「second layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(293ページ目) - Weblio英語例文検索

This multilevel information storage element which stores multilevel information has a laminated dielectric structure constituted by laminating a first ferrorelectric layer 2 having a first coercive voltage and a second ferroelectric layer 3 having a second coercive voltage which is different from the first coercive voltage upon another, between two voltage adding sections 1 and 4.例文帳に追加

多値情報を記憶する多値情報記憶素子であって、２つの電圧付加部１，４の間に、第１の抗電圧を有する第１の強誘電体層２と、第１の抗電圧と異なる第２の抗電圧を有する第２の強誘電体層３とを積層した積層誘電体構造を有する。 - 特許庁

In the hydrogen gas sensor, a first electrode 3 is installed on one face of a proton conduction layer 1, a second electrode 5 and a reference electrode 7 are installed on the other face of the layer 1 so as to face the first electrode 3, and they are supported in a support 9 composed of a first support 9a and a second support 9b.例文帳に追加

水素ガスセンサは、プロトン伝導層１の一方の面に、第１電極３が設けられ、プロトン伝導層１の他方の面に、第１電極３と対向するように、第２電極５及び参照電極７が設けられて、それらは、第１支持体９ａ及び第２支持体９ｂからなる支持体９中に支持されている。 - 特許庁

When the second layer is molded, the core is advanced or retracted in the direction of the mold cavity by a driver such as a hydraulic cylinder or the like to change the thickness dimension of the rising surface part of the mold cavity to mold the multi-layer molded product different in its shape between first and second layers of a resin.例文帳に追加

第２層を成形する際においては、油圧シリンダ等の駆動機により、入れ子を金型キャビティ方向に前進又は後退させて金型キャビティの立ち面部分の厚み寸法を変化させることにより、１層目と２層目で成形した樹脂の成形品の形状が異なった多層成形品を成形する。 - 特許庁

The guidewire 1 equipped with a prong 2 and a main unit 3, wherein the main unit 3 has a central layer 31 formed of a first material, a surface layer 32 formed of a second material, and an intermediate 33 formed of a mixture of the first material and the second material.例文帳に追加

ガイドワイヤ１は、先端部２と本体部３を備えるガイドワイヤであって、本体部３は、第１の材料によって形成された中心層３１と、第２の材料によって形成された表面層３２と、第１の材料と第２の材料の混合物によって形成された中間層３３を備えている。 - 特許庁

The soft magnetic underlayer 13 has: first and second soft magnetic layer 131 and 133 consisting essentially of Fe; and an antiferromagnetically bonding layer 132 disposed between the first and the second soft magnetic layers.例文帳に追加

軟磁性下地層１３はＦｅを主成分とする第一の軟磁性層１３１及び第二の軟磁性層１３３と、第一の軟磁性層及び第二の軟磁性層の間に配置された反強磁性結合層１３２とを有し、反強磁性結合層１３２はＲｕ−Ｆｅ合金からなり、Ｆｅの含有率が４０ａｔ％〜９３ａｔ％である。 - 特許庁

The display panel 1 comprises a first substrate 10 on which a plurality of conductive members are disposed, a second substrate 30 disposed opposing to the first substrate, a display medium layer 20 between the substrates, and a seal 40 disposed to surround the display medium layer 20 between the first substrate 10 and the second substrate 30.例文帳に追加

表示パネル１は、複数の導電部材が設けられた第１の基板１０と、それに対向して設けられた第２の基板３０と、それらの基板間に設けられた表示媒体層２０と、第１の基板１０と第２の基板３０との間に表示媒体層２０を周回するように設けられたシール４０とを備える。 - 特許庁

Wiring 122 is electrically connected to the electrode 114, and has a first part 150 and a second part 152 in which the first part 150 is formed on a boundary between the side surface 121 and the upper surface 120 of the resin layer 118, and the second part 152 is connected to the first part 150 and formed on the upper surface 120 of the resin layer 118.例文帳に追加

配線１２２は、電極１１４に電気的に接続されており、樹脂層１１８の側面１２１と上面１２０の境目に形成された第１の部分１５０と、第１の部分１５０に接続されて樹脂層１１８の上面１２０に形成された第２の部分１５２と、を有する。 - 特許庁

An upper wall surface 14 of an intake air flow in passage part 8 of an intake port 4 comprises a first upper wall surface 14a and a second upper wall surface 14b lower than the first upper wall surface 14a, an upper layer channel X and a lower layer channel Y are formed with the height position of the second upper wall surface 14b as a boarder.例文帳に追加

吸気ポート４の吸入空気流入通路部８の上壁面１４を第１の上壁面１４ａと、第１の上壁面１４ａよりも低い第２の上壁面１４ｂとにより構成し、第２の上壁面１４ｂの高さ位置を境にして下層流路Ｘと上層流路Ｙが形成される。 - 特許庁

The semiconductor device comprises a ground insulating film 4 including on the surface first and second parts 16, 17 each having different height; lower layer wirings 11, 12 formed on the ground insulating film 4; and a first insulating film 6, an organic SOG film 7, and a second insulating film 8 formed sequentially on the lower layer wirings 11, 12, and the ground insulating film 4.例文帳に追加

表面に高さが異なる第１および第２の部分１６,１７を有する下地絶縁膜４と、下地絶縁膜４に形成された下層配線１１,１２と、下層配線１１,１２および下地絶縁膜４上に順次形成された第１絶縁膜６、有機ＳＯＧ膜７および第２絶縁膜８とを備える。 - 特許庁

When the width W of a depletion layer of a MOS capacitor that is formed in the second region 16 under the gate insulating film 19 when a power voltage is applied to the gate electrode 20 is given as W=√(2εϕ/qNa), the thickness Tsi of the second region 16 that is perpendicular to the direction of the gate length Lg is smaller than the width W of the depletion layer.例文帳に追加

ゲート電極２０に電源電圧を印加したときに、ゲート絶縁膜１９下の第２領域１６に形成されるＭＯＳキャパシタの空乏層の幅Ｗを、Ｗ＝√（２εφ／ｑＮａ）としたとき、ゲート長Ｌｇと直交する方向の第２領域１６の厚さＴｓｉが、空乏層の幅Ｗより小さい。 - 特許庁

A blower unit 1 is of a two-layer structure capable of blowing inner and outer air in a two-layer condition, a scroll part of a blower case 3 has a first discharge passage 12 to discharge air blown by a first fan 6, and a second discharge passage 13 to discharge air blown by a second fan 7.例文帳に追加

ブロワユニット１は、内気と外気を２層状態で送風できる２層構造であり、ブロワケース３のスクロール部は、第１のファン６によって送風された空気を吐出する第１の吐出通路１２と、第２のファン７によって送風された空気を吐出する第２の吐出通路１３とを有している。 - 特許庁

This method provided with stages for incising a first layer plate, forming a first scleral flap, lifting it in a cornea direction, forming a recessed part, incising a second layer plate there, firming a second scleral flap, lifting it in a first scleral flap direction and injecting an expansion medium through an exposed opening part to the Schlemm's canal is provided.例文帳に追加

第１層板を切開して第１強膜弁を形成し、それを角膜方向に持ち上げ陥凹部を創り、そこで第２層板を切開して第２強膜弁を形成しそれを第１強膜弁方向に持ち上げ露出された開口部を通じて拡張媒体をシュレム管に注入する段階を含む方法を提供する。 - 特許庁

This display panel is constructed by sequentially forming a first electrode 43, a luminous layer, a second electrode 45, and a protection film on a substrate, and by sequentially forming a third drawing wire 44 extending in the same direction as that of the first electrode and a fourth drawing wire 48 extending in the same direction as a third separation layer on top of it and the second electrode on the protection film.例文帳に追加

基板上に、第１電極４３、発光層、第２電極４５及び保護膜を順次形成させ、保護膜上に、第１電極と同方向に延びる第３延伸導線４４、その上の第３隔離層及び第２電極と同方向に延びる第４延伸導線４８を順次形成させてなる表示パネル。 - 特許庁

Also the direction of an optic axis of the second optical compensating layer 108 projected on the substrate surface and the direction of a long axis of an equivalent optical indicatrix of residual retardation, formed in the vicinity of an interface of the second glass substrate 107 side of the liquid crystal layer 105 in displaying black, projected on the substrate surface are substantially matched with each other.例文帳に追加

また、第２光学補償層１０８の光軸を基板面内に投影した方向と、黒表示時に液晶層１０５の第２基ガラス板１０７側の界面付近で形成される残留リターデーションの等価屈折率楕円体の長軸方向を基板面内に投影した方向とはほぼ一致している。 - 特許庁

A semiconductor element comprises: a first substrate having a transistor layer where transistors are formed; a second substrate having a metal wiring layer where metal wiring is formed; and a connection electrode for electrically connecting the transistors formed on the first substrate to the metal wiring formed on the second substrate.例文帳に追加

実施例に係る半導体素子は、トランジスタが形成されたトランジスタ層を備える第１基板と、金属配線が形成された金属配線層を備える第２基板と、前記第１基板に形成されたトランジスタと前記第２基板に形成された金属配線とを電気的に連結する連結電極と、を含む。 - 特許庁

A diffractive spatial light modulator has a first substrate 1 and a second substrate 2 between which a liquid crystal layer 20 functioning as a first half wavelength retarder, a half wavelength plate 22 being a second half wavelength retarder, and a liquid crystal layer 21 functioning as a third wavelength retarder are arranged.例文帳に追加

回折型空間光変調器は、第１の基板１と第２の基板２とを有しており、その間には、第１の１／２波長リターダとして機能する液晶層２０、第２の１／２波長リターダである１／２波長板２２、第３の１／２波長リターダとして機能する液晶層２１が配置されている。 - 特許庁

Further, the method of manufacturing the electronic device having (A) a first electrode and a second electrode and (B) an active layer 20 provided between the first electrode and second electrode 16 includes a process of making the metal oxide semiconductor forming the active layer 20 to adsorb ligand molecules.例文帳に追加

また、（Ａ）少なくとも、第１電極及び第２電極、並びに、（Ｂ）第１電極と第２電極１６の間に設けられ、金属酸化物半導体から成る能動層２０を備えた電子デバイスの製造方法は、能動層２０を構成する金属酸化物半導体にリガンド分子を吸着させる工程を含む。 - 特許庁

The photoelectric conversion element includes a spherical first semiconductor 11 and a second semiconductor layer 12 which covers the surface thereof, the second semiconductor layer 12 having a window portion 14 for exposing the first semiconductor 11, and the first semiconductor 11 having a hole 16 opened at a portion thereof exposed through the window portion.例文帳に追加

光電変換素子は、球状の第１半導体１１およびその表面を被覆する第２半導体層１２を具備し、第２半導体層１２が第１半導体１１を露出させる窓部１４を有し、第１半導体１１が前記窓部に露出する部分に開口する穴１６を有する。 - 特許庁

In the absorptive article whose main body is formed of the liquid-permeable top sheet having a second sheet as a lower layer, a liquid-impermeable back sheet having a waterproof film as an upper layer and an absorber interposed between the top sheet and the back sheet, a spunbonded nonwoven fabric of long fibers is used as the second sheet.例文帳に追加

下層にセカンドシートを有する透液性のトップシートと、上層に防水フィルムを有する不透液性のバックシートと、前記トップシートと前記バックシート間に介在する吸収体とにより本体が形成された吸収性物品において、前記セカンドシートに長繊維のスパンボンド不織布を使用する。 - 特許庁

The drive circuit for driving the semiconductor light emitting element includes a substrate, a first pattern formed in a first layer of the substrate and electrically connected to the anode of the semiconductor light emitting element, and a second pattern formed in a second layer of the substrate and electrically connected to the cathode of the semiconductor light emitting element.例文帳に追加

半導体発光素子を駆動するための駆動回路は、基板と、基板の第１の層に形成され、半導体発光素子のアノードに電気的に接続される第１のパターンと、基板の第２の層に形成され、半導体発光素子のカソードに電気的に接続される第２のパターンと、を備える。 - 特許庁

A prepreg 1 comprises a planar fiber base 2, a first resin layer 3 located on one surface side of the fiber base 2 and consisting of a first resin composition, and a second resin layer 4 located on the other surface side of the fiber base 2 and consisting of a second resin composition different from the first resin composition.例文帳に追加

プリプレグ１は、平板状の繊維基材２と、繊維基材２の一方の面側に位置し、第１の樹脂組成物で構成された第１の樹脂層３と、繊維基材２の他方の面側に位置し、第１の樹脂組成物と異なる組成の第２の樹脂組成物で構成された第２の樹脂層４とを備えている。 - 特許庁

The substrate 74 comprises a photo detector 102 to be mounted on a surface of a first flat plate layer 75a, an amplifier 103 to be mounted on a surface of a second flat plate layer 75b, and wiring 128 that electrically connects the photo detector 102 and the amplifier 103 through first and second wiring holes 134, 136.例文帳に追加

基板７４は、第１の平板層７５ａの表面に実装される受光素子１０２と、第２の平板層７５ｂの表面に実装される増幅器１０３と、第１及び第２の配線孔１３４、１３６を介して受光素子１０２と増幅器１０３を電気的に接続する配線１２８と、を備える。 - 特許庁

A plurality of second housing parts 42 which house electric wires in a state connected to each first housing part 16 of a sheath tube and surrounded by a shield layer and third housing parts 44 which communicate with each second housing part 42 and house in a lot the electric wires surrounded by the shield layer are provided in a connection member 40.例文帳に追加

接続部材４０には、鞘管の各第１収容部１６に接続されてシールド層に包囲された状態の電線を個別に収容する複数の第２収容部４２と、各第２収容部４２と連通して前記シールド層に包囲された電線を一括して収容する第３収容部４４とが設けられている。 - 特許庁

In the solid oxide electrolyte 30, a first electrolyte layer 32 made of zirconia (ZrO_2) is formed on the side coming in contact with the second electrode 40, and a second electrolyte layer 34 made of zirconia (ZrO_2) and silica (SiO_2) having Young's modulus lower than that of zirconia is formed on the side coming in contact with the first electrode 20.例文帳に追加

固体酸化物電解質３０において、第２の電極４０に接する側には、ジルコニア（ＺｒＯ_2）からなる第１の電解質層３２が形成されており、第１の電極２０に接する側には、ジルコニア（ＺｒＯ_2）とジルコニアよりもヤング率が低いシリカ（ＳｉＯ_2）とからなる第２の電解質層３４が形成されている。 - 特許庁

The sensor for detecting chemical substances of this invention includes first and second electrode substrates arranged at a prescribed interval to each other, a carbon nanotube layer formed on the first electrode substrate, and a carbon nanopillar formed on the second electrode substrate and extended toward the first electrode substrate into electrical contact with the carbon nanotube layer.例文帳に追加

本発明の化学物質検出用センサは、所定間隔を開けて配置された第１及び第２電極基板と、第１電極基板上に形成されたカーボンナノチューブ層と、第２電極基板上に形成され、第１電極基板に向かって延び、かつカーボンナノチューブ層と電気的に接触するカーボンナノピラーとを備える。 - 特許庁

An upper electric insulation thin-film layer 4 consists of a first electric insulation thin film 4a positioned on an outer face side and a second electric insulation thin film 4b on an inner face side, with a signal conductor 1 and grounding conductors 2, 3 formed in lamination at a lower electric insulation thin-film layer 5 side of the second electric insulation thin film 4b.例文帳に追加

上部電気絶縁薄膜層４は、外面側に位置する第１電気絶縁薄膜４ａと内面側に位置する第２電気絶縁薄膜４ｂとからなり、第２電気絶縁薄膜４ｂの下部電気絶縁薄膜層５側に、信号導体１および前記接地導体２、３が積層形成されている。 - 特許庁

The photoelectric conversion device 1 has an indium zinc oxide layer 20 having a first face 200 on the outer light incident side, and a second face 202 opposite to the first face 200, and changes so as to reduce a refractive index of the indium zinc oxide layer 20 from the second face 202 to the first face 200.例文帳に追加

外光入射側の第１の面２００と、前記第１の面２００と対向する第２の面２０２を有するインジウム亜鉛酸化物層２０を有し、第２の面２０２から第１の面２００へ、インジウム亜鉛酸化物層２０の屈折率が小さくなるように変化している光電変換素子１。 - 特許庁

The semiconductor optical element 1 includes the semiconductor mesa part M including the light-emitting layer 23 and a p-type clad layer 25, and a p-type buried region 13, and the semiconductor mesa part M has a first mesa region Ma and second mesa regions Mb and Mc, the first mesa region Ma being positioned between the second mesa regions Mb and Mc.例文帳に追加

半導体光素子１は、発光層２３及びｐ型クラッド層２５とを含む半導体メサ部Ｍと、ｐ型埋め込み領域１３と、を備え、半導体メサ部Ｍは、第１メサ領域Ｍａ及び第２メサ領域Ｍｂ，Ｍｃを有し、第１メサ領域Ｍａは第２メサ領域Ｍｂ及びＭｃ間に位置する。 - 特許庁

First light 12A radiated from one light emitting diode 11 is reflected by blood inside a capillary blood vessel present in a papillary layer 120 and received by a first light receiving part 22A, and second light 12B is reflected by blood inside the capillary blood vessel present in a plexiform layer 140 and received by a second light receiving part 22B.例文帳に追加

一つの発光ダイオード１１から照射された第１光１２Ａは、乳頭層１２０にある毛細血管内の血液で反射して第１受光部２２Ａで受光され、第２光１２Ｂは、網状層１４０にある毛細血管内の血液で反射して第２受光部２２Ｂで受光される。 - 特許庁

The first fine particles 21 are located at positions where a first plasmon electric field is generated which reflects emitted light on the light emitting layer 14 side upon irradiation of emitted light, and the second fine particles 22 are located at positions where a second plasmon electric field is generated which does not reflect emitted light on the light emitting layer 14 side upon irradiation of emitted light.例文帳に追加

第１の微粒子21を、発光光の照射を受けて発光光を発光層14側に反射する第１のプラズモン電場を生じる位置に配置し、第２の微粒子22を、発光光の照射を受けて発光光を発光層14側に反射しない第２のプラズモン電場を生じる位置に配置する。 - 特許庁

In the electro-optic device, a stack structure including a first silicon semiconductor layer of a first conductivity type and a second silicon semiconductor layer of a second conductivity type has a rib waveguide shape to form an optical confinement area, and a slab portion of a rib waveguide includes an area to which a metal electrode is connected.例文帳に追加

電気光学装置において、第１の導電型の第１のシリコン半導体層と第２の導電型の第２のシリコン半導体層との積層構造がリブ導波路形状を有して光の閉じ込め領域を構成し、リブ導波路のスラブ部分に、金属電極が接続された領域を設ける。 - 特許庁

A plurality of rocking members 11 are rocked and expanded radially, one end of the formed first rubber layer 92A is expanded, the other end is made to approach the bead core 91 held on a second support 20, and the first rubber layer 92A is made to abut on the outer periphery of the bead core 91 and arranged on the second support 20.例文帳に追加

複数の揺動部材１１を揺動させて放射状に拡開させ、形成後の第１のゴム層９２Ａの一端を拡開させて、他端を第２の支持体２０に保持されたビードコア９１に接近させ、第１のゴム層９２Ａをビードコア９１の外周に当接させて第２の支持体２０に配置する。 - 特許庁

This surface emission semiconductor laser includes a first mirror 102, an activation layer 103 formed above the first mirror 102, and a second mirror 106 formed above the activation layer 103, wherein at least any one of the first mirror 102 and the second mirror 106 has a VBG (Volume Bragg Grating) 180.例文帳に追加

本発明に係る面発光型半導体レーザは，第１ミラー１０２と、第１ミラー１０２の上方に形成された活性層１０３と、活性層１０３の上方に形成された第２ミラー１０６と、を含み、第１ミラー１０２および第２ミラー１０６のうちの少なくとも一方は，ＶＢＧ（Volume Bragg Grating）１８０を有する。 - 特許庁

Then a second resin layer 106 is so formed on the top surface of the core substrate 100 as to cover the first semiconductor chip 102 and then the second resin layer 106 and first semiconductor chip 102 are ground from the opposite side of the first semiconductor chip 102 from the circuit formation surface to thin the first semiconductor chip 102.例文帳に追加

その後、コア基板１００の上面に第１の半導体チップ１０２を覆うように第２の樹脂層１０６を形成した後、第２の樹脂層１０６及び第１の半導体チップ１０２を該第１の半導体チップ１０２の回路形成面の反対側から研削して第１の半導体チップ１０２を薄くする。 - 特許庁

The liquid crystal display element includes a first liquid crystal dimming layer showing a cholesteric phase and a second liquid crystal dimming layer showing a cholesteric phase layered in this order from the observation side, wherein the average diameter of liquid drops of the first liquid crystal is smaller than the average diameter of liquid drops of the second liquid crystal.例文帳に追加

コレステリック相を示す第１の液晶調光層と、コレステリック相を示す第２の液晶調光層とを有し、観察側からこの順に積層された液晶表示素子であって、第１の液晶の液滴の直径の平均値が、第２の液晶の液滴の直径の平均値より小さい。 - 特許庁

The method for manufacturing a non-contact IC card 1 initially prepares a front side substrate 2 including a first substrate 3 and a first hot melt layer 4; a back side substrate 5 including a second substrate 6 and a second hot melt layer 7; and an inlet sheet 8 including a base material 9 for an inlet, an IC chip 11 and an antenna 10.例文帳に追加

本発明による非接触ＩＣカード１の製造方法において、まず、第１基材３と第１ホットメルト層４とを含む表面側基材２と、第２基材６と第２ホットメルト層７とを含む裏面側基材５と、インレット用基材９とＩＣチップ１１とアンテナ１０とを含むインレットシート８とが準備される。 - 特許庁

In manufacturing an organic LED element by forming a first electrode, an organic LED layer having at least one luminous layer, and a second electrode in turn on a substrate, the second electrode is intermittently formed by a sputtering method.例文帳に追加

基板上に、第１電極、少なくとも１層の発光層を有する有機ＬＥＤ層および第２電極を順次形成して有機ＬＥＤ素子を製造するにあたり、第２電極をスパッタ法により間欠的に形成することを特徴とする有機ＬＥＤ素子の製造方法により、上記の課題を解決する。 - 特許庁

The multi-layer printed wiring board, having built-in part includes an electronic component embedded in an insulating layer which is provided in between a first insulating substrate and a second insulating substrate, wherein the electronic component is mounted on a component-mounting pad which is formed on either one of the first insulating substrate or the second insulating substrate.例文帳に追加

第一及び第二の絶縁基板の間に設けられた絶縁層に電子部品が埋め込まれているプリント配線板であって、前記電子部品が前記第一及び第二の絶縁基板の何れか一方に形成された部品実装パッドに実装されていることを特徴とする部品内蔵型多層プリント配線板。 - 特許庁

The thin film transistor array substrate 30 comprises a glass substrate 1; a first back surface light shielding film 3, a second silicon oxide film 4, a second back surface light shielding film 5, and a third silicon oxide film 6 successively formed on the glass substrate 1; and the thin film transistor having a polycrystalline silicon layer 7 formed on the third silicon oxide layer 6.例文帳に追加

薄膜トランジスタアレイ基板３０は、ガラス基板１と、ガラス基板１上に順次に形成された第１裏面遮光膜３、第２酸化シリコン膜４、第２裏面遮光膜５および第３酸化シリコン膜６と、第３酸化シリコン膜６上に形成された多結晶シリコン層７を有する薄膜トランジスタとを備える。 - 特許庁

Preferably, the quarter wavelength plate (λ/4) has a first layer including a material whose specific double refraction value is positive and a second layer including a material whose specific double refraction value is negative, and an average orientational direction of a molecular chain is the same in the first and the second layers.例文帳に追加

好ましくは、前記１／４波長板が、前記固有複屈折値が正である材料を含有する第一の層と、前記固有複屈折値が負である材料を含有する第二の層とを有し、前記第一の層及び前記第二の層における分子鎖の平均配向方向が等しい前記エレクトロルミネッセンスディスプレイである。 - 特許庁

The plane light source as a field-emission display type light source irradiates a first light by exciting a first phosphor layer located inside a vacuum container with an electron beam, and irradiates a second light by exciting a second phosphor layer located outside the vacuum container with the first light, and emits the white light.例文帳に追加

平面光源は、フィールド・エミッション・ディスプレイ方式の光源であり、電子線により真空容器の内側の第１の蛍光体層が励起されて第１の光を出射し、第１の光により真空容器の外側の第２の蛍光体層が励起されて第２の光を出射し、白色系の光を発光する。 - 特許庁

The liquid crystal display element is provided with a first substrate having a first alignment layer rubbed in a prescribed direction, a second substrate opposed to the first substrate and a liquid crystal layer interposed between the first and the second substrates and has three pixel regions 201, 202 and 203 respectively corresponding to red, blue and green.例文帳に追加

液晶表示素子は、所定方向にラビングされた第１配向膜を有する第１基板と、前記第１基板に対向する第２基板と、前記第１基板および前記第２基板の間に介在する液晶層とを備え、赤、青、緑のそれぞれに対応する３つの画素領域２０１，２０２，２０３を有する。 - 特許庁

The first information layers 13 include the first recording layer 18 which reversibly gives rise to phase transition between a crystalline phase and an amorphous phase by a laser beam 35 and the second information layers 14 include the second recording layer 27 which reversibly gives rise to the phase transition between the crystalline phase and the amorphous phase by the laser beam 35.例文帳に追加

第１の情報層１３は、レーザビーム３５によって結晶相と非晶質相との間で可逆的に相変態を起こす第１の記録層１８を含み、第２の情報層１４は、レーザビーム３５によって結晶相と非晶質相との間で可逆的に相変態を起こす第２の記録層２７を含む。 - 特許庁

The organic EL element is arranged between an anode 2 on a substrate 1 and a cathode 8, and the first luminous layer 11 with at least two layers illuminating with different colors from each other and the second luminous layer 12 are formed by evaporating the first luminous material 1 and the second luminous material 2 respectively in laminated state.例文帳に追加

有機ＥＬ素子は、基板１上の陽極２と陰極８との間に配置され、異なった発光を行う少なくとも２層の第１の発光層１１及び第２の発光層１２がそれぞれ第１の発光材料及び第２の発光材料の蒸着によって積層状態で形成される。 - 特許庁

The conductor layer 13 is formed on a first substrate 15, the wireless tag chip section 14 is mounted on a second substrate 16, and the conductor layer 13 and wireless chip section 14 are electrically connected across a step between the first substrate 15 and second substrate 16 by an inter-substrate connection path 22 formed of a conductive paste material.例文帳に追加

導体層１３は第１基板１５に形成され、無線タグチップ部１４は第２基板１６に搭載され、導電性ペースト材によって形成される基板間接続路２２によって第１基板１５と第２基板１６と段差を乗り越えて、導体層１３と無線タグチップ部１４とが電気的に接続される。 - 特許庁