「second layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(273ページ目) - Weblio英語例文検索

Further, the outermost inner electrode layer 11A has a first inner electrode 13 electrically connected to a first through hole 17 and a second inner electrode 15 electrically connected to a second through hole conductor 27.例文帳に追加

更に、最外内部電極層１１Ａが、第一スルーホール導体１７に電気的に接続される第一内部電極１３と、第二スルーホール導体２７に電気的に接続される第二内部電極１５とを有している。 - 特許庁

The second metal film 24 includes: a first portion 26 covering the whole upper surface of the first metal film 22; and a second portion 28 placed on a layer under the first metal film 22 and covering the end face of the first metal film 22.例文帳に追加

第２金属膜２４は、第１金属膜２２の上面を全て覆う第１部分２６と、第１金属膜２２の下の層に載るとともに第１金属膜２２の端面を覆う第２部分２８と、を含む。 - 特許庁

An organic EL panel 1 has: a substrate 2; a laminate 3 which has at least a first electrode 4, an organic layer 6, and a second electrode 11, and is formed on the substrate 2; and a cathode terminal 8 connected to the second electrode 11.例文帳に追加

有機ＥＬパネル１は、基板２と、少なくとも第一電極と有機層と第二電極とを有し基板２に形成された積層体３と、第二電極１１に導通される陰極端子８と、を有する。 - 特許庁

The inner surface of the second cell wall may be provided with a similar second surface layer, preferably wherein the anchoring energy and/or order parameter of the liquid crystal adjacent to the two surface layers is different.例文帳に追加

第２のセル壁の内側表面にも、類似の第２の表面層を設けることができ、その場合に好ましくは、これら２つの表面層に隣接する液晶のアンカリングエネルギー及び／又は秩序パラメータは異なる。 - 特許庁

Then as shown in (b), a second layer 82 is exposed in a second nondisplay area 52 (an area shown by hatchings diagonally rising to the right) while conveying the substrate 20 in a X direction after rotating the substrate 20 by 90°.例文帳に追加

次に、基板２０を９０度回転させて、（ｂ）に示すように、基板２０をＸ方向に搬送しながら、第２の非表示領域５２（右上がりのハッチングで示す領域）に第２のレイヤー８２を露光する。 - 特許庁

The gate insulating film does not contain the nitrogen atoms in a first face thereof being in a contact with the semiconductor layer and in a second face thereof being in a contact with the gate electrode, and has a concentration peak of the nitrogen atoms between the first and second faces.例文帳に追加

ゲート絶縁膜は、半導体層に接する第１の面及びゲート電極に接する第２の面において窒素原子を含有せず、第1の面と第２の面の間に窒素原子濃度のピークを有する。 - 特許庁

The sacrificial anode layer (214) includes a second material that is electrochemically more active than the first material and the second material is configured to preferentially corrode to protect the first material from corrosion.例文帳に追加

犠牲アノード層（２１４）は、第１の材料よりも電気化学的により活性の第２の材料を含み、該第２の材料が、優先的に腐食して第１の材料を腐食から保護するよう構成されている。 - 特許庁

A first and second single crystal layers 11 and 12 are arranged on the material substrate 22 so that a gap GP placed between a first and second side faces S1 and S2 is disposed on the sublimation prevention layer 31.例文帳に追加

第１および第２の側面Ｓ１、Ｓ２によって挟まれた空隙ＧＰが昇華防止層３１上に配置されるように、材料基板２２上に第１および第２の単結晶層１１、１２が並べられる。 - 特許庁

A first etching stopper film 107, a first interlayer insulating film 106, a second etching stopper film 105, a second interlayer insulating film 104 and a third interlayer insulating film 103 are stacked on a lower wiring layer 108.例文帳に追加

下層配線層１０８上に第一エッチングストッパ膜１０７、第一層間絶縁膜１０６、第二エッチングストッパ膜１０５、第二層間絶縁膜１０４、および第三層間絶縁膜１０３を積層する。 - 特許庁

A second medium 12 is formed on a first medium 11 where an IDT electrode 14 is formed, and a sacrificial layer 15 comprising the same material as a third medium 13 is formed on the second medium 12 further.例文帳に追加

ＩＤＴ電極１４が形成されている第１の媒質１１の上に、第２の媒質１２を形成し、さらに、第２の媒質１２の上に、第３の媒質１３と同じ材料からなる犠牲層１５を形成する。 - 特許庁

A first conductive blind via 108 is connected to the first conductive path at the second node, and is formed in the first dielectric layer 94 at the second node.例文帳に追加

第１の伝導性ブラインドヴァイア１０８が第２のノードにおいて第１の伝導通路に接続され、この第１のブラインドヴァイア１０８はこの第２のノードにおける第１の誘電体層９４内に形成される。 - 特許庁

The second polarizing plate has a polyvinyl alcohol layer, which is a polymer polarizing medium, as a basis and is constructed by locating triacetyl cellulose supporting body layers on the upper and lower surfaces thereof and is formed by coating the inside surface of the second substrate.例文帳に追加

第２偏光板は高分子偏光媒質であるポリビニルアルコール層を基準に、上下両面にトリアセチルセルロース保持体層が位置する構成を有し、第２基板の内側表面のコーティングにより形成される。 - 特許庁

The second and third hard layers are made of carbon-doped silicon oxide made from a source gas and an oxidation-reduction gas, while controlling the carbon content in the second hard layer as a function of the flow rate of the oxidation-reduction gas.例文帳に追加

第２及び第３ハード層は、酸化還元ガスの流量の関数として第２ハード層中の炭素含有率を制御しながら、ソースガス及び酸化還元ガスから形成された炭素ドープ酸化シリコンから成る。 - 特許庁

The capacitance insulating film 28 is constituted by using a lamination film wherein a first tantalum oxide film 28a, a first titanium oxide film 28b, a second tantalum oxide film 28c and a second titanium oxide film 28d are laminated in order from a lower layer.例文帳に追加

第１酸化タンタル膜２８ａ、第１酸化チタン膜２８ｂ、第２酸化タンタル膜２８ｃおよび第２酸化チタン膜２８ｄが下層から順に堆積された積層膜で容量絶縁膜２８を構成する。 - 特許庁

The second internal electrode layer 26 includes: a third internal electrode 28 extended while being extracted to first and second sides 4, 6; and a fourth internal electrode 30 extended while being extracted to a fourth side 10.例文帳に追加

第２の内部電極層２６は、第１及び第２の側面４、６に引き出されるように伸びる第３の内部電極２８と、第４の側面１０に引き出されるように伸びる第４の内部電極３０とを有する。 - 特許庁

Steps from the one of extracting the first closest pattern 3b from a second layer to the one of extracting the second closest pattern 6 are repeated until all the data of the respective integrated circuit patterns 3 are completely followed.例文帳に追加

第１の最近接パターン３ｂを第２のレイヤーから抽出する工程から第２の最近接パターン６を抽出する工程までを、各集積回路パターン３の全てのデータについて施すまで繰り返し行う。 - 特許庁

The first and second HEMT elements 21 and 22 have a common channel layer 13 and a source electrode of the first HEMT element 21, and a drain electrode of the second HEMT element 22 are made to be a common source electrode 17.例文帳に追加

第１および第２のＨＥＭＴ素子２１，２２は共通のチャネル層１３をもち、第１のＨＥＭＴ素子２１のソース電極と第２のＨＥＭＴ素子２２のドレイン電極を共通のソース電極１７とする。 - 特許庁

The first internal electrode layer 20 includes: a first internal electrode 22 extended while being extracted to first and second sides 4, 6; and a second internal electrode 24 extended while being extracted to a third side 8.例文帳に追加

第１の内部電極層２０は、第１及び第２の側面４、６に引き出されるように伸びる第１の内部電極２２と、第３の側面８に引き出されるように伸びる第２の内部電極２４とを有する。 - 特許庁

A removal process is carried out thereafter so as to remove the second, third, and fourth layers of the capping structure using an end point detection method such as secondary ion mass analysis detecting the presence of the second layer.例文帳に追加

その後、除去プロセスが、第２の層の存在を検出する２次イオン質量分析などの終点検出方法を使用して、キャッピング層構造の第２、第３、第４の層を除去するために実施される。 - 特許庁

The hybrid optical element 10 includes: a glass base material 1 having a first optically functional surface 11 and a second optically functional surface 16; and a resin layer 2 bonded to the second optically functional surface 16.例文帳に追加

上記課題を解決する複合光学素子１０は、第１光学機能面１１および第２光学機能面１６を有するガラス基材１と、第２光学機能面１６に接合された樹脂層２を備える。 - 特許庁

The first polarity line and the second polarity line include at least one lead line, respectively, and the outside of each of the lead lines of the first polarity line and the second polarity line is coated with an insulating layer.例文帳に追加

前記第一極線及び前記第二極線が、それぞれ少なくとも一本のリード線を含み、前記第一極線又は前記第二極線における各々の前記リード線の外側に絶縁層が被覆される。 - 特許庁

The decorative layer 32 includes: a plain first decorative part 51 formed in the first portion 36; and a second decorative part 52 having a pattern representing nearly the same material feel as the irregularity formed in the second portion 37.例文帳に追加

加飾層３２は、無地であって、第１部分３６に設けられた第１加飾部５１、および、シボと略同じ質感を表現する模様を有し第２部分３７に設けられた第２加飾部５２とを備える。 - 特許庁

The optical portion 14 comprises a transparent base body 141 having a first convex surface 141a on the display portion 13 side and a second convex surface 141b on the concave mirror 15 side, and a semipermeable layer 142 covering the second convex surface 141b.例文帳に追加

また、光学部１４は、表示部１３側の第１凸面１４１ａと凹面ミラー１５側の第２凸面１４１ｂとを有する透明基体１４１と、第２凸面１４１ｂを覆う半透過層１４２とを有する。 - 特許庁

The rotary tool 1 is formed of a disk-like first base metal 2, an annular second base metal 3 running along the outer peripheral surface of the first base metal 2, and an abrasive grain layer 5 arranged on the outer peripheral surface of the second base metal 3.例文帳に追加

回転工具１は、円盤状の第一台金２と、第一台金２の外周面に沿う円環状の第二台金３と、第二台金３の外周面に設けられた砥粒層５と、から構成されている。 - 特許庁

The semiconductor substrate 2 has a high-concentration layer 21 on the second principal surface side, and irregular unevenness 22 is formed at least on a region of the second principal surface facing the region immediately below the photogate electrode PG.例文帳に追加

半導体基板２は、第２主面側に高濃度層２１を有し、第２主面における少なくともフォトゲート電極ＰＧ直下の領域に対向する領域には、不規則な凹凸２２が形成されている。 - 特許庁

The multilayer capacitor includes a capacitor element body 1; first and second signal terminals 11, 12; first and second ground terminals 13, 14; a ground electrode layer 31; and first to fourth signal electrode layers 21-24.例文帳に追加

積層コンデンサは、コンデンサ素体１と、第１及び第２の信号端子１１，１２と第１及び第２のグランド端子１３，１４と、グランド電極層３１と第１〜第４の信号電極層２１〜２４と、を備える。 - 特許庁

The display panel comprises: a first substrate 10; a second substrate 30 disposed opposite to the first substrate 10; and a display medium layer 20 disposed between the first substrate 10 and the second substrate 30.例文帳に追加

表示パネルは、第１の基板１０と、第１の基板１０に対向して設けられた第２の基板３０と、第１の基板１０と該第２の基板３０との間に設けられた表示媒体層２０と、を備える。 - 特許庁

Thereby, even when an inter-substrate distance of the air layer or the like varies between the first substrate and the second substrate, variation in a resonance frequency in a first resonance part and a second resonance part can be suppressed.例文帳に追加

これにより、第１の基板と第２の基板との間で空気層等の基板間距離に変動があったとしても、第１の共振部および第２の共振部における共振周波数の変動が抑えられる。 - 特許庁

The electrical fuse 101 is configured so that the silicide layer 104, after disconnection, is excluded from a region right under the second metal contact 112 and from a region between the second metal contact 112 and the first metal contact 108.例文帳に追加

電気ヒューズ１０１は、切断後に、シリサイド層１０４が、第２の金属コンタクト１１２直下および第２の金属コンタクト１１２と第１の金属コンタクト１０８との間の領域に存在しない構成となる。 - 特許庁

A first film and a second film 21 and 23 having the thickness 1-15 μm respectively are stuck to each other via an adhesive layer 22 of thickness 1-50 μm composed of a material softer than the first and the second films 21 and 23.例文帳に追加

それぞれ１〜１５μｍの厚さを有する第１と第２のフィルム２１、２３を、当該第１と第２のフィルム２１，２３よりも柔らかな素材からなる厚さ１〜５０μｍの粘着層２２を介して貼り合わせる。 - 特許庁

In a section where first wiring intersects second wiring in three dimensions via an insulator layer, the second wiring intersects the first wiring in a direction almost orthogonal to the first direction on a flat face.例文帳に追加

第１配線と第２配線が絶縁層を介して立体的に交差する部分において、第２配線が第１配線に対し平面上略直角方向に交差する構造にすることにより、上記課題を解決する。 - 特許庁

The first inner conductor 10 is disposed in the same layer together with the second inner conductor 20, and a first portion 12 of the first terminal electrode 5 is narrower in width than a main electrode portion 21 of the second inner conductor 20.例文帳に追加

第１の内部導体１０は第２の内部導体２０と同じ層に配置され、第１の端子電極５の第１の部分１２の幅は第２の内部導体２０の主電極部２１の幅よりも狭くなっている。 - 特許庁

And, such a constitution as reflection type LCD-second polarizing plate-second 1/4 wavelength plate-lighting layer-first 1/4 wavelength plate-first polarizing plate in the order from an observer side may be provided.例文帳に追加

また、観察側の方から順に、第１の偏光板−第１の４分の１波長板−照明層−第２の４分の１波長板−第２の偏光板−反射型ＬＣＤの構成をとることもできる。 - 特許庁

An adhesive material 1 has a first adherend 2 composed of a metal material, a second adherend 3, and an adhesion layer 4 including an adhesive 41 bonding the first adherend 2 to the second adherend 3.例文帳に追加

接着体１は、金属材料で構成された第１の被着体２と、第２の被着体３と、第１の被着体２と第２の被着体３とを接着する接着剤４１を含む接着層４とを有している。 - 特許庁

A separation region between the diode and the GTO thyristor comprises a semiconductor substrate of a first conductive type, a thin-layer region of a second conductive type formed on its main surface, and a guard ring region of a second conductive type.例文帳に追加

ダイオードとＧＴＯサイリスタとの間の分離領域が、第１導電型の半導体基板と、その主面に形成された第２導電型の薄層領域と、第２導電型のガードリング領域とを含む。 - 特許庁

The liquid crystal display device includes first and second substrates having a display region and a driver region, a first sealant overlapping the driver region, and a liquid crystal layer between the first and second substrates.例文帳に追加

本発明に係る液晶表示装置は、画像表示領域とドライバ領域を持つ第１基板及び第２基板と、ドライバ領域と重畳される第１シーラントと、第１基板及び第２基板間の液晶層を含む。 - 特許庁

In at least either of the space between the first base plate 210 and the first surface electrode part 250 and the space between the second base plate 220 and the second surface electrode part, a mediation layer can also be included.例文帳に追加

第１基板２１０と第１表面電極部２５０との間の空間及び第２基板２２０と第２表面電極部との間の空間の中で少なくとも一方には媒介層がさらに含まれ得る。 - 特許庁

The liquid crystal device 100 reflects light incident from the side of a second substrate 20 on the reflective pixel electrode 9a to be optically modulated with a liquid crystal layer 50, while being emitted from the side of the second substrate 20.例文帳に追加

液晶装置１００では、第２基板２０側から入射した光は反射性画素電極９ａで反射して第２基板２０の側から出射される間に液晶層５０によって光変調される。 - 特許庁

A wire 12 is connected as a current passage for a first resistor R1 between the terminals 3, 4 for the first and second current passages, and also the conductor layer 15 by wires 13, 14 for forming the second current passage.例文帳に追加

第１及び第２の電流通路用端子３、４間に第１の抵抗Ｒ1 の電流通路としてワイヤ１２を接続し、且つ第２の電流通路を形成するために導体層１５をワイヤ１３、１４で接続する。 - 特許庁

The first Vss wiring 64, the second Vss wiring 64, the first bit line 60 and the second bit line 62 are provided in the same layer so as to be extended along Y-direction and arrayed sequentially in X-direction.例文帳に追加

第１Ｖｓｓ配線６４と、第２Ｖｓｓ配線６４と、第１ビット線６０と、第２ビット線６２とは、同一の層に、Ｙ方向に沿って伸びるように設けられ、かつ、Ｘ方向に順次配列されている。 - 特許庁

The second release sheet 2 has a non-release region 23 which is near at the end part perpendicular to the release direction in releasing the first release sheet 1 and in which the second release agent layer 22 is not set up.例文帳に追加

第２の剥離シート２は、第１の剥離シート１を剥離する際の剥離方向に対して垂直な方向の端部付近に、第２の剥離剤層２２が設けられていない非剥離領域２３を有している。 - 特許庁

In a range of the surface layer 20 corresponding to at least one round second through-holes 32, a plurality of first through-holes 22 communicating with that round second through-holes 32 are formed while being dispersed.例文帳に追加

表面層２０の少なくとも一つの一巡第２貫通孔３２に対応する範囲に、その一巡第２貫通孔３２に連通する複数の分散第１貫通孔２２が分散して形成されている。 - 特許庁

As the first sheet body 21, a water shielding sheet is used, and as the second sheet body 22, a reinforcement sheet in which strength etc. is determined to suppress scattering of the second soil layer 32 in explosion is used.例文帳に追加

そして、第１シート体２１には遮水シートが使用されており、第２シート体２２には爆発時における第２土層３２の飛散を抑えるように強度等が決定された補強用シートが使用されている。 - 特許庁

Further, a first power-feeding part 16 is connected with the first electrode 13 at a side of the first electrode 13 opposite to a side where the organic layer 14 is fitted, and a second power-feeding part 17 is connected with the second electrode 15.例文帳に追加

また、第１給電部１６が、第１電極１３の有機層１４が設けられる側と反対側の面で第１電極１３に接続されており、第２給電部１７が第２電極１５に接続されている。 - 特許庁

Consequently, the thinned substrate 12', the second layer 15 and the second member 16 are divided, respectively, into a plurality of semiconductor chips 12c, a plurality of chip adhesive layers 15a and a plurality of chip base members 16a.例文帳に追加

これにより、薄化基板１２’、第２接着層１５及び第２ベース部材１６がそれぞれ複数の半導体チップ１２ｃ、複数のチップ接着層１５ａ及び複数のチップベース部材１６ａに分割される。 - 特許庁