「second layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(288ページ目) - Weblio英語例文検索

The element side end part of the first metal wire is embedded inside a first adhesive layer bonding the first semiconductor element and the second semiconductor element.例文帳に追加

第１の金属ワイヤの素子側端部は、第１の半導体素子と第２の半導体素子とを接着する第１の接着層内に埋め込まれている。 - 特許庁

A gate electrode is formed in a recessed part which is formed by obliquely inclining a sidewall formed on a highly insulating second nitride semiconductor layer with no aluminum contained therein.例文帳に追加

アルミニウムを含まない高絶縁性の第２の窒化物半導体層に形成した側壁が斜めに傾斜した凹部内に、ゲート電極を形成する。 - 特許庁

Then, in this method, wire spreading and wire widening are implemented per layer with respect to global routing, based on, for example, the second congestion optimization.例文帳に追加

次に、この方法は、例えば２次輻輳最適化に基づいて、グローバル経路指定に対して層ごとにワイヤ・スプレッディングおよびワイヤ拡幅を実施する。 - 特許庁

Impurity ions are implanted in this region whose surface is covered with the second semiconductor layer, and the resistance element is formed.例文帳に追加

次に第２の半導体層によって表面が被覆されている抵抗素子形成予定領域に不純物イオンを注入し、抵抗素子を形成する。 - 特許庁

The coating layer 14 is formed by spraying to the first electrode 4 from a specified angle so as not to come in contact with the second electrode 6 and the insulating layers 8, 10.例文帳に追加

このコーティング層１４は第２の電極６及び絶縁層８，１０に接触しないように所定の角度から第１の電極に向けてスプレイする。 - 特許庁

By providing the second conductor layer 10, the inductance components of a current route connecting the semiconductor element 11 and a connection pad 17 are suppressed.例文帳に追加

第２導体層１０を設けることにより、半導体素子１１と接続パッド１７とを接続する電流経路のインダクタンス成分を抑制することができる。 - 特許庁

An etching agent is injected through a hole 306, a sacrificial layer existing between the first and second electrodes is etched to form the cavity.例文帳に追加

孔３０６を通してエッチング剤を通し、これにより第一電極と第二電極との間に存在する犠牲層をエッチングし、空隙を形成する。 - 特許庁

The magnetic pole partial layer 10a includes a first part 10a_1 and a second part 10a_2 with a width larger than that of the first part 10a_1.例文帳に追加

磁極部分層１０ａは、第１の部分１０ａ_1と、第１の部分１０ａ_1の幅よりも大きい幅を有する第２の部分１０ａ_2とを含んでいる。 - 特許庁

The first dielectric layer is selectively etched to form a first aperture to expose a first transistor and a second transistor.例文帳に追加

第１のトランジスタ部分と第２のトランジスタ部分を露出するための第１開口を形成するために、第１の誘電体層を選択的にエッチングする。 - 特許庁

To provide a production method of a semiconductor composite device, wherein a high-quality nitride single crystal semiconductor layer having good flatness is joined to the surface of a second substrate.例文帳に追加

平坦性のよい高品質な窒化物単結晶半導体層を第2の基板の表面に接合した半導体複合装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Increase of film thickness to be generated when the UV resin 6 of a second layer is formed by spin coating and collective irradiation can be canceled by the reduction of the film thickness.例文帳に追加

膜厚の減少によって第２層のＵＶレジン６をスピンコートと一括照射によって形成した場合の膜厚の増大を相殺することができる。 - 特許庁

Then, second dry etching is carried out on the first insulating film 2 with the third insulating film 4 as a mask to form a wiring groove up to the lower layer wiring 1.例文帳に追加

その後、第３の絶縁膜４をマスクとして第１の絶縁膜２に第２のドライエッチングを行い、下層配線１に至る配線溝を形成する。 - 特許庁

The connection layer 12 includes a third heat-meltable material having a melting point lower than melting points of the first and the second heat-meltable materials.例文帳に追加

接続層１２は、第１および上記第２の熱融解可能材料の融点よりも低い融点をもつ第３の熱融解可能材料を含む。 - 特許庁

An element transfer method is provided where elements arrayed on a first substrate are selectively transferred onto a second substrate in which an adhesive resin layer is formed.例文帳に追加

第１の基板上に配列された素子を接着樹脂層が形成された第２の基板上に選択的に転写する素子の転写方法である。 - 特許庁

A second bimetal element 24 is laminated on a predetermined position between the valve element 23 and a peripheral portion 22c in the movable piece 22a through an insulation layer 26.例文帳に追加

可動片２２ａにおいて弁体２３と周部２２ｃとの間の所定部位上には、絶縁層２６を介して第２のバイメタル要素２４が積層されている。 - 特許庁

A third belt 36 advances at a second speed different from the first speed and selectively contacts with a rotatable part of the shell 52 at the upper layer of the label.例文帳に追加

第３のベルト３６が第１の速度と異なる第２の速度で進み、ラベルの上の層であるシェルの回転可能部分５２と選択的に接触する。 - 特許庁

The upper faces (surfaces) of second regions 11A, 11B, 11C and 11D are configured of silver layers, and formed of materials whose etching rate is larger than that of the first region (chrome layer).例文帳に追加

第２の領域１１Ａ，１１Ｂ，１１Ｃ，１１Ｄはその上面（表面）が銀層からなり、前記第１の領域（クロム層）よりエッチングレートが大きい材料からなっている。 - 特許庁

First damping rubber layers 11A and 11B having thin thickness are integrated into both sides of a second damping rubber layer 12 having thick thickness by vulcanization adhesion.例文帳に追加

肉厚が厚い第２の減衰ゴム層１２の両側に、肉厚が薄い第１の減衰ゴム層１１Ａ，１１Ｂが加硫接着により一体化されている。 - 特許庁

The bag supporting part 34 makes at least a part of the blood bag into a thin layer part by holding the blood bag tightly between the first plate 341 and the second plate 342.例文帳に追加

バッグ支持部３４は、第１プレート３４１と第２プレート３４２とで血液バッグを挟み込むことで、血液バッグの少なくとも一部を薄層部とする。 - 特許庁

Each of the lower electrodes 22 is covered with a second inter-layer film 25 formed with a plurality of openings for exposing the middle part of each of the lower electrodes 22.例文帳に追加

下部電極２２は、各下部電極２２の中央部を露出させる複数の開口部が設けられた、第２の層間絶縁膜２５に覆われている。 - 特許庁

An isolation structure 210 is formed in the semiconductor layer, the isolation structure configured substantially to isolate the first source/drain region from the second source/drain region.例文帳に追加

半導体層内に分離構造２１０が形成され、これは第１ソース／ドレイン領域を第２ソース／ドレイン領域からほぼ分離するように構成されている。 - 特許庁

The charge trap layer CT is provided on the main surface of the silicon substrate 1a held between the first and the second source/drain regions SDLa and SDRa.例文帳に追加

電荷トラップ層ＣＴは第１および第２ソース／ドレイン領域ＳＤＬａ，ＳＤＲａに挟まれるシリコン基板１ａの主表面上に設けられている。 - 特許庁

A gate electrode 12 of a peripheral circuit transistor Q is formed of the laminated film of the second and the third layer electrode films L2, L3.例文帳に追加

周辺回路トランジスタＱのゲート電極１２は、第２層及び第３層ゲート電極材料膜Ｌ２及びＬ３の積層膜により形成される。 - 特許庁

The band having a cyclic waveform is extended from a first bus bar 13, being electrically brought in contact with the coating layer, to a second bus bar 14 when necessary.例文帳に追加

バンドは、周期的な波形であり、コーティング層で電気的接触して第一のバスバー１３から、場合により第二のバスバー１４にまで延びる。 - 特許庁

After a striped first electrode and a spacer are formed on a substrate, vapor-depositing is processed by using a shadow mask to form an EL layer and a second electrode.例文帳に追加

基板上にストライプ状の第１電極、スペーサーを形成した後に、シャドーマスクを用いて蒸着することで、ＥＬ層及び第２電極を形成する。 - 特許庁

Finally, the signals stored in the first and second frame buffers are synthesized in a hardware manner by overlaying in the kernel layer and transmitted to a display panel.例文帳に追加

最後に、カーネル階層で第１及び第２フレームバッファに保存された信号をオーバレイによってハードウェア的に合成してディスプレイパネルに伝達する。 - 特許庁

Since the second RFID tag is not powered due to demagnetizing field generated by eddy currents generated at the conductor layer, a reply is not sent.例文帳に追加

一方、第２のＲＦＩＤタグは、導電体層で発生した渦電流によって反磁界が生じることにより起動されないので、返信は行われない。 - 特許庁

Thereby, the multichip semiconductor integrated circuit allows the first semiconductor chip or the second semiconductor chip to be tested well through the rewiring layer.例文帳に追加

これにより、マルチチップ半導体集積回路は、再配線層を介して第１の半導体チップ又は第２の半導体チップの検査を良好に行うことができる。 - 特許庁

An electrode layer 2 formed on the surface of a first substrate 1 comprising a smooth substrate surface is transferred to a second substrate 5 to form a first electrode 7.例文帳に追加

平滑な基板面を有する第１基板１の面上に形成した電極層２を第２基板５に転写して、第１電極７が形成される。 - 特許庁

The device is conducted when turned off and a circuit element 44 is disposed so as to discharge the carrier of second conductive type to the emitter electrode from the diverter layer.例文帳に追加

装置のターンオフの際に導通状態とされ、ダイバータ層からエミッタ電極に第２導電型のキャリアを排出するように回路素子４４が配設される。 - 特許庁

The same magnesium as an impurity element added to the p-type second semiconductor layer 14 is added to the ITO constituting the optically translucent electrode 15.例文帳に追加

透光性電極１５を構成するＩＴＯには、ｐ型の第２の半導体層１４に添加された不純物元素と同一のマグネシウムが添加されている。 - 特許庁

The first electrode is electrically coupled to the semiconductor layer and the second electrode is electrically coupled to the base region, at a location adjacent to a bottom of the trench.例文帳に追加

第１電極が前記半導体層に電気的に接続され、第２電極は、前記トレンチの下部に隣接する前記ベース領域に電気的に接続される。 - 特許庁

Subsequently, the protective film is removed and a second nitride semiconductor layer is grown using the nitride semiconductor nucleus as the starting point of growth, thus obtaining a nitride semiconductor substrate.例文帳に追加

その後、保護膜を除去し、前記窒化物半導体核を成長起点として第２の窒化物半導体層を成長させ窒化物半導体基板を得る。 - 特許庁

In a process of forming a second ion implanting layer, ion implantation is carried out so that temperatures of the plurality of wafers reach within a target temperature ±5°C.例文帳に追加

第２イオン注入層を形成する工程において、前記複数のウェーハの温度が目標温度±５℃以内に到達するようにイオン注入を行う。 - 特許庁

The carrier substrate 18 is included with the first metal electrode 16, the second metal electrode and the epitaxial layer 14 on the carrier substrate 18.例文帳に追加

キャリア基板１８を備え、第１の金属電極１６及び第２の金属電極ならびにエピタキシャル層１４がキャリア基板１８上に位置している。 - 特許庁

An emitter electrode of two layer structures of the firstemitter electrode 61 and the second emitter electrode 62 having expanded pattern size in comparsion with the electrode 61 is used.例文帳に追加

第１エミッタ電極６_1 とこの第１エミッタ電極６_1 に対してパターンサイズが拡大された第２エミッタ電極６_2 との２層構造のエミッタ電極を用いる。 - 特許庁

A layer with finely separated nitrogen atoms is formed on the treated face, and then the second region or the first region is formed on the treated face.例文帳に追加

該処理された面上に窒素原子の細分された層を形成し、その後、処理された面上に第２の領域または第１の領域を形成する。 - 特許庁

The first conductivity type polymer layer 4 is formed by performing chemical oxidation polymerization by using an oxidizer composed of a second iron salt and a monomer, and then cleaning.例文帳に追加

第一の導電性高分子層４は、第二鉄塩からなる酸化剤とモノマーを用いた化学酸化重合を施し、洗浄をして形成される。 - 特許庁

The MOS device further includes a buried lightly-doped drain region, LDD region, of the second conductivity type formed between the gate region and the drain region in the semiconductor layer.例文帳に追加

このＭＯＳデバイスは、さらに半導体層内のゲート領域とドレイン領域の間に形成された第２の導電型の埋込みＬＤＤ領域を含む。 - 特許庁

A first capacitor electrode C11 and a second capacitor electrode C21 are formed of the conductive material layer 313 to be processed into the transfer electrodes 31.例文帳に追加

また、第１キャパシタ電極Ｃ１１および第２キャパシタ電極Ｃ２１について、転送電極３１へ加工される導電材料層３１３から形成する。 - 特許庁

Accordingly, ample overlap can be ensured between the contact hole and electrode, and moreover, separation distance between the base electrode and emitter electrode of the second layer can also be ensured.例文帳に追加

これにより、コンタクトホールと電極間のオーバーラップを十分確保し、且つ、２層目のベース電極とエミッタ電極の離間距離も確保することができる。 - 特許庁

The element region has, in the first semiconductor layer 2, a semiconductor element in which current flows between a first electrode 9 and a second electrode 8.例文帳に追加

素子領域は、第１の電極９と、第２の電極８と、の間を電流が流れる半導体素子を、第１の半導体層１内に有する。 - 特許庁

The second switch device decapsulates the OAM frame from the OAM frame packet received from the first switch device, and outputs the layer 2 packet from the predetermined port.例文帳に追加

第２のスイッチ装置が、第１のスイッチ装置から受信したＯＡＭフレームパケットから、ＯＡＭフレームをデカプセル化し、そのレイヤ２パケットを、所定ポートから出力する。 - 特許庁

The ferroelectrics layer 14 may be provided, in block, only in an intersection region between the first signal electrode 12 and the second signal electrode 16.例文帳に追加

また、強誘電体層１４は、第１信号電極１２と第２信号電極１６との交差領域のみにブロック状に配置されていてもよい。 - 特許庁

In a multilayer conductive layer of an integrated circuit, the symmetry part of a first inductor and a second inductor is formed in two or more conductive layers.例文帳に追加

集積回路の多層導電層において、第１インダクターおよび第２インダクターの対称部分は、２以上の導電層において形成されている。 - 特許庁