「second layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(285ページ目) - Weblio英語例文検索

A fillet by the cured material layer 3 is formed in at least a part of the area outside of the outer peripheral side surface of the second connection target member 4.例文帳に追加

第２の接続対象部材４の外周側面よりも側方の少なくとも一部の領域に、硬化物層３によるフィレットが形成されている。 - 特許庁

An insulation film 9, whose quality is similar to the insulating film 3, is formed on the film 5, and second layer wiring grooves 10 and an interlayer connection wiring hole 11 are formed.例文帳に追加

膜５の上に、絶縁膜３と同質の絶縁膜９を形成し、第２層配線用溝１０および層間接続配線用孔１１を形成する。 - 特許庁

The surface-emitting semiconductor laser 10 comprises a first mirror 11, an active layer 12, and a second mirror 13 which are stacked on a semiconductor substrate SB in this order.例文帳に追加

面発光型半導体レーザ１０は、半導体基板ＳＢ上に順に積層された第１ミラー１１、活性層１２、及び第２ミラー１３を備える。 - 特許庁

The first and second polysilicon layers have openings and are formed, so that an anode electrode 8 can be connected electrically via such openings to the p^+ diffusion layer 4.例文帳に追加

第１及び第２ポリシリコンは開口を有し、この開口を介してアノード電極８がｐ^+拡散層４に電気的に接続されるように形成する。 - 特許庁

The second nitride semiconductor layer positioned right above the sidewall of the concavoconvex has a p-type carrier concentration of ≥1×10^18/cm^3.例文帳に追加

前記凹凸の側壁直上に位置する前記第２の窒化物半導体層は、ｐ型キャリア濃度が１×１０^１８／ｃｍ^３以上となる。 - 特許庁

In an SOI substrate 1, a first silicon oxide film 3, a polysilicon film 4, and a second silicon oxide film 5 are laminated in this sequence to form a trench mask layer.例文帳に追加

ＳＯＩ基板１に、第１シリコン酸化膜３と、ポリシリコン膜４と、第２シリコン酸化膜５と、をこの順に積層しトレンチマスク層を形成する。 - 特許庁

The transparent resin layer 13 has a plurality of regions (first region 13a and second region 13b) having different refractive indexes in the surface direction.例文帳に追加

透明樹脂層１３は、その面方向に屈折率が異なる領域（第１の領域１３ａ及び第２の領域１３ｂ）を複数有している。 - 特許庁

Similarly, the second silicon elastomer layer 13b is formed to have a shear modulus G' in the range of 5.0×10^5 Pa-5.0×10^6 Pa.例文帳に追加

第２のシリコーンエラストマー層１３ｂは、同様のせん断弾性率Ｇ’が５．０×１０^5Ｐａ〜５．０×１０^6Ｐａの範囲にあるように形成されている。 - 特許庁

The self-aggregate single molecule layer is continuous to an exposed portion of the IZO or ITO film surface of a second pattern.例文帳に追加

この方法は、スタンプとＩＺＯまたはＩＴＯフィルムの表面とを接触させ、第１のパターンの分子種の自己集合単分子層を転写させることを含む。 - 特許庁

The conductive layer 15 is thick enough to stop the laser beam when the second resin insulation film 16 is irradiated with the laser beam.例文帳に追加

導電層１５の膜厚は、第２の絶縁樹脂膜１６にレーザを照射した際当該レーザを導電層１５で止めることができる厚さである。 - 特許庁

Furthermore, another transparent resin layer is formed on the second printed pattern printed in foaming ink on the outer surface side of the transparent resin film.例文帳に追加

また、透明樹脂フィルムの外面側に形成されている発泡インキによる第２柄印刷模様の上にはさらに透明樹脂層が形成される。 - 特許庁

The second signal side inner electrode 27 and the first ground side inner electrode 25 are arranged so that they are not confronted each other across the insulator layer 21.例文帳に追加

第２の信号側内部電極２７と第１の接地側内部電極２５とは、絶縁体層２１を挟んで対向しないように配されている。 - 特許庁

A through-hole (h) using the top face of a wiring layer 13 as a part of at least a base is formed by selectively etching a second interlayer insulating film 21.例文帳に追加

第２層間絶縁膜２１を選択的にエッチングして配線層１３の上面を少なくとも底面の一部とするスルーホールｈを形成する。 - 特許庁

The insulation layer 48 is formed with thick first film thickness in the reflection display area R and formed with thin second film thickness in the transmission display area T.例文帳に追加

絶縁層４８は反射表示領域Ｒ内では厚い第１膜厚に形成され、透過表示領域Ｔ内では薄い第２膜厚に形成される。 - 特許庁

Irradiation is switched to a second drying part 37 when an immobile layer is formed in the coating film, to irradiate the coating film directly with middle infrared ray from an upper drying light source.例文帳に追加

塗膜内に不動層ができた時点で第二乾燥部３７に切り換え、上方の乾燥用光源から直接塗膜に中赤外線を照射する。 - 特許庁

An insulative second antiferromagnetic layer 41 is provided on a multilayer film 23 at a specified interval in the direction of the width of a track (track width Tw).例文帳に追加

多層膜２３上にはトラック幅方向に所定の間隔（トラック幅Ｔｗ）を開けて、絶縁性の第２反強磁性層４１が設けられている。 - 特許庁

When an alternating current is applied between both electrodes 7, 8 of the conductor layer 4, the second sheet 2 emits light in a light-emitting color of each of the phosphors in each of the patterns.例文帳に追加

導電体層４の両電極７，８間に交流を加えると、第２のシート２は、各々のパターンで各々の蛍光体の発光色で発光する。 - 特許庁

For example, in the wiring layer M2, two pieces each of a first electrode 2A and a second electrode 2B are formed parallelly with each other, alternately, and remote from each other.例文帳に追加

例えば、配線層Ｍ２においては、電極２Ａ及び電極２Ｂを各２枚ずつ相互に平行に、交互に、且つ相互に離隔して形成する。 - 特許庁

The second insulating layer 42 is formed by being exposed to an atmosphere, in which active oxygen is present, or to ultraviolet light, with the metal bank 43 as a mask.例文帳に追加

第２絶縁層４２は、メタルバンク４３をマスクとして活性な酸素が存在する雰囲気、又は紫外線に曝露することによって形成される。 - 特許庁

Then, on a second etching condition, the hole is formed in such a way that it removes the etching stopper film 4 which constitutes the bottom of the hole and it leads to the conductive layer 3.例文帳に追加

その後、第２のエッチング条件で、そのホールの底面を構成するエッチングストッパ膜４が除去され、導電層３に至るホールが形成される。 - 特許庁

The silicon wiring board 10 has a silicon substrate 11, a ground plane 12, a wiring layer such as first and second wiring layers 13 and 14, and a pad 15.例文帳に追加

シリコン配線基板１０は、シリコン基板１１と、グランドプレーン１２、第１配線層１３、第２配線層１４などの配線層と、パッド１５とを備えている。 - 特許庁

Next, the lower mold 2 and an upper mold 3 are closed to integrally perform the foam molding of the first and second raw materials 41 and 42 using the film 7 as a boundary layer.例文帳に追加

次いで，下型２と上型３とを閉じて，フィルム７を境界層にして第１原料４１と第２原料４２とを一体的に発泡成形させる。 - 特許庁

The first conductivity type semiconductor region 3 and the second conductivity type semiconductor region 7 constitute a pn junction mutually in a periphery of the active layer 5.例文帳に追加

第１導電型半導体領域３と第２導電型半導体領域７とは、活性層５の周囲において互いにｐｎ接合を構成している。 - 特許庁

Also, the second multilayer wiring layer 23a has the insulating film 42 and light shielding films 49 and 50 and the wiring films 44 and 45 laminated through the insulating film 42.例文帳に追加

また、第２多層配線層２３ａは、絶縁膜４２及び該絶縁膜４２を介して積層された遮光膜４９，５０及び配線膜４４，４５を有する。 - 特許庁

A second green sheet 10b composed of a third paint is formed in the surface of the first green sheet 10a in which the first electrode patten layer 12a is formed.例文帳に追加

第１電極パターン層１２ａが形成された第１グリーンシート１０ａの表面に第３塗料から成る第２グリーンシート１０ｂを形成する。 - 特許庁

A dust removing rate can thereby be enhanced on the surface of the TEOS film 14 having protrusions and recesses corresponding to those of the second layer wiring M2.例文帳に追加

その結果、第２層配線Ｍ２の凹凸に対応した凹凸を有するＴＥＯＳ膜１４の表面の異物除去率を向上させることができる。 - 特許庁

And a pinning layer 311 is formed so as to fill the inside of the first trench TR1 and cover an inner surface of the second trench TR2.例文帳に追加

そして、第１トレンチＴＲ１の内部を埋め込むと共に、第２トレンチＴＲ２の内側の面を被覆するようにピニング層３１１を形成する。 - 特許庁

The air bubbles 25 surfaced on the liquid face of the liquid 20 is recovered and allowed to stand within a second vessel 12 to form the layer 24 of the cerium oxide particles.例文帳に追加

液体２０の液面へ浮上した気泡２５を回収し、これを第二の容器１２内で静置し、酸化セリウム粒子の層２４を形成する。 - 特許庁

The second conductive epitaxial layer formed on the trench is annealed by heat treatment during surface structure formation, and thus, a separate later is formed (step S4).例文帳に追加

トレンチに形成した第２導電型エピタキシャル層は表面構造形成時の熱処理でアニールされ、それにより分離層が形成される（ステップＳ４）。 - 特許庁

A first dielectric layer (28) is formed, one part is removed, and the region of the semiconductor substrate (16) for first and second low- voltage elements is exposed.例文帳に追加

第１の誘電体層（２８）を形成し、一部を除去し、第１および第２の低電圧素子の半導体基板（１６）の領域を露出させる。 - 特許庁

The first titanium oxide layer 3 has a thickness of 1 nm or more, and the total film thickness of the first and second titanium oxide layers 3 and 5 is less than 30 nm.例文帳に追加

第１の酸化チタン層3は、厚さが１ｎｍ以上であり、第１および第２の酸化チタン層3,5の合計膜厚が３０ｎｍ未満である。 - 特許庁

The bottom of the second ring member 33 closely contacts the upside of the susceptor 30 through a heat conductive silicone rubber layer 34 to form a structure easy to cool.例文帳に追加

第２の補正リング部材の底部には熱伝導性のシリコンラバー層３４を介してサセプタ３０上面と密着させ、冷却し易い構造とする。 - 特許庁

This scribing method is a method for scribing tempered glass having a strengthening layer carrying compressive stress on the surface, and includes the first process and the second process.例文帳に追加

このスクライブ方法は、圧縮応力を持たせた強化層を表面に有する強化ガラスをスクライブする方法であり、第１工程と、第２工程と、を含む。 - 特許庁

The second electrode 16 formed of solder is formed on an upper face of the center of the first electrode 15 which is not covered with the insulating layer 14.例文帳に追加

そして、絶縁層１４に被覆されていない第１電極部１５の中心部の上面に、半田から成る第２電極部１６が形成されている。 - 特許庁

In each memory cell, first and second linear electrodes are formed three-dimensionally so that they overlap also in a layer direction (horizontal direction).例文帳に追加

各メモリセルにおいて、第１の線状電極と第２の線状電極を、層方向（水平方向）に対しても重なりを有するように立体的に形成する。 - 特許庁

A P-type second impurity region 15 is formed by the body region 6 of the semiconductor layer 2 apart from the body region 6.例文帳に追加

また、半導体層２におけるボディ領域６の側方には、Ｐ型の第２不純物領域１５がボディ領域６から分離して形成されている。 - 特許庁

A region R1 in which the metal film layer is formed is divided into a first antenna part 13 of the outside and a second antenna part 15A of the inside.例文帳に追加

金属膜層が成膜された領域Ｒ１は、環状スロット６Ｂにより、その外側の第１アンテナ部１３と内側の第２アンテナ部１５Ａとに分けられる。 - 特許庁

Alignment processing is performed on each alignment film on the first substrate and the second substrate so that a liquid crystal molecule of the liquid crystal layer is twisted in a first direction.例文帳に追加

第１基板及び第２基板は、液晶層の液晶分子を第１方向へ捻れさせるように各配向膜への配向処理の方向を配置される。 - 特許庁

First and second carrier block layers 19b and 21b provide a potential barrier against electrons in a conduction band E_c2 in an active layer 15.例文帳に追加

第１及び第２のキャリアブロック層１９ｂ、２１ｂは、活性層１５における伝導帯Ｅ_Ｃ２において電子に対するポテンシャル障壁を提供する。 - 特許庁

Then, by etching the first mask, the second mask and the optical waveguide layer by RIE, the end face and the slant face are simultaneously formed.例文帳に追加

次いで、第１のマスク、第２のマスク及び光導波路層をＲＩＥによってエッチングすることによって、端面及び斜面を同時に形成する。 - 特許庁

A gate electrode 6 of a first conductivity-type MOS transistor 10 which is operated as a bypass capacitor is formed by a second conductivity- type semiconductor layer.例文帳に追加

バイパスコンデンサとして動作する第１導電型のＭＯＳトランジスタ１０のゲート電極６を第２導電型の半導体層によって形成する。 - 特許庁

The electroluminescent element 14 is a laminate 16 having a first electrode 18, a luminous layer 26 and a second electrode 21 formed on a substrate 15.例文帳に追加

電界発光素子１４は、第一電極１８と発光層２６と第二電極２１とを有する積層体１６を基板１５に形成したものである。 - 特許庁

The organic EL element 39 comprises at least a first electrode 34, an organic layer 36, and a second electrode 37, and is formed in lamination on a substrate 32.例文帳に追加

有機ＥＬ素子３９は、少なくとも第一電極３４と有機層３６と第二電極３７とを有し、基板３２に積層形成される。 - 特許庁

The upper layer of the second interlayer insulating film 14 is formed of a silicon nitride film 13, which is an insulator displaying conductivity in a plasma atmosphere.例文帳に追加

第２の層間絶縁膜１４の上層は、プラズマ雰囲気中においてい導電性を示す絶縁体であるシリコン窒化膜１３により形成されている。 - 特許庁

A semiconductor substrate 104 is composed of first and second semiconductor layers 106 and 110 composed of p-type silicon and an insulating layer 108.例文帳に追加

半導体基板１０４はｐ型シリコンから成る第１および第２の半導体層１０６、１１０と、絶縁層１０８とにより構成されている。 - 特許庁