「reactive sputtering method」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a film-forming apparatus which improves the stability of an electric discharge of reactive direct-current sputtering and also inhibits defects originating in the formation of particles, and to provide a film-forming method.例文帳に追加

反応性直流スパッタ放電の安定性を向上させるとともに、パーティクルの発生による欠陥を抑えることのできる成膜装置及び成膜方法を提供する。 - 特許庁

The titanium nitride film can be formed by keeping a partial pressure of residual water in atmosphere for film-forming at 0.3% or below to a total pressure, when this titanium film is formed by a reactive sputtering method.例文帳に追加

窒化チタン膜を反応性スパッタリング法で成膜する際に、成膜雰囲気中の残留水分の分圧を全圧に対して０．３％以下にして前記窒化チタン膜を成膜する。 - 特許庁

To provide a high-purity Ta material for a semiconductor device, which makes the thickness of a TaN film formed with a reactive sputtering method more uniform in the film plane.例文帳に追加

ＴａＮ膜を反応性スパッタ法で形成する際に、その膜厚の面内均一性をより一層高めることを可能にした半導体デバイス用高純度Ｔａ材を提供する。 - 特許庁

The facing target sputtering method comprises the steps of: arranging a pair of facing targets 1, 2 in a vacuum vessel 6; applying a voltage between the pair of facing targets to discharge electricity; and depositing a reactive film by sputtering the target while controlling a flow rate of a reactive gas so that the quantity of the light to be emitted from the target becomes predetermined one.例文帳に追加

本発明に係る対向ターゲット式スパッタ方法は、対向する一対のターゲット１，２を真空容器６内に配置し、前記一対のターゲットに電力を印加して放電させ、前記ターゲットから発生する発光が所定の発光量になるように反応性ガスの流量を制御しながらスパッタリングにより反応性膜を成膜するものである。 - 特許庁

A non-reactive sputtering etching method includes a step for etching after a photoresist layer 106 as a mask material is formed on an inner side of a step formed on an etching film 102, a step for baking at 180 to 200°C after the photoresist is exposed and developed, and a step for etching without reactive sputtering.例文帳に追加

反応性を用いないスパッタエッチングにおいて、被エッチング膜１０２上に形成された段差の内側にマスク材としてのフォトレジスト層１０６を形成してエッチングする工程と、前記フォトレジストを露光現像後、１８０〜２００℃の温度でベークする工程と、反応性を用いないスパッタエッチング工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 特許庁

The facing-target type sputtering method comprises: applying an electric power to a pair of targets 1 and 2 arranged in a vacuum vessel 6, to discharge them; controlling a flow rate of a reactive gas so that the targets can emit a predetermined level of light; and forming a reactive film by sputtering the targets.例文帳に追加

本発明に係る対向ターゲット式スパッタ方法は、対向する一対のターゲット１，２を真空容器６内に配置し、前記一対のターゲットに電力を印加して放電させ、前記ターゲットから発生する発光が所定の発光量になるように反応性ガスの流量を制御しながらスパッタリングにより反応性膜を成膜するものである。 - 特許庁

The thin-film-forming method includes forming a thin film through sputtering targets 29a and 29b, while exhausting air from an outlet 11d formed in a vacuum chamber 11, and introducing a sputtering gas containing at least a reactive gas into a film-forming zone 20.例文帳に追加

真空槽１１に設けられた排気口１１ｄからの排気と、成膜プロセスゾーン２０への少なくとも反応性ガスを含むスパッタガスの導入とを行いながらターゲット２９ａ，２９ｂに対するスパッタによって薄膜を形成する薄膜形成方法である。 - 特許庁

To form a film made of a compound of materials which are different from materials of a substrate on the surface of a substrate through reactive sputtering method, while a compound of materials of which the substrate is made is not formed on the substrate surface.例文帳に追加

基板表面に基板を構成する材料の化合物を形成することなく、基板とは異なる材料の化合物からなる膜を、基板表面に反応性スパッタ法で形成する。 - 特許庁

To provide a method for producing a high-purity Ta material for semiconductor devices, which can enhance in-plane uniformity of thickness of a TaN film formed by a reactive sputtering process.例文帳に追加

ＴａＮ膜を反応性スパッタ法で形成する際に、その膜厚の面内均一性をより一層高めることを可能にした半導体デバイス用高純度Ｔａ材の製造方法を提供する。 - 特許庁

In the reactive sputtering method that uses the metal target, a magnet 205 is arranged on a non-film-forming surface side of a substrate 203 to be processed, and film-forming particles are guided by capturing target particles scattered due to sputtering action with magnetic fields, thereby uniformizing the film thickness distribution of the substrate 203.例文帳に追加

金属ターゲットを用いた反応性スパッタ法において、被処理基板２０３の非成膜面側に磁石２０５を配置し、スパッタ作用により飛散されたターゲット粒子を磁界によって捕らえることで成膜粒子を導くことにより、被処理基板２０３の膜厚分布を均一化する。 - 特許庁

The method for forming the transparent thin film with a sputtering method using a reactive gas, is characterized by employing a compound and/or a mixture including two or more elements having different transition regions as a target, where transition of a film forming mode between a metal mode and a compound mode occurs as the concentration of the reactive gas changes.例文帳に追加

反応性ガスの使用によるスパッタリング法にて透明薄膜を成膜する方法において、反応性ガスの濃度変化に伴い成膜形態に金属モードと化合物モードとの間で移行を生ずる遷移領域が異なる２種以上の元素を含む化合物および／または混合物をターゲットとして用いる。 - 特許庁

After that, a TiN film 6 that becomes a gate electrode is formed by the reactive sputtering method using a mixed gas of N2, and a TiN film and an Sr2NbN3 film of a prescribed region are etched and removed by a mixed gas of Ar and Cl2 or the like using a resist mask.例文帳に追加

その後、Ar/N_2混合ガスを用いた反応性スパッタ法により、ゲート電極となるTiN膜６を形成し、レジストマスクを用いて、所定の領域のTiN膜、Sr_2NbN_3膜をAr/Cl_2混合ガス等を用いてエッチングして除去する。 - 特許庁

A protecting film 8 is composed of a metallic material like Si-CxHy or a compound of semiconductor and organic material, and the protecting film 8 is formed by the reactive direct current sputtering method using a pulse power source at room temperature.例文帳に追加

保護膜８は、Ｓｉ−ＣｘＨｙ等の金属または半導体と有機物との化合物よりなり、この保護膜８は、パルス電源を使用した反応性直流スパッタ法により室温で成膜されている。 - 特許庁

To stably and continuously produce a transparent electrically conductive thin film on a transparent plastic substrate for a long time by reactive sputtering method using a metallic target.例文帳に追加

プラスチックフィルムからなる透明基材上に透明導電性薄膜を有する透明導電性フィルムを、金属ターゲットを使用した反応性スパッタ成膜により、高速で長時間安定して連続的に製造する。 - 特許庁

When niobium metal is used as a target and a niobium oxide thin film is deposited on the surface of a base material by a sputtering method, the amount of a reactive gas to be introduced is controlled by a plasma emission monitoring (PEM) method, and the strength of plasma generated from the niobium metal is controlled.例文帳に追加

ニオブメタルをターゲットとして、スパッタリング法により基材表面に酸化ニオブ薄膜を成膜する際に、プラズマエミッションモニタリング（ＰＥＭ）法により反応性ガスの導入量を調整し、前記ニオブメタルから発生するプラズマの強度を制御する。 - 特許庁

This method is a manufacturing method for the timepiece cover glass provided with a reflection preventing film using an SiO_2 film as the uppermost surface layer on a glass base material, and at least the SiO_2 film of the uppermost surface layer on a surface is manufactured by a reactive sputtering method using a target containing 90 wt.% or more of Si.例文帳に追加

ガラス基材に最表層をＳｉＯ_2 膜とする反射防止膜を備えた時計用カバーガラスの製造方法であって、少なくとも表面の最表層のＳｉＯ_2膜をＳｉを９０重量％以上含むターゲットを用いた反応性スパッタリング法によって作製する。 - 特許庁

The method of depositing the transparent optical film includes the step of depositing an optical film that is transparent on a substrate 11 by a reactive sputtering process using a Mg-Si metal target 4 in an atmosphere into which a gas 7 of a fluorine-containing compound is introduced and in which the total pressure is adjusted to 8 Pa or more.例文帳に追加

フッ素を含む化合物のガス７を導入して全圧８Ｐａ以上とした雰囲気下で、Ｍｇ−Ｓｉメタルターゲット４を用いた反応性スパッタリング法により、基板１１上に透明な光学膜を成膜する。 - 特許庁

To continuously manufacture a transparent conductive film having a transparent conductive thin film on a transparent substrate made of a plastic film at a high speed and stably for a long period by a reactive sputtering film deposition method using a metal target.例文帳に追加

プラスチックフィルムからなる透明基材上に透明導電性薄膜を有する透明導電性フィルムを、金属ターゲットを使用した反応性スパッタ成膜により、高速で長時間安定して連続的に製造する。 - 特許庁

To stabilize the film quality of a transparent electrically conductive film over a long time when a transparent electrically conductive laminate having the transparent electrically conductive film on a transparent high molecule substrate is manufactured by a reactive sputtering film forming method using a metal target.例文帳に追加

金属ターゲットを使用した反応性スパッタ成膜により、透明な高分子基板上に透明導電膜を有する透明導電積層体を製造するにあたり、透明導電膜の長時間にわたる膜質安定化をはかる。 - 特許庁

The composite material is used as the target material to perform dry process vapor deposition such as a reactive sputtering method or the like to obtain a product such as a cutting tool, a slide part or the like coated with a hard thin film excellent in abrasion resistance or oxidation resistance.例文帳に追加

該複合材をターゲット材として、反応性スパッタ法等のドライプロセス蒸着を行い、表面に耐摩耗性又は耐酸化性の優れた硬質薄膜をコーティングした切削工具又は摺動部品等の製品を得る。 - 特許庁

Also, the method for manufacturing the vertical magnetic recording medium characterized by adding Ar gas and oxygen gas to a target containing the SiC in a step of depositing the magnetic layer by the reactive sputtering on the soft magnetic layer is provided.例文帳に追加

また、軟磁性層上に反応性スパッタリングにより磁性層を成膜するステップにおいて、SiCを含有するターゲットに、Arガスと酸素ガスとを添加することを特徴とする垂直磁気記録媒体の製造方法を提供する。 - 特許庁

In a method for manufacturing a magnetic recording medium which has a magnetic layer and a protection layer made of a silicon nitride on at least one surface of a support, the protection layer is manufactured by reactive pulse sputtering method employing silicon as a target.例文帳に追加

支持体の少なくとも一方の面に磁性層と、窒化珪素からなる保護層を有する磁気記録媒体の製造方法において、該保護層を、珪素をターゲットとした反応性パルススパッタ法で作製することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。 - 特許庁

A TiN film is formed through a PVD method where a Ti reactive sputtering is carried out in a nitrogen atmosphere, and the TiN film is high in density and impurity to protect the TiN-type layer 102 of lower density against fluorine contamination while a W metal layer is deposited through a CVD method.例文帳に追加

窒素雰囲気内でのＴｉ反応性スパッタリングによって作られたＰＶＤによるＴｉＮ被膜は、高い密度及び純度を持ち、ＣＶＤによるタングステン・デポジッションの間、弗素汚染に対して密度が一層低いＴｉＮ形層を保護する。 - 特許庁

In a method for manufacturing a magnetic recording medium which has a magnetic layer and a protection layer made of hard carbon containing at least carbon and hydrogen, on at least one surface of a support, the protection layer is manufactured by reactive pulse sputtering method employing carbon as a target.例文帳に追加

支持体の少なくとも一方の面に磁性層と、少なくとも炭素と水素を含む硬質炭素からなる保護層を有する磁気記録媒体の製造方法において、該保護層を、炭素をターゲットとした反応性パルススパッタ法で作製することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。 - 特許庁

After laminating a conductive material protection film on the organic material film by non-reactive sputtering method, an electrode is formed from the surface of this film by conversion to an oxide film by making use of a plasma oxidation method using oxygen radical ions by a low electron temperature high-density plasma apparatus.例文帳に追加

有機物材料膜の上に非反応性スパッタリング法で導電性材料保護膜を積層し、その後、この膜の表面から低電子温度高密度プラズマ装置による酸素ラジカルイオンを使ったプラズマ酸化法を利用して酸化物膜へと変換させて、電極を形成する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a group-III nitride semiconductor, which can efficiently form a film of the group-III nitride semiconductor having an adequate film quality on a substrate through a reactive sputtering method.例文帳に追加

良好な膜質を有するＩＩＩ族窒化物半導体を反応性スパッタ法によって効率よく成膜することができるＩＩＩ族窒化物半導体の製造方法及びＩＩＩ族窒化物半導体製造装置、並びにＩＩＩ族窒化物半導体発光素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

A thin film of the tetragonal MgSiO_3 crystal is formed on a crystalline substrate (a silicon single crystal substrate or a substrate obtained by forming a buffer layer on the substrate) by the epitaxial growth of Mg and Si in an oxygen atmosphere using a PVD method (helicon wave reactive sputtering method or the like).例文帳に追加

結晶質下地（シリコン単結晶基板又はその上にバッファー層を形成したもの）上に、Ｍｇ及びＳｉを酸素の雰囲気中でＰＶＤ法（ヘリコン波反応性スパッタリング法など）を用いてエピタキシャル成長させることにより、正方晶ＭｇＳｉＯ_３結晶の薄膜を形成する。 - 特許庁

To provide a group III nitride semiconductor light-emitting device which has excellent light-emitting property and in which a buffer layer is formed on a substrate by a reactive sputtering method and a group III nitride semiconductor with good crystallinity can be formed thereon, and provide a method for manufacturing thereof and a lamp.例文帳に追加

基板上に、反応性スパッタ法を用いてバッファ層を形成し、その上に結晶性の良好なＩＩＩ族窒化物半導体を成長させることができ、優れた発光特性を有するＩＩＩ族窒化物半導体発光素子及びその製造方法、並びにランプを提供する。 - 特許庁

To provide a method of forming a magnetic layer having stable magnetic characteristics and recording and playback characteristics by improving uniformity of oxygen radical concentration distribution to make uniform the concentration of oxygen taken in the magnetic layer in an in-plane direction, in reactive sputtering.例文帳に追加

反応性スパッタリングを行う際に、酸素ラジカル濃度分布の均一性を高め、磁性層中に取り込まれる酸素濃度を面方向において一様とし、磁気特性、記録再生特性が安定した磁性層の形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a device for forming a thin film of a metallic compd., in a sputtering technology for obtaining a metallic compd. thin film, capable of preventing abnormal discharge caused by the intrusion of reactive gas such as oxygen into the sputtering zone of each target and capable of obtaining a thin film free from defects and to provide a thin film forming method thereof.例文帳に追加

本発明の目的は、金属化合物薄膜を得るスパッタリング技術において、酸素等の反応性ガスが各ターゲットのスパッタゾーンに入り込むことによって起きる異常放電を防止し、欠陥のない薄膜を得ることができる金属化合物の薄膜形成装置及びその薄膜形成方法を提供することにある。 - 特許庁

In the method for fabricating a magnetic tunnel junction element, when an alumina film is formed as a tunnel barrier film on a ferromagnetic layer 16 of Ni-Fe alloy, or the like, an aluminum film 18 is formed by sputtering on the ferromagnetic layer 16 and then oxidized while coating it with an alumina film by reactive sputtering.例文帳に追加

例えば磁気トンネル接合素子の製法において、Ｎｉ−Ｆｅ合金等の強磁性層１６の上にトンネルバリア膜としてのアルミナ膜を形成する場合、強磁性層１６の上にスパッタ法によりアルミニウム膜１８を形成した後反応性スパッタ法によりアルミニウム膜１８の上にアルミナ膜を被着しつつアルミニウム膜１８を酸化する。 - 特許庁

In the reactive sputtering method where the target atoms sputtered from the surface of a target by plasma discharge are allowed to react with oxygen to deposit the resultant oxides onto a substrate, inert gas such as argon or etching gas of oxide is allowed to flow along the surface of the target.例文帳に追加

プラズマ放電によりターゲット表面から飛び出したターゲットの原子を酸素と反応させて、その酸化物を基板に付着させる反応性スパッタ方法において、ターゲット表面に沿ってアルゴンなどの不活性ガスまたは酸化物のエッチングガスを流すものである。 - 特許庁

Alternatively, an alkali (earth) metal supply layer is film-formed by a reactive sputtering method in the presence of oxygen and/or nitrogen using a semi-conductive or conductive target that includes one or more types of alkali metals and/or alkali earth metals.例文帳に追加

若しくは、アルカリ（土類）金属供給層の成膜を、酸素及び／又は窒素の存在下で、１種又は２種以上のアルカリ金属及び／又はアルカリ土類金属を含む半導電性又は導電性のターゲットを用いた反応性スパッタ法により実施する。 - 特許庁

The fluoride thin film depositing method is characterized in that gas containing fluorine is activated and introduced to perform sputtering by irradiating electrons on the gas containing fluorine at the energy below the ionization energy of the gas containing fluorine in a thin film depositing method to deposit a metal fluoride thin film on a substrate by performing the reactive sputtering with the gas containing at least fluorine by using a metal target.例文帳に追加

本発明のフッ化物薄膜の形成方法は、金属ターゲットを用い、少なくともフッ素を含むガスで反応性スパッタを行うことにより、基板上に金属フッ化薄膜を形成する薄膜形成方法において、フッ素を含むガスのイオン化エネルギー以下で電子を該フッ素を含むガスに照射することにより該フッ素を含むガスを活性化して導入しスパッタを行うことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a metal fluoride optical element, at the time when reactive sputtering is performed with a metal target and reactive gas, free from variation in optical properties caused by the phenomenon that the content of fluorine in a metal fluoride thin film deviates from a stoichiometric composition in accordance with the using time of the target, to provide its production method, and to provide a production device therefor.例文帳に追加

本発明は、金属ターゲットと反応性ガスとによるリアクティブスパッタリングを行うに際し、ターゲットの使用時間と共に金属フッ化物薄膜のフッ素含有量が化学量論組成から乖離することに起因して光学特性がばらつくことがない金属フッ化物光学素子及びその製造方法及びその製造装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

This method of manufacturing magnetic recording medium comprises subjecting a ground surface film formed on a substrate to a sputtering treatment under an oxygen excess atmosphere, then to reactive sputtering to form a thin spinel type iron oxide film essentially consisting of magnetite on the ground surface film, then oxidizing the thin spinel type iron oxide film essentially consisting of this magnetite to transform the thin film to the thin maghemite film.例文帳に追加

基体上に形成された下地膜に対して酸素過剰雰囲気下でスパッタ処理した後、反応スパッタすることによって前記下地膜上にマグネタイトを主成分とするスピネル型酸化鉄薄膜を形成し、次いで、当該マグネタイトを主成分とするスピネル型酸化鉄薄膜を酸化してマグヘマイト薄膜に変態させる磁気記録媒体の製造法である。 - 特許庁

In the manufacturing method of an organic electroluminescent element for forming the protective film on the organic electroluminescent element formed on a substrate, the protective film is formed in the sputtering method by plasma emission monitoring for controlling the amount of introduction of reactive gas by monitoring plasma light emitting intensity.例文帳に追加

基板上に形成した有機エレクトロルミネッセンス素子上に保護膜を形成する有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法において、プラズマ発光強度をモニターして、反応性ガスの導入量を制御するプラズマエミッションモニタリングによるスパッタリング法で、前記保護膜を形成することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。 - 特許庁

An amorphous oxychalcogenide system thin film 102 is grown on a substrate 101 comprising a YSZ substrate, a MgO substrate, or the like, by the pulse laser deposition method and the sputtering method, and a single-crystal oxychalcogenide system thin film 103 is formed by crystallizing the amorphous oxychalcogenide system thin film 102 by the reactive solid-phase epitaxial growth method.例文帳に追加

ＹＳＺ基板やＭｇＯ基板などからなる基板１０１上にパルス・レーザ・デポジション法やスパッタリング法などによりアモルファスオキシカルコゲナイド系薄膜１０２を成長させ、このアモルファスオキシカルコゲナイド系薄膜１０２を反応性固相エピタキシャル成長法により結晶化させることにより単結晶オキシカルコゲナイド系薄膜１０３を形成する。 - 特許庁

To provide a method and equipment, capable of preventing the occurrence of abnormal electric discharge due to the entering of reactive gas such as oxygen into the sputter zone of a target in a sputtering technique for obtaining a thin film of metallic compound and capable of providing a dense thin film increased in high film performance.例文帳に追加

本発明の目的は、金属化合物薄膜を得るスパッタリング技術において、酸素等の反応性ガスがターゲットのスパッタゾーンに入り込むことに起因する異常放電を防止し、緻密で膜性能の高い薄膜を得ることができる装置及び方法を提供することにある。 - 特許庁

To provide an intermediate refractive index thin film which can be utilized as one of a material constituting a multilayer in an antireflection film and various kinds of filters by using a reactive sputtering method used for a material that can be comparatively stably film-deposited even in a vacuum process and can be easily utilized.例文帳に追加

真空プロセスの中でも比較的安定成膜がしやすく、容易に利用できる材料をターゲットとした反応性スパッタリング法を用いて、反射防止膜や各種フィルターの多層膜を構成する材料のひとつとして利用可能な、中間屈折率薄膜を提供すること。 - 特許庁

By using a reactive sputtering method, a nitride film having sealability is formed on a substrate, and a negative RF voltage (bias) is applied to the substrate, at the same time, which attains sealing film formation in a brief time, without causing defects, such as, the holes or the grooves, even if foreign matters adhere to the substrate.例文帳に追加

反応性スパッタリング法により基板上に封止性能を有す窒化膜を形成しつつ、同時に基板に負のＲＦ電圧（バイアス）を印加することで、基材に異物が付着した場合においても、孔や溝などの欠陥を生じることなく、短時間での封止膜形成が可能になる。 - 特許庁

The oxide transparent conductive film which contains In-O, Sn-O or Zn-O as basic oxides, is formed on a substrate 14 by the reactive sputtering method with using the metalic target material 10 which contains In, Sn or Zn in a vacuum as basic elements.例文帳に追加

本発明では、真空中においてＩｎ、Ｓｎ又はＺｎを基本構成元素とする金属からなるターゲット材１０を用い反応性スパッタ法によって基板１４上にＩｎ−Ｏ、Ｓｎ−Ｏ又はＺｎ−Ｏを基本構成元素とする酸化物透明導電膜を形成する。 - 特許庁

The hard film 1 having a first layer 3 containing metal nitride, metal oxide or metal carbide, and a second layer 4 which is coated on the first layer 3 and has composition consisting of, by atom, 60-95% carbon and 5-40% silicon is manufactured by using a sputtering apparatus having reactive gas feed equipment by devising a method for introducing reactive gas.例文帳に追加

金属の窒化物又は金属の酸化物又は金属の炭化物を含む第１の層３と、この第１の層３の上部に被覆され組成割合６０〜９５原子％の炭素と組成割合５〜４０原子％の珪素を含む第２の層４とを有する硬質皮膜１を、反応ガス供給設備を備えたスパッタリング装置を用いて、反応ガスの導入方法を工夫して製造するものである。 - 特許庁

In the method for simultaneously forming the contact holes on a gate electrode on the Si active layer and via an insulating SiO_2 film, oxide films that are left in the irregularities of the Si active layer are removed effectively, by subsequently performing sputter etching by Ar gas with a sputtering device and continuously performing sputtering deposition after performing reactive ion etching by a fluorine gas system and wet etching by a buffered hydrofluoric acid.例文帳に追加

Ｓｉ活性層上、及び絶縁ＳｉＯ_２膜を介してゲート電極上にコンタクト孔を同時に形成する方法において、フッ素ガス系による反応性イオンエッチング及びバッファードフッ酸によるウェットエッチングの後に、引き続いてスパッタ装置によりＡｒガスによるスパッタエッチング、及びスパッタ成膜を連続して行うことにより、Ｓｉ活性層の凹凸部に残留する酸化膜を効果的に除去する。 - 特許庁

The catalyst structure for storing and generating hydrogen in which a carrier surface is coated with the catalyst material by a reactive sputtering method; the storage method for hydrogen using the catalyst structure and aromatic hydrocarbon; and the generation method for hydrogen using the catalyst structure and a hydrogenated derivative of the aromatic hydrocarbon are provided.例文帳に追加

担体表面に反応性スパッタリング法により触媒材料をコーティングしてなる水素貯蔵及び発生用触媒構造体、並びに、該触媒構造体と、芳香族炭化水素とを用いることを特徴とする水素の貯蔵方法、及び上記触媒構造体と、芳香族炭化水素の水素化誘導体とを用いることを特徴とする水素の発生方法である。 - 特許庁