas for plasma processing into the cavity 40a of the dielectric member 40.例文帳に追加

第２の供給手段４６は、誘電体部材４０の空洞４０ａ内にプラズマ処理用の第２のプロセスガスを供給する。 - 特許庁

In one embodiment of the method, a plasma is formed in a substrate processing chamber to etch a wafer in the chamber.例文帳に追加

本発明の方法の一実施形態は、基板処理チャンバ内でプラズマを形成して、チャンバ内に配置されたウェハをエッチングする。 - 特許庁

An output unit 36 outputs the result that the plasma processing has reached the endpoint, to a high frequency power source 12 of an etching device 10.例文帳に追加

出力部３６は、プラズマ処理がエンドポイントに至ったことをエッチング装置１０の高周波電源１２に出力する。 - 特許庁

The second plasma processing step is performed after raising the tray up to a position where the by-product is suppressed from adhering to the substrate holding portion.例文帳に追加

第２プラズマ処理工程は、副生成物の基板保持部への付着を抑制する位置までトレイを上昇させて行う。 - 特許庁

To reduce a reaction gas remaining in a chamber, after ending a plasma processing using a rotary electrode.例文帳に追加

回転電極を用いたプラズマ処理において、プラズマ処理終了後にチャンバ内に残存する反応ガスを低減することができる。 - 特許庁

To allow a user to easily replace only a surface portion of a stage electrode of a plasma processing apparatus when the surface is damaged.例文帳に追加

プラズマ処理装置のステージ電極の表面が損傷したとき、上記表面部分だけを容易に交換できるようにする。 - 特許庁

To facilitate starting of a high frequency discharge with a simple method at a low cost in a plasma processing, and to maintain the stability of the discharge.例文帳に追加

プラズマプロセッシングにおいて簡易かつ低コストで高周波放電の開始を容易にして放電を安定に維持すること。 - 特許庁

To save procedures and frequencies required for maintenance of a plasma processing apparatus and also improve operation efficiency of the same.例文帳に追加

プラズマ処理装置のメンテナンスに掛かる手間及び頻度を削減すると共にプラズマ処理装置の稼働効率の向上を図る。 - 特許庁

To provide an electrode of a remote type discharge plasma processing device of which, deflection at charging is eliminated.例文帳に追加

リモート方式の放電プラズマ処理装置に用いられる放電電極において、放電時における電極本体の撓みをなくす。 - 特許庁

To provide a multiple-electrode plasma processing system capable of improving process uniformity over whole areas of a plurality of printed circuit boards.例文帳に追加

複数のプリント配線基板の全面領域にわたって処理の均一性を改善できる多電極プラズマ処理システムの提供。 - 特許庁

When the thin film is formed on a substrate using a plasma processing, a partial pressure of material gas is set in 3 Torr or higher.例文帳に追加

プラズマ処理装置により基板上に薄膜を形成する際に、原料ガスの分圧を３Ｔｏｒｒ以上に設定する。 - 特許庁

Furthermore, the plasma processing system comprises an upper high-frequency electrode 14, a lower high-frequency electrode 12, and a plurality of ring-magnets 26.例文帳に追加

さらにプラズマ処理装置は、上部高周波電極１４、下部高周波電極１２、複数のリングマグネット２６を備える。 - 特許庁

To provide a stage structure of a normal-pressure plasma processing apparatus capable of dealing with substrates of different sizes while dealing with upsizing of a substrate.例文帳に追加

基板の大型化に対応しつつ、異なるサイズの基板に対応可能な常圧プラズマ処理装置のステージ構造を提供する。 - 特許庁

To suppress irradiation of light emitted from a plasma source on a processed object and photograph stably a processing point of the processed object.例文帳に追加

プラズマ源から放射される光が被加工物に照射されるのを抑制し、被加工物の加工点を安定して撮像する。 - 特許庁

The silicon oxide film 106 and the silicon nitride film 107 are formed by microwave plasma processing using a radial line slot antenna.例文帳に追加

シリコン酸化膜１０６およびシリコン窒化膜１０７は、ラジアルラインスロットアンテナを用いたマイクロ波プラズマ処理によって形成される。 - 特許庁

To provide a radio frequency (RF) generator apparatus for a plasma processing system that is resistant to nonlinear load mismatch conditions.例文帳に追加

非線形負荷不整合状態に抵抗力のあるプラズマ処理システム用無線周波数（ＲＦ）発生器装置を提供する。 - 特許庁

The plasma processing apparatus 1 is also provided with rotating rollers 7 arranged in the extending parts 9 to carry the glass substrate 12.例文帳に追加

プラズマ処理装置１は、延長部９に設けられ、ガラス基板１２の搬送を行なうための回転ローラー７をさらに備える。 - 特許庁

Removing process is progressed through reaction of cleaning gas plasma (F*: fluorine radical) and a deposited substance within the processing chamber 1 (substance to be cleaned).例文帳に追加

クリーニングガスのプラズマ（Ｆ＊：フッ素ラジカル）と処理チャンバ１内の堆積物（被クリーニング物）とが反応して除去処理が進行する。 - 特許庁

PLASMA PROCESSING APPARATUS AND METHOD, GAS GENERATING DEVICE AND METHOD, AND FLUORINE-CONTAINED POLYMER WASTE DISPOSAL METHOD例文帳に追加

プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法、ガス発生装置及びガス発生方法、並びに、フッ素含有高分子廃棄物処理方法 - 特許庁

To suppress metal contamination in a film deposition method for forming an oxynitride film by nitriding a silicon oxide film by remote plasma processing.例文帳に追加

シリコン酸化膜をリモートプラズマ処理により窒化して酸窒化膜を形成する成膜方法において、金属汚染を抑制する。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus for substrate which can prevent the burnout of a substrate due to local discharge.例文帳に追加

基板の局部放電による焼損を防止することができる基板のプラズマ処理装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

A plurality of solenoids 20 to 22 are arranged in the periphery of an upper cylindrical part 2a of a processing container 2 in a plasma processor 1.例文帳に追加

プラズマ処理装置１において，処理容器２の上部円筒部２ａの周辺に，複数のソレノイド２０〜２２が並設される。 - 特許庁

To provide an atmospheric pressure plasma processing system in which gas leakage can be prevented and degassing can be carried out safely upon power interruption.例文帳に追加

ガスの漏洩による危険を防止できかつ停電時にも安全にガス抜きできる大気圧プラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁