「plasma-processing」に関連した英語例文の一覧と使い方(37ページ目)

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plasma-processingの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 3220件

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例文

To provide a plasma processing method, capable of quickly and surely removing a material attached to an end section of a processing subject, such as a wafer and preventing damages due to plasma to each component inside a chamber.例文帳に追加

ウエハ等の被処理体の端部に付着した物質を迅速且つ確実に除去することができ、しかもチャンバ内の各部品のプラズマによる損傷を防止することができるプラズマ処理方法を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma processing method, by which, when a substrate is processed by means of atmospheric pressure plasma CVD by dielectric barrier discharge, plasma can be produced stably over a long period of time, so that stable and high quality processing can be performed over a long period of time.例文帳に追加

誘電体バリア放電による大気圧プラズマＣＶＤで基板の処理を行なうに際し、長時間に渡って安定したプラズマを生成することができ、これにより、長時間に渡って安定して高品位な処理を行うことを可能にするプラズマ処理方法を提供する。 - 特許庁

A plasma processor 1 has a chamber 2 storing a substrate G, a susceptor 4 which is installed in the chamber 2 and on which the substrate G is placed, a shower head 11 supplying processing gas into the chamber 2, and a plasma generation means 25 generating the plasma of processing gas into the chamber 2.例文帳に追加

プラズマ処理装置１は、基板Ｇを収容するチャンバー２と、前記チャンバー２内に設けられ、基板Ｇが載置されるサセプタ４と、前記チャンバー２内に処理ガスを供給するシャワーヘッド１１と、前記チャンバー２内に前記処理ガスのプラズマを生成するプラズマ生成手段２５とを具備する。 - 特許庁

This plasma processing method is used for entering a substrate W into a plasma generation area P where plasma is generated by applying a voltage to an application electrode 15 to activate a processing gas G1, and for decomposing and removing organic matter present on a surface of the substrate W.例文帳に追加

本発明のプラズマ処理方法は、印加電極１５に電圧を印加して処理ガスＧ１を活性化させることによりプラズマが発生するプラズマ発生領域Ｐ内に、基板Ｗを進入させて、基板Ｗの表面にある有機物を分解、除去する処理方法である。 - 特許庁

例文

To provide a structure capable of improving the efficiency of contact between material to be processed and plasma active species and, thereby, improving the processing efficiency of the material to be processed in the apparatus which generates plasma from gas and subjects the material to be processed to plasma processing while conveying the material to be processed.例文帳に追加

被処理物を搬送しながら、気体からプラズマを発生させて被処理物をプラズマ処理する装置において、被処理物とプラズマ活性種との接触の効率を向上させ、これによって被処理物の処理効率を向上させるような構造を提供する。 - 特許庁

例文

To carry out plasma irradiation uniformly among respective nozzles when coping with processing or the like of a plurality of workpieces to be processed and the workpiece to be processed of a large area by installing the plurality of plasma generating nozzles at a waveguide tube in a plasma generating device used for processing or the like of the workpiece such as reforming of a substrate.例文帳に追加

基板の改質等、ワークの処理などに使用されるプラズマ発生装置において、導波管に複数のプラズマ発生ノズルを設け、複数の被処理ワークや大面積の被処理ワークの処理などに対応するにあたって、各ノズル間で均一なプラズマ照射を行えるようにする。 - 特許庁

To provide a processing system which can uniformalize flow of gas and the form of a plasma, provide a small processing system by the occupation area of the device, reduce the loss of high-frequency power put in a high-frequency plasma process, and generate and maintain the plasma efficiently.例文帳に追加

ガスの流れやプラズマ形状を均一にすることが可能であり、かつ、装置の占有面積が小さなプロセス装置を提供すること、高周波プラズマプロセスで投入した高周波電力の損失を減らし、効率的にプラズマを発生、維持させることが可能なプロセス装置を提供すること。 - 特許庁

To enable a plasma generating device, as one used for processing of a workpiece such as reforming of a substrate, to have a waveguide mount a plurality of plasma generating nozzles and carry out uniform plasma treatment in correspondence with processing of a plurality of workpieces to be processed or a workpiece to be processed of a large area.例文帳に追加

基板の改質等、ワークの処理などに使用されるプラズマ発生装置において、導波管にプラズマ発生ノズルが複数個取付けられ、複数の被処理ワークや大面積の被処理ワークの処理などに対応するにあたって、均一にプラズマ処理を行うことができるようにする。 - 特許庁

To provide a simulation device and a plasma discharge processing device supporting system correctly calculating electron energy distribution or the like in a plasma of the plasma discharge processing device applying a treatment in the region of atmospheric pressure by a time-dependent Boltzmann equation or the like, and deciding a control parameter.例文帳に追加

大気圧近傍で処理を行うプラズマ放電処理装置におけるプラズマ中の電子エネルギー分布等を時間依存のボルツマン方程式等により正確に算出して制御パラメータを決定するシミュレーション装置およびプラズマ放電処理装置支援システムを提供する。 - 特許庁

例文

The reforming device includes a discharge electrode 51 arranged to oppose the processing surface of the object to be processed S in the shape of the sheet and forming the plasma to reform the processing surface by contacting the processing surface toward the processing surface, and plasma control means 91A, 91B controlling an area and/or a strength of the plasma formed by the discharge electrode 51 contacting the processing surface.例文帳に追加

シート状の被加工物Ｓの被加工面に対向するように配置され、同被加工面に接触して同被加工面の改質を行うためのプラズマを、同被加工面に向けて形成するための放電電極５１と、放電電極５１によって形成されるプラズマの前記被加工面に接触する範囲及び／又は強度を制御するプラズマ制御手段９１Ａ、９１Ｂとを有する。 - 特許庁

例文

In the plasma processing equipment having the porous plate 4 installed between a plasma generator 8 and 7 and the substrate 2 to be treated, the shape and arrangement of pores of the porous plate is determined from the calculation of active species distribution and diffusion in the plasma generator, so that the plasma active species may have a desired density and distribution near the substrate.例文帳に追加

プラズマ発生部８、７と被処理基板２との間に多孔板４を設けたプラズマ処理装置において、前記多孔板の孔の形と配置を、基板近傍のプラズマ活性種を所望の密度と分布とするように、プラズマ発生部の活性種分布と拡散計算から決定する。 - 特許庁

A rotary coupler 32 to be turned by a motor is arranged in a processing chamber, there are fixed on it a spot type direct plasma electrode unit U11, a line type direct plasma electrode unit U12, a spot type remote plasma electrode unit U13, and a line type remote plasma electrode unit U14.例文帳に追加

処理室内にモータにて回動する回転カプラ３２を配置し、その回転カプラ３２にスポット型ダイレクトプラズマ電極ユニットＵ１１、ライン型ダイレクトプラズマ電極ユニットＵ１２、スポット型リモートプラズマ電極ユニットＵ１３、ライン型リモートプラズマ電極ユニットＵ１４を固着した。 - 特許庁

The plasma processing apparatus brings a workpiece into substantial contact with a plasma source that is of a surface discharge type dielectric barrier discharge system formed with an antenna and a ground in a dielectric substance to generate plasma on a surface opposite to a surface having the plasma source on the workpiece.例文帳に追加

プラズマ処理装置は、誘電体内にアンテナとアースが形成された面放電型の誘電体バリア放電方式のプラズマ源において、被処理体を前記プラズマ源に略接触させ、被処理体に対してプラズマ源を設置した面とは反対の面にプラズマを生成するようにした。 - 特許庁

To achieve high selective etching which enables SiO_2 and Si to be etched simultaneously at very different etching rates in a state where plasma is efficiently generated, in an etching apparatus where a substrate as a processing target is etched with plasma extracted from a plasma generating chamber where the plasma is generated by a high-frequency induction field or the like.例文帳に追加

高周波誘導電場などによりプラズマ生成室で生成したプラズマを引き出して処理対象の基板をエッチングするドライエッチング装置において、効率よくプラズマが生成される状態で、ＳｉＯ_2／Ｓｉの高選択比エッチングが実現できるようにする。 - 特許庁

The plasma generation unit 10 has a processing object-faced surface 170 to be faced to the processing object 90, and the blowout port 16 is opened in the processing object-faced surface 170.例文帳に追加

このプラズマ生成ユニット１０が、被処理物９０と対向すべき被処理物対向面１７０を有し、この被処理物対向面１７０に吹出し口１６が開口されている。 - 特許庁

At least, prescribed processing gas is introduced into a processing chamber 11 from a gas supply system 12, and ECR discharge (ECR plasma) is generated in a suitable region in the processing chamber 11.例文帳に追加

処理室１１は、ガス供給系１２から少なくとも所定の処理用のガスが導入され、処理室１１内の適当な領域でＥＣＲ放電（ＥＣＲプラズマ）が生成される。 - 特許庁

In a second process, the processing object is put in a processing container and heated up to the predetermined specified in-plane temperature distribution, and normal plasma processing is carried out.例文帳に追加

載置台に第二の工程では処理容器に処理対象物を入れ、処理対象物を予め定められた特定の面内温度分布まで加熱した後、通常のプラズマ処理を行う。 - 特許庁

To make a processing gas flow uniform along the lengths of a couple of electrodes in a plasma processing apparatus which introduces the processing gas into between opposite surfaces of the electrodes from their length-side edges.例文帳に追加

処理ガスを一対の電極どうしの長手側縁の間から対向面間に導入するプラズマ処理装置において、処理ガス流を上記長手方向に均一化する。 - 特許庁

To enhance processing capability of a plasma processing device for jetting a processing gas from a blowout port through a discharge space and for exposing a processing object to the jetted gas while relatively moving it with respect to the discharge space.例文帳に追加

処理ガスを放電空間に通して吹出し口から吹出すとともに、被処理物を前記放電空間に対し相対移動させながら前記吹出しガスに当てるプラズマ処理装置における処理能力を高める。 - 特許庁

The fault supervisory system of a plasma processing apparatus is characterized in comprising a particle measuring means for measuring the amount of particle generated by the plasma process at the area near the plasma processing portion, and a fault detecting means for detecting the occurrence of the fault in the plasma process on the basis of the result of measurement by the particle measuring means.例文帳に追加

プラズマ処理装置の異常監視システムであって、プラズマ処理部近傍において、プラズマ処理により発生するパーティクル量を計測するパーティクル計測手段と、前記パーティクル計測手段による計測結果に基づいて、プラズマ処理における異常発生を検出する異常検出手段とを備えていることを特徴とするシステム。 - 特許庁

The plasma processing device processes the surface of a processing subject S using radicals generated by exciting a process gas, wherein a plasma generating chamber member 6 having an internal plasma generating chamber 6a is connected to a gas introduction tube 5 attached to the outside of a process chamber 1, and a gas regulator 7 is provided at the end of the plasma generating chamber member 6.例文帳に追加

プロセスガスを励起させて生成したラジカルによって被処理物Ｓの表面を処理するプラズマ処理装置であり、プロセス室１外部に取り付けられたガス導入管５には、内部にプラズマ発生室６ａを備えたプラズマ発生室部材６が接続され、このプラズマ発生室部材６の端部にはガス制御部７が設けられている。 - 特許庁

To realize a plasma processing device which has a high selective ratio and is capable of carrying out fine processing, by a method wherein a plasma generating means that generates plasma through a capacitive coupling discharge and a means which radiates electromagnetic waves into a plasma generating chamber are provided.例文帳に追加

本発明は容量結合放電プラズマと、高周波による電磁波放射によるプラズマの複合放電により、プラズマ中の電子のエネルギレベルをプラズマ発生とは独立に制御し、目的とする活性種を目的とする量、生成することでより高性能なプラズマ処理を実現するとともに、電磁波放射、磁場を制御し大口径基板を均一に処理するものである。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus which can maintain the uniformity of plasma processing, even when the material of an object film to be processed on a large-area substrate or wafer is different or process conditions of processing of a laminated film formed of a plurality of materials change greatly.例文帳に追加