「second layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(277ページ目) - Weblio英語例文検索

The transparent conductive film is composed of a transparent base material film 2, and a first conductive layer 31 made of ITO (tin-doped indium oxide), a second conductive layer 32 made of silver, a third conductive layer 33 made of ITO, which are laminated in order by sputtering.例文帳に追加

本発明は、透明な基材フィルム２と、基材フィルム２の表面にスパッタリングにより順次積層形成された、ＩＴＯ（錫ドープ酸化インジウム）からなる第１導電層３１、Ａｇ（銀）からなる第２導電層３２、ＩＴＯからなる第３導電層３３とを有する。 - 特許庁

In the manufacturing method of an organic electroluminescent display element in which a luminous layer 12 having light-emitting capability is clipped between a first and a second electrodes 4, 14, ultrasonic vibration is given in the process wherein the luminous layer is formed by applying and drying the material liquid of the luminous layer 12.例文帳に追加

発光能を有する発光層１２が第１および第２電極４，１４間に挟持された有機エレクトロ・ルミネッセンス表示素子の製造方法において、発光層１２の材料液を塗布し乾燥させて発光層を形成する際に、超音波振動を与える。 - 特許庁

A TEOS oxide film 15b having a flat surface is formed between the first wiring layer 14 and the second wiring layer 16 for offsetting the difference in levels of the first wiring layer 14 and a plasma oxide film 15a, which is packed more closely than in the TEOS oxide film 15b, is formed under it.例文帳に追加

第１配線層１４と第２配線層１６との間には、第１配線層１４の段差を解消するために平坦な表面を持つＴＥＯＳ酸化膜１５ｂが形成され、ＴＥＯＳ酸化膜１５ｂの下にはこの膜に比べて緻密なプラズマ酸化膜１５ａが形成される。 - 特許庁

With regard to the noise component, signal line noise and IC noise are reduced by employing a multilayer structure of a first insulation layer 14, a semiconductor layer 15, and a second insulation layer 16 at the intersection of a signal line and a switch TFT drive line thereby reducing parasitic capacitance at the intersection of wiring.例文帳に追加

ノイズ成分においては、信号線とスイッチＴＦＴ駆動配線との配線交差部を第１の絶縁層１４、半導体層１５、第２の絶縁層１６の積層構造とすることにより、配線交差部で形成される寄生容量を低減し、信号線ノイズ、ＩＣノイズを低減する。 - 特許庁

Between a substrate 101 and an active layer 106, a first nitride semiconductor layer 103 of n-type, a second nitride semiconductor 104 which comprises n-type impurity to form an n-type electrode and comprises a third nitride semiconductor layer 105 of an n-type in this order starting from the substrate 101 side.例文帳に追加

基板と活性層との間に基板側から順にｎ型の第１の窒化物半導体層と、ｎ型不純物を有しｎ型電極が形成される第２の窒化物半導体と、ｎ型の第３の窒化物半導体層とを有する窒化物半導体素子である。 - 特許庁

The manufacturing method of a nitride semiconductor device has a step, in which a first nitride semiconductor layer 17 and a second nitride semiconductor layer 18 having a Fermi level larger than that of the first nitride semiconductor layer 17, as well as, containing an n-type impurity are formed on a substrate 11 sequentially from the substrate 11 side.例文帳に追加

窒化物半導体装置の製造方法は、基板１１の上に、第１の窒化物半導体層１７と該第１の窒化物半導体層１７と比べてフェルミ準位が大きく且つｎ型不純物を含む第２の窒化物半導体層１８とを基板１１側から順次形成する。 - 特許庁

The ink jet recording medium has a first porous layer on a water-impermeable base material and a second porous layer on the first porous layer under the condition that the psychromatic index (L*) of the solid printed black printing part of a black dye is set to be 5.0 or less.例文帳に追加

水不浸透性基材上に、第１の多孔質層を有し、さらにその上に第２の多孔質層を有するインクジェット記録用媒体であって、黒色染料インクのベタ印字黒色印刷部の明度指数（Ｌ^*）が５．０以下であることを特徴とするインクジェット記録媒体。 - 特許庁

A semiconductor device forms a first resist pattern by exposure using a fist multi-gradation photomask (gray-tone or half-tone mask), and etches a first conductive layer, a first insulating layer, and first and second semiconductor layers, and forms an island-shaped single layer and an island-shaped laminate.例文帳に追加

第１の多階調フォトマスク（グレートーンマスクまたはハーフトーンマスク）を用いた露光により第１のレジストパターンを形成し、第１の導電層、第１の絶縁層、第１の半導体層及び第２の半導体層をエッチングし、島状の単層および島状の積層を形成する。 - 特許庁

A first coating film layer 3 comprised of synthetic resin is formed on a surface of the cross fin tube including an outer surface of a junction 12 of the collar part 21 and the coolant piping 1, and a second coating film layer 4 comprised of hydrophilic resin is formed on a surface of the first coating film layer 3.例文帳に追加

上記カラー部２１と上記冷媒配管１との接合部分１２の外表面を含む上記クロスフィンチューブの表面には、合成樹脂からなる第１塗膜層３が形成され、第１塗膜層３の表面には、親水性樹脂からなる第２塗膜層４が形成されている。 - 特許庁

At least either of the positive and negative electrodes is configured by two metallic layers or more, and a metal with greater ductility than that of a metal configuring the metallic bumps is employed for the first metallic layer in contact with the nitride semiconductor layer and the second metallic layer in contact with the metallic bumps.例文帳に追加

正電極及び負電極の少なくとも一方を２層以上の金属層で構成し、窒化物半導体層に接する第１の金属層及び金属バンプに接する第２の金属層に、金属バンプを構成する金属より延性の大きい金属を用いる。 - 特許庁

Since the grain boundaries of the first platinum layer 81 are fed, while being difficult to continue to the grain boundary of the second platinum layer 82, a grain boundary diffusion is made hard to occur and reductant seeds are difficult to reach the oxide dielectrics film 7 via the grain boundary, even under hydrogen sintering with an aluminum wiring layer.例文帳に追加

第１白金層８１の粒界が少なく、また第２白金層８２の粒界とは連続しにくいので、粒界拡散が生じにくく、アルミ配線層１１の水素シンタを行っても還元種が粒界を介して酸化物誘電体膜７に到達しにくくなる。 - 特許庁

The first resin layer 8 comprises a resin material of an elastic modulus higher than that of the second resin layer 9, and is formed in such a manner that the rigidity of the first resin layer 8 in the thickness direction T1 of the face part 5 gradually reduces as approaching the width direction inner part X1 of the head.例文帳に追加

第１の樹脂層８は、第２の樹脂層９よりも弾性率の大きい樹脂材料で構成され、しかも、ヘッドの幅方向内方Ｘ１に向かうにつれて、フェース部５の厚さ方向Ｔ１における第１の樹脂層８の剛性が徐々に小さくなるように形成されている。 - 特許庁

When ultraviolet light is generated from the light emitting layer 1a and is reflected on the conductive reflection layer 2, and is transmitted through the first and second conductivity type semiconductor layers 1b, 1c, it is possible to reduce transmission loss and raise light extraction efficiency of light from the first conductivity type semiconductor layer 1c side principal surface.例文帳に追加

紫外光を発光層１ａで発生させ、導電性反射層２で反射し、第１，第２導電型半導体層１ｂ，１ｃを透過させる際に、透過損失を小さくし、第１導電型半導体層１ｃ側主面からの光取り出し効率を高くすることができる。 - 特許庁

First patterned wiring layers 2 are formed on an insulating board 1, a first insulating layer 3 is formed on the top surfaces of the first wiring layers 2 and the top surface of the insulating board 1 between the first wiring layers 2, and a second wiring layer 5 is formed on the top surface of the first insulating layer 3.例文帳に追加

絶縁基板１上にパターン化された第１配線層２を形成し、第１配線層２の上面、及び、第１配線層の間の絶縁基板１の上面に第１絶縁層３を形成し、第１絶縁層３の上面に第２配線層５を形成する。 - 特許庁

The manufacturing method of the fuel cell diffusion layer includes a coating process S102 in which a first coating liquid is coated and impregnated into a fuel cell diffusion layer base material and a coating process S106 in which a pre-foamed second coating liquid is coated and impregnated into one surface side of the fuel cell diffusion layer base material.例文帳に追加

燃料電池拡散層用基材に第１の塗工液を塗布し、含浸させる第１の塗工工程Ｓ１０２と、燃料電池拡散層用基材の一方面側に、予め発泡させた第２の塗工液を塗布し、含浸させる第２の塗工工程Ｓ１０６と、を含む。 - 特許庁

The electrical/electronic components are composed of a first resin layer where storage elasticity for covering parts that are accommodated into a case, having an opening part is equal to 0.0001 to 500 MPa at 23°C, and a second layer that is formed on the first resin layer and blocks the opening-part side of the case.例文帳に追加

開口部を有するケース内に収容した部品を覆う貯蔵弾性率が２３℃において０．０００１〜５００ＭＰａである第１樹脂層と、この第１樹脂層の上に形成されてケースの開口部側を閉塞する第２層とから構成されている電気・電子部品。 - 特許庁

The nonvolatile semiconductor memory device includes a semiconductor substrate (2), a charge-storage layer (8) that is formed on the semiconductor substrate (2), a first gate (6) that is formed on the charge-storage layer (8), and a second gate (5) that is formed on one side of the first gate (6) through a first insulating layer (8).例文帳に追加

半導体基板（２）と、半導体基板（２）上に形成された電荷蓄積層（８）と、電荷蓄積層（８）上に形成された第１ゲート（６）と、第１絶縁層（８）を介して第１ゲート（６）の一側方に形成された第２ゲート（５）とを備える不揮発性半導体記憶装置を構成する。 - 特許庁

This wire tool forms a first layer by applying chemical primer treatment on a surface of a wire 11, thereafter forms a second layer by applying light hardening resin (adhesive), and thereafter, forms a third layer and others by applying mixed solution 22 of light hardening resin, abrasive grains and an additive.例文帳に追加

ワイヤ１１表面に化学的プライマ処理を施して第１層を形成し、次いで光硬化性樹脂（接着剤）を塗布して第２層を形成した後、さらに光硬化性樹脂と砥粒および添加物との混合溶液２２を塗布することによって第３層以降を形成する。 - 特許庁

On a high dielectric constant gate insulation film 5, a first gate electrode layer 6 containing a metal having a work function capable of controlling the threshold voltage of a transistor is deposited, and a second gate electrode layer 7, composed of a material being machined easily in the vertical direction by dry etching, is deposited on the first gate electrode layer 6.例文帳に追加

高誘電率ゲート絶縁膜５上に、トランジスタの閾値電圧を制御できる仕事関数を有する、金属を含む第１ゲート電極層６を堆積し、第１ゲート電極層６上にドライエッチングで垂直に加工し易い材料からなる第２ゲート電極層７を堆積する。 - 特許庁

The surface of the sand core 7 is coated with a three-layered structure consisting of a primer coating agent containing TiO2 applied on the lowermost layer, a ceramic coating agent essentially consisting of SiO2 and MgO applied as a second layer and a flaky graphite coating agent applied as a third layer.例文帳に追加

砂中子７の表面は、最下層に塗布されるＴｉＯ_2を含有する下塗りコート剤、第２層として塗布されるＳｉＯ_2とＭｇＯを主成分とするセラミック系コート剤、第３層として塗布される鱗片状黒鉛コート剤とからなる３層構造で被覆されている。 - 特許庁

When, however, the refractive index of the third layer 30 is varied in this state to a smaller refractive index, the incident wave increases in frequency while trapped nearby the third layer to exit as a transmitted wave once the frequency reaches the frequency of a high-frequency end (a wavelength at a short-wavelength end) of the second layer 20.例文帳に追加

しかし、この状態で第３の層３０の屈折率を小さくなるように変化させると、入射波は第３の層付近にトラップされたまま、周波数が上昇し、第２の層２０の高周波数端の周波数（短波長端の波長）に達した段階で、透過波として出ていく。 - 特許庁

A second laser beam LR, the optical axis of which is coincident with that of the first laser beam LB, is arranged so as to become the focusing state at a position (cover layer surface 103s) shifted from a focal position of the first laser beam by the specified film thickness portion of a cover layer which is a film thickness measuring layer.例文帳に追加

第２のレーザ光ＬＲは、第１のレーザ光ＬＢと光軸が一致され、かつ第１のレーザ光の焦点位置とは被膜厚測定層であるカバー層１０３の規定の膜厚分だけずれた位置（カバー層表面１０３ｓ）で合焦状態となるようにする。 - 特許庁

The magnetoresistance effect element has a first half metal ferromagnetic layer 13 and a second half metal ferromagnetic layer 15 composed of a Co_2Fe_xMn_1-xSi Heusler alloy (x=0.0 to 1.0) and having a thickness of 2-20 nm, and a nonmagnetic metal layer 14 composed of Ag sandwiched therebetween.例文帳に追加

Ｃｏ_２Ｆｅ_ｘＭｎ_１−ｘＳｉホイスラー合金（ｘ＝０．０〜１．０）から成り、層厚が２〜２０ｎｍである第１のハーフメタル強磁性体層１３および第２のハーフメタル強磁性体層１５と、それらの間に挟まれたＡｇから成る非磁性金属体層１４とを有している。 - 特許庁

This display body comprises a first layer 3 emitting light to make the desired display, and a second layer 5 laminated on the first layer to make the desired display, and is constituted to make either one of the displays of two layers outside according to the surrounding brightness.例文帳に追加

発光して所望の表示を表出することの出来る第１の層３と、該第１の層の上に積層され所望の表示を現出することの出来る第２の層５からなり、周囲の明るさに応じて２つの層のいずれかの表示を外部に現出させることが出来るようにした。 - 特許庁

A first thin film 2 is formed on a single crystal substrate 1; the surface of the first thin film 2 is rubbed to form a friction alignment layer 3; a second thin film is deposited on the friction alignment layer 3 to form a deposited alignment layer 4; and a crystal is grown thereon.例文帳に追加

単結晶基板１上に第１の薄膜２を製膜して第１の薄膜２表面を摩擦することにより摩擦配向層３を形成し、さらに摩擦配向層３の上に第２の薄膜を堆積することにより堆積配向層４を形成し、その上に結晶を成長させる。 - 特許庁

A second dust collecting sheet has a conductive layer and a non-conductive layer and the non-conductive layer contains a resin of which the dielectric constant at a time of a frequency of 103 Hz is 3 or more and has a thickness of 0.5-5 mm.例文帳に追加

本発明の第２の集塵シートは、導電性の層と非導電性の層とを有するシートからなり、前記非導電性の層は周波数１０^3Ｈｚ（ヘルツ）時の誘電率が３以上の樹脂を含有しており、しかも前記非導電性の層の厚さが０．５〜５ｍｍのものである。 - 特許庁

These gas supply sections can switch the operation of allowing a first semiconductor layer to grow by supplying one of the group III and V material gases, and the operation of allowing a second semiconductor layer having a different III composition ratio from the first semiconductor layer to grow by supplying a mixed gas.例文帳に追加

ガス供給部は、III族及びＶ族原料ガスの一方を供給して第１半導体層を成長させる動作と、混合されたガスを供給してIII組成比が第１半導体層とは異なる第２半導体層を成長させる動作と、を切り替え可能である。 - 特許庁

A weight section 7, a support 5 and a thin beam section 6 connecting these former ones are formed by a SOI substrate 1 which sandwiches an intermediate layer 3 fabricated with a second etching gas instead of a first etching gas between an upper layer 2 and a lower layer 4 both fabricated with the first etching gas.例文帳に追加

第１のエッチングガスにより加工される上部層２と下部層４との間に、第１のエッチングガスにより加工されず第２のエッチングガスにより加工される中間層３を挟んだＳＯＩ基板１により、錘部７と支持部５と、これらを連結する肉薄の梁部６を形成する。 - 特許庁

A second annular groove 41 which penetrates through both the conductive layer 33 and the piezoelectric layer are formed along the circumference of the pressure chamber in the area which faces the circumference of the pressure chamber on the opposite side to the pressure chamber of the piezoelectric layer, and is the outer area than the first annular groove 40.例文帳に追加

さらに、圧電層の圧力室と反対側の面の、圧力室の周縁部と対向する領域であって第１環状溝４０よりも外側の領域に、導電層３３と圧電層の両方を貫通する第２環状溝４１が、圧力室の周縁に沿って形成されている。 - 特許庁

The semiconductor wafer includes: the support substrate 1; a first nitride-based semiconductor layer 2 of a group III nitride-based semiconductor of which an upper surface 2b becomes at least a single crystal; and a second nitride-based semiconductor layer 3 that is provided on the upper surface 2b of the first nitride-based semiconductor layer 2 and contains nitrogen and gallium.例文帳に追加

支持基板１と、上面２ｂが少なくとも単結晶となっているIII族窒化物系半導体の第１の窒化物系半導体層２と、第１の窒化物系半導体層２の上面２ｂに設けられ、窒素とガリウムを含む第２の窒化物系半導体層３とを備える。 - 特許庁

The surface treatment method is provided with: a 1st shot-peening process where hard fine particles are peened on the surface 3a of a fitting 2 to form a first rust preventive layer; and a 2nd shot-peening process where soft fine particles are peened to form a second rust preventive layer on the first rust preventive layer.例文帳に追加

金具２の表面３ａに硬質系微粒子を打ちつけて第１防錆層を形成する第１ショットピーニングを行う工程と、軟質系微粒子を打ちつけて第１防錆層の上に第２防錆層を形成する第２ショットピーニングを行う工程とを備えている。 - 特許庁

The organic EL display device comprises a sealing film CEF of an organic film which covers an organic luminous layer OLE comprising a first electrode formed on the main face of an insulating substrate SUB, an organic EL layer of multi-layer structure, and a second electrode and of which peripheral end part is sealed at the periphery of the insulating substrate SUB.例文帳に追加

絶縁基板ＳＵＢの主面に形成された第１の電極と多層構造の有機ＥＬ層と第２の電極とからなる有機発光層ＯＬＥを覆って周縁端部が絶縁基板ＳＵＢの周縁部に封着された有機フィルムの封止膜ＣＥＦを有する。 - 特許庁

A wall surface has a triple structure of a first air layer 80, 81, a fluid circulating/flowing layer 70, 71 and a second air layer 60, 61 from the outside toward the inside to prevent the outside from being affected by an inside temperature of the fluid circulation drying housings 90, 91.例文帳に追加

流体循環乾燥箱体９０、９１の内部温度が外部に及ぼす影響を抑制するために壁面は外部から内部に向かって第１空気層８０、８１と、流体循環流通層７０、７１と、第２空気層６０、６１との３重構造として設けた。 - 特許庁

In the operation method, at any time or when the water quality of treated water becomes worse than a target value, at least one layer side of a washing stage of the first contact material accumulating layer 74 and the second contact material accumulating layer 44 is executed during the operation of the flocculating and settling device periodically.例文帳に追加

本運転方法は、凝集沈殿装置を運転中に、定期的に、随時に、又は処理水の水質が目標値より悪化した時に、第１の接触材集積層７４の洗浄工程及び第２の接触材集積層４４の洗浄工程の少なくともいずれか一方を行う。 - 特許庁

The metal blocking plate 34 has a first layer, made of a metal oxide layer, on the introducing side of the oxygen radicals, and a second layer, made of a metal exposed in the substrate W processed in the chamber 11, on the side facing the substrate W, and has a through hole through which oxygen radicals pass.例文帳に追加

この金属防止板３４は、酸素ラジカルの導入側に金属酸化物層からなる第１層と、基板Ｗと対向する側に、チャンバ１１内で処理される基板Ｗにおいて露出した金属よりなる第２層とを備え、酸素ラジカルが通過する貫通孔が形成されている。 - 特許庁

After a first print layer 15a is formed by a water-soluble ink of a color, other than white on a surface of a protecting film 14, a second print layer 15b is formed on a whole surface of the protective film 14, using a water-soluble white ink so that the first print layer 15a, may be covered.例文帳に追加

保護フィルム１４の表面に、白色以外の色の水溶性インクで第一の印刷層１５ａを形成した後、第一の印刷層１５ａを覆うように、白色の水溶性インクを用いて、保護フィルム１４の全面に、第二の印刷層１５ｂを形成する。 - 特許庁

A package 10 is formed of a front wall 16 or the like which is made of a lamination material 12, and the front wall 16 comprises an outer layer 30 which has an outer face and an inner face, and an inner layer 32 which includes a first face facing an inner face of the outer layer 30 and a second inward face.例文帳に追加

積層材料１２から成る前壁１６等によって形成された包装１０であって、該前壁１６は、外面及び内面を有する外側層３０と、外側層３０の内面に面する第１面と第２内向き面とを含む内側層３２とから成る。 - 特許庁

The organic light emitting elements 10R, 10G, 10B are, for example, composed of an auxiliary wiring layer 11b, a first electrode 13 as a positive electrode, an inter-pixel insulation film 15, an organic layer 16 including a light emitting layer, and a second electrode 20 as a negative electrode arranged in this order on a substrate 10a.例文帳に追加

有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂは、例えば、基板１０ａ上に、補助配線層１１ｂ、陽極としての第１電極１３、画素間絶縁膜１５、発光層を含む有機層１６、および陰極としての第２電極２０をこの順に形成してなる。 - 特許庁

In addition, since growth occurs in the lateral direction so as to fill the recessed parts on the surface of the first layer 21, the dislocation D taken over from the layer 21 is bent in the horizontal direction, and the density of the dislocation D propagated to the surface of the second layer 22 is largely reduced.例文帳に追加

また、第１の成長層２１の表面の窪みを埋めるように横方向に成長が起こるため、第１の成長層２１から引き継がれた転位Ｄが横方向に屈曲し、第２の成長層２２の表面まで伝搬される転位Ｄの密度が大きく低減する。 - 特許庁

The method is provided with a cleaning stage where an Si substrate is subjected to heating cleaning; an initial layer forming stage where an initial layer consisting of β-FeSi_2 is formed on the Si substrate at a first temperature; and a growing stage where the initial layer is grown at a second temperature higher than the first temperature.例文帳に追加

この発明の方法は、Ｓｉ基板を加熱クリーニングするクリーニング工程と、β−ＦｅＳｉ_２からなる初期層を第１の温度でＳｉ基板上に形成する初期層形成工程と、初期層を第１の温度より高い第２の温度で成長させる成長工程とを備える。 - 特許庁

A semiconductor device has a first wiring layer 13, an interlayer insulating layer 15 made on the first wiring layer 13, a via plug 16a made inside the interlayer insulating film 15 and made on the first wiring laeyr 13, and second wiring layers 17 and 19 connected with the via plug 16a.例文帳に追加

本発明の半導体装置は、第１配線層１３と、第１配線層１３上に形成された層間絶縁膜１５と、層間絶縁膜１５内に形成され第１配線層１３上に形成されたビアプラグ１６ａと、ビアプラグ１６ａと接続する第２配線層１７、１９とを有する。 - 特許庁

Disclosed is the driving method of the electrooptical device 1 which has a first electrode 41 to drive an electrooptical layer 23 and a second electrode provided on the electrooptical layer 23 side of the first electrode 41 on one of a pair of substrates 21 and 22 between which the electrooptical layer 23 is held.例文帳に追加

電気光学層２３を挟持する一対の基板２１，２２の一方に、電気光学層２３を駆動する第１電極４１および第１電極４１の電気光学層２３側に設けられた第２電極１１を有した電気光学装置１の駆動方法である。 - 特許庁

An infrared radiation layer 11 layered by the first layer of which the outside toward radius direction consists of SiO_2 and the second layer having high refractive index of which the inside toward radius direction consists of TiO_2 or Ga_2O_3 on an inner surface of the concavity of which the depth L1 is 10 μm or more is formed.例文帳に追加

凹部の深さＬ１は１０μｍ以上であり、その凹部の内面に、半径方向外方がＳｉＯ_2から成る第１層と、半径方向内方がＴｉＯ_2またはＧａ_2Ｏ_3から成る高い屈折率の第２層が積層された赤外線放射層１１が、形成される。 - 特許庁

The interlayer insulating film 43 is laminated on the interlayer insulating film 42, and the interlayer insulating film 43 includes a recessed portion 43e reflecting the groove-like recessed portion 42e, in which a storage capacitance 55 is constituted by a first electrode layer 5a, a dielectric layer 40 and a second electrode layer 7a.例文帳に追加

また、層間絶縁膜４２には層間絶縁膜４３が積層され、層間絶縁膜４３において溝状凹部４２ｅが反映されてなる凹部４３ｅの内部で、第１電極層５ａ、誘電体層４０、および第２電極層７ａが蓄積容量５５を構成している。 - 特許庁

The surface of an overcoat layer OC is flattened by disposing a light-transmitting resist layer RES in a reflective region REF between arrangements of color filter layers RFIL, GFIL, BFIL of the respective colors formed as segmented by a black matrix layer BM on an inner face of a second substrate SUB2.例文帳に追加

第２の基板ＳＵＢ２の内面にブラックマトリクス層ＢＭにより区画されて形成された各色のカラーフィルタ層ＲＦＩＬ，ＧＦＩＬ，ＢＦＩＬの配列相互間の反射領域ＲＥＦ内に透光性レジスト層ＲＥＳを配置させることにより、オーバーコート層ＯＣの表面が平坦化されて形成される。 - 特許庁