「reactive sputtering method」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

REACTIVE SPUTTERING APPARATUS, AND REACTIVE SPUTTERING METHOD例文帳に追加

反応性スパッタリング装置および反応性スパッタリングの方法 - 特許庁

REACTIVE SPUTTERING METHOD AND DEVICE例文帳に追加

反応性スパッタリング方法と装置 - 特許庁

CONTROL METHOD FOR REACTIVE SPUTTERING例文帳に追加

反応性スパッタリングの制御方法 - 特許庁

REACTIVE SPUTTERING METHOD AND DEVICE THEREFOR例文帳に追加

反応性スパッタリング方法とその装置 - 特許庁

METHOD AND EQUIPMENT FOR REACTIVE SPUTTERING例文帳に追加

反応性スパッタリング方法とその装置 - 特許庁

REACTIVE SPUTTERING METHOD, AND FILM DEPOSITION APPARATUS THEREFOR例文帳に追加

反応性スパッタリング法とその成膜装置 - 特許庁

REACTIVE SPUTTERING METHOD AND OPTICAL MEMBER例文帳に追加

反応性スパッタリング方法及び光学部材 - 特許庁

REACTIVE SPUTTERING DEPOSITION DEVICE AND METHOD例文帳に追加

反応性スパッタリング蒸着装置及び方法 - 特許庁

REACTIVE SPUTTERING DEVICE AND FILM DEPOSITION METHOD例文帳に追加

反応性スパッタリング装置及び成膜方法 - 特許庁

METHOD FOR CONTROLLING REACTIVE SPUTTERING AND FILM DEPOSITION METHOD例文帳に追加

反応性スパッタリングの制御方法及び成膜方法 - 特許庁

REACTIVE SPUTTERING FILM-FORMING METHOD AND FILM-FORMING APPARATUS例文帳に追加

反応性スパッタ成膜方法及び成膜装置 - 特許庁

REACTIVE SPUTTERING METHOD AND APPARATUS THEREOF例文帳に追加

反応性スパッタリング方法及び反応性スパッタリング装置 - 特許庁

The selective patterning method includes a DC heating evaporation method, an ion beam evaporation method, a reactive ion beam evaporation method, a two-pole sputtering method, a magnetron sputtering method, a reactive sputtering method, a three-pole sputtering method, an ion beam sputtering method, an ion plating method, a hollow cathode beam method, an ion beam injection method and a plasma CVD method and the like.例文帳に追加

選択的パターニング方法は、直流加熱蒸着法、イオンビーム蒸着法、反応性イオンビーム蒸着法、２極スパッタ法、マグネトロンスパッタ法、反応性スパッタ法、３極スパッタ法、イオンビームスパッタ法、イオンプレーティング法、ホローカソードビーム法、イオンビーム注入法及びプラズマＣＶＤ法などである。 - 特許庁

WORK MOVING TYPE REACTIVE SPUTTERING DEVICE, AND ITS METHOD例文帳に追加

ワーク移動式反応性スパッタ装置とワーク移動式反応性スパッタ方法 - 特許庁

The passivation film is formed by a reactive pulse DC sputtering method.例文帳に追加

反応性パルスＤＣスパッタリングを行うことによりパッシベーション膜を形成する。 - 特許庁

THIN-FILM BULK ACOUSTIC RESONATOR MANUFACTURING METHOD, PIEZOELECTRIC FILM FORMING METHOD AND NON-REACTIVE SPUTTERING DEVICE例文帳に追加

薄膜バルク音響共振子の製造方法、圧電膜の形成方法および非反応性スパッタリング装置 - 特許庁

A method in one embodiment includes conducting reactive sputtering while adjusting a flow rate of a reactive gas according to the temperature of a structural member which faces to a sputtering space.例文帳に追加

本発明の一実施形態では、スパッタ空間に臨む構造部材の温度に応じて、反応性ガスの流量を調整しながら、反応性スパッタリングを行う。 - 特許庁

An i layer 4 is formed by a reactive sputter method for performing sputtering in an oxygen gas atmosphere.例文帳に追加

ｉ層４は酸素ガス雰囲気中でスパッタを行う反応性スパッタ法で成膜されている。 - 特許庁

NONLINEAR ELEMENT, ITS MANUFACTURING METHOD, ELECTRO-OPTIC DEVICE, AND REACTIVE SPUTTERING FILM-FORMING DEVICE例文帳に追加

非線形素子の製造方法、非線形素子、電気光学装置、および反応性スパッタ成膜装置 - 特許庁

To provide a sputtering film-forming method that can improve film thickness distribution in a reactive sputtering method that uses a metal target, and to provide a film-forming apparatus.例文帳に追加

金属ターゲットを用いた反応性スパッタ法において、膜厚分布を向上させることが可能なスパッタ成膜方法及び成膜装置を提供する。 - 特許庁

FILM FORMED BY OPTICAL THIN FILM FOR HIGH PERFORMANCE VACUUM ULTRAVIOLET WAVELENGTH RANGE BY REACTIVE DC MAGNETRON SPUTTERING METHOD例文帳に追加

反応性ＤＣマグネトロンスパッタ法による高性能真空紫外波長域用光学薄膜の成膜 - 特許庁

In a manufacturing method of a Cu_2O thin film, the Cu_2O thin film having its film thickness of about 1 μm is created by a reactive sputtering method on a cleaned glass substrate.例文帳に追加

洗浄したガラス基板上に反応性スパッタ法によって膜厚約１μｍのＣｕ_2Ｏ薄膜を作製した。 - 特許庁

In the manufacturing method of the present invention, the flow rate ratio of noble gas and reactive gas used for the reactive sputtering method is adjusted according to a target threshold voltage of the MOSFET.例文帳に追加

本発明の製造方法では、反応性スパッタリング法で用いる希ガスと反応性ガスの流量比率を、目標とするＭＯＳＦＥＴの閾値電圧に応じて調整する。 - 特許庁

To obtain a radical generating method in reactive sputtering where damages to a film and a substrate caused by ions is suppressed, and to obtain a device therefor.例文帳に追加

イオンによる膜と基板へのダメージを抑制する反応性スパッタにおけるラジカル発生方法及び同装置を得る。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a sputtering target which makes the thickness of a film formed from TaN or the like with a reactive sputtering method more uniform in the film plane.例文帳に追加

ＴａＮ膜等を反応性スパッタ法で形成する際に、その膜厚の面内均一性をより一層高めることを可能にしたスパッタリングターゲットの製造方法を提供する。 - 特許庁

A method for depositing a thin film on a surface of a base material 5 by the reactive sputtering method uses one or more sputtering targets 3b containing Nb as a principal element and one or more sputtering targets 3a containing Al as a principal element for reactive sputtering to simultaneously deposit films of the components derived from two kinds of sputtering targets on the surface of the base material 5.例文帳に追加

反応性スパッタリング法により、基材５面上に薄膜を形成する方法において、Ｎｂを主成分とするスパッタリングターゲット３ｂとＡｌを主成分とするスパッタリングターゲット３ａをそれぞれ１枚以上用いて、該反応性スパッタリング法を行い、２種の該スパッタリングターゲット由来の成分を該基材５面上に同時に成膜することを特徴とする薄膜の形成方法。 - 特許庁

To provide a control method for reactive sputtering which deposits a thin film on a substrate by sputtering targets in a reactive gas to emit the material, and can be controlled with excellent production efficiency.例文帳に追加

本発明は、反応性ガス中でターゲットをスパッタしてその材料を放出させて基板上に薄膜を形成する反応性スパッタリングに関し、生産効率の良い制御が可能な反応性スパッタリングの制御方法を提供するものである。 - 特許庁

To materialize a reactive sputtering method for controlling a polarization direction of a nitride semiconductor thin film by a simple method without being restricted in substrates.例文帳に追加

基板の限定がなく、簡易な方法で、窒化物半導体薄膜の分極方向を制御することができる反応スパッタリング法を実現する。 - 特許庁

METHOD FOR FORMING FLUORIDE OPTICAL THIN FILM CORRESPONDING TO HIGH PERFORMANCE ULTRAVIOLET WAVELENGTH AREA ON QUARTZ SUBSTRATE BY REACTIVE DC MAGNETRON SPUTTERING METHOD例文帳に追加

反応性ＤＣマグネトロンスパッタ法による高性能紫外波長領域対応フッ化物光学薄膜の石英基板への成膜方法 - 特許庁

METHOD OF FORMING SILICON NANOPARTICLES FROM SILICON RICH-OXIDE BY DC REACTIVE SPUTTERING FOR ELECTROLUMINESCENCE APPLICATION例文帳に追加

エレクトロルミネセンスへの応用を目的とし、シリコン過剰酸化物からシリコンナノ粒子をＤＣ反応性スパッタリングによって形成する方法 - 特許庁

To provide a Mg sputtering target used when manufacturing a thin film of MgO with a reactive sputtering method, which is a protective coating of a dielectric layer for the plasma display panel of an alternating current type.例文帳に追加

交流型プラズマディスプレイパネルにおける誘電体層の保護膜であるＭｇＯ薄膜を反応性スパッタリング法により製造するときに用いるＭｇスパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁

FILM-FORMING METHOD BY DIRECT-CURRENT REACTIVE FACING TARGET TYPE SPUTTERING, PURE YTTRIA CORROSION-RESISTANT FILM FORMED WITH THE FILM-FORMING METHOD, AND CORROSION-RESISTANT QUARTZ ASSEMBLY例文帳に追加

直流反応性対向ターゲット方式スパッタリング成膜方法、その成膜方法によって形成される純イットリア耐食膜、及び耐食性石英構成体 - 特許庁

To provide a magnetic recording medium having a higher coercive force by enabling reactive sputtering having stable reproducibility even if oxygen addition is performed in formation of a magnetic film using oxygen added reactive sputtering and to provide a method of manufacturing the magnetic recording medium.例文帳に追加

酸素添加系反応性スパッタリングを用いた磁性膜の形成において、酸素添加を行なっても安定した再現性のある反応性スパッタリングを可能とし,より、高保磁力な磁気記録媒体及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a reactive sputtering device which can maintain the uniformity of a film-forming speed and film quality by suppressing the contamination of a target, in the reactive sputtering device which forms a thin film on the surface of a long-length base material during transportation, and a method.例文帳に追加

搬送中の長尺基材表面に薄膜を生成する反応性スパッタリング装置において、ターゲット汚れを抑制し、成膜速度や膜質の均一性を長時間保てる反応性スパッタリング装置および方法を提供する。 - 特許庁

Then, a thick Ti film 5 is formed on all the surface through a sputtering method to serve as a contact layer, and a TiN film 6 is formed on all the surface through a reactive sputtering method where a mixed gas of nitrogen and argon is used (b).例文帳に追加

つぎに、スパッタ法により全面にコンタクト層となる厚さＴｉ膜５を形成し、窒素とアルゴンの混合ガスを用いた反応性スパッタ法により、全面にバリア膜となるＴｉＮ膜６を形成する（ｂ）。 - 特許庁

To provide a silicon monoxide sintered compact which combines securement of a film deposition rate and stability of film properties by an RF (radio-frequency reactive sputtering) method.例文帳に追加

ＲＦ法によって、成膜速度を確保するとともに膜特性の安定化を両立させる一酸化珪素焼結体を提供する。 - 特許庁

To provide a reactive sputtering device capable of forming a thin film in which target atoms and reactive gas are sufficiently reacted on the surface of a substrate without reducing the film forming rate and to provide a method therefor.例文帳に追加

成膜速度を低下させることなく、ターゲット原子と反応性ガスとが十分に反応した薄膜を基板の表面に形成することのできる反応性スパッタリング装置とその方法を提供する。 - 特許庁

As for the method for manufacturing an oxide optical crystal thin film, reactive sputtering which uses the metal target containing only a metal component in the oxide and the reactive gas consisting of oxygen is adopted.例文帳に追加

酸化物の光学結晶薄膜を製造する方法として、酸化物中の金属成分のみを含有する金属ターゲット及び酸素から成る反応性ガスを用いた反応性スパッタリングを採用した。 - 特許庁

This ECR sputtering method attains an excellent nitriding reaction and a high sputtering yield by irradiating a substrate with plasma originating from a sputter target, simultaneously ionizing reactive gases such as nitrogen gas and irradiating the substrate with ions of the ionized reactive gas.例文帳に追加

ＥＣＲスパッタにおいて、スパッタターゲットのプラズマを基板に照射するとともに、窒素ガス等の反応性ガスをイオン化し、このイオン化した反応性ガスイオンを基板に照射することによって、窒化反応を良好なものとするとともに、高いスパッタリングイールドを得る。 - 特許庁

In the sputtering film deposition method, a metal target is sputtered by a sputtering gas in the presence of a reactive gas of CO_2 and/or CO, and the transparent thin film composed of the oxide of the metal is deposited on the substrate by setting the reaction mode during the sputtering as an oxidation mode.例文帳に追加

ＣＯ_２及び／又はＣＯの反応性ガスの存在下で金属ターゲットをスパッタガスによりスパッタリングし、当該スパッタリング中の反応モードを酸化モードとして基板上に前記金属の酸化物からなる透明薄膜を成膜する。 - 特許庁

This method for forming the optical thin film having many optical layers with a magnetron sputtering method on the surface of a substrate 8 comprises, introducing inert gas and reactive gas into a sputter chamber 1, and sequentially forming the optical layer on the substrate 8, under a condition of a discharge pressure of 1.3×10-1 Pa or less, with a reactive magnetron sputtering method.例文帳に追加

マグネトロンスパッタ法により基板８面上に多層の光学層を有する光学薄膜を形成する際、スパッタ槽１内に不活性ガスおよび反応性ガスを導入し、１．３×１０^-1Ｐａ以下の放電圧力の条件下において反応性マグネトロンスパッタ法により基板８面上に順次光学層を形成させる。 - 特許庁

To form a film composed of compounds of a material which is different from a substrate by a reactive sputtering method on the surface of the substrate in a state of a better film quality.例文帳に追加

基体（基板）とは異なる材料の化合物からなる膜を、より膜質の良い状態で、基体表面に反応性スパッタ法で形成する - 特許庁

The method is suitably used for a dry deposited film including hydrogen derived from at least Si-H bond or N-H bond, which is formed by a means selected from among vapor deposition, reactive vapor deposition, sputtering, reactive sputtering, and chemical vapor deposition.例文帳に追加

本発明の方法は、蒸着法、反応性蒸着法、スパッタ法、反応性スパッタ法、化学気相堆積法から選ばれた手法により形成され、少なくともＳｉ−Ｈ結合、もしくはＮ−Ｈ結合に由来する水素を含む乾式堆積膜に好適に使用できる。 - 特許庁

To provide a conductive transparent compound thin film which has a sufficiently low resistivity and is difficult to provide in the conventional reactive sputtering method, and to provide a method of producing the conductive transparent compound thin film.例文帳に追加

従来の反応性スパッタ法によっては実現が困難であった、充分に低い抵抗率となる導電性透明化合物薄膜およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

Further, regarding this method, an iridium oxide film is formed by a reactive sputtering process where, using a target comprising iridium, sputtering is performed while introducing an oxygen-containing gas under the conditions where film deposition temperature is 275 to 400°C and sputtering pressure is 0.69 Pa (5.2 mTorr) to 1.09 Pa (8.2 mTorr).例文帳に追加

また、イリジウムを含むターゲットを用い、酸素を含むガスを導入しながらスパッタリングする反応性スパッタリング法により、成膜温度が２７５℃以上４００℃以下の条件およびスパッタ圧力が０．６９Ｐａ（５．２ｍＴｏｒｒ）以上１．０９Ｐａ（８．２ｍＴｏｒｒ）以下の条件下で、イリジウム酸化膜を形成する方法である。 - 特許庁