「plasma-processing」に関連した英語例文の一覧と使い方(41ページ目) - Weblio英語例文検索

In a plasma processing method which performs plasma processing, placing a semiconductor wafer 4 on a lower electrode 3 within a processing chamber 2, the plasma processing is performed in condition that the edge of the semiconductor wafer 4 fixed by the resin sheet 4a having a larger thermal expansion coefficient than the thermal expansion coefficient of the semiconductor wafer 4 is pressed against the surface of a lower electrode 3 by means of a board pressing means 5.例文帳に追加

処理室２内にの下部電極３上に半導体ウェハ４を載置してプラズマ処理を行うプラズマ処理方法において、半導体ウェハ４の熱膨張係数よりも大きい熱膨張係数を有する樹脂シート４ａによって固定された状態の半導体ウェハ４の縁部を基板押さえ部材５によって下部電極３の表面に押さえ付けた状態でプラズマ処理を行う。 - 特許庁

Since a wiring board 10 is exposed to plasma 28 in a state that a patterned metallic wiring layer 15 is covered with a protection layer 18 in this surface processing method, plasma processing is applied to the surface of a base material 11 exposed between laminated films 13, but the metallic wiring layer 15 is not exposed to plasma 28.例文帳に追加

本発明の表面処理方法は、パターニングされた金属配線層１５を保護層１８で覆った状態で配線板１０をプラズマ２８に晒すので、積層膜１３間に露出する基材１１の表面はプラズマ処理されるが、金属配線層１５がプラズマ２８に晒されることがない。 - 特許庁

In the plasma nitriding processing apparatus that nitrides a substrate having an insulating film, the wafer temperature is in-process monitored before starting the plasma nitiding processing, and the plasma nitriding time or process pressure is controlled by feeding the monitored value of the wafer temperature back to a CPU to enhance the uniformity of the nitridation quantities among the wafers.例文帳に追加

絶縁膜を有する基板を窒化するプラズマ窒化処理装置において、プラズマ窒化処理を開始する前にウェハ温度をインプロセスで計測し、該ウェハ温度の計測値をＣＰＵにフィードバックしてプラズマ窒化時間またはプロセス圧力を制御することにより、ウェハ間の窒化量の均一性を向上することができる。 - 特許庁

The SiCO film for example is formed on a fluorine-added carbon film by subjecting a surface of the fluorine-added carbon film on a semiconductor wafer to a nitriding processing, by exposing the same to a plasma atmosphere obtained by making nitrogen gas plasma and then exposing the semiconductor wafer to plasma obtained by making triethylsilane gas and oxygen gas for example plasma.例文帳に追加

半導体ウエハ上のフッ素添加カーボン膜の表面部を、窒素ガスをプラズマ化して得られるプラズマ雰囲気に曝すことにより窒化処理し、次いで半導体ウエハを例えばトリメチルシランガス及び酸素ガスをプラズマ化して得られるプラズマに曝すことによりフッ素添加カーボン膜の上に例えばＳｉＣＯ膜を成膜する。 - 特許庁

The plasma processing apparatus includes an electrode for applying an excitation voltage to a discharge gas to generate plasma; a jetting mechanism provided relatively movably with the surface to be processed and jetting the plasma to the surface to be processed; and a rotary mechanism configured to rotate and move the electrode such that the axis of rotation is in the jetting direction of the plasma.例文帳に追加

放電用ガスに励起電圧を印加してプラズマを発生させる電極と、被処理面との間で相対的に移動可能に設けられ、前記プラズマを前記被処理面に噴射する噴射機構と、前記プラズマの噴射方向を回転軸方向として前記電極を回転移動させる回転機構とを備える。 - 特許庁

The inductive coupling type plasma etching apparatus is configured to generate inductive coupling plasma like a donut under a dielectric window 52 in proximity to an RF antenna 54, and distribute the donut-like plasma in a wide processing space to equalize the density of the plasma in the vicinity of a susceptor 12 (i.e. on a semiconductor wafer W).例文帳に追加

この誘導結合型プラズマエッチング装置は、ＲＦアンテナ５４に近接する誘電体窓５２の下で誘導結合のプラズマをドーナツ状に生成し、このドーナツ状のプラズマを広い処理空間内で分散させて、サセプタ１２近傍（つまり半導体ウエハＷ上）でプラズマの密度を平均化するようにしている。 - 特許庁

To provide an electrode embedding member for use of a plasma generator capable of uniformly processing silicon wafers by keeping a plasma density distribution constant in generating the plasma, by applying high frequency to a plasma generating electrode to process the silicon wafer and having high durability against halogen-based corrosive gas.例文帳に追加

プラズマ発生用電極に高周波を印可して、プラズマを発生させ、シリコンウエハを処理するに当たって、プラズマの密度分布を一定に保つことによってシリコンウエハを均一に処理できると共に、ハロゲン系腐食性ガスに対する耐久性の大きいプラズマ発生装置用電極埋設部材を提供すること。 - 特許庁

When a high frequency electric power of 13.56 MHz is supplied to a coil 6 via a matching circuit 5 for a plasma generation device by a high frequency power source 4 for the plasma generation device, plasma is generated in a vacuum vessel 1 and plasma processing such as etching, piling and so on is performed for a substrate 8 which is mounted on an electrode 7.例文帳に追加

プラズマ発生装置用高周波電源４により１３．５６ＭＨｚの高周波電力を、プラズマ発生装置用整合回路５を介して、コイル６に供給すると、真空容器１内にプラズマが発生し、電極７上に載置された基板８に対してエッチング、堆積等のプラズマ処理を行うことができる。 - 特許庁

To prevent the blocking of a discharge hole for processing gas formed in a second gas supply member disposed at a lower place in a plasma processing device with a two-stage shower.例文帳に追加

２段シャワーを備えたプラズマ処理装置において、下方に配置された第２のガス供給部材に形成された処理ガスの吐出孔の閉塞を回避する。 - 特許庁

The plasma mixture is used to clean deposits from the interior surfaces of the processing chamber, or can be used to perform an etch step on a processed wafer within the processing chamber.例文帳に追加

プラズマ混合物は、処理チャンバの内面から堆積物を洗浄するために用いられ、処理チャンバ内で処理ウェーハ上のエッチングステップを行うためにも使用し得る。 - 特許庁

To provide a plasma processing device and a method therefor, which are capable of processing a specimen uniformly by applying a prescribed temperature distribution to the surface of the specimen.例文帳に追加

試料表面をより所定の温度分布を付与することにより試料を均一に処理することのできるプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma processing device capable of reducing foreign matters inside an inner side chamber and executing stable fine work over a long period of time in the processing chamber of a double structure.例文帳に追加

二重構造の処理チャンバにおいて、内側チャンバ内の異物を低減でき、長期にわたり安定した微細加工が可能であるプラズマ処理装置とする。 - 特許庁

To provide a substrate processing equipment and a substrate processing method by which a residue adhered to a substrate charged by a plasma discharging phenomenon can be removed efficiently.例文帳に追加

プラズマ放電現象により帯電した基板上に付着した残渣を効率良く除去することができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。 - 特許庁

A video image signal 5 inputted to a plasma display is inputted to a video image signal processing circuit 6 and the A/D conversion and the inverse γ processing or the like of video image signal are performed in the circuit.例文帳に追加

プラズマディスプレイに入力された映像信号５は、映像信号処理回路６に入力され、そのＡ/Ｄ変換及び逆γ処理等の処理が行われる。 - 特許庁

To provide plasma processing equipment that changes the temperature of a sample block or sample placed on it in a broad scope, for a short time, to have the efficiency in processing improved.例文帳に追加

試料台またはその上に配置された試料の温度を広い範囲で短時間に変化させ処理の効率を向上させたプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

The processing chamber 5 is equipped with movable chambers 6 and 11, and the movable chambers 6 and 11 are each brought into close contact with the transfer trays 2 to form plasma processing chambers 7 and 12.例文帳に追加

処理室５には複数の可動チャンバー６，１１を備え、可動チャンバー６，１１と搬送トレー２とを密着させることで複数のプラズマ処理室７，１２を構成する。 - 特許庁

To provide a method and an apparatus for plasma processing which can prevent reaction products from sticking on a dielectric plate, reduce loss, and ensure uniformity of the processing.例文帳に追加

誘電板への反応生成物の付着を防止し、かつ損失を低減するとともに処理の均一性を確保できるプラズマ処理方法及び装置を提供する。 - 特許庁

In a process vessel 2 of a plasma etching processing device 1, a probe 40 is installed for detecting a time variation of a magnetic field around a central axis of a processing space K.例文帳に追加

プラズマエッチング処理装置１の処理容器２内に、処理空間Ｋの中心軸周りの磁界の時間変化量を検出するプローブ４０が取り付けられる。 - 特許庁

To save cleaning gas consumption by enhancing a reaction capability of plasma with a deposited substance within a processing chamber through the use of cleaning gas or more quickly exhausting the gas from the processing chamber.例文帳に追加

クリーニングガス導入によりプラズマの処理チャンバ内の堆積物との反応性を高めて、また処理チャンバ内からガス排気を速めてクリーニングガスの消費量を削減する。 - 特許庁

The image is fixed on the recording medium by applying prasma processing to an image (3) recorded on a recording medium (10) using a recording material containing a component curable by normal pressure plasma processing.例文帳に追加

常圧プラズマ処理により硬化する成分を含む記録剤を用いて記録媒体に記録された画像に対して施すことで、画像を記録媒体に定着させる。 - 特許庁

To provide an apparatus and a method for plasma processing which has excellent mass production stability by controlling a film deposited on the inner wall of a vacuum processing vessel.例文帳に追加

真空真空容器内壁に堆積する堆積膜を制御することにより量産安定性に優れたプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を提供する。 - 特許庁

Two coil-like probes 40, 41 for detecting the strength of a magnetic field around a center axis of a processing space K are provided in a processing container 2 of a plasma etching apparatus 1.例文帳に追加

プラズマエッチング装置１の処理容器２内に，処理空間Ｋの中心軸周りの磁界の強さを検出する２つのコイル状のプローブ４０，４１が設けられる。 - 特許庁

To provide a substance-processing device 1 which can subject a substance to be processed, such as food wastes, to very satisfactory and very efficient plasma reduction processing.例文帳に追加

食品廃棄物などの処理対象物質をきわめて良好にかつきわめて効率良くプラズマ還元処理することができる物質処理装置１を提供する。 - 特許庁

To provide a flexible tube for endoscope which is excellent in resistance against autoclave sterilization processing and hydrogen peroxide plasma sterilization processing and is also excellent in durability of an imparted mark.例文帳に追加

オートクレーブ滅菌処理、及び過酸化水素プラズマ滅菌処理に対する耐性に優れ、且つ、付与されたマークの耐久性に優れた内視鏡用可撓撓管を提供する。 - 特許庁

Silicon carbide is refined by cleaning the surface of a processing object with fluoride plasma in an atmosphere without oxygen, the processing object containing at least silicon carbide.例文帳に追加

酸素が存在しない雰囲気下において少なくとも炭化珪素を含む処理対象物の表面をフッ化物プラズマにより洗浄することによって炭化珪素を純化する。 - 特許庁

A plasma processing apparatus A comprises: the processing chamber; a substrate holding part 23 which is disposed in the processing chamber and holds a processed substrate 4; a composite electrode 28 which faces the substrate holding part 23 in the processing chamber and has a plurality of first electrodes 2a and second electrodes 2b for generating plasma; and a gas supply part for supplying material gas into the processing chamber.例文帳に追加

プラズマプロセス装置Ａは、処理室と、処理室の内部に設けられ、被処理基板４を保持する基板保持部２３と、処理室の内部に基板保持部２３に対向して設けられ、プラズマを発生させる複数の第１電極２ａ及び第２電極２ｂを有する複合電極２８と、処理室の内部に材料ガスを供給するガス供給部とを備えている。 - 特許庁

The plasma processing apparatus 10 includes: a processing container 100 in which a body to be processed is plasma-processed; an upper electrode 105 and a lower electrode 110 which face each other in the processing container 100, a processing space being formed therebetween; and a first high-frequency power supply 150 connected to the lower electrode 110, a high-frequency power being supplied into the processing container 100.例文帳に追加

プラズマエッチング装置１０は、内部にて被処理体をプラズマ処理する処理容器１００と、処理容器１００の内部にて互いに対向し、その間に処理空間を形成する上部電極１０５及び下部電極１１０と、下部電極１１０に接続され、処理容器１００内に高周波電力を出力する第１の高周波電源１５０とを有する。 - 特許庁

The plasma processing apparatus includes a processing chamber for performing prescribed plasma processing operations to an object to be processed, a gas supply mechanism for supplying a gas for processing of the object, a first vacuum pump connected to the processing chamber and having a vacuum state kept therein, and a second vacuum pump connected to the gas supply mechanism for evacuating the gas supply mechanism.例文帳に追加

本発明のプラズマ処理装置は、被処理体に所定のプラズマ処理を行う処理室と、前記被処理体を処理するためのガスを供給するガス供給機構と、前記処理室に接続されて当該処理室内を減圧状態に維持する第１の真空ポンプと、前記ガス供給機構に接続されて当該ガス供給機構を排気する第２の真空ポンプを有する。 - 特許庁

To provide a plasma processing device having a dust removing means capable of preventing the adhesion of dusts over a main surface of a substrate even for a large substrate, and giving no influence on the uniformity of a plasma processing.例文帳に追加

プラズマによって処理する製造プロセスにおいて、大型の基板に対しても基板の主表面全体におけるダストの付着を防止し、かつ、プラズマ処理の均一性に影響を与えないダスト除去手段を備えるプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus that accurately positions a work on a mounting surface of a mounting portion, easily removes the work from the mounting portion after plasma processing, and prevents the work from being broken and the mounting surface from being damaged.例文帳に追加

載置部の載置面上にワークを正確に位置決めすることができるとともに、プラズマ処理後には、載置部からワークを容易に取り除くことができ、ワークの破損および載置面の損傷を防止することができるプラズマ処理装置を提供すること。 - 特許庁

The plasma processing apparatus 1 for applying plasma processing to a substrate (work) 10 comprises a ground electrode (first electrode) 2 for supporting a substrate 10, an application electrode (second electrode) 3, a power supply circuit 4, and a gas supply (gas supply means) 5.例文帳に追加

プラズマ処理装置１は、基板（ワーク）１０に対してプラズマ処理を施すものであって、基板１０を支持する接地電極（第１の電極）２と、印加電極（第２の電極）３と、電源回路４と、ガス供給部（ガス供給手段）５とを有する。 - 特許庁

To provide an apparatus and a method for plasma processing able to control the transmittance of electromagnetic waves and improve the discharge characteristic and the uniformity of the plasma and the performance and stability of etching processing by selecting material of the transmission window.例文帳に追加

本発明は、透過窓の素材を選択することにより、電磁波の透過率をコントロールでき、プラズマの放電特性と、プラズマの均一性と、エッチングプロセス性能および安定性が向上するプラズマ処理装置およびプラズマ処理方法を提供する。 - 特許庁

The microwave plasma processing equipment 100 processes a substrate W by making a microwave propagate through a waveguide 22, making a microwave leaked from a T-shaped slot 23a transmit through a dielectric 24, and generating plasma of processing gas with the field energy of microwave.例文帳に追加

マイクロ波プラズマ処理装置１００は，導波管２２にマイクロ波を伝播させ，Ｔ字型のスロット２３ａから漏れ出したマイクロ波を誘電体２４に透過させ，マイクロ波の電界エネルギーにより処理ガスをプラズマ化させて，基板Ｗをプラズマ処理する。 - 特許庁

With introduction of this carrier gas, a reaction capability of the deposited substance and plasma within the processing chamber 1 can be enhanced, the gas stays in the processing chamber 1 within a shorter period of time, i.e., it is quickly exhausted from the chamber, and thereby byproducts with plasma can be exhausted quickly.例文帳に追加

このキャリアガスを導入し流すことで、処理チャンバ１内の堆積物とプラズマの反応性を高めるとともに、処理チャンバ１内でガスの滞在時間が短くなりガス排出を速くし、プラズマとの反応生成物の排気を速くする。 - 特許庁

Conventional structures of the ceiling portion of a plasma processing chamber are so reconsidered with respect to the places and portions in the processing chamber whereto reaction products are stuck especially easily and a plasma is concentrated easily as to provide a ceiling-board outer-periphery ring made of a resin-based raw material in the outer-periphery portion of the ceiling board.例文帳に追加

処理室内の特に反応生成物の付着しやすい場所及びプラズマの集中しやすい箇所に対し従来の天板部の構造を見直し天板の外周部に樹脂系素材からなる天板外周リングを設ける。 - 特許庁

In the method of manufacturing the photographic polyester support, the support is treated by a process for preventing blocking using water cleaning after a plasma processing when polyester films are continuously carried and processed by discharged plasma processing under air pressure of 65,000-110,000 Pa.例文帳に追加

連続搬送しているポリエステルフィルムを６５，０００〜１１０，０００Ｐａの気圧下でガス中放電プラズマ処理する際、プラズマ処理した後に、水洗によるブロッキング防止工程を経ることを特徴とする写真用ポリエステル支持体の製造方法。 - 特許庁

To sufficiently reduce the emission of toxic material in the exhaust gas to the atmosphere by reducing the power consumption of a plasma processing device to the necessary minimum quantity in an exhaust emission control device of an internal combustion engine having the plasma processing device in the engine exhaust system.例文帳に追加

プラズマ処理装置を機関排気系に備える内燃機関の排気浄化装置において、プラズマ処理装置での電力消費を必要最小限として排気ガス中の有害物質の大気放出量を十分に低減することである。 - 特許庁

To improve the quality of film formation by eliminating ion bombardment onto a processed substrate and reduce the cost of a plasma processing apparatus by efficiently removing particles in a processing chamber with a simple configuration in the apparatus and a plasma cleaning method thereof.例文帳に追加

プラズマプロセス装置及びそのプラズマクリーニング方法について、被処理基板へのイオン衝撃を無くして成膜の質を向上させると共に、簡単な構成により処理室内のパーティクルを効率よく除去できるようにして、装置コストの低減を図る。 - 特許庁

Therefore, the dummy load device 1 can be arranged between a positive electrode and a ground electrode of the plasma processing apparatus by connecting the positive electrode plate 70 to the positive electrode of the plasma processing and connecting the ground electrode plate 60 to the ground electrode.例文帳に追加

したがって、正電極板７０をプラズマ処理装置の正電極に接続し、グランド電極板６０をグランド電極に接続するようにして、模擬負荷装置１をプラズマ処理装置の正電極とグランド電極との間に配置することができる。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus or the like and a plasma processing method capable of adopting higher concentration radical irradiation for ensuring high speed etching even under a low pressure and ensuring ion concentration required for vertical etching performance.例文帳に追加

本発明は、低圧下にありながら、高速エッチングを確保するためのラジカルをより高濃度とすることができ、しかも垂直エッチング性に必要なイオン濃度を確保することが可能なプラズマ処理装置等や処理方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The plasma treatment of the material in the form of a web is accompanied by subjecting at least part of the surface of the material in the form of a web to uniform treatment by an atmospheric plasma optionally in the presence of a processing gas and/or processing aerosol.例文帳に追加

前記ウエブ形態の材料のプラズマ処理に、前記ウエブ形態の材料の表面の少なくとも一部に常圧プラズマによる均一な処理を場合によりプロセスガスおよび／またはプロセスエーロゾルの存在下で受けさせることを伴わせる。 - 特許庁

A plasma processing apparatus 100 includes a plasma generating means for generating plasma in a chamber 1, a measuring portion 60 for measuring an integrated value of the number of particles of active species in the plasma moving toward a workpiece (wafer W), and a control portion 50 which so controls as to terminate plasma treatment when the measured integrated value of the number of particles has reached a set value.例文帳に追加

プラズマ処理装置１００は、チャンバー１内でプラズマを生成させるプラズマ生成手段と、被処理体（ウエハＷ）へ向けて移動するプラズマ中の活性種の粒子数の積算値を計測する計測部６０と、計測された粒子数の積算値が設定値に達した場合に、プラズマ処理を終了させるように制御する制御部５０と、を備えている。 - 特許庁

To provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method capable of flexibly dealing with substrate processing such as thin film formation of many kinds without a substrate disposed in a film formation processing space being damaged by plasma, and realizing the substrate processing such as thin film formation at high speed/low temperature.例文帳に追加

成膜処理空間に配置されている基板がプラズマによるダメージを受けることなしに多品種の薄膜形成などの基板処理に柔軟に対応することが可能で、かつ、薄膜形成等の基板処理を、高速・低温で実現できる基板処理装置と基板処理方法を提案する。 - 特許庁

To provide a substrate processing device by which throughput of substrate processing is enhanced by performing oxidation treatment with plasma-activated radical, in the substrate processing device in which adsorption and oxidization for a molecular layer are alternately repeated, and to provide a substrate processing method using the substrate processing device.例文帳に追加

分子層の吸着および酸化を交互に繰り返す基板処理装置において、前記酸化処理をプラズマ励起されたラジカルにより行うことにより、基板処理のスループットを向上させることができる基板処理装置、およびかかる基板処理装置を使った基板処理方法を提供する。 - 特許庁

The baffle plate 90 is arranged in an inside of a processing chamber for treating a substrate by generating plasma in an inside, and partitions an inside of the processing chamber into a processing space for treating the substrate, and an exhaust space for exhausting gas from the inside of the processing chamber.例文帳に追加

内部でプラズマを発生させて基板を処理する処理チャンバー内に配置され、前記処理チャンバー内を、前記基板を処理する処理空間と、前記処理チャンバー内から排気するための排気空間とに隔てるバッフル板９０である。 - 特許庁