「second layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(287ページ目) - Weblio英語例文検索

A part of the first dielectric layer interacts with a reacting agent derived from a first precursor and a second precursor, thereby forming a first solid product.例文帳に追加

該第１の誘電層の一部が、第１の前駆体および第２の前駆体から導出された反応剤と相互作用し、第１の固体生成物を形成する。 - 特許庁

Then while the lower-layer wiring 9 is exposed at the bottom of the connection hole 16, a second heat treatment is carried out at lower temperature than the first heat treatment.例文帳に追加

次に、接続孔１６の底部に下層配線９を露出させた状態で、第１の熱処理よりも低い温度で第２の熱処理を行う。 - 特許庁

The coefficient of linear thermal expansion of the second polyimide resin layer 122 is smaller than the coefficient of linear thermal expansion of the first to third polyimide resin layers 121, 123.例文帳に追加

第２のポイリミド樹脂層１２２の線熱膨張係数は、第１および第３のポイリミド樹脂層１２１，１２３の線熱膨張係数よりも小さい。 - 特許庁

A first insulating film 2, a second insulating film 3, a third insulating film 4, an anti-reflection film 5, and a resist film 6 are formed on lower layer wiring in order.例文帳に追加

下層配線１の上に第１の絶縁膜２、第２の絶縁膜３、第３の絶縁膜４、反射防止膜５およびレジスト膜６を順に形成する。 - 特許庁

Thus, the layer 110 is formed to improve adhesive properties between the copper 118b and the second barrier film 112, and to prevent separation.例文帳に追加

このように密着層１１０を形成することにより、銅１１８ｂと第２バリア膜１１２との間の密着性を向上させ剥がれを防止するものである。 - 特許庁

An abrasive grain layer 24 is formed by providing a first, a second, a third ring-like abrasive grain layers 24A, 24B, 24C, at a surface 22A of a base 22.例文帳に追加

台金２２の一面２２ａにリング状の第一砥粒層２４Ａ，第二砥粒層２４Ｂ，第三砥粒層２４Ｃを設けて砥粒層２４を構成する。 - 特許庁

At least one data storage layer may be disposed on a section where at least the one first electrode and at least the one second electrode cross each other.例文帳に追加

少なくとも１つのデータ保存層は、少なくとも１つの第１電極及び少なくとも１つの第２電極の交差部分に介在される。 - 特許庁

In the overprinting, the second printing is superimposed while the surface of the layer printed first is still wet with the solvent.例文帳に追加

また、重ね印刷する際に、先に印刷された層の表面が溶剤で濡れている間に次の印刷を重ねる化粧料試供品の製造方法。 - 特許庁

Next, an etch-back step 30 simultaneously etching the second and the third color layers 46 and 50 throughout till the first color layer 33 is exposed.例文帳に追加

次に、第１の着色層３３が露呈するまで第２及び第３の着色層４６，５０を同時に全面エッチングするエッチバック工程３０を行う。 - 特許庁

At least a partial region of the ground pattern G1 and at least a partial region of the wiring pattern W2 are opposite to each other with the second insulating layer 42 interposed therebetween.例文帳に追加

グランドパターンＧ１の少なくとも一部の領域と配線パターンＷ２の少なくとも一部の領域とが第２の絶縁層４２を挟んで対向する。 - 特許庁

The mortar 11 mixed with short fibers is coated on the surface of a skeleton 10 with a trowel, a net 20 is put thereon, and a second layer mortar 12 is coated with the trowel.例文帳に追加

躯体１０の表面に短繊維入りのモルタル１１をコテ塗りし、その上にネット２０を重ね、次いで、第２層目のモルタル１２をコテ塗りする。 - 特許庁

The barrier material is removed from the first sidewall parts 34 of the trenches, while the barrier material is left on the second sidewall parts 32 of the trenches and a barrier layer 26 is formed in each trench.例文帳に追加

バリヤー材料をトレンチの第１側壁部３４より除去する一方、トレンチの第２側壁部３２には残し、バリヤー層２６を形成する。 - 特許庁

The wire 500 is disposed on the one-surface side of the first insulating layer 100, and connects the second terminal 212 to the center-side end 202 of the first inductor 200.例文帳に追加

ワイヤ５００は、第１絶縁層１００の一面側に位置し、第２端子２１２と第１インダクタ２００の中心側の端部２０２とを接続する。 - 特許庁

The angle between the normal line N of the first and second wall surfaces 32 and 34 and the extending direction of the optical waveguide core layer 14 is ≥6° and <90°.例文帳に追加

第１及び第２の壁面３２，３４の法線Ｎと光導波路コア層１４の延在方向との角度は６度以上９０度未満である。 - 特許庁

The first and second semiconductor elements 5 and 8 are adhered together through an insulative resin layer 9 having a viscosity ranging from 1 kPas or more to less than 100 kPas under adhering conditions.例文帳に追加

第１および第２の半導体素子５、８間は、接着時粘度が1kPa・s以上100kPa・s以下の絶縁性樹脂層９を介して接着されている。 - 特許庁

The second protective layer 4b releases stress applied to the entire body of the Hall element, so that changes in the temperature at the offset voltage of the Hall element can be reduced.例文帳に追加

第２保護層４ｂにより、ホール素子本体にかかる応力が緩和され、ホール素子のオフセット電圧の温度変化を少なくすることができる。 - 特許庁

In a state where a tensile strength wire 16 is arranged between two cords 15, a second coating layer 17 is provided on the outer periphery to make a plastic optical fiber cable 10.例文帳に追加

２本のコード１５の間に抗張力線１６を配した状態で、その外周に第２被覆層１７を設けて、プラスチック光ファイバケーブル１０とする。 - 特許庁

A first insulating film 11 comprising an SiO2 film and a second insulating film 12 comprising an SiO film are formed in different regions, respectively, on an ohmic contact layer 27.例文帳に追加

オーミックコンタクト層２７上の異なる領域に、ＳｉＯ_２膜からなる第１の絶縁膜１１とＳｉＯ膜からなる第２の１２が形成されている。 - 特許庁

When the surface of the color filter layer 14 is polished, the first dummy pattern 18 is not scraped and the stress dispersed to the first dummy pattern can be dispersed to the second dummy pattern 19.例文帳に追加

カラーフィルタ層14の表面を研磨した際に、第１ダミーパターン18が削れず、第１ダミーパターン18に分散させた応力を第２ダミーパターン19に分散できる。 - 特許庁

The insulation layer 50 included in the boundary part 2T and the two wires selected from the first wires 10 and the second wires 40 are collectively processed.例文帳に追加

境界部２Ｔに含まれる絶縁層５０、並びに第１の配線１０及び第２の配線４０から選択される２つの配線は、一括して加工される。 - 特許庁

The smoothing member 34 on the downstream side is rotated counterclockwise and pressurizes the pachinko game balls of the second layer from the bottom in the direction opposite to the flowing down direction.例文帳に追加

下流側の球ならし部材３４は反時計方向に回動して、下から２層目のパチンコ球を流下方向と反対方向に押圧する。 - 特許庁

By covering a part of the second layer 13B with an insulating film 14 at the time of the surface oxidation treatment, a metal film 13B2 that is not oxidized is left under the insulating film 14.例文帳に追加

表面酸化処理の際に、第２層１３Ｂの一部を絶縁膜１４で覆うことで、絶縁膜１４下に酸化されない金属膜１３Ｂ２を残す。 - 特許庁

For the second preliminary coating layer 4, thermoplastic resin is used, wherein compressive strain on a load of 100 kg is ≤0.7 mm per specimen length of 20 mm.例文帳に追加

第２予備被覆層４には、１００ｋｇ付加時の圧縮歪みが、試料長２０ｍｍあたり０．７ｍｍ以下となる熱可塑性樹脂を用いる。 - 特許庁

The upper part 14 has first and second non- thermoformed members 29 located inside and outside of an ankle part 21, and a thermoformed layer 28b.例文帳に追加

アッパー部１４は、足首部分２１の内側及び外側に配置された第１及び第２非熱成形部材２９と熱成形層２８ｂとを有している。 - 特許庁

The first non-doped diamond layer 7 has a first crystalline plane 10 in a {111} side, and a second crystalline plane 11 in a {100} side on a surface.例文帳に追加

第１のノンドープダイヤモンド層７は、｛１１１｝面である第１の結晶面１０及び｛１００｝面である第２の結晶面１１を表面に有している。 - 特許庁

Moreover, the narrow portion 5b of the first electrode 5 is provided on the second contact layer 13.例文帳に追加

電流ブロック層４の上に第１の電極５のパッド部分５ａを設け、第２のコンタクト層１３の上に第１の電極５の細状部分５ｂを設ける。 - 特許庁

In a second step, the first insulating adhesive 131a is subjected to heat treatment, or the like for curing to form a first insulating layer 131.例文帳に追加

第２の工程で、第１の絶縁性接着剤１３１ａに対し加熱処理等を行って硬化させ、第１の絶縁層１３１を形成する。 - 特許庁

The thin film pattern 102-3 of the third layer is arranged at a position not to be laid on top of the stamp regions 105-1 and 105-2 of the first and second layers.例文帳に追加

３層目の薄膜パターン１０２−３は１層目および２層目のスタンプ領域１０５−１、１０５−２に重ならない位置に配置される。 - 特許庁

The adhesive film 10 has the first and the second adhesive layers 11, 12 and conductive particles 15 dispersed in the first adhesive layer 11.例文帳に追加

本発明の接着フィルム１０は、第一、第二の接着剤層１１、１２と、第一の接着剤層１１に分散れた導電性粒子１５とを有している。 - 特許庁

The spark excitation assembly 100 can generate an electric arc between the conductive layer 146 of the first injector element 130 and the second injector element 24.例文帳に追加

スパーク励起アセンブリ１００は、第１のインジェクタ要素１３０の導電層１４６と第２のインジェクタ要素２４の間に電気アークを発生させることができる。 - 特許庁

In the Sn-Cu-Ag film of the second layer, it is desirable that the content of Cu to Sn is ≥3 mass% and <20 mass%.例文帳に追加

第２層のＳｎ−Ｃｕ−Ａｇ被膜において、Ｓｎに対するＣｕの含有量が、３質量％以上、２０質量％未満であることが望ましい。 - 特許庁

The second conductive layers 17, 18 are positioned in a layer differing from the first conductive layers 31, 32, and are set to a potential that is nearly the same as power supply potential or the ground.例文帳に追加

第２導体層１７，１８は、第１導体層３１，３２とは異なる層に位置し、電源電位または接地電位と略等しい電位となる。 - 特許庁

The package integrity feature comprises the second panel of the inner layer which separates from the sealing panel to indicate that the container has been previously opened.例文帳に追加

パッケージ保全構成は、容器が以前に開封済みであることを表示するために封止用パネルから分離する、内部層の第２のパネルを備える。 - 特許庁

A second microstrip line 30 is constituted by forming a ground layer 320g on a rear side of a dielectric 310 and forming a strip conductor 330 on a front side thereof.例文帳に追加

第２のマイクロストリップ線路３０は、誘電体３１０の裏面にグランド層３２０ｇが、表面にストリップ導体３３０が形成されたものである。 - 特許庁

Third semiconductor layers 10 of a first conductive type contacting the gate insulating film 7 are selectively disposed on the surface of the second semiconductor layer 3.例文帳に追加

前記ゲート絶縁膜７と接した第１導電形の第３の半導体層１０が、前記第２半導体層３の表面に選択的に配置される。 - 特許庁

On the first and second node connecting conductive layers NC1 and NC2, a capacitor insulating film CI and a capacitor electrode layer CE are formed.例文帳に追加

これらの第１および第２のノード接続導電層ＮＣ１およびＮＣ２の上にキャパシタ絶縁膜ＣＩおよびキャパシタ電極層ＣＥが形成されている。 - 特許庁

A second substrate formed of a transparent semiconductor circuit is located between a reflection type display element and a first substrate formed of a color filter layer.例文帳に追加

反射型ディスプレイ表示要素と、カラーフィルター層を形成した第一の基材との間に、透明な半導体回路を形成した第二の基材を配置する。 - 特許庁

The second metal grains 7 are laminated and formed on the first conductor layer 6 by heating at a temperature higher than the melting point of the coated metal grains 7.例文帳に追加

その後、塗布され金属粒子７の融点より高い温度で加熱して、第１の導体層６上に第２の金属層７を積層形成する。 - 特許庁

Thereafter, a well layer 39 composed of a second group III-V compound semiconductor containing indium is grown on the GaAs thin film 37b using molecular beam epitaxy.例文帳に追加

分子線エピタキシ法を用いて、インジウムを含む第２のIII−Ｖ化合物半導体からなる井戸層３９をＧａＡｓ薄膜３７ｂ上に成長する。 - 特許庁

A pixel electrode 9ab adjacent to the pixel electrode 9aa is electrically insulated from the second relay layer 400 by the fourth interlayer insulating film 44.例文帳に追加

画素電極９ａａに隣接する画素電極９ａｂは、第４層間絶縁膜４４によって第２中継層４００と電気的に絶縁されている。 - 特許庁

A first electrode 18, a solid electrolyte 19 and a second electrode 20 are laminated on the impurity diffusion layer 12 to form an electrolyte member 5.例文帳に追加

不純物拡散層１２の上に、第１電極１８、固体電解質１９および第２電極２０から成る電解質部材５を積層して形成する。 - 特許庁

To improve operating characteristics of a semiconductor device by forming a gate insulating layer in first and second oxidizing/nitriding processes using gases which have different nitrogen contents.例文帳に追加

窒素含有量の異なるガスを使用した第１次、第２次酸化／窒化工程でゲート絶縁層を形成して素子の動作特性を向上させる。 - 特許庁

An opening region 13 is formed in the first ground electrode 11 so that the specific region 81 can be seen through from the second insulation layer 6 side.例文帳に追加

第１グランド電極１１には、第２絶縁層６側から特定領域８１を見通すことができるように開口領域１３が形成されている。 - 特許庁

Thus, the change in electric conductivity of the second electron layer 104 can be cumulatively detected, and thereby sensitivity to the infrared light is further improved.例文帳に追加

したがって、第２電子層１０４の電気伝導率の変化が累積的に検出され、これによって赤外光の感度のさらなる向上が図られる。 - 特許庁

In a longitudinal transistor 10, the first and third epitaxial layers act as a source and a drain, and a second epitaxial layer acts as a channel.例文帳に追加

縦型トランジスタ１０において、第１及び第３のエピタキシャル層はソース及びドレインとして機能し、第２のエピタキシャル層はチャネルとして機能する。 - 特許庁