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second layerの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 21457件
The back electrode 10 of the solar cell includes a first metal layer 1 formed on a substrate 9, fine particles 3 such as nanoparticles, and a second metal layer 2 covering the fine particles 3.例文帳に追加
本発明のある態様においては、基板9に形成される第1金属層1と、ナノ粒子などの微粒子3と、その微粒子3を覆う第2金属層2とを備える太陽電池用裏面電極10が提供される。 - 特許庁
A second groove 111 so deep as to reach the auxiliary electrode 109 is formed on a surface opposite from the active layer 105 side of the n-type layer 106 in a region facing a part of the auxiliary electrode 109.例文帳に追加
また、n型層106の活性層105側とは反対側の表面であって、補助電極109の一部と対向する領域に、その補助電極109に達する深さの第2の溝111が形成されている。 - 特許庁
In a step for growing a drift layer 23 as an SiC crystal growth layer, a second period is provided which supplies only propane from among silane as silicon material gas and propane as carbon material gas to a crystal growth surface.例文帳に追加
SiC結晶成長層としてのドリフト層23を成長させる工程内に、シリコン原料ガスであるシランと炭素原料ガスであるプロパンのうちのプロパンのみを結晶成長表面に供給する第2の期間を設けている。 - 特許庁
In measurement of PGM2, only PGM2 can be specifically and immediately measured with high sensitivity by using a solid phase having a first layer having a phosphoglucomutase 1 (PGM1) antibody immobilized thereon, and a second layer having a PGM2 antibody immobilized thereon.例文帳に追加
PGM2の測定は、ホスホグルコムターゼ1型(PGM1)抗体を固定化した第1層およびPGM2抗体を固定化した第2層を設けた固相を用いて、PGM2のみを特異的、高感度でかつ迅速に測定することができる。 - 特許庁
To improve outer appearance in the case of allowing the design layer to be viewed from the front side of a joined product by allowing first and second laser members to be joined without melting or disintegrating the design layer.例文帳に追加
意匠層を接合品の表側から視認可能にする場合に、意匠層を溶融又は分解させることなく、第1及び第2部材をレーザー光を用いて接合できるようにすることで、外観見栄えを良好にする。 - 特許庁
The electronic circuit board 100 is constituted by laminating a metal base 101, a first resin layer 102 containing an inorganic filler, a second resin layer 103 containing no inorganic filler, and metal foil 104 for forming wiring patterns.例文帳に追加
金属ベース101、無機フィラーを含有する第2樹脂層102、無機フィラーを含有しない第2樹脂層103および配線パターン形成用の金属箔104を積層することにより、電子回路基板100を構成する。 - 特許庁
A semiconductor device comprises a semiconductor element formed on the main surface, and a semiconductor chip 1A having a first wiring layer 2A and a second wiring layer 2B, respectively, formed by laminating a plurality of pieces of wiring on the main surface.例文帳に追加
半導体装置は、主面に形成された半導体素子と、複数の配線が主面上にそれぞれ積層されて形成された第1の配線層2A及び第2の配線層2Bとを有する半導体チップ1Aからなる。 - 特許庁
The patterned anode layer (169) is made of a second material, and the patterned anode layer (169) is configured to protect the shell (156) from corrosion by condensing hot gas in the gasification region.例文帳に追加
パターン形成されたアノード層(169)は、第2の材料から作られ、該パターン形成されたアノード層(169)が、ガス化領域において高温ガスを凝縮することによってシェル(156)を腐食から保護するよう構成されている。 - 特許庁
This acoustic sensor has a beam part 36a of a diaphragm 33 made from polysilicon formed on an extended part 48a of a first sacrifice layer 48 made from polysilicon through a second sacrifice layer 47 made from a silicon oxide film on an upper face of a silicon substrate 32.例文帳に追加
シリコン基板32の上面において、ポリシリコンからなる第1犠牲層48の延出部48aの上に、シリコン酸化膜からなる第2犠牲層47を介してポリシリコンからなるダイアフラム33の梁部36aを形成する。 - 特許庁
The light-emitting layer 31 and the second electrode layer 41 are formed in the shape of thin films by screen printing method.例文帳に追加
また、第1の電極層21を、スクリーン印刷法で基板11上に薄膜を形成した後エッチング処理して所定の発光パターン形状とし、発光層31および第2の電極層41をスクリーン印刷法で薄膜形状に形成した。 - 特許庁
A sealing plate 30, in which a metal layer M and a resin layer R are laminated to each other, provided between the first body 26 and the second body 33 and having a communication hole 32 making the reservoir 28 and the pressure generation chamber 34 communicate with each other is provided.例文帳に追加
また、金属層Mと樹脂層Rが積層され、第1の本体26と第2の本体33との間に設けられ、リザーバ28と圧力発生室34とを連通する連通孔32を有する封止板30を備える。 - 特許庁
The composite sheet 1 includes a base sheet part 15 having a pressure-sensitive adhesive layer 13 formed on one surface of a first sheet-shaped support 11, and a release sheet part 21 having a release layer 19 formed on one surface of a second sheet-shaped support 17.例文帳に追加
複合シート1は、第1のシート状支持体11の片面に粘着剤層13を形成した基材シート部15と、第2のシート状支持体17の片面に剥離層19を形成した剥離シート部21とを備える。 - 特許庁
Moreover, a polycrystalline silicon film (first layer) is formed, an amorphous silicon film (second layer) is formed thereon at a low temperature, and then a dielectric (e.g. silicon oxide film) is formed thereon and heat-treated, to crystallize the amorphous silicon film.例文帳に追加
また、多結晶シリコン膜(1層目)を形成し、その上に低温で非晶質シリコン膜(2層目)を形成し、その上に絶縁膜(例えば酸化シリコン膜)を形成してから、熱処理して非晶質シリコン膜を結晶化させる。 - 特許庁
The second liquid crystal cell 130 has a pair of transparent substrates 131 and 137, a liquid crystal layer 134 sandwiched between the transparent substrates 131 and 137, and an electrode 132 arranged between the transparent substrate 131 and the liquid crystal layer 134.例文帳に追加
第2の液晶セル130は、一対の透明基板131,137と、透明基板131,137に挟まれた液晶層134と、透明基板131と液晶層134との間に配置された電極132とを有する。 - 特許庁
When the lattice mismatching coefficient is lower than -0.20%, the n-type Al_xIn_zP current block layer 50 alleviates the lattice for the n-type GaAs substrate 41 and the p-type Al_xGa_yIn_zP second clad layer 45 in order to eliminate the effect of distortion.例文帳に追加
尚、上記格子不整合率が−0.20%よりも下の場合には、n型Al_xIn_zP電流ブロック層50がn型GaAs基板41およびp型Al_xGa_yIn_zP第2クラッド層45に対して格子緩和して歪みの効果が無くなる。 - 特許庁
A transfer-time difference generating region is composed of second-layer vertical-gate electrodes 27c and 27e and first-layer vertical-gate electrodes 27d and 27f, and channel barriers 29a and 29b are formed just under the vertical-gate electrodes 27c and 27f in a row A.例文帳に追加
転送時間差発生領域は、2層目の垂直ゲート電極27c,27eと1層目の垂直ゲート電極27d,27fとで構成し、A列の垂直ゲート電極27c,27fの直下にチャネルバリア29a,29bを形成している。 - 特許庁
A plasma damage detecting device PD1 provided with a MOS transistor M1, first-layer wiring IL1, a contact hole group H10, and second-layer wiring IL2 is simultaneously formed in part of a product wafer at the time of manufacturing the wafer.例文帳に追加
MOSトランジスタM1及び第1層配線IL1及びコンタクトホール群H10及び第2層配線IL2とを備えたプラズマダメージ検出装置PD1を、製品ウェハの一部に製品ウェハの製造と同時に作り込む。 - 特許庁
To protect a pn junction formed at an interface between the adjacent first conductor layer 101 and the second conductor layer 102, an insulating film 103 is so formed on a side wall 104 as to coat an end 31.例文帳に追加
隣接した第1導電体層101および第2導電体層102の界面に形成されたPN接合を保護するため、端部31を被覆するように絶縁膜103が側壁104上に形成されている。 - 特許庁
This PTC thermistor includes a resistance change layer 11 which contains carbon particles and a resin and of which the electrical resistance changes depending on temperature, and first and second electrodes 12, 13 which are made of metal and disposed so as to sandwich the resistance change layer 11.例文帳に追加
カーボン粒子と樹脂とを含み温度によって電気抵抗が変化する抵抗変化層11と、金属からなり抵抗変化層11を挟むように配置された第1および第2の電極12および13とを含む。 - 特許庁
A wafer 10 for temperature measurement before film formation is composed of a first semiconductor layer 11a consisting of a mono-crystal silicon, a second semiconductor layer 11b made amorphous thereon, and a protection film 12 consisting of silicon oxide thereon.例文帳に追加
成膜前の温度測定用ウェハ10は、単結晶シリコンからなる第1の半導体層11aと、その上のアモルファス化された第2の半導体層11bと、その上の酸化シリコンからなる保護膜12とにより構成されている。 - 特許庁
The circuit substrate has an insulating layer constituted of resin containing inorganic fillers, a first circuit arranged on its front surface, and a second circuit arranged on its rear surface, and the first circuit has a convex portion embedded in the insulating layer.例文帳に追加
無機フィラーを含有する樹脂からなる絶縁層と、その表面に配置された第1の回路と、その裏面に配置された第2の回路とを有し、前記第1の回路が、前記絶縁層の内部に陥入する凸部を有する。 - 特許庁
The solar cell is provided with a first electrode (positive electrode 12) and a second electrode (negative electrode 16), and an electron donor (electron donor layer 14) and an electron acceptor (electron acceptor layer 15) which are arranged between the positive electrode 12 and the negative electrode 16.例文帳に追加
第1の電極(正極12)および第2の電極(負極16)と、正極12と負極16との間に配置された電子供与体(電子供与体層14)および電子受容体(電子受容体層15)とを備える。 - 特許庁
A first part 14a of the ferroelectric layer 14 which contacts the crystallization inhibition layer 11 is formed in amorphous or pyrochlore type, and a second part 14b covering the lower electrode 12 is crystallized into a perovskite type.例文帳に追加
強誘電体層14の、結晶化抑制層11に接している第1の部位14aが、非晶質あるいはパイロクロア型になっており、下部電極12上を覆う第2の部位14bが、ペロブスカイト型に結晶化されている。 - 特許庁
In the sensor element 10, the peripheral edge surface 32 of the first electrode layer 20 is exposed to the gas to be measured so as to expose a part of the second electrode layer 22 to the reference gas.例文帳に追加
そして、ガスセンサ素子10において、前記第1電極層20における周縁面32を被測定ガスに曝すことができるように露出させ、かつ、前記第2電極層22の一部を基準ガスに曝すことができるように露出させる。 - 特許庁
The sense region 9 has a rectangular plane and the Y direction intersecting the X-direction for arranging the first semiconductor layer 15 and the second semiconductor layer 17 alternately in the single crystal semiconductor portion 19 becomes the longitudinal direction.例文帳に追加
センス領域9の平面は長方形であり、第1半導体層15と第2半導体層17が交互に配置されるX方向に対して単結晶半導体部19上で交差するY方向が長手方向となる。 - 特許庁
Driving electrodes 5A and 5B are provided on the surface 3a of the first vibration layer 3 and the surface 2a of the second vibration layer 2 for impressing a drive voltage in the direction perpendicular to these surfaces and exciting the vibrator 1.例文帳に追加
駆動電極5A、5Bは、これらの表面と垂直な方向へと駆動電圧を印加して振動子1を励振するために、第一の振動層3の表面3aと第二の振動層2の表面2aとに設けられる。 - 特許庁
The dielectric capacitor 10B is composed of a laminate, consisting of a first electrode layer 18 and a dielectric film 19 which are buried in the grooves 17a and 17b in the interlayer insulating film 17, and a second electrode layer 20.例文帳に追加
誘電体キャパシタ10Bは、層間絶縁膜17の溝17a,17bの中に埋設された第1の電極層18、誘電体膜19および第2の電極層20からなる積層体により構成されている。 - 特許庁
As a method for forming an impurity region in a semiconductor layer 303, the semiconductor layer 303 is doped in self-alignment manner with a second conductive film 306 out of a gate electrode formed in two layers as a mask.例文帳に追加
半導体層303に不純物領域を形成する方法として、2層に形成されたゲート電極のうち第2の導電膜306をマスクとして自己整合的に半導体層303に不純物元素をドーピングする。 - 特許庁
The first layer 52A coming into contact with the electrifying roll is made of chloroprene as a foamed elastic body comprising independent foams and the second layer 52B joined to a holder 54 is made of urethane as the foamed elastic body comprising continuous foams and having a lower hardness than that of the chloroprene.例文帳に追加
帯電ロールに接触する第1層52Aを、独立泡の発泡弾性体であるクロロプレン、ホルダ54に接合される第2層52Bを、連続泡の発泡弾性体でクロロプレンよりも低硬度であるウレタンとする。 - 特許庁
An N-type impurity is applied through ion implantation by using the gate electrode 602 as a mask, and the entire substrate is heated so as to form an N-type second impurity diffusion layer 608 in a shallower area than the first impurity diffusion layer 605.例文帳に追加
ゲート電極602をマスクとしてN型の不純物をイオン注入した後、熱処理を行なうことにより第1の不純物拡散層605よりも浅い領域にN型の第2の不純物拡散層608を形成する。 - 特許庁
The interlayer insulation film is then removed and the first magnetic layer, the tunnel insulation film and the second magnetic layer are machined integrally using the mask material as an etching mask to form a lower electrode, a tunnel barrier and an upper electrode on the lower interconnections.例文帳に追加
層間絶縁膜を除去し、マスク材をエッチングマスクとして、第1磁性層、トンネル絶縁膜、および第2磁性層を一体的に加工して、下部配線上に、下部電極、トンネルバリア、および上部電極を形成する。 - 特許庁
The track (101) is formed between the first and second electrode units (201, 202) through the electrolyte layer (203) by a conductive element (102) spreading inside the electrolyte layer (203) from the first electrode unit (201).例文帳に追加
導電路(101)は、第1の電極ユニット(201)から電解質層(203)内に拡散している導電素子(102)により、電解質層(203)を介して、第1の電極ユニット(201)と第2の電極ユニット(202)との間に形成される。 - 特許庁
An exemplary optical back plane has a first cladding layer disposed over the top surface of a substrate and at least a first core part disposed over the first cladding layer, with the first core part having a first end and a second end.例文帳に追加
一例の光バックプレーンは基板の上面上に設けられた第1のクラッディング層と、第1のクラッディング層上に設けられた少なくとも第1のコア部とを有し、第1のコア部は第1端部及び第2端部を有する。 - 特許庁
The first layer H and the second layer L are each formed by coating, on the transparent substrate sheet 1, a composition containing a foaming agent and a spherical material having a mean particle size of ≤500 nm in a binder resin.例文帳に追加
第一層Hおよび第二層Lは、それぞれ、バインダー樹脂中に発泡剤と平均粒径が500nm以下の球状材料とを含有する組成物を透明基材シート1上に塗布することにより形成される。 - 特許庁
A light-receiving surface side electrode 9 and an antireflection film 15 touching the second semiconductor layer 3 are provided on the light-receiving surface side of an element, and an insular backside electrode 13 connected electrically with the first semiconductor layer 1 is provided on the backside.例文帳に追加
さらに素子の受光面側には第2半導体層3に接する受光面電極9と反射防止膜15を設け、裏面には第1半導体層1に電気的に接続した島状の裏面電極13を設ける。 - 特許庁
The second organic layer having a function for increasing the luminescence efficiency is formed on the transparent conductive anode electrode 8 before laminating on the organic electroluminescent layer 4a, 4b, 4c, enabling a tight connection between the organic materials.例文帳に追加
さらに、透明導電性のアノード電極8上に発光効率を向上する機能を有する第2の有機層を形成してから有機発光層4a,4b,4cと重ね合わせることで、有機物同士の接続が緻密となる。 - 特許庁
The upper region of the second compound semiconductor layer 32 epitaxially grown in horizontal directions can be a region where propagation of the through dislocations possessed by the first compound semiconductor layer 31 is suppressed.例文帳に追加
このとき第2のIII族窒化物系化合物半導体32が横方向エピタキシャル成長した部分の上部は、第1のIII族窒化物系化合物半導体層31が有する貫通転位の伝搬が抑制された領域とすることができる。 - 特許庁
When the data received by the first communication part is the layer-3 or higher monitor packet, the first transmission processing part transmits the layer-2 frame in which the information of the monitor packet is buried via the second communication part in place of the monitor packet.例文帳に追加
第1送信処理部は、第1通信部により受信したデータがレイヤ3以上の監視パケットであるとき、当該監視パケットに代えて、監視パケットの情報を埋め込んだレイヤ2フレームを、第2通信部から送信させる。 - 特許庁
This adhesive tape for the flexible display comprises a substrate, the first adhesive layer coated on one side of the substrate to form an uneven surface, and the second adhesive layer coated on the other side of the substrate.例文帳に追加
本発明の可撓性表示装置用接着テープは、基材、前記基材の一面に塗布されており、その一面には凹凸が形成されている第1接着層、そして前記基材の他の一面に塗布されている第2接着層を含む。 - 特許庁
The vias include a pull-out via P11 which passes through the insulating layer and is connected to the main line or the sub line, and the first line L1 and the second line L2 are pulled out to the same surface side of the insulating layer through the pull-out via P11.例文帳に追加
ビアは、絶縁層を貫通して主線路又は副線路に接続された引き出しビアP11を含み、引き出しビアP11を介して絶縁層の同一面側に第1線路L1及び第2線路L2が引き出されている。 - 特許庁
Subsequently, the metal remaining on an upper surface of the interlayer insulating film 3 except the contact hole 3a, and the second seed layer 6 and first seed layer 5 are removed by a CMP (Chemical Mechanical Polishing) method to form the plug 7A at the contact hole 3a.例文帳に追加
続いて、CMP法により、層間絶縁膜3のコンタクトホール3aを除く上面に残存する金属、第2のシード層6及び第1のシード層5を除去することにより、コンタクトホール3aにプラグ7Aを形成する。 - 特許庁
By employing the configuration in which the insulator layer 10 extends linearly in an oblique direction, the conductor end portion 21b of the first connecting conductor 21 and the conductor end portion 23b of the second connecting conductor 23 can sink in an inner layer side by a large amount.例文帳に追加
絶縁体層10を斜め方向に直線状に延びる構成とすることで、第一接続導体21の導体端部21b及び第二接続導体23の導体端部23bが、内層側に大きく沈むことができる。 - 特許庁
Then, the first laminate 1 and the second laminate 2 are superimposed so that the negative electrode active material layer 22 and the adhesive layer 40 are mutually opposed, and both laminates 1, 2 are mutually crimped by applying a pressure of ≥0.1 MPa.例文帳に追加
そして、負極活物質層22と接着層40とが互いに対向するように、第一積層体1と第二積層体2とを重ね合わせて、0.1MPa以上の圧力をかけて両積層体1,2同士を圧接する。 - 特許庁
For example, if the touch panel 500 has a resistance film type construction, the light transmitting layer 210 with the hydrophilized surface is disposed on the plane of the substrate 140 on the opposite side to the plane wherein a second conducting layer 160 is formed.例文帳に追加
例えばタッチパネル500が抵抗膜方式の構造を有するならば、表面が親水性化された光透過層210は、第2導電層160が形成された面と反対側の基板140の面に設けられている。 - 特許庁
The probe for an ultrasonic diagnostic apparatus includes a sound matching layer having a mounting groove, a piezoelectric member mounted on the mounting groove, a first connector interconnected to the sound matching layer, and a second connector interconnected to the piezoelectric member.例文帳に追加
開示された発明は、装着溝部を備える音響整合層と、装着溝部に装着される圧電体と、音響整合層と相互連結される第1の連結部と、圧電体と相互連結される第2の連結部とを備える。 - 特許庁
Here, provided, A represents a silicon content in the anode active material in the first layer 1, and B represents a silicon content in the anode active material in the second layer 2, a relation expressed in a formula (1):1.02≤A/B≤50 is satisfied.例文帳に追加
ここで、第1の層1における負極活物質中の珪素含有率をAとし、第2の層2における負極活物質中の珪素含有率をBとすると、それらは下記の条件式(1)を満足する関係にある。 - 特許庁
An inside belt end part 102b of the first belt layer 102 and an inside belt end part 104b of the second belt layer 104 are positioned on the vehicle-installed outside more than an end part 110b on the vehicle-installed inside of the tread part 3a.例文帳に追加
第1ベルト層102の内側ベルト端部102b、及び、第2ベルト層104の内側ベルト端部104bは、トレッド踏面部3aの車両装着内側の端部110bよりも車両装着外側に位置する。 - 特許庁
The filtering medium based on a photocatalytic agent and activated carbon comprises a permeable support covered with a first layer based on activated carbon, then a separate second layer based on a photocatalytic agent, or vice versa.例文帳に追加
本発明は光触媒剤及び活性炭をベースにした濾材に関し、活性炭をベースにした第1の層、次いで光触媒剤をベースにした別個の第2の層、又はその反対の順で覆われた透過性の支持体を備える。 - 特許庁
Defects in the first high-resistance layer 22A are complemented by the second high-resistance layer 22B, to improve constitutional uniformity, and to reduce the irregularities in the resistance value in the initial state and the erased state of a plurality of storage elements 1.例文帳に追加
第1高抵抗層22Aに存在する欠陥を第2高抵抗層22Bにより補完し、構造の均一性を向上させ、複数の記憶素子1の初期状態または消去状態の抵抗値のバラツキを低減する。 - 特許庁
Furthermore, the average linear expansion coefficient (B) of a second insulator layer 23 in the substrate in-plane direction between 25°C and glass transition point is equal to the average linear expansion coefficient (C) of a third insulator layer 25 in the substrate in-plane direction between 25°C and glass transition point.例文帳に追加
また、第二絶縁層23の25℃〜ガラス転移点における基板面内方向の平均線膨張係数(B)と、第三絶縁層25の25℃〜ガラス転移点における基板面内方向の平均線膨張係数(C)とが等しい。 - 特許庁
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