「reference junction」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

This circuit is provided with a reference voltage generation stage 1 composed by serially connecting a depletion type MOS transistor Q1 and an enhancement type MOS transistor Q2 and makes the electric potential at the junction of the transistors Q1 and Q2 to Vin and outputting the electric potential.例文帳に追加

デプレッション型ＭＯＳトランジスタＱ１とエンハンスメント型ＭＯＳトランジスタＱ２が直列に接続されてなる基準電圧発生段１が設けられており、ＭＯＳトランジスタＱ１，Ｑ２の接続点の電位をＶinとして出力段３に出力している。 - 特許庁

A protection circuit employs a clamping circuit 210, a switching circuit 212, and a back gate bias circuit 206 to block a leakage path between a power supply reference voltage Vcc and an output node OUT passing through a source/bulk junction of a transistor that is biased in the output buffer.例文帳に追加

保護回路は、クランピング回路２１０、スイッチング回路２１２、及びバックゲートバイアス回路２０６を使用して、出力バッファ内のバイアスされたトランジスタのソース／バルク接合を通る出力ノードＯＵＴと電源参照電圧Ｖccとの間の漏洩通路を閉塞する。 - 特許庁

On the basis of difference between the forward voltage of the diode 3 at the raised temperature and the forward voltage of the diode 3 at the peripheral temperature of the IC1 as the reference, and temperature characteristic of the forward voltage of the diode 3, the junction temperature of the IC1 is measured.例文帳に追加

そして、その上昇した温度におけるダイオード３の順方向電圧と、基準となる被温度測定ＩＣ１の周辺温度におけるダイオード３の順方向電圧との差と、ダイオード３の順方向電圧の温度特性とに基づき、被温度測定ＩＣ１のジャンクション温度を測定する。 - 特許庁

An auxiliary circuit part 1 added to a step-up/down converter is equipped with capacitors C1 and C2 which are connected between the collectors and the emitters of transistors Q1 and Q2, and upper and lower auxiliary current paths are constituted between a junction X and a high-voltage power terminal T2 and a reference voltage terminal TS.例文帳に追加

昇降圧コンバータに付加される補助回路部１は、トランジスタＱ１、Ｑ２のコレクタ・エミッタ間に接続されるコンデンサＣ１、Ｃ２を備え、接続点Ｘと高圧電源端子Ｔ２及び基準電圧端子ＴＳとの間に上方及び下方補助電流径路が構成される。 - 特許庁

The design support apparatus registers physical change and change in terms of control of components (roller, flapper, sensor, etc.) of a conveyance mechanism of an image forming apparatus, as status change, and registers the locations (nip location of the roller, the location of a conveyance path junction point, etc.) of the components as verification reference locations.例文帳に追加

設計支援装置は、画像形成装置の搬送機構の構成要素(ローラ、フラッパ、センサ等)の制御上の変化や物理的変化を状態変化として登録し、構成要素の位置(ローラのニップ位置、搬送路分岐点の位置等)を検証基準位置として登録する。 - 特許庁

Therefore, the worker can carry and move the control unit to the defective portion in inspecting a junction failure of piping 30 or a mounting failure of the sensor units 20, and perform inspection work with reference to the detection data displayed on the control unit 50.例文帳に追加

そのため、作業者は、配管３０の接合不良あるいはセンサユニット２０の装着不良等を点検する場合、当該不良箇所へ制御ユニットを携帯して移動し、当該制御ユニット５０に表示された検出データを参照しながら点検作業を行うことがきできる。 - 特許庁

This reference electrode for electrochemiluminescent detector comprises a liquid junction section 2 to which a porous ceramics with 6-14 % water absorption adheres and a housing made of an opaque plastic material, wherein an internal electrode is a silver-silver chloride electrode and its internal liquid contains supersaturated potassium chloride solution and silver chloride powder.例文帳に追加

液絡部に吸水率が６〜１４％の多孔性セラミックが固着され、筐体が光透過性のないプラスチック材料よりなり、内部電極が銀／塩化銀電極でその内部液が過飽和塩化カリウム溶液及び塩化銀粉末から構成されている電気化学発光検出器用比較電極。 - 特許庁

To provide a reference electrode capable of carrying out measurement forcibly, when the condition for generating errors is brought by the fluctuation of a liquid junction potential or the like caused by defective leakage of a gel-like internal liquid, and capable of surely preventing such errors from that are included in the measured results, so as to provide high reliability in the measured result, while being constituted compact.例文帳に追加

コンパクトな構成でありながら、ゲル状内部液のリーク不良に起因する液間電位の変動等により誤差が発生し得る状態となった場合には、測定を強制的に行えなくなるようにして、測定結果にかかる誤差が含まれることを確実に防止し、測定結果に高い信頼性を有するようにした比較電極を提供する。 - 特許庁

The semiconductor integrated circuit is a reference voltage generating circuit including diodes D1 and D2 wherein the diodes D1 and D2 include a junction of a first conductivity type first semiconductor layer 32 and a second conductivity type second semiconductor layer 34, and at least one of the first semiconductor layer 32 and the second semiconductor layer 34 has a band gap smaller than that of silicon.例文帳に追加

本発明の半導体集積回路は、ダイオードＤ１、Ｄ２を含む基準電圧発生回路であって、 前記ダイオードＤ１、Ｄ２は、第１の導電型の第１半導体層３２と第２の導電型の第２半導体層３４との接合を含んでなり、 前記第１半導体層３２および前記第２半導体層３４の少なくとも一方は、そのバンドギャップがシリコンと比して小さい。 - 特許庁

A strip of thin-film layer 4 is formed at the upper section of the high-breakdown-voltage junction terminator structure for potentially separating the section between first and second reference circuit formation regions 1 and 2.例文帳に追加

第１、第２基準回路形成領域１、２間を電位的に分離する高耐圧接合終端構造上部に帯状の薄膜層４が形成され、この薄膜層４に形成されるツェナーダイオードは、高耐圧ＮＭＯＳ５、高耐圧ＰＭＯＳ６が設けられている箇所やコーナ箇所の曲線部分Ｂと、基準回路形成領域１、２端部と平行している直線部分Ｃとに形成される。 - 特許庁