「reference junction」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

LIQUID JUNCTION MEMBER, REFERENCE ELECTRODE, pH METER, GLASS MEMBER HAVING THROUGH-HOLE例文帳に追加

液絡部材、参照電極、ｐＨ計、及び貫通孔を有するガラス部材 - 特許庁

To reduce liquid junction potential in the liquid communication part of a reference electrode.例文帳に追加

参照電極の液絡部において液間電位を低減することである。 - 特許庁

The side of the cold junctions 132 is a junction to be of a reference temperature at changes in temperature.例文帳に追加

冷接点１３２側は、温度変化に際し基準温度となる接点である。 - 特許庁

To provide a method, a reference solar cell, and a reference module for accurately determining a parameter of a multi-junction solar cell and a photovoltaic module including a multi-junction solar cell, and in particular, performance of a multi-junction solar cell.例文帳に追加

多接合太陽電池及び多接合太陽電池を含む光起電モジュールのパラメータ、特に多接合太陽電池の性能を正確に決定するための方法並びに基準セル及び基準モジュールを提供する。 - 特許庁

A reference temperature detecting means 11 stores the highest value of junction temperature of an LSI 1 after converting into the number of reference pulses.例文帳に追加

基準温度検出手段１１は、ＬＳＩ１のジャンクション温度の最高値を基準パルス数に変換して記憶する。 - 特許庁

To provide an inexpensive reference junction compensator for a thermocouple, allowing precise measurements based on an accurate temperature of a reference junction, applicable for a thermos bottle used in a general ice-point type reference junction compensator, and capable of making the temperature of the reference junction in the thermocouple set to the temperature of a constant-temperature medium, such as ice water, or into a measuring value.例文帳に追加

基準接点の正確な温度に基づいて高精度な測定をすることができ、しかも安価で、かつ一般的な氷点式の基準接点補償器に用いられる魔法瓶に適用可能で、熱電対の基準接点の温度を氷水などの恒温媒体の温度とすることも、あるいは測定値とすることもできる熱電対の基準接点補償器を提供する。 - 特許庁

A magnetic memory device (8) comprises a first magnetic tunnel junction (10) having a first reference ferromagnetic layer (16), a second magnetic tunnel junction (20) having a second reference ferromagnetic layer (26), and a conductive spacer layer (30) between the first reference layer (16) and the second reference layer (20).例文帳に追加

磁気メモリデバイス(8)は、第１の基準強磁性層(16)を有する第１の磁気トンネル接合(10)と、第２の基準強磁性層(26)を有する第２の磁気トンネル接合(20)と、第１の基準層(16)と第２の基準層(20)との間にある導電性スペーサ層(30)とを含む。 - 特許庁

To provide a stable reference voltage generating circuit that is free from influence of junction leak at high temperatures.例文帳に追加

高温に於けるジャンクションリークの影響を無くした安定した基準電圧発生回路の提供。 - 特許庁

In order to determine a parameter of the multi-junction solar cell, a parameter of the reference solar cell Rb and the multi-junction solar cell is measured by using a photovoltaic simulator calibrated in accordance with the reference solar cell on the same conditions.例文帳に追加

多接合太陽電池のパラメータを決定するため、基準セルＲｂ及び多接合太陽電池のパラメータを同一の条件において基準セルに合わせて較正した太陽光シミュレータで計測する。 - 特許庁

This measuring instrument 2 includes an environmental temperature sensor 22 or a reference temperature junction sensor 33 that measures the temperature of reference temperature junctions 42 and 43 of the thermocouple.例文帳に追加

測定器２は、熱電対の基準温度接点４２，４３の温度を測定する環境温度センサ２２、あるいは、基準温度接点センサ３３を備えている。 - 特許庁

A sub-cell of the reference solar cell Rb corresponds to one sub-cell of two or more sub-cells of a multi-junction solar cell.例文帳に追加

基準セルＲｂのサブセルは多接合太陽電池の２つ以上のサブセルの１つのサブセルに対応する。 - 特許庁

The reference voltage to the regulator 120 is supplied from the junction between a constant-current source and the source of the transistor 103.例文帳に追加

レギュレータ１２０への基準電圧は、定電流源とトランジスタ１０３のソース接続点から供給される。 - 特許庁

Each junction terminal 132 is formed with asynmmetrical length in the right and left sides with reference to the fuse center line A2.例文帳に追加

各接続端子３２は、ヒューズ中心線Ａ２を基準として左右非対称な長さに形成されている。 - 特許庁

A magnetic memory device (100) including double tunnel junction cells (108, 110) based on a magnetically soft reference layer is disclosed.例文帳に追加

磁気的に軟らかい基準層に基づいた二重トンネル接合セル(108,110)を含む磁気メモリデバイス(100)が開示される。 - 特許庁

A bandgap reference circuit 30 inputs a reference potential trimming signal RTM and generates a first temperature dependent potential VTEMPM depending on temperature, while generating a reference potential REF utilizing properties of P-N junction diode.例文帳に追加

バンドギャップリファレンス回路３０は、基準電位トリミング信号RTMを入力し、PN接合ダイオード特性を利用して基準電位REFを生成すると共に、温度に依存した第１の温度依存電位VTEMPMを生成する。 - 特許庁

This reference electrode is formed on a reference electrode support tube 21 itself for storing reference electrode internal liquid 24 and an internal electrode 23 for reference provided in the reference electrode internal liquid 24, and is equipped with a plurality of liquid junction holes 2X for diffusing the reference electrode internal liquid 24 to the external sample.例文帳に追加

参照電極内部液２４及びその参照電極内部液２４中に設けられた参照用内部電極２３を収容する参照電極支持管２１自体に形成して成り且つ前記参照電極内部液２４を外部のサンプルに対して拡散させる複数の液絡孔２Ｘを具備して成るようにした。 - 特許庁

To provide a stable electrical circuit and a stable reference voltage generating circuit which are not dependent on junction leakage of a transistor at elevated temperature.例文帳に追加

高温でもトランジスタのジャンクションリークに依存しない安定した電気回路や基準電圧発生回路を提供する。 - 特許庁

The reference piece 1 comprises: a lower plate 3 penetrating and forming a ring hole 4 at the center; and an upper plate 2 superposed in one piece on the lower piece 3 by a junction means such as diffusion junction.例文帳に追加

基準ピース１は、中央にリング孔４を貫通形成する下プレート３とこれに拡散接合等の接合手段により一体的に重合される上プレート２とからなる。 - 特許庁

The edge of the fixed blade is set according to the junction between the fixed blade height reference plate 2 and the fixed blade longitudinal plate 3, and finally the fixed blade height reference plate 2 and the fixed blade longitudinal reference plate 3 are removed.例文帳に追加

固定刃の刃先は，固定刃の高さ基準用板２と固定刃の前後基準用板３の接合部に合せて設定し，最後に固定刃の高さ基準用板２と固定刃の前後基準用板３を取外す。 - 特許庁

Regulation-finished peripheral gases sucked by the reference nozzle and the measuring nozzle flow through a reference channel and a measuring channel, and the reference channel and the measuring channel are connected at a junction point to be formed into a single channel.例文帳に追加

基準ノズルおよび測定ノズルに吸引された調整済み周囲ガスは、基準チャネルと測定チャネルを通って流れ、当該基準チャネルと測定チャネルは接合点にて１本のチャネルに連結される。 - 特許庁

To provide a reference current generation circuit which does not require a P-N junction diode and in which the temperature dependence of circuit current becomes substantially zero.例文帳に追加

ＰＮ接合ダイオードを必要とせず、回路電流の温度依存性が概略零となる基準電流生成回路を提供する。 - 特許庁

A plurality of intrinsic Josephson junction devices 42 and 43 are mounted on the integrated circuit board 40 containing the antennas 41 and choke circuits so that this quantum voltage reference device may generate a reference voltage upon receiving a milliwave/sub-milliwave.例文帳に追加

複数個の固有ジョセフソン接合装置４２，４３をアンテナ４１及びチョーク回路を含む集積回路基板４０に搭載してミリ波・サブミリ波を受信し、標準電圧を生成させる。 - 特許庁

By connecting a resistance element 13 and a diode 14 in series with each other between the power supply and ground, a reference voltage VR is fed out from its junction point.例文帳に追加

電源接地間に抵抗素子１３及びダイオード１４を直列に接続し、その接続点から基準電位となる電位Ｖ_Rを取り出す。 - 特許庁

This bandgap reference circuit is provided with a bandgap circuit 10a for generating predetermined reference voltage VREF on the basis of a bandgap of a PN junction, and a startup circuit 20 for accelerating output stabilization of reference voltage VREF of the bandgap circuit 10a upon starting to feed power supply voltage.例文帳に追加

ＰＮ接合のバンドギャップに基づき所定の基準電圧ＶＲＥＦを生成するバンドギャップ回路１０ａと、電源電圧供給開始時にバンドギャップ回路１０ａの基準電圧ＶＲＥＦの出力安定化を加速するスタートアップ回路２０と、を備える。 - 特許庁

The junction parts 21 of the bottom faces of the installation reference elements 20 are made of an elastically deformable material so as not to be influenced by the irregularities of the bread-board.例文帳に追加

設置基準要素２０の底面の接合部２１は、ブレッドボードの凹凸の影響を受けないように、弾性変形可能な材料から成る。 - 特許庁

In addition, the amplitude of the detected output signal is compared with a reference value, thus judging as to whether the junction state between the test pin 17 and pattern 17a is confirming.例文帳に追加

さらに、検出された出力信号の振幅を基準値と比較し、テストピン１７とパターン１７ａとの接合状態の良否を判定する。 - 特許庁

The magnetic tunnel junction cell includes a ferromagnetic free layer, an enhancement layer having a thickness of at least 15 Å, an oxide barrier layer, and a ferromagnetic reference layer.例文帳に追加

磁気トンネル接合セルは、強磁性自由層と、少なくとも約１５Åの厚みを有する強化層と、酸化物バリヤ層と、強磁性基準層とを含む。 - 特許庁

To provide a temperature detection device capable of reducing an influence of internal heat generation on a temperature measuring element used for compensation of a reference junction of a thermocouple.例文帳に追加

熱電対の基準接点補償に用いられる温度測定素子への、内部発熱の影響を低減した温度検出装置を提供する。 - 特許庁

The reference data N corresponding to an input compound is read from a correction data base H and the total reflection attenuating data G acquired from a measuring region E1 is corrected from the reference data N to form junction data.例文帳に追加

入力された化合物に対応する参照データＮを補正用データベースＨから読み出し、測定領域Ｅ１から得られた全反射減衰データＧを参照データＮで補正して、結合状態データを生成する。 - 特許庁

The 1st well area 1 where a floating reference circuit is formed, and the 2nd well area 2 which forms the dielectric strength junction terminating structure, are formed by the one photomask.例文帳に追加

浮遊基準回路が形成される第１ウエル領域１と、耐圧接合終端構造を形成する第２ウエル領域２とを１枚のフォトマスクを用いて形成する。 - 特許庁

To provide a storage element of a magnetic random access memory (MRAM) with a thermally assisted switching writing procedure comprising: a magnetic tunnel junction formed from a magnetic storage layer, a reference layer, and an insulating layer inserted between the reference layer and the storage layer; and a first strap portion laterally connecting one end of the magnetic tunnel junction to a first selection transistor.例文帳に追加

磁気記憶層、基準層及び基準層と記憶層の間に挿入された絶縁層から成る磁気トンネル接合部と、磁気トンネル接合部の一方の端を第一の選択用トランジスタと横方向に接続する第一のストラップ部分とを有する、熱アシストスイッチング書込手順による磁気ランダムアクセスメモリ（ＭＲＡＭ）の記憶素子である。 - 特許庁

This die installation mechanism 10 for a screw threading machine has a first reference junction surface and a first installation hole 21 provided in a fixed die block 13 in which the fixed die 14 is to be installed, and a second reference junction surface and a second installation hole 23 provided in a movable die block 17 in which the movable die 18 is to be installed.例文帳に追加

ネジ切り機におけるダイス取り付け機構１０は、固定ダイス１４を装着する固定ダイスブロック１３に、第一基準接合面を備えるとともに第一取付孔２１を備え、移動ダイス１８を装着する移動ダイスブロック１７に、第二基準接合面を備えるとともに第二取付孔２３を備えるように構成したものである。 - 特許庁

To provide a junction temperature measuring circuit of IC and its measuring method which can measure accurately the junction temperature of an IC, by measuring accurately the forward voltage of a diode in the IC at a reference temperature.例文帳に追加

本発明の課題は、基準となる温度におけるＩＣ内のダイオードの順方向電圧を正確に測定することにより、正確なＩＣのジャンクション温度の測定を可能とするＩＣのジャンクション温度測定回路、及びその測定方法を提供することである。 - 特許庁

Two regions having different potential in a high breakdown voltage IC chip 10 (concretely speaking, a high breakdown voltage junction termination structure 23 and a GND reference circuit formation region 22 for surrounding a floating potential reference circuit formation region 21) are further surrounded by a trench structure 7.例文帳に追加

高耐圧ＩＣチップ１０内の電位が異なる２つの領域（具体的には浮遊電位基準回路形成領域２１を囲う高耐圧接合終端構造２３及びＧＮＤ基準回路形成領域２２）を、さらにトレンチ構造７で囲う。 - 特許庁

A tunnel junction (10), having a cladded read conductor formed from a high magnetic permeability soft magnetic material for a pinned-on-the-fly soft reference layer, is disclosed.例文帳に追加

オンザフライでピン留めされる軟らかいリファレンス層のために高透磁率の軟らかい磁性材料から形成され、クラッディングされた読出し導体を有するトンネル接合(10)が開示される。 - 特許庁

When the separator junction 40 is laminated, the inner periphery edge section 44 composes an alignment reference side and the inner periphery edge section 42 composes an abutting side for pressing the other side of the alignment bar 170.例文帳に追加

セパレータ接合体４０の積層の際、内周縁部４４は、位置決め基準辺を構成し、内周縁部４２は、位置決めバー１７０の他側を押圧する押し当て辺を構成する。 - 特許庁

On the other hand, the reference solar cell Rb corresponding to the i layers i1 and i2 of another sub-cell of the multi-junction solar cell has layers l1 and l2 converted into conductive layers i1 and i2 by doping.例文帳に追加

他方、多接合太陽電池のもう１つのサブセルのｉ層ｉ１、ｉ２に対応する基準セルＲｂは、ドープして導電層ｉ１、ｉ２に変換された層ｌ１、ｌ２を有する。 - 特許庁

The tunnel junction (10) includes a data layer (11), a barrier layer (13) formed on the data layer, a cap layer (15) formed on the barrier layer, and a soft reference layer (17) formed on the cap layer.例文帳に追加

トンネル接合(10)は、データ層(11)、データ層上に形成された障壁層(13)、障壁層上に形成されたキャップ層(15)、及びキャップ層上に形成された軟らかいリファレンス層(17)を含む。 - 特許庁

In a second embodiment, these voltage differences are reduced by regulating circuit nodes within the voltage reference circuit with a bipolar junction transistor (BJT) which have more ideal characteristics.例文帳に追加

第２の実施形態では、より理想的な特性を有するバイポーラ接合型トランジスタ（ＢＪＴ）を使用した電圧基準回路内の回路ノードを調整することによってこれらの電圧差を小さくしている。 - 特許庁

Besides, a junction (Vb) of the output terminal of a constant current circuit 12b in a reference voltage circuit 11b and the emitter of a bipolar transistor 13b grounding the collector is connected to the non-inverted input terminal of an operational amplifier 31 and the base of this transistor 13b is connected to the junction (Va).例文帳に追加

また、基準電圧回路１１ｂにおける定電流回路１２ｂの出力端と、コレクタが接地されているバイポーラトランジスタ１３ｂのエミッタとの接続点（Ｖｂ）を、オペアンプ３１の非反転入力端子に接続するとともに、このトランジスタ１３ｂのベースを上記接続点（Ｖａ）に接続する構成とされている。 - 特許庁

The memory structure (20) is constituted of the memory storage element (23), the control element (25) comprising a tunnel-junction device electrically coupled to the memory storage element and configured to control the state of the memory storage element, and a reference element (930).例文帳に追加

メモリ構造(20)は、メモリ記憶素子(23)と、メモリ記憶素子に電気的に結合され、かつ、メモリ記憶素子の状態を制御するよう構成されたトンネル接合デバイスからなる制御素子(25)と、基準素子(930)とから構成される。 - 特許庁

To reduce facet degradation of a II-VI semiconductor laser diode having a semiconductor body comprising a plurality of semiconductor layers forming a pn junction, a facet at one end of the body, and a reference electrode.例文帳に追加

ｐｎ接合を形成する複数の半導体層を具備する半導体本体、本体の一方の端にある端面および照合電極を有するＩＩ−ＶＩ半導体レーザダイオードの端面劣化を低減すること。 - 特許庁

A current control means 13 compares the number of working pulses with the number of reference pulses and regulates the working current of a CMOS gate array T.G.10 such that they are matched each other thus controlling the junction temperature.例文帳に追加

電流制御手段１３は、上記動作パルス数と上記基準パルス数を比較し、基準パルス数に一致するように、ＣＭＯＳゲート・アレイＴ．Ｇ．１０への動作電流を増減してジャンクション温度を制御する。 - 特許庁

In a temperature compensation process S9, temperature differences are measured between a temperature measuring junction 41 and the temperature junctions 42 and 43 of the thermocouple 16 to determine the temperature of the reference temperature junctions as the temperature of a measurement part 18, performing high-accuracy temperature compensation with respect to measured temperature from environmental temperature information and measuring junction temperature information.例文帳に追加

そして、温度補償工程Ｓ９は、熱電対１６の測温接点４１と基準温度接点４２，４３との温度差を計測して、基準温度接点の温度を特定することにより、測定部１８の温度とし、測定された値に対して環境温度情報と測温接点温度情報とから高精度の温度補償を行う。 - 特許庁

Switches used in the noise reduction circuit are connected to the reference voltage terminals, and therefore, the capacitors may be formed by intentionally expanding drain P-N junction region of the MOS transistors which realize the switches.例文帳に追加

また、該容量は該ノイズ低減回路で用いられているスイッチが該基準電圧端子に接続されるので、該スイッチを実現するＭＯＳトランジスタのドレインＰＮ接合面積を意識的に拡大することで容量を形成してもよい。 - 特許庁