「plasma-processing」に関連した英語例文の一覧と使い方(35ページ目) - Weblio英語例文検索

A conductive film 20 is formed on the surface layer 18 of the semiconductor layer 16 having been subjected to the plasma processing.例文帳に追加

プラズマ処理が行われた半導体層１６の表層１８上に導電膜２０を形成する。 - 特許庁

Micro-waves 32 are introduced in the plasma processing chamber 26, and a magnetic field is formed by a coil 31.例文帳に追加

またプラズマ処理室２６には、マイクロ波３２が導入され、コイル３１によって磁場が形成される。 - 特許庁

The processing container 1 has a dielectric window 3 which can transmit a microwave used to generate plasma.例文帳に追加

処理容器１は、プラズマを形成するために用いるマイクロ波が透過可能な誘電体窓３を有する。 - 特許庁

To detect the quick and minute change of a spectrum in a plasma processing device or the like with a good reproducibility.例文帳に追加

プラズマ処理装置等における分光スペクトルの速い微小変化を再現性よく検知すること。 - 特許庁

PHASE ADJUSTING METHOD AND APPARATUS, ELEMENT SEPARATING AND COMBINING METHOD AND APPARATUS, AND PLASMA PROCESSING APPARATUS例文帳に追加

位相調整方法とその装置及び素子分割組み合せ方法とその装置及びプラズマ加工装置 - 特許庁

To provide plasma processing unit that is reliable and can start well and also is lower in price.例文帳に追加

プラズマの点灯が確実に行えて始動が良好であり、しかも安価なプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma processing system capable of preventing a coating material from being transferred to an upper surface of a conveyance arm.例文帳に追加

搬送アームの上面に対するコーティング材の転写を防止できるプラズマ処理システムを提供する。 - 特許庁

A heat transfer member 30 is provided oppositely to the plasma radiation part 10 across the processing position P.例文帳に追加

処理位置Ｐを挟んでプラズマ照射部１０側とは反対側に熱授受部材３０を設ける。 - 特許庁

To provide a barrier rib featured with processing characteristics and precise scaling in manufacturing a display device for a plasma address.例文帳に追加

プラズマアドレス表示装置において、加工性並びに寸法精度に優れた隔壁構造を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma processor in which a continuous processing can be performed for long time and yield can be improved.例文帳に追加

長時間連続処理可能で、歩留りを向上させることができるプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

The plasma processing apparatus M1 transports a plurality of setters carrying glass substrates W by connecting the setters in a row.例文帳に追加

プラズマ処理装置Ｍ１は、ガラス基材Ｗを載せた複数のセッタを一列に連ねて搬送する。 - 特許庁

Then chlorine gas is led from a processing gas feeding nozzle 33 to generate chlorine gas plasma P2.例文帳に追加

続いて処理ガス供給用のノズル３３から塩素ガスを導入して塩素ガスのプラズマＰ２を生成する。 - 特許庁

The plasma spray coating includes the surface on which the rough texture processing, having average strain which is a negative value is performed.例文帳に追加

プラズマスプレーコーティングは、負値である平均歪度を有する粗さのテクスチャー加工された表面を含む。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus which can control electrostatic attraction force holding a workpiece at an optimum value.例文帳に追加

被処理体を保持する静電吸着力を、最適値に制御できるプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

In the plasma processing apparatus, a first electrode 2 and a second electrode 17 are disposed facing each other.例文帳に追加

プラズマ処理装置においては、第一の電極２と第二の電極１７とが対向して配置される。 - 特許庁

Immediately before plasma processing is started on a wafer, an overshoot voltage is applied to a bottom electrode.例文帳に追加

ウェハに対するプラズマ処理が開始される直前に下部電極に対してオーバーシュート電圧が印加される。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus which can detect occurrence of abnormalities, such as vacuum leaks, etc., at an early stage.例文帳に追加

真空のリーク等の異常の発生を早期に検知することができるプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

This device is provided with the main electrodes 5, 31 to be opposed against by pinching a plasma processing space 15.例文帳に追加

このプラズマ処理装置は、プラズマ処理空間１５を挟んで対向する主電極５,３１を備える。 - 特許庁

The use of the nitrogen gas improves the stability of the plasma and eliminates any arcing during the PECVD processing.例文帳に追加

窒素ガスの使用はプラズマの安定性を改善しかつＰＥＣＶＤ処理中のアーキングを排除する。 - 特許庁

An overhead gas distribution electrode 3210 of a plasma reactor has a bottom surface facing a processing zone of the reactor.例文帳に追加

プラズマリアクタのオーバーヘッドガス分布電極３２１０は、該リアクタの処理ゾーンに面する底部面を有する。 - 特許庁

The plasma P is prevented from being diffused by the shield 81 and the substrate holder 5, and the processing for the substrate 9 becomes uniform.例文帳に追加

シールド８１及び基板ホルダー５によりプラズマＰの拡散が防止され、処理が均一になる。 - 特許庁

The plasma processing device has a pair of parallel elongated parts 21 containing elongated electrodes 30.例文帳に追加

プラズマ処理装置は、長尺状の電極３０を含む一対の平行な長尺部２１を有している。 - 特許庁

MICROWAVE PLASMA PROCESSING APPARATUS, DIELECTRIC WINDOW MEMBER USED THEREFOR, AND MANUFACTURING METHOD OF DIELECTRIC WINDOW MEMBER例文帳に追加

マイクロ波プラズマ処理装置、それに用いる誘電体窓部材および誘電体窓部材の製造方法 - 特許庁

ELECTROSTATIC ATTRACTING STRUCTURE, METHOD FOR ELECTROSTATIC ATTRACTION, APPARATUS AND METHOD FOR PLASMA PROCESSING例文帳に追加

静電吸着構造および静電吸着方法ならびにプラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 - 特許庁

MULTIPLE-ELECTRODE PLASMA PROCESSING SYSTEMS WITH SEALED PROCESS CHAMBERS AND INTERIOR-BUSSED ELECTRICAL CONNECTIONS WITH THE ELECTRODES例文帳に追加

密封型処理チャンバと電極への内部バスによる電気接続とを備えた多電極プラズマ処理システム - 特許庁

To provide a ceramic article resistant to erosion by a halogen-containing plasma used in semiconductor processing.例文帳に追加

半導体処理に用いるハロゲン含有プラズマによる侵食に耐性のあるセラミック物品を提供する。 - 特許庁

There are performed in a lump semiconductor layer formation, laser crystallization, oxygen plasma processing, and gate insulating film deposition.例文帳に追加

半導体層形成、レーザー結晶化、酸素プラズマ処理、ゲート絶縁膜堆積を真空一括で行う。 - 特許庁

PLASMA PROCESSING APPARATUS, DEPOSITION METHOD, METHOD OF MANUFACTURING METAL PLATE HAVING DLC FILM, AND METHOD OF MANUFACTURING SEPARATOR例文帳に追加

プラズマ処理装置，成膜方法，ＤＬＣ皮膜を有する金属板の製造方法，セパレータの製造方法 - 特許庁

DEVICE AND METHOD FOR CONTROLLING TEMPERATURE OF SUBSTRATE TO BE PROCESSED, AND PLASMA PROCESSING EQUIPMENT EQUIPPED WITH THIS例文帳に追加

被処理基板の温度調節装置及び温度調節方法、並びにこれを備えたプラズマ処理装置 - 特許庁

To provide a plasma processing device with improved accuracy or reliability of a temperature of a sample to be processed.例文帳に追加

処理される試料の温度の精度あるいは信頼性を向上させたプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

Since the conductive film is formed on all of the surface, a density of electric charges accumulated in a gate electrode can be reduced in processing with plasma (plasma process) like anisotropic etching, and the damage due to the plasma process can be reduced.例文帳に追加

導電性膜が全面に形成されていることにより、異方性エッチング等のプラズマによる処理（プラズマプロセス）においてゲート電極に蓄積される電荷密度を低減でき、プラズマプロセスによる損傷を低減できる。 - 特許庁

To provide a plasma treatment device capable of reducing the number of plasma processing steps and the process time and performing desired plasma treatment on a first treated surface and a second treated surface.例文帳に追加

プラズマ処理の工程数削減および処理時間短縮を図ることができるとともに、第１の被処理面および第２の被処理面に対して所望のプラズマ処理を行うことができるプラズマ処理装置を提供すること。 - 特許庁

In a step in which surface processing is conducted by irradiating a plasma jet 31 from a plasma jet gun 1 to quartz glass 24, light emitting portion 32 produced by a reaction of the plasma jet 31 with the quartz glass 24 is imaged with a CCD video camera 27.例文帳に追加

石英ガラス２４にプラズマジェットガン１からプラズマジェット３１を照射し、表面加工する工程において、プラズマジェット３１と石英ガラス２４との反応による発光部３２をＣＣＤビデオカメラ２７で撮像する。 - 特許庁

The plasma treatment device comprises at least a treatment chamber for performing plasma treatment for a treatment body, a gas supply means for supplying gas to the treatment chamber and a high-frequency supply means for processing the gas to plasma.例文帳に追加

被処理体にプラズマ処理を行うための処理室と、該処理室にガスを供給するためのガス供給手段と、該ガスをプラズマ化するための高周波供給手段とを少なくとも含むプラズマ処理装置。 - 特許庁

In the plasma processor, a member constituted of a material formed by containing the conductive material in an amorphous base material of quartz or germanium is used as a member faced to the plasma in the plasma processing room.例文帳に追加

プラズマ処理装置において、プラズマ処理室内でプラズマに面する部材として、非晶質材である石英もしくはゲルマニウムの基材に導電性材料を含有させて形成した材料で構成された部材を用いる。 - 特許庁

To provide a plasma processing method that can perform a plasma process with high productivity and quality, particularly, a plasma process on a large-area substrate with uniformity at high speed, and that can also easily deal with many kinds.例文帳に追加

生産性が高く高品質なプラズマ処理を、特には大面積な基体へのプラズマ処理を均一且つ高速に行うことが可能で且つ多品種対応が容易に可能なプラズマ処理方法を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma processing device in which the duration of plasma generated between electrodes is made long and the distance of plasma that can be reached is made long, thereby the height difference of concavo-convex on the surface of the treating object is made large.例文帳に追加

プラズマ処理装置において、電極間で発生されたプラズマの持続時間を長くしてプラズマの到達可能距離を長くし、それによって被処理物の表面の凹凸の高低差を大きくする。 - 特許庁

To provide a plasma treatment apparatus and plasma treatment method for giving a uniform processing characteristics on a substrate plane, by offsetting the effect of the reaction products on the treatment characteristics in the plasma treatment of etching treatment, or the like.例文帳に追加

エッチング処理等のプラズマ処理における反応生成物の処理特性への影響を相殺して、基板面内において均一な処理特性の得られるプラズマ処理装置およびプラズマ処理方法を提供する。 - 特許庁

In the vacuum processing device 100, a loading/unloading chamber 10 and a plasma processing chamber 20 are coupled, the plasma processing chamber 20 being provided with a vacuum vessel 20a having an opening A on an upper surface, and a tabular top cover 30 opening and closing the opening A.例文帳に追加

真空処理装置１００は、ロード／アンロード室１０とプラズマ処理室２０とが連結されており、プラズマ処理室２０は、上面に開口部Ａを有する真空容器２０ａと開口部Ａを開閉する平板状の上蓋３０とを備えている。 - 特許庁

To provide a processing system for processing a substrate with a plasma which comprises a processing chamber 12 configured so as to contain plasma, a substrate support 20 inside the chamber, and a plurality of electrode 44, 46 coupled to the substrate support 20.例文帳に追加

プラズマを含むように構成された処理チャンバ１２と、チャンバ内部の基板支持体２０と、基板支持体２０に結合された複数の電極４４、４６とを備える、プラズマを用いて基板を処理するための処理システムを提供すること。 - 特許庁

A plasma processing device comprises an outer gas supply member 40 having a gas supply port supplying gas for plasma processing, and a jacket portion 27 which is a gas supply member supporting device for supporting the outer gas supply member 40 in a processing container.例文帳に追加

プラズマ処理装置は、プラズマ処理用のガスを供給するガス供給口を有するアウターガス供給部材４０と、処理容器内においてアウターガス供給部材４０を支持するガス供給部材支持装置としてのジャケット部２７を備える。 - 特許庁

The member for the plasma processing apparatus is used for the plasma processing apparatus, and includes a base material 10, a metal coating layer 13 which is formed on a surface of the base material by plating processing, and a metallized coating layer 14 formed on the metal coating layer surface.例文帳に追加

プラズマ処理装置に用いられるプラズマ処理装置用部材であって、基材１０と、前記基材の表面にめっき処理により形成される金属被膜層１３と、前記金属被膜層表面に形成された溶射被膜層１４とを含む。 - 特許庁

The plasma processing apparatus for processing a substrate 0109 with plasma while applying a bias voltage to the substrate comprises a circuit 0111 for correcting the waveform distortion caused on a route for transmitting the voltage waveform of a bias power source 0112 to the substrate 0109 under processing.例文帳に追加

被処理基板０１０９にバイアス電位を与えてプラズマ処理を行うプラズマ処理装置において、バイアス電源０１１２の電圧波形を被処理基板０１０９に伝送する経路で生じる波形歪みを補正する回路０１１１を備える。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus that eliminates influence of a vertical component of a magnetic field generated in a processing space by making the vertical component as small as possible, and thereby excellently controls a plasma density distribution in the processing space.例文帳に追加

処理空間内に発生する磁界における垂直成分を極力小さくして該垂直成分の影響をなくし、これによって処理空間内のプラズマ密度分布を良好に制御することができるプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus and its controlling method, which removes a deposition from a processing chamber even during operation.例文帳に追加

稼動状態を維持したまま処理室内から付着物を除去することが可能なプラズマ処理装置およびその制御方法を提供する。 - 特許庁