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quantum waveの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 71件
Due to this structure, when electrons are excited by light in the carrier confinement layers C1-C3, the quantum wave interference layers are propagated by waves from an (n) layer to a (p) layer, to allow a photoelectric current to flow at high speeds.例文帳に追加
この構造によりキャリア閉込層C_1〜C_3に電子が光励起されるとn層からp層へ量子波干渉層を波動で伝搬し、光電流が高速に流れる。 - 特許庁
To provide an optical semiconductor device that has an active layer using quantum dots and can be reduced in polarized-wave dependence, and to provide a method of manufacturing the device.例文帳に追加
量子ドットを用いた活性層を有する光半導体装置において、偏波依存性を低減しうる光半導体装置及びその製造方法を提供することにある。 - 特許庁
Waveguides constituted of these two layers are of the thickness and the optical refractive indexes so as to have a modal phase matching condition related to a method of parametrical fluorescence between a pump wave emitted by the quantum well and a parametrical conversion wave.例文帳に追加
これら2つの層によって構成された導波路が、量子井戸によって放出された励起波と、パラメトリック変換波との間のパラメトリック蛍光の方法についてモード位相整合条件を有するような、これら2つの層の厚さ及び光屈折率である。 - 特許庁
Since the obtained growing surface of the GaN nano-column 5 is a semi-polarity surface, the influence of a piezo-electric field can be released and superposition of wave function of electrons and holes in a quantum well can be increased.例文帳に追加
したがって、得られたGaNナノコラム5の成長面は半極性面であり、ピエゾ電界の影響を緩和し、量子井戸内の電子と正孔との波動関数の重なりを大きくすることができる。 - 特許庁
Emission efficiency of the pairs of electron and hole in the emission layer can be enhanced furthermore by forming a thick barrier wall at the boundary of the emission layer and the first and second quantum wave interference layers, respectively.例文帳に追加
発光層と第1、第2の量子波干渉層との境界とに各々厚い障壁層を形成することで、発光層での電子正孔対の発生効率をより向上させることもできる。 - 特許庁
In computing a quantum level of an exciton made up of an electron and a hole confined within a semiconductor microstructure such as a quantum well, respective wave functions ψ_e and ψ_h for an electron and hole about which a many-body mutual effect among charged-particles is taken into consideration, and their energy E_e and E_h are computed (Step S101).例文帳に追加
量子井戸などの半導体微細構造内に閉じ込められた電子及び正孔からなる励起子の量子準位の演算において、荷電粒子間の多体相互作用効果が考慮された電子及び正孔のそれぞれの波動関数ψ_e、ψ_h、及びそのエネルギーE_e、E_hを演算する(ステップS101)。 - 特許庁
A carrier confining layer 12 is embedded in a surface layer of a semiconductor substrate 11, an ultrasonic wave generating part 13 is formed on the semiconductor substrate 11 in which the carrier confining layer 12 is embedded, and the ultrasonic wave generating part 13 generates a surface acoustic wave which generates the lateral quantum confining structure in the carrier confining layer 12 and the semiconductor layer 11.例文帳に追加
半導体基板11の表層にキャリア閉じ込め層12を埋め込み、キャリア閉じ込め層12が埋め込まれた半導体基板11上に超音波発生部13を形成し、超音波発生部13は、キャリア閉じ込め層12および半導体層11に横方向量子閉じ込め構造を生成させる表面弾性波を発生させる。 - 特許庁
To provide a quantum band structure calculating method based on a finite element method which can solve a problem with generation of a spurious solution without with identification based on a wave function or a troublesome mathematical procedure.例文帳に追加
波動関数による識別や、煩雑な数学的手続き無しにスプリアス解発生の問題を解消した、有限要素法による量子バンド構造の計算方法及び量子バンド構造の計算プログラムを提供する。 - 特許庁
An electron in a high-energy Bloch wave state in a crystal makes a transition to one of lower energy with the simultaneous emission of a quantum of radiation. This necessitates an interband transition of the fast electron. 例文帳に追加
結晶中の高エネルギーのブロッホ波状態にある電子は、放射量子の同時放出によって低エネルギーのブロッホ状態にある電子に遷移する。この過程は、高速電子のバンド内遷移を必要とする。 - 科学技術論文動詞集
This magnetic substance is formed by making electrons movable between adjacent quantum dots and including the flat-band structure, in which energy diffusion of electrons hardly depends on wave number, in an electron energy band by locating the semiconductor quantum dots, with which the area of high energy potential is formed around the periphery and the electrons are contained, on grid points.例文帳に追加
格子点上に、周囲にエネルギーポテンシャルの高い領域が形成され電子が閉じ込められた半導体量子ドットを配置することにより、隣接した量子ドット間を電子が移動可能であり、電子のエネルギー分散が波数依存性をほとんど持たないフラットバンド構造が電子エネルギーバンドに含まれるようにすることにより磁性体が形成される。 - 特許庁
An ultra short light pulse exciting excitons (E2HH1, E2HH2) of subbands different in the number of quantums simultaneously is irradiated to a terahertz wave generating element (1) composed of a multiple quantum well (MQW) by a light irradiation circuit (2).例文帳に追加
多重量子井戸構造(MQW)で構成されるテラヘルツ波発生素子(1)に対し、量子数の異なるサブバンドの励起子(E2HH1,E2HH2)を同時に励起する超短光パルスを光照射回路(2)により照射する。 - 特許庁
A light emitted from a face (rear side end face) 1b opposed to an outgoing end face (front side end face) 1a of the quantum cascade laser 1 is wave-guided in an inside of the tubular member 5, and gets incident into the infrared detector 7, to be detected.例文帳に追加
量子カスケードレーザ1の出射端面(前側端面)1aと対向する面(後側端面)1bから放射された光は、管状部材5の内側を導波し、赤外線検出器7に入射して、検出される。 - 特許庁
To provide a super fine semiconductor which can be used as a raw material for a thin film excellent in water repellency (water resistance) or oil repellency (oil resistance) and transparency, and which can control absorption and emission wave length by the quantum effect.例文帳に追加
撥水性(耐水性)又は撥油性(耐油性)と透明性に優れた薄膜状成形体の材料として利用可能であり、且つ量子効果による吸発光波長の制御性を兼備した半導体超微粒子を提供する。 - 特許庁
An electromagnetic wave, where the quantum dot for forming a two-dimensional electron system has been efficiently concentrated, is absorbed, a generated excitation state is retained at least for 10 seconds, and at least one million electrons can be carried for the absorption of single photons.例文帳に追加
2次元電子系を形成する量子ドットが能率良く集中した電磁波を吸収し、生じた励起状態を10n秒以上保持し、単一光子の吸収に対して100万個以上の電子を移送可能にする。 - 特許庁
A gain medium 120 such as a semiconductor, atoms, molecules, or quantum dots is arranged outside a resonator 110 where an evanescent wave in a minute resonator mode is present, and a gain substance is excited by current and external visible rays.例文帳に追加
微小共振器モードのエバネッセント波が存在する共振器110の外部に半導体、原子、分子または量子点のような利得媒質120を配置し、電流や外部可視光を使用して利得物質を興奮させる。 - 特許庁
In an (i) layer of a pin junction, quantum wave interference layers Q1-Q4, made by stacking a first layer W and a second layer B having a broader band width than the first layer W at a multiple cycle and carrier confinement layers C1-C3, are formed.例文帳に追加
pin接合のi層において、第1層Wと第1層Wよりもバンド幅の広いバンドを有する第2層Bとを多重周期で積層した量子波干渉層Q_1〜Q_4とキャリア閉込層C_1〜C_3を設けた。 - 特許庁
A method for generating intersubband electron transition by TE mode light (electromagnetic wave) is invented by using a semiconductor having anisotropy in effective mass of electrons and forming a quantum well structure in a direction inclined from a main axis in an equal energy face.例文帳に追加
電子の有効質量に異方性がある半導体を用い、かつ、等エネルギー面の主軸から傾いた方向に量子井戸構造を形成することにより、TEモード光(電磁波)によりサブバンド間電子遷移を生じさせる方法を発明した。 - 特許庁
Excitation light 36 of 810 nm from the semiconductor laser element 31 is converged to the semiconductor element 23 by a converging lens and is effectively absorbed by light confinement layers 14, 16 and a multi-quantum well active layer 15 of the semiconductor element 23 and laser light 37 of wave-length of about 980 nm is output.例文帳に追加
半導体レーザ素子31からの810nmの励起光36は、集光レンズにより面発光型半導体素子23に集光され、面発光型半導体素子23の光閉じ込め層14、16および多重量子井戸活性層15により効率よく吸収されて、波長約980nmのレーザ光37が出力される。 - 特許庁
If at least one metal ultrafine particle is present, the wave function of the electrons in the metal intrudes deep in the titanium dioxide fine particle and induces photo-excited electrons produced in a wide range to the outside of the metal by the quantum tunnel effect.例文帳に追加
少なくとも1個の金属超微粒子があれば、金属内電子の波動関数が二酸化チタン微粒子内部に深く浸透し、広範囲に生起される光励起電子を量子トンネル効果により金属外に誘導できるから、多数の金属超微粒子を担持したのと同様の高光触媒活性を有する。 - 特許庁
In a super high-speed time-space conversion method for a light signal using four light wave mixing, by using a material having an organic- inorganic composite self-organized quantum well structure as a non-linear material, the method provide such a performance as a response time is 10 ps or faster and a third order non-linear sensing rate is 10-6esu or more.例文帳に追加
4光波混合を利用する光信号の超高速時間空間変換方法において、非線形物質4として有機無機複合型自己組織化量子井戸構造を有する材料を用いることにより、室温において応答時間10ps以下かつ3次の非線形感受率10^-6esu以上の性能を有する。 - 特許庁
This method for increasing the production of secondary metabolite in plants comprises performing for plant bodies which have passed a seedling growing period, control of at least one kind of element selected from photosynthesis light quantum flux density, carbon dioxide concentration, light wave length, light period, temperature, humidity and nutrient quantity as elements influencing growth of Saint-John's-wort and Glycyrrhiza family plant.例文帳に追加
植物における二次代謝物の産生を増大せしめる方法であって、植物が、セイヨウオトギリソウ、Glycyrrhiza属である植物の生育に影響する要素である光合成光子量密度、二酸化炭素の濃度、光の波長、明期、温度、湿度および栄養分の量からの少なくとも1種の要素の制御を、成苗期を経過した植物体に対して行うことを含む、前記方法。 - 特許庁
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