「second layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(279ページ目) - Weblio英語例文検索

A first coating resin layer 3 is formed on a substrate 1 through a separation layer 2, a liquid channel pattern 4b including a liquid pressurization chamber is formed thereon with a fusible resin, and a second coating resin layer 6 becoming a liquid channel wall and a diaphragm is formed on the pattern 4b.例文帳に追加

基板１上に分離層２を介して第１の被覆樹脂層３を形成し、その上に溶解可能な樹脂にて液加圧室を含む液流路のパターン４ｂを形成し、そのパターン４ｂ上に液流路壁と振動板となる第２の被覆樹脂層６を形成する。 - 特許庁

A conductive resin layer 65 is exposed in the second section Y2, but an opening edge 65b that is an end part of the conductive resin layer 65 adheres tightly with the insulating layer 64 since not located within the bent part K and positioned in a substantially linear section, to maintain the state therein.例文帳に追加

第２区間Ｙ２では、導電性樹脂層６５が露出しているが、導電性樹脂層６５の端部である開口縁６５ｂは、屈曲部Ｋにかかっておらず略直線状の区間に位置しているため絶縁層６４と密着し、その状態が維持される。 - 特許庁

The solid medicinal composition comprises (a) a core comprising candesartan cilexetil, a low-melting oil-and-fat substance and a sugar alcohol, (b) a first layer comprising a high-molecular weight polymer and covering the core, and (c) a second layer comprising pioglitazone hydrochloride and covering the first layer.例文帳に追加

（ａ）カンデサルタンシレキセチルと低融点油脂状物質と糖アルコールとを含有する核と、（ｂ）高分子量重合体を含有し、当該核を被覆する第一の層と、（ｃ）塩酸ピオグリタゾンを含有し、当該第一の層を被覆する第二の層とを含有してなる固形医薬組成物。 - 特許庁

The surface emitting laser has a photonic crystal layer 130 on a substrate 105 via an active layer, wherein the photonic crystal layer has a first periodic structure that resonates at least in the direction of plane and a second periodic structure that modulates the intensity distribution of light in the direction of plane.例文帳に追加

基板１０５上に活性層を介してフォトニック結晶層１３０を有する面発光レーザであって、前記フォトニック結晶層は、少なくとも面内方向に共振させる第１の周期構造と、面内方向の光の強度分布を変調させる第２の周期構造とを有する。 - 特許庁

In this cylinder block, the metal coating 7 formed on the inner peripheral surface of the cylinder 3 comprises a first thermal spraying layer 71 formed on the cylinder inner peripheral surface 3R by thermal spraying and a second thermal spraying layer 72 formed on the first thermal spraying layer inner peripheral surface 71R by thermal spraying.例文帳に追加

このシリンダブロックでは、シリンダ３の内周面に形成された金属の皮膜７を、溶射を通じてシリンダ内周面３Ｒに形成された第１溶射層７１と、溶射を通じて第１溶射層内周面７１Ｒに形成された第２溶射層７２とから構成した。 - 特許庁

A pedestal 3 of a multilayer structure comprises a first layer 31 which is, having a thermal expansion factor equal to a sensor chip 1, jointed to the sensor chip 1, and a second layer 32 which has a thermal expansion factor equal to the sensor chip 1 while having an elastic factor higher than the first layer 31.例文帳に追加

台座３を、センサチップ１と同等の熱膨張係数を有しセンサチップ１が接合される第１層３１と、センサチップ１と同等の熱膨張係数を有しかつ第１層３１よりも高い弾性係数を有する第２層３２とを含む多層構造にする。 - 特許庁

A waveguide 107 comprises: a first conductor layer 103 and a second conductor layer 104 formed of a negative permittivity medium having a permittivity whose real part is negative relative to electromagnetic waves of a waveguide mode; and a core layer 102 including a semiconductor part 101 arranged between the two conductor layers so as to contact the two conductor layers.例文帳に追加

導波路１０７は、導波モードの電磁波に対する誘電率実部が負の負誘電率媒質の第一の導体層１０３と第二の導体層１０４と、２つの導体層に接し且つ２つの導体層の間に配置され半導体部１０１を含むコア層１０２を有する。 - 特許庁

The titanium-based film forming method comprises a step (a) of forming a titanium-containing first conductive layer 107 on a nickel-containing silicide region 105 by using TiCl_4, and a step (b) of forming a nitrogen/titanium-containing second conductive layer 109 on the first conductive layer 107.例文帳に追加

チタン系膜を形成する方法は、（ａ）ＴｉＣｌ_４を用いて、ニッケルを含むシリサイド領域１０５上に、チタンを含む第１の導電層１０７を形成する工程と、（ｂ）窒素およびチタンを含む第２の導電層１０９を第１の導電層１０７上に形成する工程とを備える。 - 特許庁

The flexible printed board 50 comprises a first layer 50a having a wiring pattern 50c formed, and a second layer 50b which is laminated and disposed on the first layer 50a and has a ground portion 50d electrically connected to a reference potential (circuit board 70).例文帳に追加

フレキシブルプリント基板５０は、配線パターン５０ｃが形成されてなる第１の層５０ａと、第１の層５０ａに積層配設されると共に、基準電位（回路基板７０）と電気的に接続されるグランド部５０ｄが形成されてなる第２の層５０ｂと、から構成される。 - 特許庁

The In-containing intermediate layer is provided at least either between the first semiconductor layer and the light-emitting part or between the second semiconductor layer and the light-emitting part, contains a nitride semiconductor containing In having a different composition ratio from the z1, and has a thickness of 10 nm or more and 1000 nm or less.例文帳に追加

Ｉｎ含有中間層は、第１半導体層と発光部との間、及び、第２半導体層と発光部との間の少なくともいずれかに設けられ、上記ｚ１とは異なる組成比でＩｎを含む窒化物半導体を含み、１０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下の厚さを有する。 - 特許庁

With regard to the noise components, signal line noise and IC noise are reduced by employing a multilayer structure of a first insulation layer, a semiconductor layer, and a second insulation layer at the intersection of a signal line and a switch TFT drive line, thereby reducing parasitic capacitance at the intersection of wiring.例文帳に追加

ノイズ成分においては、信号線とスイッチＴＦＴ駆動配線との配線交差部を第１の絶縁層、半導体層、第２の絶縁層の積層構造とすることにより、配線交差部で形成される寄生容量を低減し、信号線ノイズ、ＩＣICノイズを低減する。 - 特許庁

In a pneumatic tire 1, belt cover layers 81-83 comprise a center cover layer 81 arranged in the center region of a tread, a first shoulder cover layer 82 arranged in one side shoulder region of the tread, and a second shoulder cover layer 83 arranged in the other side shoulder region of the tread.例文帳に追加

この空気入りタイヤ１では、ベルトカバー層８１〜８３が、トレッド部センター領域に配置されるセンターカバー層８１と、一方のトレッド部ショルダー領域に配置される第一ショルダーカバー層８２と、他方のトレッド部ショルダー領域に配置される第二ショルダーカバー層８３とを有する。 - 特許庁

A resin of a first layer 5 is laminated by melt extruding on a surface of a liquid absorption layer 3 formed of a nonwoven fabric or the like, then a resin of a second layer 6 is laminated by melt extruding to form a synthetic resin film 4, and apertures 7 are formed on the film 4.例文帳に追加

不織布などで形成された液吸収層３の表面に第１層５の樹脂を溶融押出しでラミネートし、その後に第２層６の樹脂を溶融押出しでラミネートして合成樹脂フィルム４を形成し、この合成樹脂フィルム４に開孔７を形成する。 - 特許庁

Non-conductive particles 1a are interposed between the dielectric layer 12 and the electrolyte layer 13 in the solid electrolytic capacitor, a second electrolyte layer 13 which is composed of electroconductive polymer 13b comprising graphite particles 14b and the non-conductive particles 1a are formed.例文帳に追加

固体電解コンデンサにおいて、誘電体層１２と電解質層１３との間に非導電性の粒子１ａを介在せしめたのち、さらにグラファイト粒子１４ｂ及び非導電性粒子１ａを備えた導電性高分子１３ｂからなる第２の電解質層１３を形成した。 - 特許庁

In an area different from that for the first phosphor layer, the second phosphor layer made by a phosphor material different from that for the first phosphor layer is provided, and displays the icon 42 by means of its light emission in the icon display area 11b and in a color different from that for the main picture 41.例文帳に追加

また、第１の蛍光体層とは異なる領域に、第１の蛍光体層とは異なる他の蛍光体で形成された第２の蛍光体層を設け、その第２の蛍光体層の発光により、アイコン表示エリア１１ｂに、主映像４１とは異なる色でアイコン４２の表示を行う。 - 特許庁

A step is formed between a first region in which the pad 42 of the IC E2 is formed, and a second region in which the first metal layer 19 for electrical connection and the first metal layer 18 for sealing are formed in a protective insulating layer 40 on the sensor substrate 1.例文帳に追加

センサ基板１は、保護絶縁層４０においてＩＣ部Ｅ２のパッド４２が形成された第１の領域と第１の電気接続用金属層１９および第１の封止用金属層１８が形成された第２の領域との間に段差が形成されている。 - 特許庁

In this constitution, projection portions 15a and 19a of the first hardly soluble layer 15 and the second hardly soluble layer 19 block a course of vapor-deposited metal particles in a metal film forming stage to prevent a metal film from deposition on a side wall portion 13s of the first resist layer 13.例文帳に追加

このような構成によれば、金属膜形成工程において、第１の難溶化層１５及び第２の難溶化層１９の突出部１５ａ，１９ａが、蒸着金属粒子の進路を遮り、第１のレジスト層１３の側壁部１３ｓへの金属膜の付着を防ぐことができる。 - 特許庁

This card has a first image on at least one side, is provided with the ink absorbing layer and a coating layer in a position overlapping part of the first image in this order from the side of the sheet substrate and is characterised by having a second image on at least a part of the ink absorbing layer.例文帳に追加

少なくとも一方の面に第１の画像を有するシート基材を有し、該第１の画像の少なくとも一部に重なる位置に、インク受容層と被覆層とを該シート基材側からこの順に有し、該インク受容層の少なくとも一部に第２の画像を有することを特徴とするカード。 - 特許庁

The product of the refractive index (n) and the layer thickness(d) of the second dielectric layer 16 satisfies (nd)>130 nm so that the reflectance Ra of the amorphous phase region and the reflectance Rc in the crystal phase region in the recording layer 14 always have the relation of Ra>Rc.例文帳に追加

ここでは、第２誘電体層１６の屈折率ｎとその層厚ｄとの積ｎｄが ｎｄ＞１３０ｎｍ を満足するため、記録層１４のアモルファス相領域の反射率Ｒａと結晶相領域の反射率Ｒｃとの間には、 Ｒａ＞Ｒｃ が常に成立している。 - 特許庁

The insulating resin film 26 has a first adhesive layer 26a formed by mixing a filler F in the adhesive E, and a second adhesive layer 26b provided on the upper and lower surfaces of the first adhesive layer 26a and substantially comprising only an adhesive.例文帳に追加

絶縁性樹脂膜２６は、接着剤ＥにフィラーＦを混入して形成された第１の接着剤層２６ａと、第１の接着剤層２６ａの上面および下面の上に設けられた、実質的に接着剤のみからなる第２の接着剤層２６ｂとを有している。 - 特許庁

On a semiconductor substrate 100 where a memory cell transistor and an impurity diffusion layer 111 are formed, a first inter-layer insulation film 112 provided with a first plug 113 connected to the memory cell transistor and a second plug 114 connected to the impurity diffusion layer 111 is formed.例文帳に追加

メモリセルトランジスタと不純物拡散層１１１とが形成された半導体基板１００の上に、メモリセルトランジスタと接続する第１のプラグ１１３及び不純物拡散層１１１と接続する第２のプラグ１１４を有する第１の層間絶縁膜１１２を形成する。 - 特許庁

Accordingly, the layer similar to the SiC film formed on the surface of the SiN film 8 can be removed in the etching process of the second BPSG film 9 as the upper layer and the SiN film 8 and the first BPSG film 7 as the lower layer thereof can be etched without any residue.例文帳に追加

これにより、上層の第２のＢＰＳＧ膜９のエッチング工程でＳｉＮ膜８の表面部に形成されたＳｉＣ膜類似層を除去することが可能になり、ＳｉＮ膜８およびその下層の第１のＢＰＳＧ膜７を残渣なくエッチングすることが可能になった。 - 特許庁

Between a memory controller circuit 11 mounted on a first circuit board layer 12 and a memory element 31 mounted on a third circuit board layer 32 for example, an input changeover circuit 21 mounted on a second circuit board layer 22 is arranged as an interface for the memory element 31.例文帳に追加

たとえば、１層目の回路基板層１２上に搭載されたメモリコントローラ回路１１と、３層目の回路基板層３２上に搭載されたメモリ素子３１との間に、上記メモリ素子３１のインターフェイスとして、２層目の回路基板層２２上に搭載された入力切り替え回路２１を配置する。 - 特許庁

A first upper shield gap film 21 is provided between one face (upper face) of the MR element 5 and one face of the mask layer 22 for etching, and a second upper shield gap film 23 is provided between the other face of the mask layer 22 for etching and the upper shield layer 9.例文帳に追加

ＭＲ素子５の一方の面（上面）とエッチング用マスク層２２の一方の面との間には、第１の上部シールドギャップ膜２１が設けられ、エッチング用マスク層２２の他方の面と上部シールド層９との間には、第２の上部シールドギャップ膜２３が設けられている。 - 特許庁

Each reflection type optical modulation element 16 has a bias bus 18 and yoke address electrodes 20 and 22 as a first metallic layer, has a torsion hinge 24, hinge supporting parts 26 and 28, a yoke 30, and mirror address electrodes 32 and 34 as a second metallic layer, and has a mirror 36 as a third metallic layer.例文帳に追加

各反射型光変調素子１６は、第１金属層としてバイアス・バス１８およびヨークアドレス電極２０，２２を有し、第２金属層としてねじれヒンジ２４、ヒンジ支持部２６，２８、ヨーク３０およびミラーアドレス電極３２，３４を有し、第３金属層としてミラー３６を有している。 - 特許庁

A first layer consisting of Ag or an Ag alloy, a second layer with Ni, Co, or their alloy as a main component with a thickness of 0.001 to 0.20 μm, and a surface layer with Pd or a Pd alloy as a main component with a thickness of 0.001 to 0.4 μm are laminated in that order on a conductive substrate.例文帳に追加

導電性基体上に、ＡｇまたはＡｇ合金よりなる第１層、Ｎｉ，Ｃｏまたはこれらの合金を主体とし、厚さが０．００１〜０．２０μｍの第２層、ならびに、ＰｄまたはＰｄ合金を主体とし、厚さが０．００１〜０．４μｍの表面層がこの順に積層されたもの。 - 特許庁

The upper surface of the most upper layer of this layered product is processed in irregular surface S in partial or whole area, and a p-side electrode P102 is formed for filling hole into the p-type nitride semiconductor layer 104 in the second n-type nitride semiconductor layer 105.例文帳に追加

前記積層体の最上層の上面は一部または全部が凹凸面Ｓとされており、かつ、前記第２のｎ型窒化物半導体層１０５には、前記ｐ型窒化物半導体層１０４へ正孔を注入するためのｐ側電極Ｐ１０２が形成されている。 - 特許庁

An electric wire compound printed wiring board 1 includes: electric wire parts 30 juxtaposed with a first wiring board 10; a second insulating base material 21 laminated on the first wiring board 10; and a second wiring board 20 having a second conductor layer pattern 22p connected to the electric wire parts 30.例文帳に追加

電線複合プリント配線基板１は、第１配線基板１０に並置された電線部品３０と、第１配線基板１０に積層された第２絶縁基材２１、および電線部品３０に接続された第２導体層パターン２２ｐを有する第２配線基板２０とを備える。 - 特許庁

A second liquid droplet ejecting device ejects second liquid droplets D2 toward a plurality of second lattice points K2 regulated between the first lattice points adjacent to each other in the direction Y to laminate an alignment layer whose film thickness in regions on the streak parts A1 is made to be relatively thin on the transparent electrode.例文帳に追加

そして、第二液滴吐出装置が、Ｙ方向に隣接する第一格子点の間に規定された複数の第二格子点Ｋ２に向けて第二液滴Ｄ２を吐出させ、スジ部Ａ１上の領域の膜厚を相対的に薄くした配向膜を前記透明電極に積層する。 - 特許庁

The first sheet 10 and the second sheet 20 are laminated by a vacuum heating press, and the second sheet 20 is approximately tightly stuck, inserted and arranged into the recessed parts 13 so that the colored layer 22 of the second sheet 20 can appear in relief as viewed from the first sheet 10 side.例文帳に追加

上記第１シート１０と上記第２シート２０とを真空加熱プレスにて貼り合わせ、この第１シート１０側から見て上記第２シート２０における着色層２２が浮き上がって見えるように上記凹所１３内に上記第２シート２０が略密着して凸入配置されている。 - 特許庁

A semiconductor substrate 3, where a lower electrode 4 and a dielectric layer 5 of the capacitor are formed, first gate insulating films 12 (23) of a first transistor are formed, and a second gate insulating film 14 and a second gate electrode 13 of a second transistor are formed, is prepared.例文帳に追加

まず、キャパシタの下部電極４および誘電体層５が形成され、第１のトランジスタの第１のゲート絶縁膜１２（２３）が形成され、第２のトランジスタの第２のゲート絶縁膜１４および第２のゲート電極１３が形成された半導体基板３を用意する。 - 特許庁

In this manufacturing method of a semiconductor device, another silicon oxide film 14 is formed on a second transistor 12, and a silicon oxide film 18 of a predetermined thickness is formed on the second transistor 12 in a prior stage of a process of forming a stress imparting layer 16 covering a first transistors 11, the second transistor 12 and a gate structure 13.例文帳に追加

第一のトランジスタ１１、第二のトランジスタ１２、ゲート構造１３を被覆する応力付与層１６を設ける工程の前段で、第二のトランジスタ１２上に他のシリコン酸化膜１４を形成し第二のトランジスタ１２上に所定の厚みのシリコン酸化膜１８を形成する。 - 特許庁

When a first surface material 12 is thermally fused on a second surface material 20, the molten first surface material 12 enters the second surface material 20, and the first surface material 12 and the upper half of the second surface material 20 are integrally solidified to form a first layer part 21.例文帳に追加

第２表面材２０に第１表面材１２を熱融着すると、第２表面材２０に、溶融した第１表面材１２が入り込んでいき、第１表面材１２と第２表面材２０の上半部とが一体に固化してなる第１層部２１が形成される。 - 特許庁

The attenuator section 3 is constituted, by forming a second optical waveguide 8 so as to be connected in series to the first optical waveguide 5 within the substrate 4 and forming a second signal electrode 9 and a second grounding electrode 10, without having to form a buffer layer.例文帳に追加

また、基板４内に第１の光導波路５と直列に接続されるように第２の光導波路８を形成し、バッファ層を形成することなく第２の信号電極９及び第２の接地電極１０を形成することによって、アッテネータ部３を構成する。 - 特許庁

The liquid crystal element has a first substrate and a second substrate arranged in opposition, a liquid crystal layer arranged between these first substrate and second substrate, and an electrode for applying voltage selectively on at least a part of the region pinched by the first substrate and the second substrate.例文帳に追加

液晶素子は、対向配置された第１基板及び第２基板と、これらの第１基板と第２基板の間に配置された液晶層と、第１基板と第２基板に挟まれた領域の少なくとも一部に対して選択的に電圧を印加するための電極を有する。 - 特許庁

The manufacturing method for the optical integrated circuit further includes a step of applying second photoresist on the optical waveguide layer and the first mask, removing the second photoresist from a position corresponding to the end face to the position corresponding to the upper end of the slant face and forming a second mask.例文帳に追加

光集積回路の製造方法はさらに、光導波路層及び第１のマスク上に第２のフォトレジストを塗布し、端面に対応する位置から斜面の上端に対応する位置までの第２のフォトレジストを除去して第２のマスクを形成するステップを含んでいる。 - 特許庁

The peripheral transistor is provided with a lower electrode 17 formed on a second channel region between third and fourth diffusion layer through second gate insulating films 16A and 16B, and upper electrodes 3 and 19 formed on the lower electrode 17 through a second inter-electrode dielectric 18.例文帳に追加

周辺トランジスタは、第３及び第４拡散層間の第２チャネル領域上に第２ゲート絶縁膜１６Ａ，１６Ｂを介して形成される下部電極１７と、下部電極１７上に第２電極間絶縁膜１８を介して形成される上部電極３，１９とを有する。 - 特許庁

In the second plane data generating step, second plane data is generated in a way that the pseudo layer group is regularly disposed on the other plane and the respective pseudo layers on the second plane data overlap with the respective pseudo layers on the first plane data when overlapped with the first plane data.例文帳に追加

第２平面データ生成工程は、擬似レイヤ群が他の一つの平面上に規則的に配置された第２平面データであり、第１平面データと重ね合わせたときに第２平面データ上の各擬似レイヤが第１平面データ上の各擬似レイヤと重なる第２平面データを生成する。 - 特許庁

The solution having been streamed through the first net space 34 is heated and streamed through a second net space 35 by interposing a second interposing layer 32 of a net structure having the second net space 35 between a distillation membrane 22 and an outside wall 12 or between the distillation membranes 22, 22.例文帳に追加

蒸留膜２２と外壁１２との間又は蒸留膜２２，２２どうしの間に、第２網目空間３５を有する網構造の第２介在層３２を介在させ、上記第１網目空間３４を通過後の溶液を高温にして第２網目空間３５に通す。 - 特許庁

The liquid crystal display device comprises a first substrate having a first electrode on one surface, a second substrate having a second electrode on one surface and a liquid crystal layer which is provided between the first substrate and the second substrate and is controlled to a substantially vertical orientation having a pretilt angle that is smaller than 90°.例文帳に追加

液晶表示装置は、一面上に第１電極を有する第１基板と、一面上に第２電極を有する第２基板と、第１基板と第２基板の間に設けられ、９０°より小さいプレティルト角を有する略垂直配向に制御された液晶層を備える。 - 特許庁

A culture tray receiving a culture medium layer (3) having the first end surface facing the first chamber (27) and the second end surface facing the second chamber (28) on the side opposite to the first end surface is used to form a higher pressure in the first chamber than a pressure in the second chamber.例文帳に追加

第１チャンバー（２７）に面する第１端面と、第２チャンバー（２８）に面する、第１端面とは反対側の第２端面を有する培養基層（３）を収容した培養トレーを使用し、第１チャンバー内に第２チャンバー内の圧力より高い圧力を創出する工程を含む。 - 特許庁

Using a second substrate 100, the polycrystalline silicon TFT being an active element of a driving circuits 14 and 16 and a layer 140 to be transferred including a second electrode wiring group connected to the polycrystalline silicon TFT are formed and a part to be a terminal is exposed to form a second electrode exposure part 141.例文帳に追加

第２の基板１００を用いて、駆動回路１４，１６の能動素子である多結晶シリコンＴＦＴと、それに接続された第２の電極配線群を含む被転写層１４０を形成し、端子となる部分を露出させて第２の電極露出部１４１とする。 - 特許庁

Each of the plurality of second external terminals 8B includes first and second through holes 7 passing from the one surface side to the other surface side of the package substrate 1, and a metal layer 8B arranged between the first and second through holes 7 on the one surface side of the package substrate 1.例文帳に追加

複数の第二の外部端子８Ｂの各々は、パッケージ基板１の一面側から他面側に貫通する第一及び第二のスルーホール７と、パッケージ基板１の一面側の第一及び第二のスルーホール７の間に配置される金属層８Ｂとから構成される。 - 特許庁

The package of this invention includes a plurality of first signal terminals arranged on a first region of one surface and a plurality of second signal terminals on a second region of the same surface wherein a space of the second signal terminal is layer at least in one direction than that of the first signal terminal.例文帳に追加

本発明のパッケージは、一面の第１領域に配置される複数個の第１信号端子、及び一面の第２領域に複数個の第１信号端子が配置される間隔より少なくとも一方向に広く配置される複数個の第２信号端子、からなっている。 - 特許庁

The first and second main electrode regions 31a, 31b are formed as the additional active layer portions on first and second main electrode region forming proposed regions 27a, 27b exposed from the first and second openings by making use of a local loading effect in these openings.例文帳に追加

そして、これら開口部におけるローカルローディング効果を利用して、第１及び第２開口部から露出した第１及び第２主電極領域形成予定領域２７ａ及び２７ｂ上のみに、第１及び第２主電極領域３１ａ及び３１ｂを付加的活性層部分として形成する。 - 特許庁