| 意味 | 例文 |
second layerの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 21457件
To provide a light-emitting element having a higher aperture ratio, compared with the case with a second light-emitting layer so as to be brought into contact with at least one of the surfaces facing neither cathode nor anode, in a first light-emitting layer.例文帳に追加
第一の発光層における陰極とも陽極とも向かい合わない面の少なくとも何れかに接するように第二の発光層を有しない場合に比べ、開口率の高い発光素子を提供する。 - 特許庁
A semiconductor light-emitting device according to an embodiment includes: a light-emitting part 10d; a first conductive part 30a; a second conductive part 30b; a first insulator layer 21; an encapsulation part 50; and an optical layer 60.例文帳に追加
実施形態によれば、発光部10dと第1導電部30aと第2導電部30bと第1絶縁層21と封止部50と光学層60とを備えた半導体発光装置が提供される。 - 特許庁
As a result, carriers (electrons and holes) generated in a first electric charge generating layer 22 and a second electric charge generating layer 24 are conveyed and only in a part on which the outer light is irradiated, the aligned state of liquid crystal molecules is returned to an original state.例文帳に追加
これにより、第1電荷発生層22や第2電荷発生層24にて発生したキャリア(電子やホール)は輸送され、外光が照射されている部分だけ液晶分子10の配向状態が元に戻る。 - 特許庁
A frame graphic FF1 including a plurality of through-holes is set in an area having a plurality of through-holes connecting the wiring of a first wiring layer and a second wiring layer, and the frame graphic is divided into a plurality of frame areas FR1 to 3.例文帳に追加
第1配線層と第2配線層の配線を接続する複数のスルーホールを有する領域に、複数のスルーホールを含む枠図形FF1を設定し、枠図形を複数の枠領域FR1〜3に分割する。 - 特許庁
Then, the transfer step of irradiating the second substrate 40 with a laser beam LB from the other surface side thereof to transfer the ferroelectric layer 124b and the seed layer 124c to one surface side of the first substrate 20 is performed.例文帳に追加
その後、レーザ光LBを第2の基板40の他表面側から照射し強誘電体層124bおよびシード層124cを第1の基板20の上記一表面側に転写する転写工程を行う。 - 特許庁
At least one of the first and second optical layers has a base material and a resin layer formed between the base material and the wavelength selective reflection film, and the base material has steam transmittance lower than that of the resin layer.例文帳に追加
第1の光学層および第2の光学層の少なくとも一方が、基材と、基材と波長選択反射膜との間に形成された樹脂層とを備え、基材が、樹脂層よりも低い水蒸気透過率を有する。 - 特許庁
In the second region 4, a fist laminate structure 37 having a first conductive layer 36 and a first insulating layer 38 laminated in this order is provided between the semiconductor substrate 20 and gate electrode pad 14.例文帳に追加
第2領域4では、半導体基板20とゲート電極パッド14の間に、第1導電層36と第1絶縁層38がその順で積層されている第1積層構造37が設けられている。 - 特許庁
Thus, ink 12a of an ink layer 12 of the ink ribbon 13 heated by the second heating element 23 is transferred to the support layer 11 of the ink ribbon 13 positioned on the inner side of the ink ribbon 13 in the predetermined pattern.例文帳に追加
このため、第2加熱体23により加熱されるインクリボン13のインク層12のインク12aが、所定のパターンで、当該インクリボン13の内側に位置するインクリボン13の支持層11に転写される。 - 特許庁
Surface layer of the conductor 9 buried in the contact hole 8c is removed by etching using inactive ions and then a second conductive layer 10a for connection with the conductor 9 is formed on the insulating film 8.例文帳に追加
接続孔8cに埋め込まれた導電体9の表層を、不活性イオンを用いたスパッタエッチングにより除去し、その後、絶縁膜8上に、導電体9に接続する第2の導電層10aを形成する。 - 特許庁
Near-field light 29 is then generated by irradiating the opening 28 of the photochromic layer 24 with a second laser beam 37 and the photoresist layer 22 is exposed with the near-field light 29.例文帳に追加
次いで、フォトクロミック層24の開口部28に対して第2のレーザ光37を照射することにより近接場光29を生成し、近接場光29によりフォトレジスト層22に対して露光処理を行う。 - 特許庁
A first layer containing a metal nitride TiN and a second layer containing Mo_xGa_1-x (0<x<1) etc. are sequentially laminated from the side near the semiconductor to form an electrode.例文帳に追加
金属窒化物、例えばTiNを含む第1の層及びMo_x Ga_1-x (0<x<1)を含む第2の層が半導体に近い側から前記の順に積層されてなる電極を備えてなることが基本になっている。 - 特許庁
A capture site to metal contamination in assembly flow after rear grinding is performed, by forming a first gettering layer in a wafer rear after rear grinding, and forming a second gettering layer in the rear and the side of a chip.例文帳に追加
本願の課題は、これらの問題点を解決し、裏面研削、ダイシングおよびパッケージ組立における金属汚染による特性劣化を防止できる半導体装置およびその製造方法を提供することにある。 - 特許庁
By this constitution, the gate terminal board 1 and the cathode electrode plate 10 are connected direclty to a first metallized layer 5 and a second metallized layer 6 which are arranged and installed on both main faces of the connection board 70.例文帳に追加
この構成によって、ゲート端子板1およびカソード電極板10は、駆動装置の接続基板70の両主面に配設された第1メタライズ層5および第2メタライズ層6に、それぞれ、直接に接続される。 - 特許庁
The relation 1.015*t1≤t2≤1.17*t1 is satisfied, where t1 is thickness of the first dielectric layer 101 and t2 is thickness of the second dielectric layer 102, with the first contact surface S1 as a reference.例文帳に追加
そして、第1の接触面S1を基準にして、第1の誘電体層101の厚みをt1とし、第2の誘電体層102の厚みをt2としたとき、 1.015*t1≦t2≦1.17*t1を満たす。 - 特許庁
A connecting hole 107 with the lower layer of the ferroelectric capacitor is filled with a second electric conductor 109 composed of a tungsten film, and the lower layer except for the inside of the connecting hole is removed by anisotropic dry etching and protruded out of the connecting hole.例文帳に追加
強誘電体キャパシタの下層との接続孔107を、タングステン膜からなる第二の導電体109で埋め込み、接続孔の内部以外を異方性ドライエッチングにより除去して接続孔より突出させる。 - 特許庁
The laminate sheet material comprises the following first layer and at least two types of layers, with a single layer for each type, selected from the second, third and fourth layers.例文帳に追加
本発明の積層シート状物は、下記第1層を少なくとも1層有し、さらに、第2層、第3層、及び第4層からなる群より選ばれる2種類以上の層を少なくとも各1層有することを特徴とする。 - 特許庁
After that, the quartz crystal substrate with the electrode formed is heated at the temperature range of not less than 200°C nor more than 400°C, and the chrome composing the first metal layer is diffused into the second metal layer (P7).例文帳に追加
しかる後、前記電極の形成された水晶基板を200℃以上、400℃以下の温度範囲で加熱して、前記第1の金属層を構成するクロムを前記第2の金属層内に拡散させる(P7)。 - 特許庁
Through these steps, the first and the second undercoating layers 11 and 12 and the top coating layer 13 are heated from two sides, the surface of the ALC plate 10 and the surface of the top coating layer 13, as entirely as possible.例文帳に追加
これらの工程により、第1及び第2の下塗り層11,12、及び上塗り層13が、ALC板10の表面と上塗り層13の表面の2つの側から極力全体的に加熱される。 - 特許庁
In Fig. 1 (d), dry etching is added by using first resist 1 and second resist 2 as masks, and an active layer region 12 and an N-type AlGaAs clad layer 11 are exposed only in a corner mirror part.例文帳に追加
図1(d)において、第一のレジスト1と第二のレジスト2とをマスクにしてドライエッチングを追加して、コーナーミラー部でのみ活性層領域12とn型AlGaAsクラッド層11が露出するようにする。 - 特許庁
A bulging member 2b made of an elastic foaming material is arranged on the top surface of the second layer 3 from above bulging upward from the through hole 1a at the topmost layer 1 to cover the top surface of the bulging member 2b with a cover member 2a.例文帳に追加
上から2番目の層3の上面に、1番上の層1の貫通孔1aから上方に膨出する弾性発泡体製膨出部材2bを配し、膨出部材2b上面を被覆部材2aにより覆う。 - 特許庁
Metal particle 35 of Ti or the like is adhered to the crossing part of the carbon nano-tubes 32 of the first layer and the carbon nano-tubes 34 of the second layer, in order to transfer the heat in the thickness direction via such metal particle 35.例文帳に追加
第1の層のカーボンナノチューブ32と第2の層のカーボンナノチューブ34との交差部にはTi等の金属粒子35が付着しており、それらの金属粒子35を介して厚さ方向に熱を伝達する。 - 特許庁
Energy En with a quantum level of a quantized level n of the first quantum well layer 7b and energy Em with a quantum level of a quantized level m of the second quantum well layer 7d satisfy a relation of En=Em, wherein n≠m.例文帳に追加
そして、第1量子井戸層7bの量子化レベルnの量子準位のエネルギーEnと、第2量子井戸層7dの量子化レベルmの量子準位のエネルギーEmとが、n≠mにおいて、En=Emとなる。 - 特許庁
A trench-type capacitor 1 is formed by stacking a lower electrode 3 (first electrode), a dielectric layer 4, an upper electrode 5 (second electrode), an insulation layer 6, and pad electrodes 7a and 7b in this order on a substrate 2.例文帳に追加
トレンチ型コンデンサ1は、基板2上に、下部電極3(第1電極)、誘電体層4、上部電極5(第2電極)、絶縁層6、及びパッド電極7a,7bがこの順に積層されたものである。 - 特許庁
The second resin insulation layer 4 is molded by injecting a melted resin into the die, and the first resin insulation layer 2 is pressurized and molded by die-fastening pressure of the die and pressure for injecting the molten resin.例文帳に追加
そして、第2樹脂絶縁層4は前記金型へ溶融樹脂を注入して成形され、第1樹脂絶縁層2は金型の型締め圧力と溶融樹脂注入の圧力によって加圧成形される。 - 特許庁
A resistive touch screen includes: a transparent substrate; a first conductive layer located on the hard substrate; a flexible transparent cover sheet having integral compressible spacer dots; and a second conductive layer located on the flexible transparent cover sheet.例文帳に追加
抵抗タッチスクリーンは、透明基板;硬質基板上に位置する第1の伝導層と、一体型圧縮性スペーサードットを有するフレキシブル透明カバーシートと、フレキシブル透明カバーシート上に位置する第2の伝導層とを含む。 - 特許庁
The method of manufacturing a ferroelectric memory device includes a step of forming a conductive base layer above a substrate and a step of stacking a first electrode, a ferroelectric film, and a second electrode above the base layer.例文帳に追加
基板の上方に導電性の下地層を形成する工程と、下地層の上方に第1電極と強誘電体膜と第2電極とを積層する工程と、を含む強誘電体メモリ装置の製造方法である。 - 特許庁
Inverting the PXLED to expose the pattern of the masking layer or using the Talbot effect to create an aligned second patterned masking layer allows the formation of PXLEDs with low defect density.例文帳に追加
マスク層のパターンを露出させるためにPXLEDを逆にするか、又は、「タルボット」効果を用いて整列した第2のパターン化マスク層を作り出すことにより、欠陥密度の低いPXLEDを形成することができる。 - 特許庁
The gate insulating film comprises a first gate insulating film 30 as a lower layer and a second gate insulating film 32 as an upper layer having a higher etching rate than that of the first gate insulating film in order from the ground side.例文帳に追加
このゲート絶縁膜は、下地側から下層の第1ゲート絶縁膜30と第1ゲート絶縁膜のエッチングレートより大なるエッチングレートを有する上層の第2ゲート絶縁膜32から成る窒化シリコン膜である。 - 特許庁
The amplitude of the signal output by the signal detector is controlled to various coils having different output signal strength by varying the surface area ratio of the first layer to the second layer.例文帳に追加
信号検出器によって出力される信号の振幅は、第1の層および第2の層の表面積の比を変えることによって異なる出力信号強度を有する種々のコイルに対して調節され得る。 - 特許庁
The forgery preventing film is constituted by forming a second layer (B) containing at least two kinds of thermoplastic resins different in melt viscosity on one surface of the first layer (A) containing a thermoplastic resin.例文帳に追加
熱可塑性樹脂を含有する第1層(A)の片面に、少なくとも2種類の溶融粘度の異なる熱可塑性樹脂を含有する第2層(B)が形成されていることを特徴とする偽造防止用フィルム。 - 特許庁
To improve the efficiency of light emission in a light emitting device with a phosphor layer including a phosphor, which absorbs light rays of a first wavelength from a light emission layer and radiates light rays of a second wavelength.例文帳に追加
発光層からの第1の波長の光を吸収して、第2の波長の光を放射する蛍光体を含む蛍光体層を備えた発光素子において、発光素子の発光効率を向上させる。 - 特許庁
To realize a manufacturing method of a semiconductor device of a dual gate structure which can form an oxide film interposed between a first silicon layer and a second silicon layer with stable film quality and film thickness.例文帳に追加
第1シリコン層と第2シリコン層の間に介在させる酸化膜を安定した膜質及び膜厚で形成することができるDual Gate構造の半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
An option header analyzing unit 45 inserts an option header including the layer 4 information having the same fragmentation identifier registered in the table 43 in response to the packets following a second fragment packet which does not have the layer 4 information.例文帳に追加
オプションヘッダ解析部45はレイヤ4情報を持たない第二のフラグメントパケット以降のパケットに対し、テーブル43に登録されている同一のフラグメント識別子を持つレイヤ4情報を含んだオプションヘッダを挿入する。 - 特許庁
The gas sensor 1 comprises a porous dielectric layer 11 having a large number of holes partitioned by hole walls; and a first electrode 13 and a second electrode 10, arranged so as to sandwich the porous dielectric layer 11.例文帳に追加
ガスセンサ1は、孔壁によって仕切られた多数の孔を有する多孔質誘電体層11と、多孔質誘電体層11を挟むように配置された第1電極13及び第2電極10とを備える。 - 特許庁
The semiconductor laser device of this invention is equipped with a semiconductor multilayer film containing an active layer 24, and a first and a second electrode which are used for injecting a current into the active layer 24 to emit laser beams 61 to 64.例文帳に追加
本発明の半導体レーザ装置は、活性層24を含む半導体多層膜と、活性層24に電流を注入するための第1および第2の電極とを備え、複数のレーザ光61〜64を出射する。 - 特許庁
The second semiconductor layer 20b has a width in the gate length direction narrower than an interval between the gate electrode 24 and each of the ohmic electrodes 22, 23, and has a surface level density lower than that of the first semiconductor layer 19.例文帳に追加
第2の半導体層20bは、ゲート電極24とオーミック電極22、23との間隔よりもゲート長方向の幅が狭く且つ第1の半導体層19と比べて表面準位密度が低い。 - 特許庁
A step of a surface of the first n-type semiconductor spacer layer 23 results from the heavily doped p-type semiconductor mesa 19, so a curvature of an interface between the second DBR 25 and the first n-type semiconductor spacer layer 23 is small.例文帳に追加
第1のn型半導体スペーサ層23の表面の段差は、高濃度p型半導体メサ19に起因するので、第2のDBR25と第1のn型半導体スペーサ層23との界面の曲がりは小さい。 - 特許庁
Further, an inorganic layer 105 is selectively etched by using a resist pattern (second resist pattern) 106 as a mask to make an inorganic mask pattern 107, and a resin layer 104 is selectively etched by using the inorganic mask pattern 107 as a mask.例文帳に追加
また、レジストパターン(第2レジストパターン)106をマスクとして無機層105を選択的にエッチングして無機マスクパターン107が形成された状態とし、これをマスクとして樹脂層104を選択的にエッチングする。 - 特許庁
The multilayer microcapsule is incorporated into a shell material including a multilayer structure containing a first wall layer composed of an amino resin in which hydrophobic contents have a mercapto group and a second wall layer composed of an epoxy resin.例文帳に追加
多層マイクロカプセルは、疎水性の内容物がメルカプト基を有するアミノ樹脂で構成される第1壁層とエポキシ樹脂で構成される第2壁層とを含む多層構造を有する殻体に内包されている。 - 特許庁
The cell surface layer binding protein is constituted so as to provide a first polypeptide chain comprising the serine-rich domain of a cell surface layer protein having a serine-rich domain and a second polypeptide chain comprising other protein.例文帳に追加
細胞表層結合性タンパク質を、セリンリッチドメインを有する細胞表層タンパク質の前記セリンリッチドメインを含む第1のポリペプチド鎖と、他のタンパク質を含む第2のポリペプチド鎖と、を備えるように構成する。 - 特許庁
A detection electrode 42 comprises: a first cermet electrode layer 62 directly formed on a solid electrolyte 12d; and a second cermet electrode 64 formed on the first cermet electrode layer 62.例文帳に追加
検出電極42は、固体電解質層12d上に直接形成された第1のサーメット電極層62と、第1のサーメット電極層62上に形成された第2のサーメット電極層64とから構成される。 - 特許庁
The first layer 7A contains an epoxy resin constituent, a thermosetting agent, a phenoxy resin and nitrile rubber; and the second layer 7B contains an epoxy resin constituent, a thermosetting agent, phenoxy resin, and conductive particles without containing nitrile rubber.例文帳に追加
第1層7Aは、エポキシ樹脂成分、熱硬化剤、フェノキシ樹脂、及びニトリルゴムを含有し、第2層7Bは、エポキシ樹脂成分、熱硬化剤、フェノキシ樹脂、及び導電性粒子を含有し、且つニトリルゴムを含有しない。 - 特許庁
The electrode 15 is constituted of a first electrode layer 15a deposited of nickel (Ni), a second electrode 15b deposited of nickel (Ni) or copper (Cu), and a third electrode layer 15c deposited of tin (Sn).例文帳に追加
電極部15は、ニッケル(Ni)で成膜された第1の電極層15a、ニッケル(Ni)または銅(Cu)で成膜された第2の電極層15b及び錫(Sn)で成膜された第3の電極層15cとからなる。 - 特許庁
Furthermore, when the magnetic pole end layer 53 is expanded in a track width direction with the same width as before, the recording magnetic field same as before is secured on the basis of the magnetic flux between the second magnetic pole 52 and the magnetic pole end layer 53.例文帳に追加
しかも、磁極端層53がこれまでと同等の幅でトラック幅方向に広がれば、第2磁極52および磁極端層53の間で行き交う磁束に基づきこれまでと同等の記録磁界が確保される。 - 特許庁
Since the crystal grain size of each of particles of the second contact auxiliary layer 51 is smaller than that of each of particles of the photoconductive layer 17, the degree of unevenness on the front 51a is reduced in comparison with that on the front 17a.例文帳に追加
第2コンタクト補助層51の結晶粒径が光導電層17の結晶粒径よりも小さいため、前面51aにおける凹凸の度合いは、前面17aにおける凹凸の度合いに対して緩和される。 - 特許庁
A land which locates at the inner part than the most outer array of the lands is connected with a signal line 8 on a second layer (b) via a through hole 3 and the signal line 8 is connected with a signal line on the first layer via a through hole 22.例文帳に追加
複数のランドの最外列より内側に位置するランドがスルーホール3を介して、第2の層(b)の信号線8に接続され、信号線8はスルーホール22を介して第1の層の信号線に接続される。 - 特許庁
The resin layer 34 is formed in the semi-cured resin and adhered to the substrate 32, and when the temperature exceeds a first temperature, the resin layer 34 will be in a semi molten state having some viscosity, and will be in a solid state not having any viscosity when the temperature falls below a second temperature.例文帳に追加
樹脂層34は半硬化樹脂により形成され、基材34に粘着され、第一の温度を越えると粘性がある半溶融状態になり、第二の温度より下がると粘性がない固態になる。 - 特許庁
The color filter substrate 420 is constituted by being stacked on a substrate 120, a colored layer 470, an overcoat layer 30 composed of a resin to which surface silicon oxide grains 31 are exposed, and a second electrode 450 in this order.例文帳に追加
カラーフィルタ基板420は、基板120上に着色層470、表面に酸化ケイ素粒31が露出した樹脂からなるオーバーコート層30、第2電極450が順に積層されて構成される。 - 特許庁
To provide a double metal thin tube in which the first layer consists of a metal such as Au, Ag and Cu, and the second layer consists of metal different from the above metal, and to provide a method of producing the double metal thin tube.例文帳に追加
1層目がAu、Ag、Cu等の金属からなり、2層目が前記金属と異なる種類の金属からなる2重金属細管およびこの2重金属細管の製造方法を提供すること。 - 特許庁
The second wiring layer (7) includes a first conducting pattern (8) at least partly located between the component (1) and the first wiring layer (3) and providing EMI protection between the component (1) and the conducting lines (4).例文帳に追加
第2の配線層(7)は、コンポーネント(1)及び第1の配線層(3)の間に少なくとも一部が位置し、コンポーネント(1)及び導電線(4)の間のEMI保護を提供する第1の導電パターン(8)を有する。 - 特許庁
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