「second layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(294ページ目) - Weblio英語例文検索

The refractory layer 3 is constituted with the first regular shaped brick 40 parting the upper part of the molten metal passing-through hole W, the second regular shaped brick 43 having as engaging hole 43a engaged with the outer peripheral part at the upper part of the first regular shaped brick 40 and a castable layer 45 inserting the first regular shaped brick 40 and the second regular shaped brick 43.例文帳に追加

耐火物層３は、溶湯通過孔Ｗの上部を区画する第１定形れんが４０と、第１定形れんが４０の上部の外周部を嵌合する嵌合孔４３ａをもつ第２定形れんが４３と、第１定形れんが４０及び第２定形れんが４３を鋳包むキャスタブル層４５とで構成されている。 - 特許庁

After the chip part 9 is mounted on the terminal 4, a first protective layer 20 is prepared on the terminal 4 so that the first drawing terminal 15 may be covered and after the flexible wiring board 13 is mounted on the terminal 4, a second protective layer 21 is prepared on the terminal 4 so that a second drawing terminal 16 may be covered.例文帳に追加

端子部４上にチップ部品９を実装した後、第１引出端子１５を被覆するように端子部４上に第１保護層２０を設け、端子部４上にフレキシブル配線基板１３を実装した後、第２引出端子１６を被覆するように端子部４上に第２保護層２１を設ける。 - 特許庁

An organic electroluminescent element includes: a substrate 10; a first electrode 20 provided on one surface side of the substrate 10; a second electrode 40 facing the first electrode 20 on the one surface side of the substrate 10; and a functional layer 30 provided between the first electrode 20 and the second electrode 40 and including a light emitting layer 32.例文帳に追加

有機エレクトロルミネッセンス素子は、基板１０と、基板１０の一表面側に設けられた第１電極２０と、基板１０の上記一表面側で第１電極２０に対向した第２電極４０と、第１電極２０と第２電極４０との間にあり発光層３２を含む機能層３０とを備えている。 - 特許庁

A pixel driving circuit is formed on an SOI substrate composed of an SOI substrate, an insulation layer and a second silicone layer in the first step, and the SOI substrate is removed in a state that the pixel driving circuit side is supported in the second step, further a transparent substrate is joined and an MEM optical modulation part is formed on the pixel driving circuit.例文帳に追加

ＳＯＩ基板と絶縁層と第２シリコン層とから成るＳＯＩ基板の上に、まず画素駆動回路を形成し、次に該画素駆動回路側を支持した状態で前記ＳＯＩ基板を除去した後、ここに透明基板を接合し、前記画素駆動回路の上にＭＥＭ光変調部を形成する。 - 特許庁

A second layer probe inspection pad metal 300 for laying a part of probe inspection pad in layer by lowering a first power supply main line 123 while ensuring a sufficient distance L2, and a contact 310 for touching the third and second layers of that probe inspection pad are arranged in an I/O cell 301.例文帳に追加

入出力セル３０１において、距離Ｌ２を十分に取り、第１の電源幹線１２３を下げて、プローブ検査用パッドの一部を積層化するための第２層プローブ検査用パッドメタル３００と、そのプローブ検査用パッドの第３層と第２層とを接続するためのコンタクト３１０とを配する。 - 特許庁

The organic EL lighting panel 2A is formed so that an organic light-emitting layer 13 containing at least a light-emitting layer is sandwiched by a pair of first and second translucent electrode layers 12 and 14, at least one of them being transparent, wherein the first and second electrode layers 12 and 14 includes a plurality of electrodes 121 and 141, respectively.例文帳に追加

少なくとも一方が透光性の一対の第１電極層１２と第２電極層１４とによって少なくとも発光層を含む有機発光層１３を挟んで成る照明用有機ＥＬパネル２Ａであって、第１電極層１２と第２電極層１４とは、それぞれ複数の電極１２１，１４１を備えた。 - 特許庁

In the curved surface forming method, by an etchant of a different etching rate corresponding to the composition ratio f of a specified element in a second clad layer 13, the second clad layer 13 in which the specified element has the distribution of the composition ratio f in a crystal growth direction is selectively removed, and a prescribed curved surface S is formed on the surface.例文帳に追加

曲面形成方法は、第２クラッド層１３中の特定の元素の組成比ｆに応じてエッチングレートの異なるエッチャントにより、特定の元素が結晶成長方向に組成比ｆの分布を有する第２クラッド層１３を選択的に除去して、その表面に所定の曲面Ｓを形成する。 - 特許庁

In a process of removing the stress imparting layer 16 on the second transistor 12 and the gate structure 13 and leaving the stress imparting layer 16 on the first transistors 11, the silicon oxide film on the second transistor 12 is prevented from being excessively thinned relative to the silicon oxide film on the first transistors 11.例文帳に追加

第二のトランジスタ１２及びゲート構造１３上の応力付与層１６を除去し第一のトランジスタ１１上に応力付与層１６を残す工程にて、第二のトランジスタ１２上のシリコン酸化膜が第一のトランジスタ１１上のシリコン酸化膜よりも過剰に薄くなってしまうことが防止される。 - 特許庁

A first conductive part 15a and a second conductive part 15b constituted as rectangular frames are respectively provided on the upper surfaces of the second insulating layer and a third insulating layer 22 spaced in parallel with the extending direction of the pseudo-post part so as to surround the pseudo-post part.例文帳に追加

この擬似ポスト部を取り囲むように、当該擬似ポスト部の延在方向に互いに平行に離間されている、第２の絶縁層及び第３の絶縁層２２のそれぞれの上面上に、四角い枠状部として構成されている第１の導電部１５ａ及び第２の導電部１５ｂがそれぞれ設けられている。 - 特許庁

Even if a surge voltage is applied, since the second semiconductor layer 143 is fixed at a middle point potential of the two diffused resistors 124 and 134, a potential difference between the first semiconductor layers 123 and 133 and the second semiconductor layer 143 is cut in half, thus breakdown of the dielectric separation films 122 and 132 can be prevented.例文帳に追加

サージ電圧が印加されたとしても、第二の半導体層１４３は二つの拡散抵抗１２４、１３４の中点電位に固定されているため、第一の半導体層１２３、１３３と第二の半導体層１４３との間の電位差が半減し、誘電体分離膜１２２、１３２の破壊を防ぐことができる。 - 特許庁

To provide a liquid crystal device and a projection display device in which a seal material arranged between a first substrate and second substrate is surely cured by light radiation from the second substrate even when a light-shielding layer supporting a prescribed function is prepared, and the light-shielding layer exhibits a satisfactory function.例文帳に追加

所定の機能を担う遮光層を設けた場合でも、第１基板と第２基板との間に設けたシール材を第２基板からの光照射により確実に硬化させることができるととともに、当該遮光層が十分な機能を発揮する液晶装置、および投射型表示装置を提供すること。 - 特許庁

This fiber fabric 11 comprises a first fibrous layer 12 formed of a plurality of first fiber bundles 121, a second fibrous layer 13 formed of a plurality of second fiber bundles 131, a group of anti-dislocation threads 14 formed of a plurality of anti-dislocation threads 141 and a group of cramping threads 15 formed of a plurality of cramping threads 151.例文帳に追加

繊維織物１１は、複数の第１繊維束１２１からなる第１繊維層１２と、複数の第２繊維束１３１からなる第２繊維層１３と、複数の抜け止め糸１４１からなる抜け止め糸群１４と、複数の拘束糸１５１からなる拘束糸群１５とから構成されている。 - 特許庁

By means of a tape material as a source material whose first and second copper layers 22A, 22B are disposed on both surfaces of a polyimide resin film 1, a wiring pattern 2 on a predetermined region of which the semiconductor device is mounted is formed by sequentially exposing, developing and etching the first copper layer after a masking tape 23 is bonded to the second copper layer 22B.例文帳に追加

ポリイミド樹脂フィルム１の両面に第１，第２の銅層２２Ａ，２２Ｂが設けられたテープ材料を出発材料とし、第２の銅層２２Ａにマスキングテープ２３を貼り付けた後、第１の銅層に露光、現像及びエッチングを順次施して、所定領域に半導体装置が実装される配線パターン２を形成する。 - 特許庁

The device has a PNPN junction structure, having a diffusion layer of a second conductive type, formed in a well of a first conductive type and a diffusion layer of a first conductive type, formed in a well of a second conductive type, with an external resistor being connected to one of the wells to allow limiting a current between an anode and a cathode.例文帳に追加

この装置は、第１導電型のウェルに第２導電型の拡散層が形成され、第２導電型のウェルに第１導電型の拡散層が形成されたＰＮＰＮ接合構造において、アノード及びカソードの間の電流を制限することができる外部抵抗をウェルに連結した構造である。 - 特許庁

Thereafter, a second cholesteric liquid crystal solution 23 is applied directly on the first cholesteric liquid crystal layer 14' in the cured state after curing the remaining unreacted portion to form a28 (g), (h), and to finally form a second cholesteric liquid crystal layer 24 in the cured state (i), (j).例文帳に追加

その後、残存未反応部位を硬化させた後の硬化状態の第１コレステリック液晶層１４′上に第２コレステリック液晶溶液２３を直接塗布し、未硬化状態の第２コレステリック液晶層２８を形成し（図１（ｇ）（ｈ））、最終的に、硬化状態の第２コレステリック液晶層２４を形成する（図１（ｉ）（ｊ））。 - 特許庁

The liquid crystal display device is composed of: a first substrate and a second substrate opposed to each other; a liquid crystal layer located between the first substrate and the second substrate; and a seal pattern which surrounds the liquid crystal layer and is formed of frit glass or glass paste.例文帳に追加

本発明は、相互に向かい合う第１基板及び第２基板と；前記第１基板及び第２基板間に位置する液晶層と；前記第１基板及び第２基板間に位置して、前記液晶層を取り囲み、フリットガラス(frit glass)または、ガラスペースト(glass paste)で形成されたシールパターンを含む液晶表示装置を提供する。 - 特許庁

An augmented reality providing method determines the first area and the second area, specifies the first portion of the virtual world image layer to be displayed in the first area on the basis of the first visual direction, displays the first portion in the first area, and displays the actual world image layer in the second area.例文帳に追加

拡張現実提供方法は、第１領域及び第２領域を決定し、第１視認方向に基づいて第１領域内に表示されるべき仮想世界イメージ層の第１部分を特定し、前記第１部分を前記第１領域内に表示し、現実世界イメージ層を前記第２領域内に表示する。 - 特許庁

On the finishing side of the bead patching part in circumferential welding, each welding finishing position from the 1st pass in the initial layer to the N-th pass in the final layer is set to the position advanced by a second prescribed angle or a second prescribed distance from the position obtained by making a round from each welding starting position to the direction of the welding line.例文帳に追加

また、円周溶接のビード継ぎ部の終了側では、前記初層１パス目から最終層のＮパス目までの各溶接終了位置を前記各溶接開始位置から溶接線方向に一周させた位置より第２の所定角度又は第２の所定距離だけ前進させた位置に設定する。 - 特許庁

In the method of manufacturing an optical recording medium by laminating a first substrate having an information recording layer and a second substrate having no information recording layer, both substrates are laminated after annealing the first substrate and the second substrate under different conditions.例文帳に追加

情報記録層を有する第一の基板と情報記録層を有さない第二の基板とを貼り合わせてできる光記録媒体の製造方法において、第一の基板及び第二の基板に対して、それぞれ異なる条件でアニール処理を行った後に、両基板を貼り合わせて製造する光記録媒体の製造方法。 - 特許庁

First, second, third and fourth sheet-like piezoelectric layers 21, 22, 23 and 24 are laminated while screen printing individual electrodes 25 and common electrodes 26 between respective layers and a first thin metal film 27 is formed on the uppermost layer while a second thin metal film 28 is formed on the lowermost layer thus constituting a piezoelectric element 20.例文帳に追加

シート状の第１圧電体層２１、第２圧電体層２２、第３圧電体層２３、及び第４圧電体層２４を、各々の間に個別電極２５と共通電極２６をスクリーン印刷しながら積層し、最上層に第１金属薄膜２７を、最下層に第２金属薄膜２８を形成して圧電素子２０を構成する。 - 特許庁

The piezoelectric material plate 1 comprises a laminate of a plurality of green sheets 1a and the first electrode 2 and the second electrode 3 are formed as layers interposed between the green sheets 1a such that the layer on which the first electrode 2 is formed is different from the layer on which the second electrode 3 is formed.例文帳に追加

圧電材料板１は、複数のグリーンシート１ａを積層して構成され、第１の電極２および第２の電極３は、それぞれグリーンシート１ａ間に位置付けられる層として形成され、第１の電極２が形成された層と第２の電極３が形成された層とが互いに異なる。 - 特許庁

In the second step, the cold spray device 30 jets second copper powder 42 having a particle diameter R2 greater than the particle diameter R1 of the first copper powder, and smaller than a dimension V2 from the surface of the underlayer 21 to an interface between the aluminum film 12 and the silicon layer 11, and thereby a thick film layer 22 is formed overlaid on the underlayer 21.例文帳に追加

第２工程では、コールドスプレー装置３０が、第１銅粉末の粒径Ｒ１より大きく且つ下地層２１の表面からアルミ膜１２とシリコン層１１との境界面までの寸法Ｖ２より小さい粒径Ｒ２の第２銅粉末４２を噴射することにより下地層２１に重ねて厚膜層２２を形成する。 - 特許庁

A reflection layer 26 is provided on the second substrate 20 and a pixel is divided into a reflection region 51 wherein light made incident from the first substrate 10 side is reflected by the reflection layer 26 to the first substrate 10 side and a transmission region 53 wherein light made incident from the second substrate 20 side is transmitted to the first substrate 10 side.例文帳に追加

反射層２６は、第２基板２０上に設けられ、第１基板１０側からの入射光が当該反射層２６により第１基板１０側に反射させられる反射領域５１と第２基板２０側からの入射光が第１基板１０側に透過させられる透過領域５３とに画素を区分する。 - 特許庁

The second conductive layer 170 is formed to surround a central part of the upper surface 132 of the columnar part 130 by bypassing a second opening part 172 which opens to an outer direction from the central part, and formed to overlap more than half of a planar area of the first conductive layer 160 over the columnar part 130.例文帳に追加

第２の導電層１７０は、柱状部１３０の上面１３２の中央部から外方向に開口する第２の開口部１７２を避けて該中央部を囲むように形成され、かつ柱状部１３０の上方において第１の導電層１６０の平面面積の半分以上とオーバーラップして形成されている。 - 特許庁

In wirings having a structure that consists of a first layer metal film wiring, a second metal film wiring having a constant side etching portion and an insulating film pattern, a field plating processing is performed to the concave region corresponding to a side etching portion of the second layer metal film wiring and low resistance metal such as Cu and Ag is made to electrodeposit thereon.例文帳に追加

第１層金属膜配線と、一定のサイドエッチング部を有する第２層金属膜配線と、絶縁膜パターンの３層膜から成る構造の配線に於いて、電界メッキ処理により前記第２層金属膜配線のサイドエッチング部に相当する凹形領域に、銅や銀の低抵抗金属を電着させる。 - 特許庁

A mesa stripe 131a is composed of, at least a first conductivity- type first clad layer 103, an active region, and a second conductivity-type second clad layer 107, both the sides of the mesa stripe 131a are subjected to surface treatment by the use of a buffered hydrofluoric acid to remove an oxide film or impurities.例文帳に追加

少なくとも第１導電型の第１クラッド層１０３、活性領域および第２導電型の第２クラッド層１０７からなるメサストライプ部１３１ａに電流ブロック層１１１、１１２を再成長する前に、メサストライプ部１３１ａの両側面をバッファードフッ酸で表面処理して酸化膜や不純物を除去する。 - 特許庁

In this manufacturing method, the joined metal block Z having the first metal layer and the second metal layer is also formed by casting the second metal having the corrosion resistance into a billet forming die after casting the first metal serving as the main material for the container main body into the billet forming die, and the container main body is integrally formed.例文帳に追加

また、容器本体の主材となる第１金属をビレット成形型に鋳込んだ後、該ビレット成形型に耐食性を有する第２金属を鋳込むことにより第１金属層と第２金属層とを有する接合金属塊Ｚを形成し容器本体を一体成形する製造方法を実現した。 - 特許庁

Gas forming members 21, 22 house an MEA 15 in the inside of framework-like frames 13, 14, and the first and second gas passage forming members 21, 22 are interposed between an anode layer 17 and a cathode layer 18 of the MEA 15 and first and second separators 23, 24 joined to the upper and lower surfaces of the frames 13, 14.例文帳に追加

枠状のフレーム１３，１４の内部にＭＥＡ１５を収容し、該ＭＥＡ１５のアノード電極層１７及びカソード電極層１８と、前記フレーム１３，１４の上下両面に接合固定された第１，第２セパレータ２３，２４との間に第１，第２ガス流路形成部材２１，２２を介在する。 - 特許庁

The filter 10 for a display device comprises a first transparent substrate 11a, a second transparent substrate 11b laminated with an adhesive material 11c to the first transparent substrate 11a, an electromagnetic shield layer 12 provided on the first transparent substrate 11a, and an optical functional layer 20 provided on the second transparent substrate 11b.例文帳に追加

この表示装置用フィルタ１０は、第１透明基材１１ａと、第１透明基材１１ａに粘着材１１ｃを介して貼り合わされた第２透明基材１１ｂと、第１透明基材１１ａに設けられた電磁波シールド層１２と、第２透明基材１１ｂに設けられた光学機能層２０とを備えている。 - 特許庁

A method of producing a three-dimensional photonic crystal by laminating a layer having a periodic structure is provided, the method including the steps of: forming a first structure and a second structure each including the layer having one or more periodic structures; and bonding the first structure and the second structure.例文帳に追加

周期構造を持つ層を積層することにより３次元フォトニック結晶を製造する方法であって、１以上の前記周期構造を持つ層を備える第１の構造体と第２の構造体をそれぞれ形成する構造体形成工程と、第１の構造体と第２の構造体を接合する接合工程とを含む。 - 特許庁

In the manufacturing method for the IC card where an inlet composed of the components including the IC chip and the antenna is held in an adhesive layer by interposing the adhesive layer between a first sheet material and a second sheet material and stuck together, antistatic treatment is performed to the inlet before being interposed between the first and second sheet materials.例文帳に追加

第１のシート材と第２のシート材との間に接着剤層を介在し、この接着剤層内にＩＣチップ及びアンテナを含む部品からなるインレットを挟んで貼り合わせるＩＣカードの製造方法において、第１のシート材と第２のシート材の間にインレットを介在させる前に、インレットに帯電防止処理を行う。 - 特許庁

The liquid crystal display includes a liquid crystal modulating element 200 having a liquid crystal layer 204 between first and second electrodes 201 and 202, and control means 213, 407 which controls the electric potential difference applied between the first and second electrodes, such that an electric field which is inverted between positive and negative is applied to the liquid crystal layer.例文帳に追加

液晶表示装置は、第１の電極２０１と第２の電極２０２との間に液晶層２０４が配置された液晶変調素子２００と、液晶層に正負が反転する電界が印加されるように第１及び第２の電極間に与える電位差を制御する制御手段２１３，４０７とを有する。 - 特許庁

The ATM cell transmission/reception control circuit includes a first mask circuit controlling to mask for a certain period a first response signal (TxCLAV) from the physical layer device having a plurality of logical addresses, and a second mask circuit controlling to mask a second response signal (RxCLAV) from the physical layer device having the plurality of logical addresses.例文帳に追加

複数の論理アドレスを有する物理レイヤデバイスからの第１の応答信号（ＴｘＣＬＡＶ）を、一定期間の間マスクする制御を行う第１のマスク回路と、複数の論理アドレスを有する物理レイヤデバイスからの第２の応答信号（ＲｘＣＬＡＶ）を、マスクする制御を行う第２のマスク回路と、を備える。 - 特許庁

The first photoelectric conversion element and the second photoelectric conversion element are arranged in parallel, and the insulating layer preventing the flow of ions leaked from the electrolyte layer, when the number of the insulating layers is represented by n, the number of the first photoelectric conversion layers by l, the number of the second photoelectric conversion elements by m, is arranged so as to satisfy the following formulas (I), (II).例文帳に追加

前記第１光電変換素子と第２光電変換素子が並列され、前記電解質層から漏出するイオンの流れを防止する絶縁層が、その数をｎ、前記第１光電変換素子数をｌ、前記第２光電変換素子数をｍとするとき、下記式（Ｉ）、式（II）を満たすように配置する。 - 特許庁

In the solar cell 10, a p-type electrode 15 is disposed in a first trench 13a formed in a first insulating layer 13, and is contact with a p-type region 11a, while a n-type electrode 16 is disposed in a second trench 14a formed in a second insulating layer 14, and is in contact with a n-type region 11b.例文帳に追加

太陽電池１０において、ｐ側電極１５は、第１絶縁層１３に形成された第１溝部１３ａに配設されてｐ型領域１１ａと接触しており、ｎ側電極１６は、第２絶縁層１４に形成された第２溝部１４ａに配設されてｎ型領域１１ｂに接触する。 - 特許庁

When growth of a second conductivity type current block layer 7 is completed, the growth is stopped, and the temperature is raised or Group V raw material gas flow rate is increased to put it on standby to deform the surface shape of the second conductivity type current block layer 7 consisting of a (001) surface and a (111) B surface into a curved surface shape.例文帳に追加

第２導電型電流ブロック層７の成長が完了したとき、その成長を停止させ、昇温若しくはＶ族原料ガス流量を増加させて待機を行うことにより、（００１）面と（１１１）Ｂ面からなる第２導電型電流ブロック層７の表面形状を曲面状に変形させる。 - 特許庁

This information recording medium has a first substrate 11, a second substrate 12 arranged to face the first substrate 11, first information layers 13 arranged between the first substrate 11 and the second substrate 12, second information layers 14 arranged between the first information layers 13 and the second substrate 12 and an intermediate layer 15 arranged between the first information layers 13 and the second information layers 14.例文帳に追加

第１の基板１１と、第１の基板１１に対向するように配置された第２の基板１２と、第１の基板１１と第２の基板１２との間に配置された第１の情報層１３と、第１の情報層１３と第２の基板１２との間に配置された第２の情報層１４と、第１の情報層１３と第２の情報層１４との間に配置された中間層１５とを備える。 - 特許庁

Consequently, the light spot to the second recording layer 16 for from the light source does not focus at the first recording layer 12 near the light source, where the intensity of the light is weak, the transmittance is high and the reflected light quantity at the recording surface increase.例文帳に追加

したがって、光源に近い記録層では光をより多く反射し、遠い記録層をアクセスするときにはその光スポットの焦点が遠くの記録層にあっているので、近くの記録層では光が弱く透過される。 - 特許庁

The first impurity region 70 is arranged in contact with one of the first end faces 42 of the semiconductor layer 40, and the second impurity region 80 is arranged in contact with the other of the first end faces 42 of the semiconductor layer 40.例文帳に追加

半導体層４０の第１の端面４２の一方に隣接して第１の不純物領域７０が配置され、半導体層４０の第１の端面４２の他方に隣接して第２の不純物領域８０が配置されている。 - 特許庁

Also, of the plurality of layers 11Bi (15Bj), the impurity concentration of the layer near the active layer 13 is higher (second impurity concentration) than the first impurity concentration in the layers 11Ai (15Aj).例文帳に追加

また、複数の低屈折率層１１Ｂｉ（１５Ｂｊ）のうち活性層１３の近傍の層の不純物濃度は、上記高屈折率層１１Ａｉ（１５Ａｊ）における第１の不純物濃度よりも高濃度（第２の不純物濃度）である。 - 特許庁

In addition, the first impurity introduction region 110 and the second impurity introduction region 111 are formed so as to be separated from a channel layer 103 within a range in which an electron in the channel layer 103 does not generate impurity scattering.例文帳に追加

また、第１不純物導入領域１１０および第２不純物導入領域１１１は、チャネル層１０３の電子に不純物散乱を生じさせない範囲でチャネル層１０３より離間して形成されている。 - 特許庁

The second semiconductor area (2) works as a semiconductor area in the depthwise direction (diffusion direction) of a semiconductor layer (20), and as a resistance element in the direction parallel with the main surface (20a) of the semiconductor layer (20) that is perpendicular to the depthwise direction.例文帳に追加

第２の半導体領域（２）は、半導体層（２０）の深さ方向（拡散方向）には半導体領域として作用し、深さ方向と直角な半導体層（２０）の主面（２０ａ）と並行な方向には抵抗素子として作用する。 - 特許庁

A multilayer thermal barrier (first layer) 404 is formed on substrate structure 402, a heating element 112 is arranged thereon, and a magnetic pole structure 410 is formed on the heating element 112 through a second layer 408 having an electrical insulation property.例文帳に追加

基板構造４０２の上に多層熱障壁（第１層）４０４が形成され、この上に発熱体１１２が配置され、発熱体１１２の上部に電気絶縁性の第２層４０８を介して磁極構造４１０が形成される。 - 特許庁

Then, the substrate is put into the MOCVD growing device, and a GaN contact layer 20 whose film thickness of 3 μm is grown by a lateral growth method via the mask 16 on the GaN second buffer layer 15.例文帳に追加

次いで、再度、基板をＭＯＣＶＤ成長装置に入れて、１０００℃程度の成長温度で、マスク１６を介してＧａＮ第２バッファ層１５上に膜厚３μｍのＧａＮコンタクト層２０を横方向成長法により成長させる。 - 特許庁

An insulating layer 49, positioned between the signal layers 35 and 45, consists of a first insulating part 46 positioned from the IC chip 41 to the signal layer 35 and a second insulating part 47 positioned so as to surround the first insulating part 46.例文帳に追加

、信号層３５，４５の間に位置する絶縁層４９は、ＩＣチップ４１から信号層３５までに位置する第１の絶縁部４６と、第１の絶縁部４６を囲むように位置する第２の絶縁部４７とからなる。 - 特許庁