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second layerの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 21457件
Further, the first electrode part 31 and the second electrode part 32 are to be a first electrode layer 31 and a second electrode layer 32 formed overlapped in a laminated state to an electrolyte side and a collector 11 side.例文帳に追加
さらに第1電極部31および第2電極部32は、前記電解質側および集電体11側に層状に重なって形成された第1電極層31及び第2電極層32とする。 - 特許庁
The layered structure has: a first layer 31 containing the bamboo fibers and thermoplastic resin fibers 33; and a second layer 32 containing soft cells, and is layered, in the order of the first, second and first layers.例文帳に追加
積層構造体は、竹繊維と熱可塑性樹脂繊維33とを含有する第1の層31と、柔細胞を含有する第2の層32と、を有し、第1の層、第2の層、第1の層をこの順に積層している。 - 特許庁
The luminous layer 14 of the first substrate 11 and the luminous layer 24 of the second substrate 21 are bonded with pressure to the cathodes 32 and 33, respectively, at a position where the first anode 12 is symmetrical with the second anode 22 while interposing the third substrate therebetween.例文帳に追加
第一基板11の発光層14および第二基板21の発光層24が、第一陽極12と第二陽極22とが第三基板を挟んで対称となる位置で陰極32,33に圧着される。 - 特許庁
Each frictional force generating member 11 comprises an adhesive layer 15 inserted between the surface of the plate part 10a and the second elastic body 12 and a film 16 inserted between the adhesive layer 15 and the second elastic body 12.例文帳に追加
その摩擦力発生部材11は、板部10aの面と第2弾性体12との間に介挿された粘着層15と、その粘着層15と第2弾性体12との間に介挿されたフィルム16と、からなる。 - 特許庁
In a magnet block 20C, the thickness d2 of a second layer 23B at a central position P2 in the circumferential direction is bigger than that d1 of the second layer 23B at an end position P1 in the circumferential direction.例文帳に追加
本発明に係るマグネットブロック20Cにおいては、周方向中心位置P2における第2の層23Bの厚さd2が、周方向端部位置P1における第2の層23Bの厚さd1より長くなっている。 - 特許庁
A first housing 10 accommodates a second housing 20 through an air layer (atmospheric layer) (a) so that the influences of vibration and noise from a hydrogen compressing part 50 accommodated in the second housing 20 are eliminated.例文帳に追加
第1の筐体10は、空気層(大気層)aを介して第2の筐体20を収納し、第2の筐体20に収納されている水素圧縮部50からの振動と騒音に影響を受けないように構成する。 - 特許庁
A hole is formed on the second layer by irradiating it with a laser beam that has a shoulder rising above the center in the periphery of the beam spot, in a beam profile on the surface of the second layer.例文帳に追加
加工対象物の第2の層に、該第2の層の表面におけるビームプロファイルが、ビームスポットの周辺部に、中央よりも盛り上がった肩部を有するレーザビームを入射させて、第2の層に穴を形成する。 - 特許庁
A second epitaxial layer is formed on the first epitaxial layer and an implanting process is repeated to form a second plurality of buried layers in stacked parallel relationship to the first plurality of buried layers.例文帳に追加
第2エピタキシャル層は前記第1エピタキシャル層の上に形成され、打込みは、前記第1の複数の埋込層に平行にスタックされる関係で第2の複数の埋込層を形成すべく繰返し処理される。 - 特許庁
Accordingly, when a plurality of bases 12 each having the first electrode layer portion 21 and the second electrode layer portion 22 are laminated thereon, the first wiring portion 31 and the second wiring portion 32 are easily connected to the outside.例文帳に追加
そのため、第一電極層部21および第二電極層部22が形成された基部12を複数積層する場合でも、第一配線部31および第二配線部32は容易に外部に接続される。 - 特許庁
After that, a metal thin film 4 is formed by sputtering on the part of the first conductive pattern 2 exposed inside the pore 3a of the second insulating layer 3, the side surface of the pore 3a, and the second insulating layer 3.例文帳に追加
その後、第2の絶縁層3の孔部3a内で露出する第1の導体パターン2の部分、孔部3aの側面および第2の絶縁層3上にスパッタリングにより金属薄膜4を形成する。 - 特許庁
The first electrode is electrically connected directly with a side surface 106 of one of the first semiconductor layer, and the second electrode is electrically connected directly with the opposite side surface 112 of the second semiconductor layer.例文帳に追加
第1の電極は、第1の半導体層の一方の側面106に直接電気的に結合され、第2の電極は、第2の半導体層の反対側の側面112に直接電気的に結合されている。 - 特許庁
The disclosed method and device display the second layer information if points on the circumference of a circle, which are defined by a radius [r ] generated by XY coordinates of a cursor, include the points located within the secondary order contents of the second layer.例文帳に追加
カーソルのx、y座標から発する半径「r」によって定義される円周上の点が第2層の2次コンテンツ内の点を含む時に第2層の情報が示される、装置および方法を開示する。 - 特許庁
A gate electrode 17B of a second MOSFET 30B in the peripheral circuit part 10B has a laminated structure of a first layer 17B1 constituted of polycrystalline silicon and a second layer 17B2 constituted of tungsten, for example.例文帳に追加
周辺回路部10Bの第2のMOSFET30Bのゲート電極17Bは、多結晶シリコンよりなる第1の層17B1と、例えばタングステンよりなる第2の層17B2との積層構造である。 - 特許庁
The power device 4 uses the first and the second metal wiring layers 41, 46 for the wiring by contacting the second metal wiring layer 46 with the first metal wiring layer 41 to make the wiring resistance low.例文帳に追加
一方、パワーデバイス部4では、第1の金属配線層41に第2の金属配線層46を接触させて第1および第2の金属配線41,46により配線することによって配線抵抗を低くする。 - 特許庁
Since a first connecting layer (6) provided on the first electrode (4) is connected to the first semiconductor layer (2) and is formed surrounding the second electrode (5), the current flows passing almost the entire peripheral part of the second electrode (5).例文帳に追加
第1の電極(4)に設けられる第1の接続層(6)は、第1の半導体層(2)に接続され且つ第2の電極(5)を包囲するので、第2の電極(5)の略全ての周辺部を通り電流が流れる。 - 特許庁
In a method of forming a crystalline GaN-based material, a first nucleation layer is formed on a substrate at a first temperature, followed by forming a second nucleation layer at a second temperature different from the first temperature.例文帳に追加
結晶GaNベース材料を形成する方法において、第1の核生成層が、第1の温度で基板上に形成され、それに続いて、第1の温度とは異なる第2の温度で第2の核生成層を形成する。 - 特許庁
The first electrode groups and the second electrodes of the second electrode groups are alternately formed on a surface of the insulating layer away from the substrate, and the bridge connecting wires are formed on the surface of the substrate contacting with the insulating layer.例文帳に追加
これらの第一電極組及び第二電極組の第二電極片は、互いに間隔的に絶縁層の表面に形成され、かつブリッジ導線は、基材層と絶縁層が連接する表面に形成される。 - 特許庁
The first pasting layer 28 and the second pasting layer 38 are formed by only transparent thermoplastic resin and are arranged so as to be disposed between the first laminated body 20 and the second laminated body 30.例文帳に追加
第1の貼合層28および第2の貼合層38は、透明な熱可塑性樹脂のみから構成されており、第1の積層体20および第2の積層体30の間に介在するように配置される。 - 特許庁
A first projecting section which exposes a side of the core layer 17 is formed in the first region 11, and a second projecting section which exposes at least a part of a side of the core layer 17 is formed in the second region 12.例文帳に追加
第1の領域11には、コア層17の側面を露出する第1の突起部が形成され、第2の領域12には、コア層17の側面の少なくとも一部を露出する第2の突起部が形成されている。 - 特許庁
In this invention, the volatilization speed of the etching liquid in the second layer etching liquid is accelerated, and the phenomenon that the solvent of the second layer etching liquid drops by overheating, and the original organic molecule film is dissolved is prevented.例文帳に追加
本発明は第2層エッチング液におけるエッチング液の揮発速度を加速させるもので、過熱することで第2層エッチング液の溶剤が落下し、本来の有機分子膜を溶解するのを防ぐものである。 - 特許庁
A first gate electrode 5a is formed in each of a pair of trenches 3 holding the N^+-type first source layer 7 therebetween, and a second gate electrode 5b is formed in each of a pair of trenches 3 holding the N^+-type second source layer 9 therebetween.例文帳に追加
N+型第1ソース層7を挟む1対のトレンチ3のそれぞれに第1ゲート電極5a、N+型第2ソース層9を挟む1対のトレンチ3のそれぞれに第2ゲート電極5bを形成する。 - 特許庁
A first cover film CV1 is formed to cover a wiring layer WL1 of a first surface of a base film BF, and a second cover film CV2 is formed to cover a wiring layer WL2 of a second surface of the base film BF.例文帳に追加
ベースフィルムBFの第1の面の配線層WL1を覆って第1のカバーフィルムCV1が形成され、ベースフィルムBFの第2の面の配線層WL2を覆って第2のカバーフィルムCV2が形成されている。 - 特許庁
Further, the end of the gate electrode 8 overlaps with the first diffusion layer 2 or the second diffusion layer 3, which pinching the laminated first insulation films 4, 4a, the second insulation films 5, 5a and the third insulation films 6, 6a.例文帳に追加
また、ゲート電極8の端部は、上記積層する第1絶縁膜4,4a、第2絶縁膜5,5a、第3絶縁膜6,6aを挟んで第1拡散層2あるいは第3拡散層3とオーバラップしている。 - 特許庁
An electrical pulse is applied to a uniform resistor portion to cause resistance heating, the uniform resistor portion of the first layer is thermally expanded with respect to the second layer and deflected in a second position, and the cantilevered element is restored to the first position when a temperature decreases.例文帳に追加
均一抵抗部に電気パルスを印加して抵抗加熱を発生させ、第一層の均一抵抗部が第二層に対して熱膨張し、第二の位置にたわみ、その後、温度が下がると、第一の位置に復帰する。 - 特許庁
The contamination preventing layer 45 is provided with a first part 45A on an upper surface of the convex structure 44 and a second part 45B on an upper surface of the heat shielding layer 43, and the first part 45A and the second part 45B are divided.例文帳に追加
汚染防止層45は、凸構造44の上面の第1部分45Aと、断熱層43の上面の第2部分45Bとを有しており、第1部分45Aと第2部分45Bとが分断されている。 - 特許庁
The thickness of the first and second internal electrode layers 2 and 3 being in contact with a dielectric layer 6 are made larger in thickness than the thickness of the dielectric layer 6 between the first and second internal electrode layers 2 and 3.例文帳に追加
また、第一、第二の内部電極層2,3間に存在する誘電体層6の肉厚よりも、この誘電体層6に接する前記第一、第二の内部電極層2,3の肉厚を厚くしたものである。 - 特許庁
A second separating groove H2 having a width narrower than the first separating groove H1 is formed by removing a second photoelectric converting layer 5 and an intermediate reflecting layer 4 in the first separating groove H1.例文帳に追加
第1の分離溝H1内の第2の光電変換層5および中間反射層4を除去することにより第1の分離溝H1よりも小さな幅を有する第2の分離溝H2を形成する。 - 特許庁
The substrate is configured on a second buffer layer so that the second buffer layer can substantially surround the entire substrate to reduce damage of the substrate when an outside object collides against the side of the substrate.例文帳に追加
基板は、基板の側面が外部物体と衝突する際、基板に対する損傷を減少させるために第2バッファー層が実質的に全体基板を取り囲むように第2バッファー層上に構成される。 - 特許庁
A first groove 15 and a second groove 16 are formed on the cathode portion 12 side of the resist layer 2 in the electrode foil 1 by removing or compressing the etching layer 13, and a resist material is injected into the second groove 16.例文帳に追加
電極箔1には、レジスト層2の陰極部12側にエッチング層を除去または圧縮して形成した第一の溝15と、第二の溝16を形成しておき、レジスト材を第二の溝16に注入する。 - 特許庁
The site-specific chemical modification of a pillar can be performed by forming the second layer with a chemically desirable composition or by chemically modifying a cross-section of the second layer after formation of the pillar.例文帳に追加
この2番目の層を事前に化学的に所望の組成にしておくか、もしくは、ピラーを形成した後に第2番目の層の断面を化学的に修飾することにより、部位特異的なピラーの化学修飾が可能となる。 - 特許庁
In this process, an alteration product D that exists on the surface of the second cap layer 6 functions as a mask and can cause etching of the second cap layer 6 to stop when a crystal face having a low etching rate is exposed.例文帳に追加
このとき、第2のキャップ層6の表面に存在する変質物Dがマスクとして機能し、エッチングレートの低い結晶面が露出したところで第2のキャップ層6のエッチングが止まってしまうことが生じ得る。 - 特許庁
The thermochromic compound layer overlays at least one portion of the second side 624 of the substrate layer 620 to generate at least one temporary mark associated with an impact to the surface of the first object by a second object.例文帳に追加
サーモクロミック化合物層は、基層620の第2側面624の少なくとも一部に重ねられ、第2物体と第1物体の表面との衝突に関連して少なくとも一つのテンポラリマークを生成する。 - 特許庁
A diffusion bonding stop-off material is applied in a first predetermined pattern between the first layer 16 and the membrane 2 and then, the diffusion bonding stop-off material is applied in a second predetermined pattern between the second layer 18 and the membrane 2.例文帳に追加
第1層16とメンブレン2との間に拡散接合防止材料を第1の所定のパターンで塗布し、第2層18とメンブレン2との間に拡散接合防止材料を第2の所定のパターンで塗布する。 - 特許庁
As shown in Figure 4, the photoelectric conversion layer D includes a second film 2 bound together with the electron transfer layer 40, a third film 3, and a first film 4 located between the second film 2 and the third film 3.例文帳に追加
この光電変換層Dは、図4に示すように、電子輸送層40に結合した第2の膜2と、第3の膜3と、第2の膜2と第3の膜3との間に位置した第1の膜4とを有している。 - 特許庁
An electrical connector 24 disposed in connect with the second gel layer 16 enables electrical connection to an outside power source, or monitoring device, and an insulative backing 22 is adhered to the second gel layer 16 to prevent inadvertent contact therewith.例文帳に追加
第2ゲル層と接して置かれた電気接点24は外部電源又はモニタリングデバイスに電気的に接続することを可能にし、絶縁性バッキング22が第2ゲル層に接着されて、それとの不意の接触を防止する。 - 特許庁
The first adhesion layer 14 is provided so as to cover the first transparent conductor 40 in an active area, and the second adhesion layer 19 is provided so as to cover the second transparent conductor 45 in the active area.例文帳に追加
そして、第1接着層14は、アクティブエリア内の第1透明導電体40を覆うよう設けられ、第2接着層19は、アクティブエリア内の第2透明導電体45を覆うよう設けられている。 - 特許庁
Thus, the difference in positional deviation values generated in the overlap inspection mark pattern 2 in the second layer and the production pattern 1 in the second layer can be obtained within an allowable range at overlap measurement.例文帳に追加
これにより、パターン転写時に、収差に起因して、2層目の重ね合わせ検査マークのパターン2と、2層目の本番パターン1とに生じる位置ずれ量の相違を、重ね合せ測定において許容できる範囲にできる。 - 特許庁
A current is supplied from an electric double-layer capacitor to the second load generating the rush current, and a charging current to the electric double-layer capacitor is controlled in accordance with the using current of a first load other than the second load.例文帳に追加
突入電流を生ずる第2負荷に電気二重層キャパシタから電流を供給し、電気二重層キャパシタへの充電電流を第2負荷以外の第1負荷の使用電流に応じて制御する。 - 特許庁
A recording section 400 makes recording by irradiating the first unit recording layer with the light meeting the first recording pulse sequence and irradiating the second unit recording layer with the light corresponding to the second recording pulse sequence.例文帳に追加
記録部400は、第1の単位記録層に対して第1の記録パルス列に応じた光を照射し、第2の単位記録層に対して第2の記録パルス列に応じた光を照射して記録を行う。 - 特許庁
Thereafter, the remaining first inter-layer insulating film 12a and the second inter-layer insulating film 12b are tapered and etched, and a first contact hole lower region 16a and a second contact hole lower region 16b are formed.例文帳に追加
その後、残存している第1の層間絶縁膜12a及び第2の層間絶縁膜12bをそれぞれテーパーエッチングし、第1のコンタクトホール下部領域16a及び第2のコンタクトホール下部領域16bを形成する。 - 特許庁
A first joint 34 is formed by bonding a melt layer formed in a first film 31 and a melt layer formed in a second film by heating the first film 31 and the second film 32.例文帳に追加
第1の接合部34は、第1のフィルム31および第2のフィルム32に熱を加え、第1のフィルムに形成された溶融層と、第2のフィルムに形成された溶融層とを溶着することで形成される。 - 特許庁
The water absorbent composite is constituted of a multilayered structure having a water absorbent polymer layer between first and second base materials and characterized in that the water absorbent polymer layer is fixed to both of the first and second base materials.例文帳に追加
第一基材と第二基材の間に吸水性ポリマー層を有する多層構造よりなり、該吸水性ポリマー層が第一基材と第二基材の双方と固着していることを特徴とする吸水性複合体。 - 特許庁
Therefore, since the impurity is diffused broadly at the second diffusion layer 16 forming time, the second diffusion layer 16 can enlarge a part superposed with the gate electrode 13 relatively, and the transfer efficiency of the charge can be improved.例文帳に追加
このため、第2拡散層16の形成時に不純物が広範囲に拡散するため、第2拡散層16がゲート電極13と重なる部分を比較的大きくすることができ、電荷の転送効率を向上できる。 - 特許庁
The multi-layered fiber-reinforced sheet has at least one first reinforcing skin attached to the first surface of the core layer and at least one second reinforcing skin attached to the second surface of the core layer.例文帳に追加
また、多層繊維強化シートは、コア層の第1の面に取り付けられている少なくとも1つの第1の補強皮、およびコア層の第2の面に取り付けられている少なくとも1つの第2の補強皮を含む。 - 特許庁
The first organic compound layer is heated and vapored as a depositing source to form a required second organic compound layer on the second substrate arranged to face the first substrate to obtain the light emitting device.例文帳に追加
第1の有機化合物層を蒸着源として加熱して蒸発させ、第1の基板と対向して配置させた第2の基板上に、所望の第2の有機化合物層を形成して発光装置を作製する。 - 特許庁
A process for wring the coating conductor, a process for forming a thin film layer of second metal by electroless plating method or a vapor phase method, and a process for forming the second metal layer by an electrolysis plating method, are given.例文帳に追加
被覆導線を配線する工程、無電解めっき法或いは気相法によって第二金属の薄膜層を形成する工程、電解めっき法によって第二金属層を形成する工程、を具備すること。 - 特許庁
As shown in Fig.4, the photoelectric conversion layer D has a second film 2 bonded to the electron transport layer 40, a third film 3 and a first film 4 positioned between the second film 2 and the third film 3.例文帳に追加
この光電変換層Dは、図4に示すように、電子輸送層40に結合した第2の膜2と、第3の膜3と、第2の膜2と第3の膜3との間に位置した第1の膜4とを有している。 - 特許庁
The layer 140 to be transferred is bonded onto the first substrate 10 according to a positional relationship with which the first and the second electrode exposure parts 22 and 141 are energized and then the second substrate 100 is removed from the layer 140 to be transferred.例文帳に追加
この第1,第2の電極露出部22,141が導通する位置関係にて、第1の基板10上に被転写層140を接合した後、被転写層140より第2の基板100を除去する。 - 特許庁
The photoelectric conversion device includes a first sealing layer and a second sealing layer that are provided to face each other and also provided with a group of photoelectric conversion elements provided to be interposed between the first and second sealing layers that are provided to face each other.例文帳に追加
互いに対向して設けられた第1の封止層および第2の封止層と、対向する第1の封止層と第2の封止層との間に挟持して設けられた光電変換素子群と、を備えている。 - 特許庁
Penetrating grooves 10 are formed in the removed region on the second semiconductor layer 23, and the moving part 1 and the fixed electrodes 6, 7 are formed on the second semiconductor layer 23 by the penetrating grooves 10.例文帳に追加
第2の半導体層23には前記除去された領域において貫通溝10が形成され、この貫通溝10によって第2の半導体層23に可動部1および固定電極6、7が形成されている。 - 特許庁
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