| 意味 | 例文 |
second layerの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 21457件
The periphery part of the cover member 2a is sandwiched by the periphery part of the through hole 1a at the topmost part 1 and the second layer 3 while being fastened at least on the periphery part of the through hole 1a at the topmost layer 1 out of all of the layers.例文帳に追加
被覆部材2aの周縁部を1番上の層1の貫通孔1a周縁部と2番目の層3とにより挟みかつ全層のうち少なくとも1番上の層1の貫通孔1a周縁部に固着する。 - 特許庁
The fluorescent film 4 has a first phosphor layer arranged on the inner wall face 2a side of the glass bulb 2 containing the regenerated phosphor, and a second phosphor layer arranged on a discharge space 3 side containing new phosphor.例文帳に追加
蛍光体膜4は、ガラスバルブ2の内壁面2a側に配置され、再生蛍光体を含有する第1の蛍光体層と、放電空間3側に配置され、新品蛍光体を含有する第2の蛍光体層とを有する。 - 特許庁
In the functional particle group 130, one or two components of the curing resin (A), the curing agent (B) and the curing accelerator (C) are contained in a first layer 113, and the other component(s) is contained in a second layer 123.例文帳に追加
機能性粒子群130において、硬化性樹脂(A)、硬化剤(B)および硬化促進剤(C)のうち、いずれか一または二つの成分が第一の層113に含まれるとともに、他の成分が第二の層123に含まれる。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing a device, having a ferromagnetic tunnel junction element with improved characteristics by properly patterning constituent layers of a multilayered film having a first and a second ferromagnetic layer and a tunnel insulation layer interposed between these ferromagnetic layers.例文帳に追加
第1および第2の強磁性体層ならびにこれらに挟まれたトンネル絶縁層を有する多層膜の構成層を良好にパターニングして、特性の改善された強磁性トンネル接合素子を有する装置を製造する。 - 特許庁
The structured surface is bonded to an opposite surface (228) of a second film (220) by using an adhesive layer (226), by penetrating the structured surface into the adhesive layer to a depth less than a shape height of the structured surface.例文帳に追加
構造化表面を構造化表面の形状高さ未満の深さまで接着剤層内に貫入させることにより、構造化表面を接着剤層(226)を用いて第2のフィルム(220)の対向表面(228)に接着させる。 - 特許庁
A region on the substrate 10 superposed on the first gas barrier layer 20 formed of an inorganic compound, and a region on the substrate 10 superposed on the second gas barrier layer 21 formed of an inorganic compound are superposed on each other without perfectly corresponding with each other.例文帳に追加
無機化合物から形成された第1のガスバリア層20に重なる基板10上の領域と無機化合物から形成された第2のガスバリア層21に重なる基板10上の領域は、完全には一致せずに重なる。 - 特許庁
A surface layer of the whole surface of a first end surface 21 on the tapered roller 3 side in the axial direction of the washer 4 and a surface layer of the whole surface of a second end surface 22 on the projection 14 side in the axial direction of the washer 4 are formed of an Si-DLC film.例文帳に追加
ワッシャ4の軸方向の円錐ころ3側の第1端面21の全面の表層部およびワッシャ4の軸方向の突出部14側の第2端面22の全面の表層部を、Si−DLC膜で構成する。 - 特許庁
The modulation member modulates at least either the intensity or the color of a light beam along an optical path being a part of a plurality of optical paths passing the plurality of dots of the first layer and the plurality of dots of the second layer.例文帳に追加
変調部材は、第1層が有する複数の点と第2層が有する複数の点とを通る複数の光路のうちの一部の光路に沿った光線の強度及び色のうちの少なくとも一方を変調する。 - 特許庁
A low resistance fuse 10 includes a polymer membrane, a fuse element layer 20 formed on the polymer membrane, and first and second intermediate insulation layers 22, 24 extending on opposite sides of the fuse element layer 20 and coupled thereto.例文帳に追加
低抵抗ヒューズ10は、ポリマーメンブレン、そのポリマーメンブレン上に形成されたヒューズ要素層20、ならびにそのヒューズ要素層に対向する面に伸びて、且つそれに結合された第1および第2の中間絶縁層22,24を含む。 - 特許庁
The surface-emitting lasers 10A to 10D include mesas 100A to 100D which respectively have first multilayer film Bragg reflectors 102A to 102D, an active layer 103, a semiconductor layer 104, and a second multilayer film Bragg reflector 105.例文帳に追加
面発光レーザ10A〜10Dは、それぞれ、第一多層膜ブラッグ反射鏡102A〜102D、活性層103、半導体層104,第二多層膜ブラッグ反射鏡105を有するメサ100A〜100Dを備える。 - 特許庁
The spherical aberration changing due to a difference in the thicknesses between the first protective layer for the BD and the second protective layer for the DVD by the action as a refractive lens can be offset and corrected by utilizing the dependency of the diffraction structure on wavelengths.例文帳に追加
屈折レンズとしての作用によりBD用の第1保護層とDVD用の第2保護層の厚さの違いに起因して変化する球面収差を、回折構造の波長依存性を利用して相殺補正することができる。 - 特許庁
A second III-V compound semiconductor layer 21 containing gallium as a group III constitutive element and arsenic as group V constitutive element is formed on the first III-V compound semiconductor layer 19 using the organometallic vapor growth furnace 25.例文帳に追加
次いで、第1のIII−V化合物半導体層19上に有機金属気相成長炉25を用いて、III族構成元素としてガリウムおよびV族構成元素としてヒ素を含む第2のIII−V化合物半導体層21を形成する。 - 特許庁
In this absorptive composite sheet 1, a first layer 11 is a formed of nonwoven fabric of thermally fusing synthetic resin fibers 15, and a second layer 12 is formed of nonwoven fabric of entangling cellulose fibers 17 and synthetic resin fibers 18.例文帳に追加
吸収性複合シート1は、第1層11が、合成樹脂繊維15が熱融着された不織布で形成され、第2層12が、セルロース系繊維17と合成樹脂繊維18とが交絡された不織布で形成されている。 - 特許庁
Recesses 20 for defining the parts of the second contact layer 14 and the active layer 13, which are opposed to the cathode electrode 16, in order to specify the areas for functioning as the Gunn diode are cut in from the periphery of the cathode electrode.例文帳に追加
カソード電極16に対応する第2のコンタクト層14及び活性層13の部分をガンダイオードとして機能させる領域として区画するための凹部20をカソード電極16の周囲から切り込んで形成する。 - 特許庁
A first P+ diffused layer 10 constituting an emitter region of a horizontal PNP transistor and a second P+ diffused layer 10 constituting a collector region are formed on an embedded silicon oxide film 2 on the SOUI substrate, respectively.例文帳に追加
横型PNPトランジスタのエミッタ領域を構成する第1のP^+ 拡散層10及びコレクタ領域を構成する第2のP^+ 拡散層10は、それぞれ、SOI基板上の埋込シリコン酸化膜2上に形成されている。 - 特許庁
Light incident to each pixel is condensed by a microlens 7, bent toward the center of the photodiode 1 by the first-layer microlens 8, and further bent toward the center of the photodiode 1 by the second-layer microlens 9.例文帳に追加
各画素部への入射光は、マイクロレンズ7により集光された後、第1層内マイクロレンズ8によりフォトダイオード1の中心方向へ曲げられ、第2層内マイクロレンズ9によりフォトダイオード1の中心方向へさらに曲げられる。 - 特許庁
The local wiring layer 14 and the global wiring layer 18 are formed with local wiring 24 (first wiring) and global wiring 28 (second wiring), respectively, and the global wiring 28 is thicker than the local wiring 24.例文帳に追加
ローカル配線層14およびグローバル配線層18には、それぞれローカル配線24(第1の配線)およびグローバル配線28(第2の配線)が形成されており、グローバル配線28の厚みはローカル配線24の厚みよりも大きい。 - 特許庁
The printing member 300 is selectively exposed to the laser radiation in a pattern conforming to an image, and the laser energy passes, substantially unabsorbed, through the first layer 306 and is absorbed by the second layer 304.例文帳に追加
印刷部材300はイメージに従うパターンに於てレーザ放射線に対し選択的に露光され、そしてレーザエネルギーは第1層306を通して実質上吸収されずに通過し、そして第2層304により吸収される。 - 特許庁
The inner liner 14 has a first inner liner layer 16 comprising a non-foaming rubber adjacent to the carcass 12; and a second inner liner layer 18 comprising a foaming porous rubber forming an innermost surface 19 of the tire 10.例文帳に追加
インナーライナー14は、カーカス12に隣接している、非発泡ゴムからなる第1のインナーライナー層16と、タイヤ10の最も内側の表面19を形成する、発泡多孔ゴムからなる第2のインナーライナー層18とを有する。 - 特許庁
To obtain a high stratifying rate when performing an outside EGR stratification in which a first layer containing an EGR gas is formed in a cylinder while sandwiching a second layer not containing the EGR gas, and improve combustion and emission.例文帳に追加
EGRガスを含まない第2の層を間に挟むようにしてEGRガスを含む第1の層を筒内に形成する外側EGR成層を行う場合に、高い成層度を得るとともに、燃焼やエミッションの改善を図ること。 - 特許庁
The gallium nitride-based compound semiconductor is obtained by growing at least a first gallium nitride-based compound semiconductor layer and a second gallium nitride-based compound semiconductor layer in this order on a substrate by using a hydride vapor phase growth method.例文帳に追加
ハイドライド気相成長法を用いて、基板上に少なくとも、第1の窒化ガリウム系化合物半導体層と、第2の窒化ガリウム系化合物半導体層とをこの順で成長させて窒化ガリウム系化合物半導体基板を得る。 - 特許庁
The composition of the first layer mixes the acrylic rubber and polyolefin within the range of 99:1 to 61:39 (in a weight ratio), containing silica, and the fluorine resin of the second layer is an ethylene-tetrafluoroethylene copolymer.例文帳に追加
上記第一層の組成物は、アクリルゴムとポリオレフィンを99:1〜61:39(重量比)の範囲で混和し、シリカを含有し、上記第二層のフッ素樹脂が、エチレン−テトラフルオロエチレン共重合体である耐熱耐油絶縁電線。 - 特許庁
Hydrogen concentration (1.5e18 cm^-3) of the fourth cladding layer 110 of the infrared semiconductor laser is higher than hydrogen concentration (1e18 cm^-3) of the second cladding layer 105 in the first semiconductor laser red semiconductor laser.例文帳に追加
赤外半導体レーザの第4クラッド層110の水素濃度(1.5e18cm^−3)が、第1半導体レーザ赤色半導体レーザの第2クラッド層105の水素濃度(1e18cm^−3)よりも高いことを特徴とする。 - 特許庁
On the first epitaxial crystal layer 12, an embedded oxide film 13 is selectively formed, and a second epitaxial crystal layer 16 is so formed as to cover the buried oxide film 13.例文帳に追加
この第1のエピタキシャル結晶層12上には埋め込み酸化膜13が選択的に形成され、この埋め込み酸化膜13を覆うように第1のエピタキシャル結晶層12上に第2のエピタキシャル結晶層16が形成されている。 - 特許庁
The photocatalyst body 11 to be formed on the surface of a glass substrate 12 contains two photocatalyst layers; a first photocatalyst layer 11a in the glass substrate 12 side and a second photocatalyst layer 11b in the opposed side to glass substrate 12.例文帳に追加
ガラス基板12の表面に形成する光触媒体11は、ガラス基板12側の第1の光触媒層11aと、ガラス基板12と反対側の第2の光触媒層11bとからなる2層の光触媒層を含む。 - 特許庁
The semiconductor device 1A includes a substrate 2, a first nickel layer 6a having compressive stress and a second nickel layer 6b having tensile stress which are laminated alternately, and a nickel electrode 6A formed on the substrate 2.例文帳に追加
半導体装置1Aにおいて、基体2と、圧縮応力を有する第1ニッケル層6aと引張応力を有する第2ニッケル層6bとが交互に積層され、基体2上に形成されたニッケル電極6Aとを備える。 - 特許庁
The optical disk 1 has a structure arranged with profile films 19 on profiles (an external side 15 and internal surface 17) of a laminate laminated with a first substrate 5, a reflection layer 7, a recording layer 9 for hologram recording and a second substrate 11.例文帳に追加
光ディスク1は、第1基板5、反射層7、ホログラム記録用の記録層9、第2基板11が積層された積層体13の側面(外側面15、内側面17)に側面膜19を配置した構造をしている。 - 特許庁
In case the temperature is higher than that of the fuel cell at a steady operation, phase transformation of the shape-memory alloy takes place to make the second layer 12 contract, whereby a void ratio of the first layer 11 is to be larger.例文帳に追加
そして、燃料電池の定常運転時の温度よりも高い場合に、形状記憶合金の相変態が起きることで第2の層12が縮むようにし、これにより、第1の層11の空隙率が大きくなるようにする。 - 特許庁
An SiNx film 12a is formed on an electrode forming surface 11 except a part side surface of a first contact layer 4 and an n-side electrode 132, side surfaces of layers 5-8, an upper surface of a second clad layer 8 and the side surface of a ridge part 10.例文帳に追加
第1コンタクト層4の一部側面およびn側電極132を除く電極形成面11、各層5〜8の側面、第2クラッド層8の上面ならびにリッジ部10の側面にSiN_x 膜12aが形成される。 - 特許庁
The sticky layer 16 in the state is stuck to the adhesive layer 17 through the first adhesive 19, and the sticky body 13 in the state is used by being stuck to the upper surface of the tool body through the second adhesive 20.例文帳に追加
粘着層16は接着層17に対して第1の接着剤19を介して接着されており、この状態の粘着体13を治具本体の上面に第2の接着剤20を介して接着して使用する。 - 特許庁
A first coil conductor layer 30 and a second coil conductor layer 40 are arranged not at a position corresponding to a center part on a surface of a first magnetic substance substrate 10, but in a spiral form enclosing the position corresponding to the center part.例文帳に追加
第1コイル導体層30、第2コイル導体層40は、第1の磁性体基板10表面の中央部相当位置には配置されずに、当該中央部相当位置を取囲むように渦巻き状に配置されている。 - 特許庁
The optical modulation layer 30 is effective in two states, and in a first state, the optical modulation layer 30 prevents viewing the visualizable conductive image 16, and in a second state, it makes possible viewing the visualizable conductive image 16.例文帳に追加
光変調層30は2つの状態において有効であり、第1状態において、可視化可能導電画像16を見ることを阻止し、第2状態において、可視化可能導電画像16を見ることを可能とする。 - 特許庁
In addition, because the boundary layer made unstable by the first swelling part on the front surface can be stabilized again by the second swelling part on the front surface, an increase in frictional resistance due to the separation of the boundary layer on the front surface can be minimized.例文帳に追加
また腹面の第1膨出部により不安定になった境界層を、腹面の第2膨出部により再度安定化することができるので、腹面の境界層の剥離による摩擦抵抗の増加を最小限に抑えることができる。 - 特許庁
The first reaction layer 11 is constituted, for example, by mixing an iron powder having a large particle size as the metal reducing agent with a sand-like water permeable material so that a pore having a large diameter is formed to the second reaction layer 12.例文帳に追加
第1反応層11は、第2反応層12に対して径が大きな空隙が形成されているよう、例えば金属還元剤として粒径が大きな鉄粉を砂のような透水性材料とを混合をして構成される。 - 特許庁
This waveguide/high frequency line converter is provided with: a coplanar line 2 on a dielectric substrate 1 having first and second ground layers 11 and 12; a patch 3 arranged in a notch 13 of the ground layer 11; and a waveguide 4 attached to the ground layer 11.例文帳に追加
第1及び第2のグランド層11,12を有した誘電体基板1上のコプレーナ線路2と、グランド層11の切り欠き部13内に配されたパッチ3と、グランド層11に取り付けた導波管4とを備える。 - 特許庁
The first and second infrared ray absorbing layers 54a and 54b are formed, respectively, by stacking a quantum dot, a cap layer that covers the quantum dot, and an intermediate layer which restores distortion introduced by the quantum dot, in a plurality of layers.例文帳に追加
第1及び第2の赤外線吸収層54a,54bはいずれも量子ドットと、量子ドットを覆うキャップ層と、量子ドットにより導入された歪みを回復させる中間層とを複数積層して形成されている。 - 特許庁
The magnetic storage device is constituted of the magnetic storage elements 10, first wiring 11 which impresses a galvanomagnetic field upon the auxiliary storage layer 2, and second wiring 12 which heats the storage layer 1.例文帳に追加
また、この磁気記憶素子10に対して、磁界を印加して記憶補助層2に磁化状態の記録を行い、その後加熱により記憶層1の保磁力を低下させて、記憶補助層2からの磁界によって記憶層1に記録を行う。 - 特許庁
For instance, an antireflection film 31a is formed on the first region 31, and a phase adjustment layer 33 for adjusting the phase of reflection light and a dielectric multi-layer film 32a is formed to be laminated in the order on the second region 32.例文帳に追加
第1の領域31には、例えば反射防止膜31aが形成され、第2の領域32には、反射光の位相を調整する位相調整層33と誘電体多層膜32aとがこの順で積層して形成される。 - 特許庁
In a pneumatic tire for a heavy load, a bead portion 4 includes a first reinforcement cord layer 9, and a second reinforcement cord layer 10 made of a steel or an aramid cord which is arranged on the inner side in an axial direction and extends on the inner and outer sides in a radial direction.例文帳に追加
重荷重用タイヤであって、ビード部4に、第1補強コード層9と、その軸方向内側に配されかつ半径方向内、外にのびるスチール又はアラミドコードからなる第2補強コード層10とが配される。 - 特許庁
In this method, while a transparent printing medium passes through a printer, a mask layer is printed on a first surface of the printing medium, and an image layer is printed on a second surface of the printing medium on the side opposite to the first surface.例文帳に追加
本発明の方法では、透明なプリント媒体がプリンタを通過する間に、該プリント媒体の第1の面上にマスク層をプリントし、また、該プリント媒体の第1の面とは反対側の第2の面上に、画像層をプリントする。 - 特許庁
To minimize electrode connection failure by improving a bad surface condition of a current breaking layer due to a ridge structure, so that crystallinity and a surface condition of a second conductive type cap layer are improved, in a method for manufacturing a semiconductor laser element.例文帳に追加
本発明は、リッジ構造による電流遮断層の不良な表面状態を改善することにより第2導電型キャップ層の結晶性及び表面状態を向上させ、電極接合不良を最少化する。 - 特許庁
Under the second sidewall 26 in a p-type well region 12, n-type lightly-doped layer 22 is formed, outside of which a n-type heavily-doped layer 27 is formed.例文帳に追加
p型ウェル領域12における第2のサイドウォール26の下側にはn型低濃度不純物層22が形成されていると共に、該n型低濃度不純物層22の外側にはn型高濃度不純物層27が形成されている。 - 特許庁
Also, by eliminating a part of the first polymeric material layer 14 and second polymeric material layer 16 of the exterior material 13, the metal foil 15 is electrically connected with a collector and turned to a terminal for external connection.例文帳に追加
また外装材13の第一の高分子材料層14と、第二の高分子材料層16の一部を削除することで、金属箔15を、集電体と電気的に接続するとともに、外部接続用の端子とする。 - 特許庁
This enables focus control to be performed stably in a state in which the spherical aberration correction has been carried out with respect to the second recording layer so as to prevent the focus control from failing owing to an unsuccessful inter-layer jump.例文帳に追加
これにより、新に焦点を合わせる第2の記録層に対して球面収差補正が行われた状態で安定した焦点制御を行うことができ、層間ジャンプの失敗によって焦点制御がはずれることを防止できる。 - 特許庁
This cosmetic sheet is made into a double-layered, consisting of a first layer which is made of natural pulp or synthetic olefin pulp as a base material, added with a size agent, and a second layer which is made of natural pulp as a base material, added with a filling agent.例文帳に追加
天然パルプまたは合成オレフィンパルプを主体とする基材にサイズ剤を含有させてなる第1シート層と、天然パルプを主体とする基材に填料を含有させてなる第2シート層とを抄き合わせて二層構造とする。 - 特許庁
A supply device 14 and a single layer-making device 13 are arranged respectively in turn in the rotating direction shown by an arrow on the periphery of a first carrier 1 and contacted with a second carrier 2 on a rotation downstream side from the single layer-making device 13.例文帳に追加
第1担持体1の周辺には矢印で示す回転方向の順に補給装置14、単層化装置13がそれぞれ配設され、単層化装置13よりさらに回転下流側で第2担持体2に当接している。 - 特許庁
Each core part 21, 22 are fixed in a state with the second core part 22 in the lower layer shifted at a phase angle of 20 degrees with respect to the first core part 21 in the upper layer so that teeth parts 21b, 22b are respectively arranged opposite to each magnet 13 exist during rectification.例文帳に追加
各コア部21,22は、整流時に各マグネット13とそれぞれ対向するティース21b,22bが存在するように、上層の第1コア部21に対して下層の第2コア部22が20°の位相角でずらして固定される。 - 特許庁
Even if a plating liquid permeates the inside of the first insulation layer 21 along the interface between the resin material and the fibers 23 in forming the via 16 and the conductive land 15, the plating liquid can be prevented from reaching the surface of the second insulation layer 22.例文帳に追加
ビア16および導電ランド15の形成時、たとえ樹脂材料および繊維23の界面に沿って第1絶縁層21内にめっき液が染み込んでも、第2絶縁層22の表面にめっき液の到達は回避される。 - 特許庁
A first through-hole 44 is formed in the metal layer 40, and a second through-hole 45 and a non-through-hole 46 are formed to be in communication with the first through-hole 44 in the first resin layer 27 and the semiconductor substrate 24, respectively.例文帳に追加
金属層40に第1貫通孔44を形成し、第1貫通孔44に連通するように第1樹脂層27および半導体基材24に、第2貫通孔45および未貫通孔46をそれぞれ形成する。 - 特許庁
The common electrode and the pixel electrode forming an electric field are disposed on the liquid crystal layer side surface of the first substrate 21, and an antistatic ITO film 24 is disposed on the side opposite to the liquid crystal layer of the second substrate 22.例文帳に追加
第1基板21の液晶層側の面には電界を形成する共通電極及び画素電極が設けられ、第2基板22の液晶層と反対側の面には帯電防止用のITO膜24が設けられる。 - 特許庁
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