「plasma-processing」に関連した英語例文の一覧と使い方(39ページ目) - Weblio英語例文検索

A method of manufacturing the semiconductor device includes the steps of film forming the low dielectric constant interlayer insulating film having the source of the hole on a semiconductor substrate, and plasma processing to remove the source of the hole from the low dielectric constant interlayer insulating film by the plasma processing.例文帳に追加

半導体基板上に空孔源を有する低誘電率層間絶縁膜を成膜する成膜工程と、プラズマ処理により低誘電率層間絶縁膜中から空孔源を除去するプラズマ処理工程とを有する。 - 特許庁

The impedance matching device and s-parameter of the plasma processing chamber is measured by a high frequency network analyzer, and a power transmission efficiency of the impedance matching device is determined by the measured s-parameter, and the plasma processing is controlled thereby.例文帳に追加

インピーダンス整合器やプラズマ処理室のＳパラメータを高周波ネットワークアナライザで測定し、測定されたＳパラメータからインピーダンス整合器の電力伝送効率を求めること、これによってプラズマ処理の制御を行う。 - 特許庁

To reduce temperature rise of a substrate due to heat transfer from a tray after plasma processing termination, in a plasma processing apparatus for arranging a tray with a substrate housed in a substrate housing hole on a substrate susceptor.例文帳に追加

本発明は、基板収容孔に基板を収容したトレイを基板サセプタ上に配置するプラズマ処理装置において、プラズマ処理終了後のトレイからの伝熱による基板の温度上昇を低減することを課題とする。 - 特許庁

On the other hand, when a part of the reaction tube 203 constituting the plasma generating space 237 is coated with a desired film 500, the second processing gas and a third processing gas are supplied into the plasma generating space 237 through the nozzle 233.例文帳に追加

他方、反応管２０３のプラズマ生成空間２３７を構成する部位を所望の膜５００でコーティングするときは、ノズル２３３から第２の処理ガスと第３の処理ガスとをプラズマ生成空間２３７に供給する。 - 特許庁

The gas tube is adapted to carry a process gas and cleaning plasma from the gas source/remote plasma gas source to the substrate processing chamber and the RF power source is adapted to couple RF power to the substrate processing chamber.例文帳に追加

ガス管は、プロセスガスおよび洗浄プラズマを該ガス源／遠隔プラズマガス源から該基板処理チャンバに搬送するように適合されており、該ＲＦ電源は、ＲＦ電力を該基板処理チャンバに結合させるように適合されている。 - 特許庁

In the method for manufacturing a semiconductor, plasma processing method and apparatus, all or some of members in a processing chamber of a plasma processor are subjected to surface treatment with the use of a coupling agent.例文帳に追加

本発明は、プラズマ処理に用いるプラズマ処理装置の処理室内部の全部または一部の部材にカップリング剤が表面処理されていることを特徴とする半導体の製造方法及びプラズマ処理方法及びその装置である。 - 特許庁

To provide a plasma processing device capable of well setting the condition of a plasma processing chamber while disusing any impedance measuring device, monitor, or high frequency current measuring device, and to provide an evaluation method and a control method of the same.例文帳に追加

インピーダンス測定器やモニターや高周波電流測定器を必要としせず、しかも、プラズマ処理室の条件設定を良好に行わせることができるプラズマ処理装置とその評価方法及びその制御方法を提供する。 - 特許庁

A method for processing the substrate includes the steps of setting the container 10 on a cooling stage 24, introducing a microwave via a cover 15, introducing a reaction gas from a gas valve 17, generating a plasma P therein, and plasma processing the substrate S.例文帳に追加

基板処理容器１０を冷却ステージ２４上にセットし、蓋体１５を介してマイクロ波を導入すると共にガスバルブ１７から反応ガスを導入し、内部でプラズマＰを発生させて基板Ｓに対してプラズマ処理を行う。 - 特許庁

The plasma processing apparatus has a plasma processing chamber, a vacuum conveyance chamber, a lock chamber, and an atmosphere-side conveyance chamber, wherein the humidity in the atmosphere-side conveyance chamber is adjusted by introducing dry air into the atmosphere-side conveyance chamber.例文帳に追加

本発明では、プラズマ処理室と、真空搬送室と、ロック室と、大気側搬送室とを備えた半導体製造装置において、乾燥空気を大気側搬送室に導入して、大気搬送室内の湿度を調整できるようにした。 - 特許庁

To provide a focus ring, and a plasma processing apparatus and method, which can prolong a lifetime of the focus ring more than that in the prior art, and can enhance an availability factor of the plasma processing apparatus and reduce a running cost.例文帳に追加

従来に比べてフォーカスリングの寿命を長期化することができ、プラズマ処理装置の稼働率の向上とランニングコストの低減を図ることのできるフォーカスリング、プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を提供する。 - 特許庁

Plasma processing is applied to one surface side of a polyimide film comprising resin, and upon imparting hydrophilicity to the one surface side of the polyimide film the plasma processing is applied to the one surface side of the polyimide film to which sprayed water adheres.例文帳に追加

樹脂から成るポリイミドフィルムの一面側にプラズマ処理を施し、ポリイミドフィルムの一面側に親水性を付与する際に、該プラズマ処理を、噴霧した水が付着しているポリイミドフィルムの一面側に施すことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a high-speed and accurate method that, in order to maintain consistent results of a plasma processing chamber, by confirming correct assembly of the chamber and hardware parts, and troubleshooting and repairing the chamber and the plasma processing system.例文帳に追加

本発明は、プラズマ処理チャンバの一貫性した結果を保持するために、チャンバ・ハードウェア部品の正しいアセンブリを確認しかつチャンバ・プラズマ処理システムを故障診断修理するために高速かつ正確な方法を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma processing device and a plasma processing method wherein, when a resist pattern is removed by an ashing process of a low temperature RIE system, it is possible to remove a polymer in a side wall around a substrate and a bevel with a simple configuration.例文帳に追加

レジストパターンを低温ＲＩＥ方式のアッシング処理で除去する際、基板周辺の側壁部やベベル部のポリマーの除去を、簡単な構成により可能にするプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を提供する。 - 特許庁

The manufacturing method includes a hole-processing process to form the plurality of the through-holes by performing hole-processing and a spray process to form a sprayed film by performing a plasma spray treatment against a supply surface on the side facing to the plasma generation region after the hole-processing process.例文帳に追加

穴あけ加工を行なって、前記複数の貫通穴を形成する穴加工工程と、 前記穴加工工程の後に、プラズマの生成領域に対面する側の供給面に、プラズマ溶射処理によって、溶射膜を形成する溶射工程とを有することで上記課題を解決する。 - 特許庁

In the vacuum processing device 100, a vacuum pre-heating chamber 10 and a plasma processing chamber 20 are connected to each other, and substrate conveying devices 11 and 13 are arranged in two stages of upper and lower inside the vacuum pre-heating chamber 10, and a substrate conveying device 21 is arranged inside the plasma processing chamber 20.例文帳に追加

真空処理装置１００は、真空予備加熱室１０とプラズマ処理室２０とが連結されており、真空予備加熱室１０内には、基板搬送装置１１，１３が上下２段に配置され、プラズマ処理室２０内には、基板搬送装置２１が配置されている。 - 特許庁

To solve the problem of undesired effects imposed on an object of plasma processing by plasma, developed during the ashing process from by-products of etching such as an F-containing by-product deposited on processing chamber inner walls or on parts inside the chamber, in case etching and ashing are implemented in one and the same processing chamber.例文帳に追加

エッチングとアッシングを同一処理容器内で行なうと、エッチングによる副生成物、例えばＦを含有する副生成物が処理容器の内壁や内部部品に付着し、この付着物がアッシング工程中にプラズマ化し、このプラズマが被処理体に作用して思わしくない影響を及ぼす。 - 特許庁

An atomized plasma 13 is spouted out of the port 12 of the tube 7, whereby the plasma is sprayed onto a substrate 15 for processing which has a semiconductor element 14 mounted thereon.例文帳に追加

反応管７の吹き出し口１２からジェット状のプラズマ１３を吹き出して半導体素子１４が搭載された被処理基板１５に吹き付けるプラズマ処理装置に関する。 - 特許庁

To provide a plasma processing device, which controls the generation of active species and the uniformity of a plasma process, prevents a change in the characteristics of a semiconductor element, and optimizes process conditions in a separate manner.例文帳に追加

活性種発生制御、均一性制御、半導体素子特性変化防止、プロセス処理条件の適正化が、それぞれ独立に制御できるプラズマ処理装置を実現する。 - 特許庁

To provide a conductive deposit monitor for monitoring a conductive deposit adhered on an inner wall of a vacuum chamber, a plasma processor, and a plasma processing method.例文帳に追加

真空室を大気開放することなく、真空室内に付着した導電性付着物をモニターするための導電性付着物モニター、プラズマ処理装置、及びにプラズマ処理方法を提供する。 - 特許庁

By this setup, the measurement of the electric sensor 7 can be corrected for a temperature rise of the external surface 11 of the device due to plasma processing, and a state of plasma can be monitored with high accuracy.例文帳に追加

これにより、プラズマ処理による装置外表面１１の温度上昇による、電気センサー７計測値の補正を可能とし、高精度にプラズマ状態をモニタすることができる。 - 特許庁

To provide an inductively-coupled plasma processing device capable of executing high-accuracy plasma density distribution control without replacing an antenna nor increasing a device cost and a power cost.例文帳に追加

アンテナを交換することなく、装置コストおよび電力コストを高くすることなく、かつ高精度のプラズマ密度分布制御を行うことができる誘導結合プラズマ処理装置を提供すること。 - 特許庁

In the manufacturing method, a groove surrounding the semiconductor device is formed by carrying out plasma etching on the surface of the semiconductor substrate by using a plasma processing apparatus 1.例文帳に追加

本発明の製造方法では、プラズマ処理装置１を用いて前記半導体基板の表面をプラズマエッチングすることによって前記半導体素子を取り囲む溝を形成する。 - 特許庁

To provide a structure of an electrode for a plasma processing device for controlling electric field intensity distribution by high frequencies consumed for the generation of plasma between parallel flat-plate type electrodes.例文帳に追加

平行平板型の電極間においてプラズマの生成に消費される高周波による電界強度分布を制御するためのプラズマ処理装置用の電極の構造を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma processing system, having the function for predicting modification of plasma generating conditions by detecting variation in the molecular density of dissociated active species.例文帳に追加

プラズマ中の解離活性種分子の密度の変化を検知し、プラズマを発生させる条件をどのように変更すればよいかを予測する機能を備えたプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

To etch silicon at a high etching rate when a processing gas containing a fluorine containing compound gas is changed into plasma and a part made of silicon of a substrate to be treated is subjected to etching by the plasma.例文帳に追加

フッ素含有化合物ガスを含む処理ガスをプラズマ化し、そのプラズマにより被処理基板のシリコン部分をプラズマエッチングするにあたって、高いエッチングレートでシリコンをエッチングすること。 - 特許庁

To provide a plasma treatment device and its working method capable of quickly removing reaction product and effecting etching high in uniformity with high speed, in plasma processing employing gas pulse.例文帳に追加

ガスパルスを用いたプラズマ加工において、反応生成物を迅速に除去し、均一性の高いエッチングを高速で行うことができるプラズマ処理装置及び加工方法の提供。 - 特許庁

To provide a technology of minimizing damage on the mounting table surface when cleaning a plasma processing apparatus of a substrate by means of plasma without using a dummy substrate.例文帳に追加

基板に対してプラズマ処理を行う装置についてダミー基板を用いずにプラズマによりクリーニングするにあたり、載置台表面の損傷を抑制することのできる技術を提供すること。 - 特許庁

To easily enable a plasma process which is uniform in the circumferential direction as well as the radial direction in an induction-coupled plasma processing apparatus, while sufficiently suppressing a wavelength effect in a radio frequency (RF) antenna.例文帳に追加

誘導結合型プラズマ処理装置において、ＲＦアンテナ内の波長効果を十全に抑制しつつ、周回方向にも径方向にも均一なプラズマプロセスを容易に実現すること。 - 特許庁

To provide a plasma processing method and an apparatus therefor, which hardly spreads a plasma to a downstream region of a substrate electrode, has a proper power efficiency and allows the maintenance work to be reduced.例文帳に追加

基板電極よりも下流の領域へのプラズマの拡がりが起きにくく、パワー効率が良く、かつ、メンテナンス作業が軽減できるプラズマ処理方法及び装置を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma etching apparatus and a plasma processing method, for uniform etching processes from the central part in a wafer plane to edge part, by solving the problem of degradation in rate in a wafer edge part.例文帳に追加

ウェハエッジ部でのレートの低下を解消し、ウェハ面内の中心部からエッジ部にわたって均一なエッチング加工を可能にするプラズマエッチング装置及び、プラズマ処理方法を提供する。 - 特許庁

To achieve a longer lifetime of a tray by preventing displacement of a substrate caused by abrasion of the tray accompanying repetition of a plasma treatment, thereby reducing an operational cost of a plasma processing apparatus.例文帳に追加

プラズマ処理の繰り返しに伴うトレイの削れに起因する基板の位置ずれを防止することでトレイの長寿命化を図り、それによってプラズマ処理装置の運用コストを低減する。 - 特許庁

Since the plasma generated between the pair of main electrodes passes through the center of the wafer, rotation of the wafer enables the plasma processing condition in the wafer surface to be uniformalized.例文帳に追加

主電極対間に生成されたプラズマはウエハ中心を貫通した状態になっているので、ウエハを回転させることにより、ウエハ面内でのプラズマ処理状況を均一化できる。 - 特許庁

To provide a small atmospheric pressure plasma generator capable of simply generating high-density atmospheric pressure plasma in an atmospheric pressure environment, and particularly suitable for processing a conductor.例文帳に追加

大気圧環境下において簡単に高密度な大気圧プラズマを発生させることができ特に導電体の加工に好適な小形の大気圧プラズマ発生装置を実現すること。 - 特許庁

To provide a material having excellent characteristics as the microwave transmission window of a plasma processing equipment similar to quartz glass on one hand and especially possessing corrosion resistance to fluorine- containing plasma on the other hand.例文帳に追加

プラズマ処理装置のマイクロ波透過窓として石英ガラスと同様の優れた特性を有する一方、特にフッ素を含むプラズマに対する耐食性を備える材料を提供する。 - 特許庁

The doping opening 5A of the mask member 5 exposes the partial area of the processing face of the wafer W to the plasma forming space P, and ions in the plasma are implanted only on the area.例文帳に追加

マスク部材５のドーピング用開口５Ａは、ウェーハＷの被処理面の一部の領域をプラズマ形成空間Ｐに露出させ、当該領域にのみプラズマ中のイオンを注入させる。 - 特許庁

To maximally highly hold a processing rate in this case, by minimally reducing the negative action of arc discharge to a plasma process and a device used for performing the plasma process.例文帳に追加

プラズマプロセスへのアーク放電のネガティブな作用及びプラズマプロセスの実施に使用される装置を最小限にまで低減し、この際に処理レートをできるだけ高く保持することである。 - 特許庁

The device ignites fuel/air mixture inside a combustion chamber using a plasma jet ignitor capable of injecting a compound with a dielectric constant higher than that of air by plasma processing in the internal-combustion engine.例文帳に追加

内燃機関において、空気よりも誘電率の高い化合物をプラズマ化して燃焼室に噴射し得るプラズマジェットイグナイタを用いて燃焼室内の混合気を点火する装置である。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus which suppresses the deposition of a reaction product on an internal peripheral surface of a focusing ring, and of reduces the wasting of the internal peripheral surface of the focusing ring owing to plasma.例文帳に追加

フォーカスリングの内周面への反応生成物の堆積を抑制でき、また、フォーカスリング内周面のプラズマによる消耗を低減できるプラズマ処理装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus capable of improving an in-plane uniformity of processing comparing to the conventional apparatus and reducing useless spaces in a processing chamber to miniaturize the apparatus.例文帳に追加

従来に比べて処理の面内均一性の向上を図ることができるとともに、処理チャンバー内の無駄な空間を削減して装置の小型化を図ることのできるプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

To obtain a vacuum processing system performing processing by generating an electric field in a vacuum container, e.g. a plasma processing system, in which electromagnetic shield effect is ensured over a long term without damaging vacuum shield effect.例文帳に追加

プラズマ処理装置などの真空容器内で電界を発生させて処理を行う真空処理装置において、真空シール効果を損なうことなく、長期にわたって電磁シールド効果を確保する。 - 特許庁

To provide a plasma CVD device which can restrain the occurrence of damages to a processing body or an insulating film formed in the processing body, and can form the insulating film excellently on the processing body.例文帳に追加

被処理体やこの被処理体に形成される絶縁膜に損傷が与えられるのを抑制しつつ、被処理体上に良好に絶縁膜を形成することができるプラズマＣＶＤ装置を提供する。 - 特許庁

While conveying a film-shaped base material a from a first winding roller 2_1 to a second winding roller 2_2 via a cooling drum 3, a pre-plasma process is performed by performing plasma processing on a surface of the film-shaped base material a by a plasma generation unit 6.例文帳に追加

第１巻出巻取ローラ２_１から冷却ドラム３を介して第２巻出巻取ローラ２_２にフィルム状基材ａを搬送しつつ、プラズマ発生ユニット６によりフィルム状基材ａの表面にプラズマ処理を施す前プラズマ工程を行う。 - 特許庁

To provide a method and apparatus of plasma surface treatment which can execute large area/equalizing processing by effectively solving a standing wave problem in application of VHF plasma and UHF plasma to a large area/equalization process.例文帳に追加

ＶＨＦプラズマ及びＵＨＦプラズマの大面積・均一化プロセスへの応用において、定在波問題を効果的に解決することにより、大面積・均一化処理が可能なプラズマ表面処理方法及び表面処理装置を提供すること。 - 特許庁

A method comprises a process for applying high frequency voltage into a vacuum chamber 5 through a dielectric plate 4 to generate a plasma, and plasma-processing the interlayer insulating film formed in the semiconductor substrate 8 disposed in the vacuum chamber 5 by using the plasma.例文帳に追加

真空室内５に誘電体板４を介して高周波電圧を印加してプラズマを発生させ、このプラズマを用いて、真空室５内に設置された半導体基板８に形成された層間絶縁膜をプラズマ処理する工程を含む。 - 特許庁

To provide a process plasma generator allowing plasma generation of a large-area (large-scale) or three-dimensionally arbitrary shape, capable of simply generating plasma in a vessel/place having an arbitrary shape, and of easily implementing its material processing application.例文帳に追加

大面積（大規模）、あるいは、３次元的に任意の形状のプラズマ発生を可能とし、任意の形状の容器・場所に簡単にプラズマ発生させる事が可能になり、その材料プロセシング応用も容易に行えるプロセスプラズマ発生装置を提供する。 - 特許庁