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second layerの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 21457



例文

This thin film magnetic head is provided with a first and a second magnetic layers 8 and 14, a gap layer 9 provided between the first and the second magnetic layers 8 and 14 and thin film coil 10, the part of which is provided between the first, and the second magnetic layers 8 and 14.例文帳に追加

薄膜磁気ヘッドは、第1の磁性層8および第2の磁性層14と、第1の磁性層8と第2の磁性層14との間に設けられたギャップ層9と、一部が第1の磁性層8および第2の磁性層14の間に設けられた薄膜コイル10とを備えている。 - 特許庁

Next, while the first member 2, the polymer alloy, and the second member 3 are placed one upon another, the intermediate material 5 is heated by being irradiated with laser beam, the first resin in the polymer alloy and the resin of the primer layer 4 are fused together, and the second resin in the polymer alloy and the second member 3 are fused together.例文帳に追加

次いで、第1部材2、ポリマーアロイ及び第2部材3を重ねた状態で、レーザー光を照射して中間材5を加熱し、ポリマーアロイ中の第1樹脂とプライマー層4の樹脂とを融着するとともに、ポリマーアロイ中の第2樹脂と第2部材3とを融着する。 - 特許庁

With a second oxide film 3 coated with a second photoresist layer 31, a first oxide film 2 is etched with a first gate electrode 7 along with an oxide film mask 30A as a mask, so that the thin second oxide film 3 is over-etched to prevent a semiconductor substrate 1 from being exposed.例文帳に追加

第2の酸化膜3を第2のフォトレジスト層31で被覆した状態で第1のゲート電極7とその上の酸化膜マスク30Aをマスクにして第1の酸化膜2をエッチングしているので、薄い第2の酸化膜3がオーバー・エッチングされて半導体基板1が露出することが防止される。 - 特許庁

The IDT electrode includes: a first IDT electrode formed in a comb structure on the second piezoelectric layer; and a second IDT electrode formed in a comb structure meshing with the first IDT electrode, and the first and second piezoelectric layers can be formed of an identical material.例文帳に追加

IDT電極が、第2圧電層上に位置し、コーム構造で製造された第1IDT電極と、第1IDT電極と噛み合ったコーム構造で製造された第2IDT電極とを含むことができ、第1圧電層および第2圧電層が同一物質で製造されることができる。 - 特許庁

例文

Subsequently, impurities are implanted in the semiconductor layer 2 using a gate electrode 9 formed by providing second conductive parts 8 on the opposite sides of the gate electrodes 4 and 5 of second shape as an impurity implantation mask thus forming an overlap region 6 beneath the second conductive part 8.例文帳に追加

その後、上記第2の形状のゲート電極4,5の両側部に第2の導電部8を設けることにより形成したゲート電極9を不純物注入マスクとし、半導体層2に対して不純物を注入して、上記第2の導電部8の下方にオーバーラップ領域6を形成する。 - 特許庁


例文

The thin-film magnetic head is provided with first and second magnetic layers 8 and 14, a gap layer 9 disposed between the first and second magnetic layers 8 and 14, and a thin-film coil 10 partially disposed between the first and second magnetic layers 8 and 14.例文帳に追加

薄膜磁気ヘッドは、第1の磁性層8および第2の磁性層14と、第1の磁性層8と第2の磁性層14との間に設けられたギャップ層9と、一部が第1の磁性層8および第2の磁性層14の間に設けられた薄膜コイル10とを備えている。 - 特許庁

The thin film magnetic head is provided with first and second magnetic layers 8 and 14, a gap layer 9 formed between the first and second magnetic layers 8 and 14, and a thin film coil 10 partially installed between the first and second magnetic layers 8 and 14.例文帳に追加

薄膜磁気ヘッドは、第1の磁性層8および第2の磁性層14と、第1の磁性層8と第2の磁性層14との間に設けられたギャップ層9と、一部が第1の磁性層8および第2の磁性層14の間に設けられた薄膜コイル10とを備えている。 - 特許庁

The liquid crystal display is equipped with a first substrate, a second substrate, a liquid crystal layer sandwiched between the first substrate and second substrate, and a plurality of pixel parts 7 which include reflection areas R3 and transmission ares R2 and are provided in a matrix in a first direction d1 and a second direction d2.例文帳に追加

液晶表示装置は、第1基板と、第2基板と、第1基板および第2基板間に狭持された液晶層と、反射領域R3および透過領域R2を含み、第1方向d1および第2方向d2にマトリクス状に設けられた複数の画素部7と、を備えている。 - 特許庁

A blade reinforcing plate 130 has a second pinching surface 131A, that is opposed to the first pinching surface 121A and is in contact with the layer thickness regulating blade 110, and a second fixing surface 132A that extends in a direction different from the second pinching surface 131A and is opposed to the first fixing surface 122A.例文帳に追加

ブレード補強板130は、第1挟持面121Aと対向し、層厚規制ブレード110と接触する第2挟持面131Aと、第2挟持面131Aとは異なる方向に延び、第1固定面122Aと対向する第2固定面132Aとを有する。 - 特許庁

例文

The semiconductor chip is equipped with a semiconductor substrate 10, a through electrode 40 which is provided through a first surface 20 and a second surface 38 of the semiconductor substrate 10 and equipped with a projection 42 protruding from the second surface 38, and an insulating layer 50 formed so as to cover all over the second surface 38.例文帳に追加

半導体チップは、半導体基板10と、半導体基板10の第1及び第2の面20,38を貫通し第2の面38からの突出部42を有する貫通電極40と、第2の面38の全面に形成されてなる絶縁層50と、を有する。 - 特許庁

例文

The method includes steps of: simultaneously forming a spacer and a liquid crystal layer on one of first substrate and second substrate; applying a sealant to a periphery of one of the first substrate and the second substrate; and bonding the first substrate and the second substrate.例文帳に追加

第1基板と第2基板の何れかの基板上にスペーサーと液晶を同時に形成する段階、第1基板と第2基板の何れかの基板上の周縁にシール材を形成する段階、および前記第1基板及び第2基板を貼り合わせる段階を備えることを特徴とする。 - 特許庁

Furthermore, a second laminated insulation film 8 of which etching rate is smaller than that of first laminated insulation film 7 is formed, and the first and second laminated insulation films 7 and 8 are etched at the same time under the same condition, so as to form a pattern groove 9 for a second wiring layer 10.例文帳に追加

さらに、第1および第1の積層絶縁膜7よりもエッチングレートが小さい第2の積層絶縁膜8を形成し、第1および第2の積層絶縁膜7、8を同じ条件で一度にエッチングし、第2の配線層10用のパターン溝9を形成する。 - 特許庁

A liquid crystal display device is a multi-domain vertical alignment liquid crystal display device, and comprises a first substrate, a second substrate, a liquid crystal layer lying between the first and second substrates, and an adjustment structure formed at least at one of the first and second substrates.例文帳に追加

液晶表示装置は、マルチドメイン垂直配向方式の液晶表示装置であって、第1基板と、第2基板と、第1基板と第2基板との間に介在している液晶層と、第1基板と第2基板の少なくとも一方に形成されている調整構造を備えている。 - 特許庁

A bonded semiconductor substrate comprises a first substrate 11, a second substrate 12, and an interposing layer 13 formed between the first and the second substrate and is formed of a material having a higher etching speed than those of the first and the second substrate and part of which is eliminated.例文帳に追加

第1の基板11と、第2の基板12と、第1の基板と第2の基板を接着するために第1の基板と第2の基板との間に設けられ、第1および第2の基板のエッチング速度より速い材料から構成されて一部が除去された介在層13とを備えている。 - 特許庁

After a second interlayer insulating film 35 is formed, by causing the second interlayer insulating film 35 to self-align with the bit lines 29 and the insulating spacer 33, a fourth opening 37 for exposing the surface of the second pad layer 25b' is formed, and by filling the opening 37 with a conductive material, a storage electrode 39 is formed thereon.例文帳に追加

第2層間絶縁膜35を形成した後、ビットライン29と絶縁性スペーサ33に自己整合させて、第2パッド層25b’の表面を露出させるまでの第4開口部37を形成して、これを導電性物質で埋立て、その上にストレージ電極39を形成する。 - 特許庁

Soled first and second conversion conductor layers 161 and 162 are provided between through-hole conductors 114 formed in the core insulating layer 110, and via conductors 182 and 183 on the major surface are extended from first and second bumps 187 and 188 to be connected to the first and second conductor layers.例文帳に追加

コア絶縁層110に形成したスルーホール導体114との間に、ベタ状の第1,第2変換導体層161,162を介在させ、第1,第2接続バンプ187,188から主面側ビア導体182,183をのばして第1,第2変換導体層に接続する。 - 特許庁

The electric wire composite printed wiring board comprises a first wiring board 10, the electric wire component 30 placed side by side with the first wiring board 10, and a second wiring board 20 provided with a second insulating base material 21 laminated on the first wiring board 10 and a second conductor layer pattern 22p connected to the electric wire component 30.例文帳に追加

第1配線基板10と、第1配線基板10に並置された電線部品30と、第1配線基板10に積層された第2絶縁基材21および電線部品30に接続された第2導体層パターン22pを有する第2配線基板20とを備える。 - 特許庁

A second conductive layer 13 of a ground potential is formed via a first interlayer insulating film 12 on a semiconductor substrate 11 of low resistance, such as the Si substrate and first and second conductive patterns 15 and 16 are formed via a thick (4.7 μm, for instance) second interlayer insulating film 14 on it.例文帳に追加

Si基板等の低抵抗の半導体基板11上に第1の層間絶縁膜12を介してグランド電位の第2の導電層13を形成し、その上に厚い(例えば4.7μm)第2の層間絶縁膜14を介して第1、第2の導電パターン15、16を形成する。 - 特許庁

The semiconductor light emitting element has a first lead, a second lead, a semiconductor light emitting element chip which is die-bonded onto the first lead and is wire-bonded to the second lead, and a metal body for heat radiating which is fastened to the first and second leads via an insulating adhesive layer.例文帳に追加

本発明の半導体発光素子は,第1及び第2リードと,第1リード上にダイボンディングされ,第2リードにワイヤーボンディングされた半導体発光素子チップと,絶縁性接着層を介して第1及び第2リードに固着された放熱用金属体とを有する。 - 特許庁

The liquid crystal display device of a multi-domain homeotropic allignment system is provided with: a first substrate; a second substrate; a liquid crystal layer interposed between the first substrate and the second substrate; and a regulating structure formed at least either the first substrate or the second substrate.例文帳に追加

液晶表示装置は、マルチドメイン垂直配向方式の液晶表示装置であって、第1基板と、第2基板と、第1基板と第2基板との間に介在している液晶層と、第1基板と第2基板の少なくとも一方に形成されている調整構造を備えている。 - 特許庁

An S-polarized laser beam radiated from a second laser light source 31 is focused on the second recording layer of the optical disk DK via a second collimation lens 32, a 1/2 wavelength plate 34, the polarized beam splitter 41, the non-polarized beam splitter 42, the 1/4 wavelength plate 44, the objective lens 45, etc.例文帳に追加

第2レーザ光源31から放射されたS偏光のレーザ光は、第2コリメートレンズ32、2分の1波長板34、偏光ビームスプリッタ41、非偏光ビームスプリッタ42、4分の1波長板44、対物レンズ45などを介して光ディスクDKの第2記録層に集光される。 - 特許庁

The semiconductor device has an interconnection region 100 comprising a second interconnection part 10 for evaluating electromigration test provided in a specified pattern, a contact part 12 connected electrically with the second interconnection part 10 while penetrating a second interlayer insulating layer 14, and a heat dissipating part 11.例文帳に追加

半導体装置は、所定のパターンで設けられたエレクトロマイグレーション試験評価用の第2の配線部10と、第2の層間絶縁層14を貫通し、かつ第2の配線部10と電気的に接続されたコンタクト部12と、放熱部11とを含む評価用配線領域100を有する。 - 特許庁

A heating auxiliary member 1 includes a first heating body 4 and a second heating body 5 containing a conductive material layer capable of dielectric heating under radiation of microwaves, a first support portion 2 in which the first heating body 4 is stacked, and a second support portion 3 in which the second heating body 5 is stacked.例文帳に追加

加熱補助部材1は、マイクロ波の照射による誘電加熱が可能な導電性物質層を有する第1発熱体4および第2発熱体5と、当該第1発熱体4が積層された第1支持部2と、第2発熱体5が積層された第2支持部3と、を備える。 - 特許庁

The liquid crystal display device is constituted by sandwiching a light scattering liquid crystal layer between a first substrate provided with first electrodes 11 as pixel electrodes and a second substrate 20 provided with light-transmissive second electrodes 21 across the 1st electrodes 11 and second electrodes 21.例文帳に追加

この液晶表示装置は、画素電極となる第1電極11が設けられた第1基板と、透明性の第2電極21が設けられた第2基板20との間に、第1電極11と第2電極21とを介して光散乱性の液晶層が挟持されたものである。 - 特許庁

In a printed wiring board, a plurality of laminated inner layer panels have capacitors connected in parallel by connecting a first electrode of a first panel to a first electrode of a second panel and connecting second electrodes of the first and second panels.例文帳に追加

印刷配線板において、積層された複数の内部層パネルは、第1のパネルの第1の電極を第2のパネルの第1の電極に接続すること、および、同様に、第1および第2のパネルの第2の電極を接続することによって並列に接続されるコンデンサを有する。 - 特許庁

After a first interlayer insulation film 104, an etching stopper film, a second interlayer insulation film 106 and a second silicon oxide film are deposited sequentially on a lower layer interconnection 102, openings for the contact holes in first resist pattern are transferred to the second silicon oxide film thus forming a hard mask 107A.例文帳に追加

下層配線102の上に、第1の層間絶縁膜104、エッチングストッパー膜、第2の層間絶縁膜106及び第2のシリコン酸化膜を順次堆積した後、第2のシリコン酸化膜に第1のレジストパターンの接続孔用開口部を転写してハードマスク107Aを形成する。 - 特許庁

Moreover, the second substrate 2 has data electrodes 19 which are arranged so as to face the pixel electrodes 16 across the liquid crystal layer 3 and which extend in the second direction and second light shielding parts 18c each of which shields the gap of data electrodes 19a, 19b being adjacent with each other in the first direction.例文帳に追加

第2基板2は、液晶層3を介して画素電極16と対向するように配列された第2方向に延びるデータ電極19と、第1方向に沿って互いに隣接するデータ電極19a、19bの間隙を遮光する第2遮光部18cを有する。 - 特許庁

According to the method, the anodization of the Al layer is done with the help of a first mask 20 which defines the area 21 to be anodized, and a second mask 22 which defines a second area to be anodized, the second area surrounding the first area.例文帳に追加

本発明の方法に従って、Al層の陽極酸化は、陽極酸化される領域21を規定する第1マスク20、及び陽極酸化される第2領域を規定する第2マスク22であって、前記第2領域は第1領域を包囲するようなマスクの補助がある状態で行う。 - 特許庁

The difference (n1 L1-n2 L2) of the product of first and second effective refractive indexes n1, n2 in each of first and second light emitting parts and first and second resonator lengths L1, L2 is made larger than 0.065mm corresponding to thickness difference or the like of each protection layer of a DVD and a CD.例文帳に追加

DVDとCDそれぞれの保護層の厚さの相違等に対応して、第1、第2の発光部それぞれでの第1、第2の実効屈折率n1,n2と第1、第2の共振器長L1,L2の積の差(n1・L1−n2・L2)を0.065mmより大きくしている。 - 特許庁

The optical guide G has a semiconductor lower guide layer 11 having an undoped first lower portion 11a adjoining the central area and an n-type doped second lower portion 11b adjoining the lower coating layer 1, and an upper semiconductor guide layer 12 having an undoped first upper portion 12a adjoining the central area and a p-type doped second upper portion 12b adjoining the upper coating layer 2.例文帳に追加

光学ガイドGはさらに、中央領域に隣接するドープされていない第1の下方部分11aと、下方被覆層に隣接するn型のドープされた第2の下方部分11bとを有する半導体下方ガイド層11と、中央領域に隣接するドープされていない第1の上方部分12aと、上方被覆層に隣接するp型のドープされた第2の上方部分12bとを有する半導体上方ガイド層12とを有する。 - 特許庁

In the printing medium for aqueous inks including a base material and an ink receiving layer provided on one surface of the base material, the ink receiving layer consists of a first resin with hydrophilic property and a second resin with hydrophobic property and thermal adhesiveness and has a microphase separation structure formed by the first resin and the second resin on at least the surface of the ink receiving layer which does not face the base layer.例文帳に追加

基材と、該基材の一面上に設けられたインク受容層とを備える水性インク用印刷媒体であって、インク受容層は、親水性を有する第一の樹脂と疎水性及び感熱接着性を有する第二の樹脂とを含む樹脂組成物から構成されており、少なくとも基材に面していないインク受容層の面において第一の樹脂と第二の樹脂とから形成されたミクロ相分離構造を有する、水性インク用印刷媒体。 - 特許庁

The article includes: a retardation layer 104 including a liquid material or its polymer or bridge element, and an immobilized mesogen; first and second polarizers facing each other through the retardation layer 104; and a mechanism for moving one of the retardation layer 104 and the first and second polarizers in the direction perpendicular to a normal of a main surface of the retardation layer 104.例文帳に追加

本発明によると、液晶物質又はその重合体若しくは架橋体を含み且つメソゲンが固定化された位相差層104と、前記位相差層104を間に挟んで対向した第1及び第2偏光子と、前記位相差層104、前記第1偏光子及び前記第2偏光子の少なくとも1つを前記位相差層104の主面の法線と交差する方向に移動可能とする機構とを具備したことを特徴とする物品が提供される。 - 特許庁

A method of manufacturing a semiconductor device comprises the steps of: forming patterns MK having a step with respect to a primary surface of a semiconductor substrate SUB, on the primary surface; forming a first semiconductor layer PS1 containing a semiconductor material above the patterns MK; forming a second semiconductor layer PS2 containing a semiconductor material above the first semiconductor layer PS1; and forming resist patterns RS above the second semiconductor layer PS2.例文帳に追加

半導体基板SUBの主表面上に、主表面に対して段差を有するパターンMKが形成される工程と、パターンMK上に、半導体材料を含む第1の半導体層PS1が形成される工程と、第1の半導体層PS1上に、半導体材料を含む第2の半導体層PS2が形成される工程と、第2の半導体層PS2上にレジストパターンRSが形成される工程とを備えている。 - 特許庁

The electron emission display comprises a first substrate and a second substrate arranged opposing to each other, the fluorescent layer formed on one of the first and second substrates, electron emission sections each formed in every unit region on the other one of the first and second substrates corresponding to the fluorescent layer, and a plurality of spacers arranged between the unit regions and keeping an interval between the first and second substrates.例文帳に追加

開示された電子放出ディスプレイは、互いに対向配置される第1基板及び第2基板と、第1基板及び第2基板のうちのいずれか一基板に形成される蛍光層と、第1基板及び第2基板のうちの他の一基板に蛍光層に対応して単位領域ごとに形成される電子放出部と、単位領域の間に配置されて、第1基板及び第2基板の間隔を維持する複数のスペーサとを含む。 - 特許庁

By heating and pressurizing the adhesive placed between the mutually facing first electrode 12 and second electrode 22 and between the mutually facing first electrode 13 and second electrode 23, an adhesive layer 30a is formed between the first board 11 and the second board 21, and in the adhesive layer 30a, a cavity portion 33 is formed between the first electrodes 12, 13 and between the second electrodes 22, 23.例文帳に追加

そして、互いに向かい合う第1の電極12と第2の電極22との間及び第1の電極13と第2の電極23との間に接着剤を介在させて加熱及び加圧することにより、第1の基板11と第2の基板21との間に接着剤層30aが形成され、この接着剤層30aにおいて、第1の電極12,13の間及び第2の電極22,23の間に空隙部33が形成されている。 - 特許庁

The organic thin film solar cell element comprises a substrate, a first electrode layer formed on the substrate, a photoelectric conversion layer formed on the first electrode layer, and a second electrode layer formed on the photoelectric conversion layer oppositely to the first electrode layer wherein the photoelectric conversion layer contains metallofullerene consisting of metal atoms and a fullerene frame.例文帳に追加

本発明は、基板と、上記基板上に形成された第1電極層と、上記第1電極層上に形成される光電変換層と、上記光電変換層上に形成され、上記第1電極層と対向する電極である第2電極層とを有する有機薄膜太陽電池素子であって、上記光電変換層が、金属原子およびフラーレン骨格から構成される金属内包フラーレンを含有することを特徴とする有機薄膜太陽電池素子を提供することにより、上記課題を解決するものである。 - 特許庁

The electron emitter is composed of a first substrate and a second substrate facing each other, a cathode electrode formed on the first substrate, an electron emitting part formed on the cathode electrode, a gate electrode formed on the cathode electrode interposing a first insulation layer, and a conversion electrode formed on the first insulation layer and the gate electrode interposing a second insulation layer.例文帳に追加

本発明による電子放出素子は、互いに対向配置される第1基板及び第2基板、第1基板上に形成されるカソード電極、カソード電極に形成される電子放出部、第1絶縁層を間に置いて、カソード電極上に形成されるゲート電極、第2絶縁層を間に置いて、第1絶縁層及びゲート電極上に形成される集束電極を含む。 - 特許庁

A content display device is provided with: an event analysis part 14 for detecting a prescribed event, such as a user operation; an attribute information change part 12 for changing attribute information on the second layer into a prescribed value in accordance with the prescribed event; and a content data synthesis part 13 for superimposing the first layer and the second layer after its attribute information is changed to display them.例文帳に追加

コンテンツ表示装置は、利用者操作などの所定イベントを検出するイベント解析部14と、上記所定イベントに応じて、第2の層の属性情報を所定値に変更する属性情報変更部12と、上記第1の層と上記属性情報を変更した後の上記第2の層とを重畳して表示するコンテンツデータ合成部13とを備える。 - 特許庁

A gate electrode 7a is electrically connected to a gate wiring 11 applied with a gate voltage, and dummy gate electrodes 7b and 7c are connected to a first float wiring 12 electrically connected to a first float layer 3b; and a second float layer 3c is electrically connected to a second float wiring 13, and a third float layer 3d is electrically connected to a third float wiring 14.例文帳に追加

ゲート電極7aをゲート電圧が印加されるゲート配線11に電気的に接続し、ダミーゲート電極7b、7cを第1フロート層3bに電気的に接続される第1フロート配線12に接続すると共に、第2フロート層3cを第2フロート配線13に電気的に接続し、さらに、第3フロート層3dを第3フロート配線14に電気的に接続した構造とする。 - 特許庁

In the transmissive optical recording medium, a hologram is recorded in the first recording layer 12 by condensing a first polarized light containing a signal component and not transmitting through the polarizing plate 16 with reference light, through the first recording layer 12, and subsequently, a hologram is recorded in the second recording layer 14 by condensing a second polarized light transmitting through the polarizing plate 16 with the reference light.例文帳に追加

この透過型光記録媒体10には、第1の記録層12の側から、信号成分を含み、偏光板16を透過しない第1の偏光を参照光とともに集光して第1の記録層12にホログラムを記録し、次に偏光板16を透過する第2の偏光を参照光とともに集光して第2の記録層14にホログラムを記録する。 - 特許庁

The vapor deposition source consisting of alloyed AuSn is prepared, an Sn-rich first layer is formed onto the semiconductor light-emitting device by heating the vapor deposition source at a first temperature to selectively evaporate Sn from the AuSn alloy, and an Au-rich second layer is formed onto the first layer by heating the vapor deposition source at a second temperature higher than the first temperature to evaporate all of the vapor deposition source.例文帳に追加

合金化したAuSnからなる蒸着源を準備し、蒸着源を第1の温度で加熱してAuSn合金からSnを選択的に蒸発させて半導体発光素子へSnリッチな第1の層を形成し、蒸着源を第1の温度より高い第2の温度で加熱して蒸発源を全て蒸発させて第1の層の上へAuリッチな第2の層を形成する。 - 特許庁

This method for manufacturing a semiconductor wafer is provided with a process for growing epitaxially an SiGe layer on a surface of a first silicon single crystal wafer, a process for coupling a surface of the SiGe layer with a surface of a second wafer via an oxide film, and a process for thinning the first silicon single crystal wafer coupled with the second wafer and exposing the Si layer including lattice strain.例文帳に追加

第1のシリコン単結晶ウェーハの表面にSiGe層をエピタキシャル成長する工程と、該SiGe層の表面と第2のウェーハの表面とを酸化膜を介して結合する工程と、該第2のウェーハと結合された該第1のシリコン単結晶ウェーハを薄膜化して格子歪みを内在するSi層を露出させる工程と、を有するようにした。 - 特許庁

The plasma display panel includes: the first and second substrates arranged to overlap by shifting each other and sealed along a sealing line formed on the mutually overlapped section; a metal layer formed on at least one substrate side between the first and second substrates in response to the sealing line; and a frit layer formed on the metal layer.例文帳に追加

本発明によるプラズマディスプレイパネルは、互いにずれて重なって配置され、互いに重なった部分に形成される封着ラインに沿って装着される第1基板と第2基板、前記封着ラインに対応して前記第1基板および前記第2基板のうちの少なくとも一つの基板側に形成されるメタル層、および前記メタル層上に形成されるフリット層を含む。 - 特許庁

A second ion implanting process (c1) implants the additional function layer 4 with ions at its surface as much as the total dose in the first and second planting processes exceeding the critical dose at the same deposition depth position as that in the first ion implanting process, thus making the peel-expected ion implanted layer 3 into a peeling ion implanted layer 3'.例文帳に追加

第2のイオン注入工程(c1)で、付加機能層4の表面側から第1のイオン注入工程でイオン注入されたのと同じ深さ位置となるように、第1のイオン注入工程でイオン注入されたドーズ量と合わせて臨界ドーズ量以上となるドーズ量のイオンを打ち込むことにより剥離予定イオン注入層3を剥離用イオン注入層3’とする。 - 特許庁

In a second growth process, subsequent to the heat treatment process, since the first single-crystal semiconductor layer 12 as a base is relieved in stress, a second single-crystal semiconductor layer 18, having different lattice constant and/or thermal expansion coefficient from those of the first single-crystal semiconductor layer 12, is applied with stress; and a high-quality strain semiconductor substrate is obtained.例文帳に追加

この熱処理工程の後に実施される第2成長工程において、下地となる第1単結晶半導体層12はその応力が緩和されているので、第1単結晶半導体層12とは格子定数及び/又は熱膨張率が異なる第2単結晶半導体層18に応力が加わり、良質な歪み半導体基板を得ることができる。 - 特許庁

This organic photoelectric conversion element has a first electrode, a second electrode, and an active layer located between the first electrode and the second electrode, wherein the active layer includes a conjugate polymer compound, and the first electrode is provided by a process of bringing a coupling agent into contact with at least a surface of the electrode on the active layer side, and thereafter applying a lyophilic treatment to the surface.例文帳に追加

第1の電極と、第2の電極とを有し、該第1の電極と該第2の電極との間に活性層を有し、該活性層が共役高分子化合物を含み、該第1の電極が、電極の少なくとも該活性層側の表面にカップリング剤を接触させた後、該表面に親液化処理を施す工程により得られる有機光電変換素子。 - 特許庁

The liquid crystal device includes a pixel electrode 35, a switching element 34, a counter electrode 82, the liquid crystal layer 28, a first alignment film 71 provided to contact the pixel electrode 35 between the liquid crystal layer 28 and the pixel electrode 35, a second alignment film 83, and a dielectric layer 84 provided between the second alignment film 83 and the counter electrode 82 and made of silicon oxide.例文帳に追加

本発明の液晶装置は、画素電極35と、スイッチング素子34と、対向電極82と、液晶層28と、液晶層28と画素電極35との間に、画素電極35と当接して設けられた第1配向膜71と、第2配向膜83と、第2配向膜83と対向電極82との間に設けられた酸化シリコンからなる誘電体層84と、を備える。 - 特許庁

The solar cell module is provided having an i-type layer of the microcrystalline silicon film as a photovoltaic layer in a photovoltaic unit 14, the i-type layer has a first region 30 and a second region 32 having a lower crystallization percentage than the first region 30 in the surface, and a tab electrode 22 to a terminal box 24 of the solar cell module 100 is formed overlapping the second region 32.例文帳に追加

光電変換ユニット14に微結晶シリコン膜のi型層を発電層として含み、そのi型層は、面内において第1の領域30と、第1の領域30より結晶化率が低い第2の領域32とを有しており、太陽電池モジュール100の端子ボックス24へのタブ電極22を第2の領域32に重畳させて配置する。 - 特許庁

The component mounting part is configured so that a thin-layer part formed by pressing the interior base member in a thickness direction is bent to the side of the second skin layer 12 and is in contact with a surface on the second skin layer 12 side (preferably, the laminated surface is fused).例文帳に追加

)と、この内装基材に設けられた部品取付部に取り付けられた部品5と、を備える車両用部品取付構造であり、部品取付部は、内装基材が厚さ方向に押圧されて形成された薄層部が、第2スキン層12の側に折り曲げられて、第2スキン層12の側の表面と接するようにして設けられ(積層面は融着されていることが好ましい。 - 特許庁

例文

A display panel includes a first substrate of which the substrate body 11 is a glass substrate, a second substrate which is provided oppositely to the first substrate and which is thinner than the first substrate, a display medium layer provided between those substrates, and a seal 40 which is provided between the first substrate and the second substrate so as to surround the display medium layer, which joins both substrates together, and which seals the display medium layer.例文帳に追加

表示パネルは、基板本体11がガラス基板である第1基板と、それに対向して設けられた第1基板よりも薄い第2基板と、それらの基板間に設けられた表示媒体層と、第1基板と第2基板との間に表示媒体層を周回するように設けられ両基板を接着すると共に表示媒体層を封止するシール40とを備える。 - 特許庁




  
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