「second layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(289ページ目) - Weblio英語例文検索

A second wiring pattern is formed with its wire width wider than that of the first wiring pattern due to the remaining metal layer.例文帳に追加

そして残留の金属層により、そのワイヤの幅が前記第１の配線パターンにおけるワイヤの幅より大きいというような第２の配線パターンが形成される。 - 特許庁

Without curing a first resin layer, a second resin 12 having viscosity and surface tension equal to or more than predetermined values is supplied to form dot patterns.例文帳に追加

第１の樹脂層を硬化させることなく、所定値以上の粘度および表面張力を有する第２の樹脂１２をドットパターンとなるように供給する。 - 特許庁

A p electrode is formed over a top face of the mesa contact layer and the insulating film, and an n electrode is formed in a second surface of the GaAs substrate.例文帳に追加

メサコンタクト層の上面及び絶縁膜に掛けてｐ電極が形成され、ＧａＡｓ基板の第２の面にはｎ電極が形成されている。 - 特許庁

The semiconductor device 1 is mainly composed of a wiring board 2 provided by a wiring layer 2a, a first semiconductor element 3, and a second semiconductor element 4.例文帳に追加

半導体装置１は、配線層２ａを設けた配線基板２と、第１半導体素子３と、第２半導体素子４とで主に構成される。 - 特許庁

Thereafter, on the first diamond semiconductor region 1, a high concentration doped layer 7 (comprising the second and third diamond semiconductor regions) is formed by doping an impurity.例文帳に追加

その後、第１のダイヤモンド半導体領域１の上に、不純物がドープされた高濃度ドープ層７（第２及び第３のダイヤモンド半導体領域）を形成する。 - 特許庁

The first polypeptide chain having the serine-rich domain can demonstrate anchor action for presenting the second polypeptide chain on the cell surface layer.例文帳に追加

セリンリッチドメインを有する第１のポリぺプチド鎖は、前記第２にポリぺプチド鎖を細胞表層に提示するためのアンカー作用を奏することができる。 - 特許庁

A plurality of data electrodes 8 are provided on a second insulation substrate 6 opposite to the first insulation substrate 1 in a state covered by an insulation layer 7.例文帳に追加

第１の絶縁基板１に対向配置される第２の絶縁基板６上に、絶縁体層７に覆われた状態で複数のデータ電極８を設ける。 - 特許庁

First and second insulating films 105, 106 are respectively and selectively formed on the surfaces of the support substrate 101 and the p-type collector layer 1.例文帳に追加

前記支持基板１０１と前記ｐ型コレクタ層１の表面に選択的に第一または第二絶縁膜１０５，１０６をそれぞれ形成しておく。 - 特許庁

A base film 2, first electrode 3, crystal orientation control layer 4, piezoelectric thin film 5, and second electrode 6 are sequentially formed on a substrate 1 such as a silicon wafer.例文帳に追加

シリコンウエハ等の基板１の上に順次、下地膜２、第１電極３、結晶配向制御層４、圧電体薄膜５、第２電極６が形成される。 - 特許庁

A group-III nitride semiconductor region 13-1 is provided on an active layer 15-1 and includes a first region 13a-1 and a second region 13b-1.例文帳に追加

III族窒化物半導体領域１３−１は、活性層１５−１上に設けられ、また第１領域１３ａ−１及び第２領域１３ｂ−１を含む。 - 特許庁

Identification information for coupling data is generated which indicates the content of communication processing to be performed on the data contained in the coupling data in the second layer.例文帳に追加

結合データに含まれるデータに対して第２のレイヤにおいて行う通信処理の内容を示す結合データ用識別情報を生成する。 - 特許庁

The second capacitor 13 is configured by alternately laminating third and fourth internal electrodes 25 and 27 through the dielectric layer 10.例文帳に追加

第２のコンデンサ部１３は、誘電体層１０を介して第３及び第４の内部電極２５、２７が交互に積層されることにより構成される。 - 特許庁

The first capacitor 11 is configured by alternately laminating first and second internal electrodes 21 and 23 through a dielectric layer 10.例文帳に追加

第１のコンデンサ部１１は、誘電体層１０を介して第１及び第２の内部電極２１，２３が交互に積層されることにより構成される。 - 特許庁

The first voltage detecting electrode 6 is covered with an insulating layer 9 and the conductive part of the second voltage detecting electrode 6 is exposed.例文帳に追加

第１の電圧検出用電極６は絶縁層９により被覆しておき、第２の電圧検出用電極８はその導電部を露呈させておく。 - 特許庁

In a process P5, a first pattern 72 corresponding to the microlens 14 and a second pattern 74 corresponding to the spacer 16 are formed by development of the photosensitive layer 52.例文帳に追加

工程Ｐ5では、マイクロレンズ１４に対応する第１パターン７２とスペーサー１６に対応する第２パターン７４とを感光層５２の現像により形成する。 - 特許庁

In a second process, the remainder of the ion exchange resin 51 is filled in the container 10 without being mixed with water to form an unhydrated ion exchange resin layer 50b.例文帳に追加

次に、第２の工程で残部のイオン交換樹脂５１を水と混合せずに容器１０内に充填して無加水イオン交換樹脂層５０ｂを形成する。 - 特許庁

The silicone rubber sheet is composed of one layer of a silicone rubber formed by a following first heating step (H1) and second heating step (H2).例文帳に追加

下記の第一加熱工程（Ｈ１）および第二加熱工程（Ｈ２）によって形成されたシリコーンゴム１層からなることを特徴とする、シリコーンゴムシート。 - 特許庁

A resistance element 10 comprises a resistance element layer 13 formed on a semiconductor substrate 14 with a first electrode 11 and a second electrode 12.例文帳に追加

抵抗素子１０は、半導体基板１４上に、第１の電極１１及び第２の電極１２を有する抵抗素子層１３が形成されている。 - 特許庁

A second metal protective layer 11 comprising metal material having high ductility, such as copper or gold, is formed on the surface of the groove part 10.例文帳に追加

溝部１０にはその表面に、高延性を有した金属材料、例えば、銅あるいは金からなる第２金属保護層１１が形成されている。 - 特許庁

The barrier layer is formed of a third semiconductor or insulating material having a band gap larger that that of the first and second semiconductors.例文帳に追加

障壁層は、第１及び第２の半導体のバンドギャップよりも大きなバンドギャップを有する第３の半導体もしくは絶縁材料で形成されている。 - 特許庁

The vertical resonator type surface emitting laser includes a first mirror 1002, a resonator 1000 including an active layer, and a second mirror 1010 that are laminated.例文帳に追加

第１のミラー１００２と、活性層を含む共振器１０００と、第２のミラー１０１０とが積層されてなる垂直共振器型面発光レーザである。 - 特許庁

The second thin films 14b are made from amorphous carbon having a smaller band gap than those of the electron emission layer 16 and having a larger band gap than the first thin films 14a.例文帳に追加

第２薄膜１４ｂは電子放出層１６よりも小さく且つ第１薄膜１４ａよりも大きなバンドギャップを有する非晶質炭素からなる。 - 特許庁

The overlay mark includes at least one test pattern for determining a relative shift between a first and a second layer of a substrate in a first direction.例文帳に追加

重ね合わせマークは第１方向における基板の第１および第２レイヤ間の相対的ズレを決定する少なくとも一つのテストパターンを含む。 - 特許庁

The heat insulation material layer 13 is formed by sticking rock wool, ceramic fibers, or the like, molded planarly to the inside of a second metal pipe 15.例文帳に追加

断熱材質層１３は、板状に成型したロックウールやセラミックファイバー等を、第２金属製管体１５の内側に貼り付けることで形成した。 - 特許庁

Then, the second resin layer 12 and the base substrate 1 are cut along a prescribed dicing line DL and divided into the respective semiconductor devices 20 in a chip shape.例文帳に追加

次に、所定のダイシングラインＤＬに沿って第２の樹脂層１２及びベース基板１を切断し、チップ状の個々の半導体装置２０に分割する。 - 特許庁

The organic EL panel is formed by depositing a laminated body 13 having a first electrode 17, an organic layer 20 and a second electrode 21 on a substrate 12.例文帳に追加

有機ＥＬパネルは、第一電極１７と有機層２０と第二電極２１とを有する積層体１３を基板１２に形成したものである。 - 特許庁

The current diffusion layer (6) consists of multiple laminations of first and second layers (9), (10) including a heterojunction for obtaining a two dimensional electron gas effect.例文帳に追加

電流分散層（６）は２次元電子ガス効果を得るためのヘテロ接合を含む複数の第１及び第２の層（９）、（１０）の積層体からなる。 - 特許庁

The electron-emitting element includes a first cathode, a second cathode, a third cathode, an insulating layer, a gate electrode, and an electron-emitting material.例文帳に追加

本発明に係る電子放出素子は、第１のカソード電極、第２のカソード電極、第３のカソード電極、絶縁層、ゲート電極、及び、電子放出材を備える。 - 特許庁

A drain of the first conductivity type and a source of the second conductivity type are each provided at both sides of the first channel region in the semiconductor layer.例文帳に追加

第１導電型のドレインおよび第２導電型のソースが、第１のチャネル領域の両側にある半導体層内にそれぞれ設けられている。 - 特許庁

The first electrode (24) and the second electrode (28) can generate an electric field in the liquid crystal layer (22) in a direction vertical to the substrate (20).例文帳に追加

第１の電極（２４）及び第２の電極（２８）は、液晶層（２２）で基板（２０）に対して垂直方向に電界を発生させることができる。 - 特許庁

A source electrode 32 and a drain electrode 34 are formed on the surface layer 28 of the first region 20 and second region 22 to which the plasma treatment is applied.例文帳に追加

プラズマ処理が行われた第１領域２０及び第２領域２２の表層２８上に、それぞれ、ソース電極３２及びドレイン電極３４を形成する。 - 特許庁

A third layer wire 17 and a bonding pad 71, both of which are made of aluminum alloys, are partially formed on a second interlayer insulating film 14.例文帳に追加

第２の層間絶縁膜１４上には、いずれもアルミニウム合金から成る、第３層配線１７及びボンディングパッド７１が部分的に形成されている。 - 特許庁

A second protection layer 67 for preventing the separator 38 from being exposed to the exhaust gas is formed on a plane facing to the anode electrode 34 of the separator 38.例文帳に追加

セパレータ３８のアノード電極３４に向かう面には、前記セパレータ３８が排ガスに曝されることを阻止するための第２保護層６７が形成される。 - 特許庁

A part of the plurality of wiring parts 35 which passes at least between the other individual electrodes 32 is covered with a second insulating layer 38.例文帳に追加

そして、複数の配線部３５の、少なくとも前記他の個別電極３２の間を通過する部分が、第２絶縁層３８によって覆われている。 - 特許庁

The second internal electrode 30 for signal and the first internal electrode 40 for ground include opposite sections with the insulating layer 11 interposed between them.例文帳に追加

第２の信号用内部電極３０及び第１の接地用内部電極４０は、絶縁体層１１を間に挟んで対向する部分をそれぞれ含む。 - 特許庁

The first internal electrode 20 for signal and a second internal electrode 50 for ground include opposite sections with an insulating layer 11 interposed between them.例文帳に追加

第１の信号用内部電極２０及び第２の接地用内部電極５０は、絶縁体層１１を間に挟んで対向する部分をそれぞれ含む。 - 特許庁

A first semiconductor chip 10 includes a first substrate 102, a first circuit 100, a multilayer wiring layer 400, a first inductor 310, and a second inductor 320.例文帳に追加

第１半導体チップ１０は、第１基板１０２、第１回路１００、多層配線層４００、第１インダクタ３１０及び第２インダクタ３２０を備える。 - 特許庁

The semiconductor device can include a first gate region and a second gate region, between which an interface covered by the internal spacer layer is formed.例文帳に追加

半導体デバイスは、内部スペーサ層によって覆われた界面を間に有する第１のゲート領域および第２のゲート領域を含むことができる。 - 特許庁

The second conductive adhesive agent is formed between an input electrode, the ground electrode, and the lead frame in a layer shape, and electrically connects them to each other.例文帳に追加

第２導電性接着剤は、前記入力電極およびグランド電極とリードフレームとの間に層状に形成され、前記両者を電気的に接続する。 - 特許庁

A focusing electrode 7 to focus electrons emitted from an emitter 8 is integrally formed on a gate electrode 5 via a second insulating layer 6.例文帳に追加

ゲート電極５の上にエミッタ８から放出された電子を集束する集束電極７を第２の絶縁層６を介して一体に形成する。 - 特許庁

The touch plate 31 includes an optically transparent layer, having first and second surfaces 36 and 37 where a light signal is trapped by internal reflection.例文帳に追加

タッチプレート31は第１及び第２の表面36,37を有する光学的に透明な層を含み、該層内に光信号が内部反射により閉じこめられる。 - 特許庁

A gate dielectric film directly below the first gate electrode is single layer whereas a gate dielectric film directly below the second gate electrode includes a charge storage means internally.例文帳に追加

第１のゲート電極直下のゲート誘電体膜は単層であるが、第２のゲート電極直下のゲート誘電体膜は電荷蓄積手段を内部に含む。 - 特許庁

A storage node 116 is formed by overetching a second conductive film 110 on an uppermost part layer on a multilayer insulation film 108 comprising nitrogen components.例文帳に追加

窒素成分を含む多層絶縁膜１０８の最上部層上の第２導電膜１１０をオーバーエッチングしてストレージノード１１６を形成する。 - 特許庁

This device is attained by forming a sheet layer dropping stage H2 between the second carrying device 40 and the third carrying device 50.例文帳に追加

これは、第二搬送装置（４０）と第三搬送装置（５０）の間にはシ−ト層用の落下段（Ｈ２）が形成されていることによって達成される。 - 特許庁

The recess 55a is hollowed up to a predetermined position closer to an upper end surface of a stack than the second coil conductor layer 40 in the stacking direction of the stack.例文帳に追加

凹部５５ａは、積層体の積層方向において第２コイル導体層４０よりも積層体の上端面寄りの所定の位置に至るまで窪んでいる。 - 特許庁