「second layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(282ページ目) - Weblio英語例文検索

Second plate-shaped glass 20 is stuck together on the side, in which the antenna pattern of the first plate-shaped glass 10 is mounted, while holding an intermediate layer 50.例文帳に追加

さらに上記第１の平板状ガラス１０のアンテナパターンを設けた側に中間層５０を挟んで第２の平板状ガラス２０を貼り合わせる。 - 特許庁

The second fibric layer has a thermal shrinkage rate SHD_2 of 15% or higher at a temperature of 150°C and a fabric weight of 200 to 600 g/m^2.例文帳に追加

前記第２の繊維層は、温度１５０℃における熱収縮率ＳＨＤ_2が１５％以上であると共に、目付が２００〜６００ｇ／ｍ^2である。 - 特許庁

In the lower layer 3, the density of the part under the second surface zone 7 is higher than that of the part under the first surface zone 6.例文帳に追加

下層３は、第１面域６の下方に位置する部分の密度よりも第２面域７の下方に位置する部分の密度が高くなるように形成される。 - 特許庁

A light absorbing layer 211 is sandwiched between the first mirror 217 and the second mirrors 207a to 207d of the resonant cavity structure of the photodetector 201.例文帳に追加

光吸収層２１１は、受光素子２０１の共振空洞構造の第１のミラー２１７と第２のミラー２０７ａ〜２０７ｄとに挟まれている。 - 特許庁

The side faces of four directions of the second resin 5 are coated with a reflection section, which is constituted of a metal plated layer formed of Ag, Al, or the like, which has high reflection factor.例文帳に追加

第二の樹脂５の４方向の側面に反射率の高いＡｇやＡｌなどの金属のメッキ層からなる反射部が被覆してある。 - 特許庁

The developer on the cylinder 67 has its layer thickness regulated by a second regulating member 64 and a first regulating member 63, is frictionally charged, and fed to a developing position.例文帳に追加

円筒体６７上の顕像剤は、第２規制部材６４、第１規制部材６３によって層厚規制され、摩擦帯電され、現像位置へ送られる。 - 特許庁

The active layer has a first region 26 positioned right under the ridge part and second regions 27 and 28 adjacent to both sides of the first region 26.例文帳に追加

活性層は、リッジ部の直下に位置する第１の領域２６と、第１領域２６の両側方に隣接する第２の領域２７、２８を有する。 - 特許庁

According to an embodiment, a non-volatile semiconductor storage device comprises a first memory string, a source contact, a second memory string, and a shield conductive layer.例文帳に追加

実施形態によれば、第１メモリストリングと、ソースコンタクトと、第２メモリストリングと、シールド導電層と、を備えた不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

The first and the second cores 38 and 34 are formed by irradiating the optical reflection surfaces 22 with light beams and selectively and optically hardening light sensitive medium layer 61.例文帳に追加

第１コア３４及び第２コア３８は、光反射面２２に向けて光を照射して感光性媒質層６１を選択的に光硬化して形成される。 - 特許庁

Further, the semiconductor body includes at least one active layer 10 emitting radiation between the first flat surface 12 and second flat surface 14.例文帳に追加

また、半導体ボディは、第１の平坦面１２と第２の平坦面１４の間に、放射線を発生するための活性層１０を少なくとも１つ含んでいる。 - 特許庁

A belt layer 7 comprises a first ply 7A having a code angle α1 of 30-70° and second and third plies 7B, 7C having code angles α2, α3 of 13-23°.例文帳に追加

ベルト層７は、コード角度α１が３０〜７０°の第１のプライ７Ａと、コード角度α２，α３が１３〜２３°の第２、３のプライ７Ｂ、７Ｃとからなる。 - 特許庁

The second adhesion layer 47 is formed on the other side of the heating body 35, and contains hollow glass beads 66, and is electrically insulative.例文帳に追加

第２接着層４７は発熱体３５の他側に形成され、中空のガラスビーズ６６を含むとともに、電気絶縁性を有するように構成されている。 - 特許庁

Finally, when the mask is at a third temperature (T3) higher than the second temperature (T2), a third layer is deposited through an opening 7c of a mask 6c.例文帳に追加

最後に、マスクが前記第２の温度（Ｔ２）より高い第３の温度（Ｔ３）の時、マスク６ｃの開口７ｃを介して第３の層が堆積される。 - 特許庁

The synchronizer ring 28 is made of steel, and a friction material layer 41 is put on the second friction surface of the ring 28.例文帳に追加

そして、シンクロナイザリングは、鉄鋼材料にて構成するとともに、このシンクロナイザリングの第２の摩擦面に摩擦材層41を被着したことを特徴としている。 - 特許庁

The edge extending along the second straight line L_2 of at least one colored layer 38 is positioned on the mark 28 between both ends of one mark 28.例文帳に追加

少なくとも１つの着色層３８の、第２の直線Ｌ_２に沿って延びるエッジが、いずれかのマーク２８の両端の間でマーク２８上に位置する。 - 特許庁

Second gas passages 18A, 18B communicating with the feed hole 4A and the discharge hole 4B, respectively, are formed on the other side 14b of the solid electrolyte layer.例文帳に追加

固体電解質層の他方の面１４ｂ側に供給孔４Ａおよび排出孔４Ｂに連通する第二のガス通路１８Ａ、１８Ｂが形成されている。 - 特許庁

A circuit apparatus 10 includes a first insulating layer 100, a first inductor 200, a first terminal 214, a second terminal 212, first wiring 210, and a wire 500.例文帳に追加

回路装置１０は、第１絶縁層１００、第１インダクタ２００、第１端子２１４、第２端子２１２、第１配線２１０、及びワイヤ５００を備える。 - 特許庁

Loss is lessened by restraining current generated on the external conductor since the signal wire is covered by the second dielectric layer, and reduction of the attenuation is restrained.例文帳に追加

第2誘電体層により信号線が覆われるので、外部導体上に発生する電流を抑えて損失を少なくし、減衰量の低下を抑えられる。 - 特許庁

Cover patterns 20b, 20d are formed on the upper layer of the second fuse wires 13a, 13b through a TEOS film 18.例文帳に追加

そして、この第２のヒューズ配線１３ａ，１３ｂの上層に、ＴＥＯＳ膜１８を介して、カバーパターン２０ｂ，２０ｄを設けてなる構成となっている。 - 特許庁

Impurity diffusion layers 104, 124 are formed on a first body region 100, and a second body region 106 is formed on the first impurity diffusion layer 104.例文帳に追加

第１ボディ領域１００上に不純物拡散層１０４，１２４を、第１不純物拡散層１０４上に第２ボディ領域１０６を形成する。 - 特許庁

In the reflective region of the second transparent substrate 20, a third transparent electrode layer 24 is formed opposing to the first transparent substrate 10.例文帳に追加

また、第２の透明基板２０の反射領域には、第１の透明基板１０と対向して、第３の透明電極層２４が形成されている。 - 特許庁

The second light receiving part 11b comprises the G-signal charge storage part and the IR-signal charge storage part laminated in a depthwise direction in the semiconductor layer.例文帳に追加

第２受光部１１ｂは、半導体層中に深さ方向に積層されたＧ信号電荷蓄積部およびＩＲ信号電荷蓄積部を備える。 - 特許庁

Second PolySi layers 25, where conductive impurity is introduced, are simultaneously formed on the dielectric layer 5 and the first gate insulating film 12.例文帳に追加

続いて、誘電体層５上および第１のゲート絶縁膜１２上に、導電型不純物が導入された第２のＰｏｌｙＳｉ層２５を同時に形成する。 - 特許庁

Firstly, a first metal thin layer having the resistivity of ≤5×10-6 Ωcm is plated on the core wire, and secondly, a second metal may be electroformed to a predetermined diameter.例文帳に追加

また、芯線に、先ず抵抗率５×１０^−６Ωｃｍ以下の第一金属の薄層をメッキし、次いで第二金属を所定径まで電鋳してもよい。 - 特許庁

A second gate electrode 15 with the BOX layer 2 as a gate insulating system is provided on the rear surface of the first silicon substrate 1 while facing the Player 6.例文帳に追加

そして、第１のシリコン基板１の裏面には、Ｐ層６に対向してＢＯＸ層２をゲート絶縁膜とする第２のゲート電極１５が設けられている。 - 特許庁

At a second process termination point (c), the pattern widths of the mask layer and the anti-reflection coating are uniformly adjusted in the entire region of a wafer regardless of pattern densities.例文帳に追加

第２工程終了時点（ｃ）では，マスク層および反射防止膜のパターン幅は，パターン密度に関わらず，ウェハ全域で均一に調整される。 - 特許庁

A spacer holding base 24 covered with an insulative layer 37 on which a plurality of electron beam passing openings 26 are formed is provided between the first and second bases .例文帳に追加

第１および第２基板間には、複数の電子ビーム通過孔２６が形成され絶縁層３７により被覆されたスペーサ支持基板２４が設けられている。 - 特許庁

The gate region 109 is formed in a part of a surface 107a, which faces the base region 105 with the second semiconductor layer in between.例文帳に追加

ゲート領域１０９は、表面１０７ａの一部に形成され、第２半導体層を挟んでベース領域１０５と対向する位置に形成される。 - 特許庁

The first end of the first wiring and the first element electrode are joined, and the second end of the first wiring and a part of the first wiring layer are joined.例文帳に追加

第１の配線の第１端と第１の素子電極とが接合され、第１の配線の第２端と第１の配線層の一部とが接合されている。 - 特許庁

The phase control liquid crystal element comprises a first substrate, a second substrate and a first liquid crystal layer, and is disposed opposite to the counter substrate of the liquid crystal display panel.例文帳に追加

位相制御液晶素子は、第１基板と、第２基板と、第１液晶層と、を含み、液晶表示パネルの対向基板と対向して設けられている。 - 特許庁

Then the device irradiates the condensed light upon a phosphor layer 18a through the light transmitting holes 35 of a second reflector 16 provided at the condensed position of the light.例文帳に追加

この集光された光を、集光位置に設けられた第２のリフレクタ１６の透光穴３５を介して蛍光体層１８ａに照射する。 - 特許庁

The dielectric layer 30 comprises a first region 32 and a second region 34, having different dielectric constants, being adjoined with each other when viewed from above.例文帳に追加

誘電体層３０は、平面視において隣り合って配置される、誘電率が異なる第１の領域３２と第２の領域３４とを有する。 - 特許庁

A second constitution is the delayed tack type sticking label being characterized by forming a layer of the delayed tack type sticking agent composition on the substrate for the label.例文帳に追加

第二の構成は、ラベル用基材上に、前記したディレードタック型粘着剤組成物層を設けたことを特徴とするディレードタック型粘着ラベル。 - 特許庁

The second configuration comprises a structure to vary the cell gaps corresponding to the transmission section and the reflective section and the thickness of the color filters by utilizing the buffer layer.例文帳に追加

第2構成は、上記バッファ層を利用して透過部と反射部に対応するセルキャップ及びカラーフィルタの厚みを異なるようにする構成である。 - 特許庁

The second main face 11b is then polished using a protruding part 13a1 of the diamond layer 13 located within the recessed part 11a1 as a stopper of polishing.例文帳に追加

そして、凹部１１ａ１の内部に位置するダイヤモンド層１３の凸部１３ａ１を研磨のストッパとして用いて、第２の主面１１ｂが研磨される。 - 特許庁

In one embodiment, a second level connection part 150 surface-mounted to a printed circuit board (PCB) 105 is formed at the bottom layer of the substrate.例文帳に追加

１つの実施形態において、プリント回路基板（ＰＣＢ）１０５への表面実装のための第２のレベルの相互接続１５０が基板の底部層に設けられる。 - 特許庁

In a second process, trimming treatment narrowing down the pattern width of the mask layer 212 is carried out in parallel, not only etching an anti-reflection coating 210 longitudinally.例文帳に追加

第２工程では，反射防止膜２１０を縦方向にエッチングするだけでなく，マスク層２１２のパターン幅を狭めるトリミング処理も並列実施する。 - 特許庁

A first ceramic sheet 11 and a second ceramic sheet 12 are adhered by an adhesive layer 13, and a hollow portion 10 is formed between the sheets 11 and 12.例文帳に追加

第１のセラミックシート１１と第２のセラミックシート１２とが接着層１３により接着され，両者間には中空部１０が形成されてなる。 - 特許庁

On an oxide film 20, a doped polysilicon layer 21 is formed in such a thickness as to leave a space 22 in a first trench 6, and fill a second trench 7.例文帳に追加

酸化膜２０上に、第１トレンチ６内に空間２２が残り、かつ、第２トレンチ７を埋め尽くすような厚さのドープドポリシリコン層２１が形成される。 - 特許庁

The restriction body 16 is arranged facing the second half region Z more on the rear side than the tape winding bodies 2 in a tape winding layer R wound around the tape winding bodies 2.例文帳に追加

規制体１６は、テープ巻回体２に巻装されたテープ巻層Ｒのうち、テープ巻回体２より後側の後半領域Ｚに臨んで配置する。 - 特許庁

The wiring lines 105, 106 are electrically insulated by a second insulating layers 102, 104 against the conductive layer 103 and the semiconductor substrate 101.例文帳に追加

配線１０５,１０６は、第２の絶縁層１０２,１０４により導電体層１０３と半導体基板１０１とに対して電気的に絶縁される。 - 特許庁

Further, a second light absorption layer 30 comprising an Au thin film 31 and an Au-Si eutectic section 32 is formed also on the back of the silicon substrate 11.例文帳に追加

また、シリコン基板１１の裏面にも、同様にＡｕ薄膜３１とＡｕ−Ｓｉ共晶部３２をからなる第２光吸収層３０を形成する。 - 特許庁

Refractive index of the third dielectric film 21 is higher than that of the second dielectric film 83 and atmospheric pressure of the hollow layer 9 is 0.5 atm or below.例文帳に追加

第２の誘電膜８３の屈折率よりも、第３の誘電膜２１の屈折率の方が高く、中空層９の気圧は０．５気圧以下である。 - 特許庁

Thin film transistors TFT and a color filter CF are formed on the respective second etching stopper layers HFFS2, and a liquid crystal layer LC is sealed between the substrates.例文帳に追加

第二のエッチングストッパ層ＨＦＦＳ２の上に、それぞれ薄膜トランジスタＴＦＴ、カラーフィルタＣＦを形成し、両基板の間に液晶層ＬＣを封入する。 - 特許庁

A lower face of the second semiconductor chip 430 is made to be a plasma processing face and the first semiconductor chip 410 is attached to the adhesion layer 510 covering this face.例文帳に追加

第二の半導体チップ４３０の下面はプラズマ処理面とし、この面を覆う接着層５１０に第一の半導体チップ４１０を接着する。 - 特許庁