「quantum diffusion」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

To provide a semiconductor laser element in which a diffusion condition of impurities for forming a window structure becoming a light irradiation part for an active layer (quantum well layer) can be easily controlled.例文帳に追加

活性層(量子井戸層)へ光の出射部となる窓構造を形成するための不純物の拡散条件のコントロールを容易にすることができる半導体レーザ素子を提供する。 - 特許庁

If the concentration of the impurity diffusion layer 8 is high, the life time of optical carriers is lowered and it is recombined, before they reach the depletion layer, and disappear, thus lowering the quantum efficiency of the light-receiving element.例文帳に追加

不純物拡散層８が高濃度の場合、光キャリアのライフタイムが低下し、空乏層に到達するまでに再結合して消滅し、受光素子の量子効率が低下する。 - 特許庁

Consequently, a diffusion condition of impurities to the infrared laser active layer (quantum well layer ) 12 can be controlled by adjusting a mixture ratio of the two elements Mg and Zn.例文帳に追加

したがって、この２つの元素ＭｇとＺｎの混合比を調整することで、赤外レーザ活性層(量子井戸層)１２への不純物の拡散条件をコントロールすることができる。 - 特許庁

Preferably, the increase/ decrease in the electron density of the Mn atoms and the O atoms is grasped by a quantum mechanical technique, and the increase/decrease in the diffusion coefficient of the Mn atoms is grasped by a classical mechanical technique.例文帳に追加

好ましくは、Ｍｎ原子とＯ原子の電子密度の増減を量子力学的手法によって把握し、Ｍｎ原子の拡散係数の増減を古典力学的手法によって把握する。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser element of high output and satisfactory reliability by preventing diffusion of impurity to an undoped optical guide layer, in the semiconductor laser element containing a quantum well as an active layer.例文帳に追加

量子井戸を活性層とする半導体レーザ素子においてアンドープ光ガイド層への不純物の拡散を防止することによって、高出力で信頼性の良好な半導体レーザ素子を提供する。 - 特許庁

Consequently, a thermal diffusion into a backing-layer region containing the active layer 5 having a multiple quantum well structure progresses when the clad layer 12 is grown in Zn doped as an acceptor during the growth of the clad layer 12 but the thermal diffusion is inhibited largely by Si doped to the diffraction grating layer 8.例文帳に追加

このため、ｐ導電型のクラッド層１２の成長中にアクセプタとしてドーピングされたＺｎは、クラッド層１２の成長時に多重量子井戸構造の活性層５を含む下地層領域への熱拡散が進行するが、回折格子層８にドーピングされたＳｉによってその熱拡散が大幅に抑制される。 - 特許庁

This magnetic substance is formed by making electrons movable between adjacent quantum dots and including the flat-band structure, in which energy diffusion of electrons hardly depends on wave number, in an electron energy band by locating the semiconductor quantum dots, with which the area of high energy potential is formed around the periphery and the electrons are contained, on grid points.例文帳に追加

格子点上に、周囲にエネルギーポテンシャルの高い領域が形成され電子が閉じ込められた半導体量子ドットを配置することにより、隣接した量子ドット間を電子が移動可能であり、電子のエネルギー分散が波数依存性をほとんど持たないフラットバンド構造が電子エネルギーバンドに含まれるようにすることにより磁性体が形成される。 - 特許庁

First and second semiconductor lasers 10 and 20 comprising buffer layers 11 and 21, clad layers 12 and 22, quantum well active layers 13 and 23 and clad layers 14 and 24 laminated on a substrate 1 while having a stripe structure are integrated on the same substrate, and the quantum well active layer near a resonator end face is disordered by impurity diffusion.例文帳に追加

基板１上に積層されたバッファ層１１、２１、クラッド層１２、２２、量子井戸活性層１３、２３、およびクラッド層１４、２４を備え、ストライプ構造を有する第一および第二半導体レーザ１０、２０が同一基板上に集積化され、共振器端面近傍における量子井戸活性層は不純物拡散により無秩序化されている。 - 特許庁

To realize a modulation-doped multiple quantum well structure having a sharp Zn profile of a few nm by satisfying two requirements, an increase in Zn concentration, and a reduction in the diffusion of Zn by the use of an organic metal vapor growth method using Zn.例文帳に追加

Ｚｎを用いた有機金属気相成長法を用いて、Ｚｎ濃度の増大とＺｎ拡散の低減を両立し、数ｎｍの急峻なＺｎプロファイルを有する変調ド−プ多重量子井戸構造を実現する。 - 特許庁

An image processor which quantizes multi-value (M-value) image data into N-value (M>N≥2) data using a multilevel error diffusion or multilevel average error minimum method determines the value of a quantization error according to density of input data and the quantum state of a periphery of a pixel of interest.例文帳に追加

多値（Ｍ値）画像データを、多値誤差拡散または多値平均誤差最小法を用いてＮ値（Ｍ＞Ｎ≧２）に量子化する画像処理装置は、入力データの濃度と注目画素周辺の量子状態に応じて、量子化誤差の値を決める。 - 特許庁

The semiconductor light emitting element comprises a GaN buffer layer 102, a non-doped GaN layer 103, an n-type GaN contact layer 104, an n-type AlGaN lower cladding layer 105, a multiple quantum well light emitting layer 106, a p-type AlGaN upper cladding layer 107 and a p-type GaN current diffusion layer 108 sequentially laminated on a sapphire substrate 101.例文帳に追加

サファイア基板１０１上に、ＧａＮバッファ層１０２、ノンドープＧａＮ層１０３、ｎ型ＧａＮコンタクト層１０４、ｎ型ＡｌＧａＮ下クラッド層１０５、多重量子井戸発光層１０６、ｐ型ＡｌＧａＮ上クラッド層１０７およびｐ型ＧａＮ電流拡散層１０８が順次積層されている。 - 特許庁

To provide an organic electroluminescent element in which it is made possible to sufficiently utilize high quantum yield possessed by a phosphorous light-emitting material, and in which low electric energy consumption and high light emission efficiency have been achieved by this, by optimizing light emission efficiency in a wider film thickness region in a light-emitting layer and also by suppressing diffusion of an exciton onto a positive hole transportation side.例文帳に追加

発光層におけるより広い膜厚領域で発光効率を最適化し、かつ正孔輸送層側への励起子の拡散を抑制することにより、りん光性発光材料の持つ高量子収率を十分に活かすことが可能で、これにより低消費電力化および高発光効率化が達成された有機電界発光素子を提供する。 - 特許庁